CN109300843A - 晶片的加工方法和晶片的加工中使用的辅助器具 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶片的加工方法、晶片的加工中使用的辅助器具，能够在不损伤器件正面、不损伤由微细结构体形成的器件的情况下将激光光线的聚光点从晶片的背面定位在晶片的内部从而形成改质层。根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其至少包括：辅助器具准备工序，准备具备第一开口部、支承部、第二开口部的辅助器具，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述支承部形成在该第一开口部的底部，避开与该器件区域接触并支承该外周剩余区域，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部且在该支承部的内侧；框架支承工序；卡盘工作台载置工序；改质层形成工序；以及分割工序。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法和该晶片的加工中使用的辅助器具，在不损伤形成在晶片的正面侧的器件的情况下进行加工。
背景技术
利用分割预定线划分而在正面形成有IC、LSI、MEMS(微机电***，Micro ElectroMechanical Systems)、LED等器件的晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件，并被用于移动电话、个人电脑等电气设备中。
激光加工装置大致包含：卡盘工作台，其吸引保持被加工物；激光光线照射单元，其照射具有对于该卡盘工作台所保持的被加工物来说为透过性的波长的激光光线；摄像单元，其对要进行加工的区域进行检测；以及加工进给单元，其使该卡盘工作台与该激光光线照射单元相对地进行加工进给，将聚光点定位在分割预定线的内部，沿着分割预定线形成改质层，从而能够将晶片分割成各个器件(例如，参照专利文献1)。
根据上述专利文献1中记载的技术，沿着晶片的分割预定线形成改质层，从而能够将该晶片分割成各个器件。但是，在晶片的正面侧层积有多个功能层，有时难以从形成有分割预定线的晶片的正面侧将激光光线的聚光点定位在内部。这种情况下，从晶片的背面侧将激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部而在晶片的内部形成改质层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3408805号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述，在难以从晶片的正面将激光光线的聚光点定位在内部的情况下，通过从晶片的背面侧将激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部而在晶片的内部形成改质层，能够将晶片分割成各个器件。但是，在直接利用卡盘工作台吸引保持晶片的正面侧时，由于与卡盘工作台的吸附卡盘的接触而有可能损伤形成在晶片的正面侧的器件。另外，为了不损伤器件，还考虑了在晶片的正面侧粘贴保护带而将其保持于卡盘工作台来进行加工的方法，但在将保护带粘贴至晶片的正面侧并实施分割工序之后，在将该保护带从正面侧剥离时，构成保护带的粘接层的一部分附着于器件而未脱落，有时在其后的工序中产生加工不良等，招致品质的降低。此外，在MEMS晶片中，各器件由微细的结构体形成，因而在剥离保护带时存在使该器件损伤的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于提供一种晶片的加工方法以及在该晶片的加工中使用的辅助器具，该加工方法能够在不损伤器件的正面、并且不损伤由微细的结构体形成的器件的情况下将激光光线的聚光点从晶片的背面定位在晶片的内部从而形成改质层。
用于解决课题的手段
为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其将具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片分割成各个器件，该方法至少由下述工序构成：辅助器具准备工序，准备具备第一开口部、支承部以及第二开口部的辅助器具，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述支承部形成在该第一开口部的底部，在避开与该器件区域接触的同时支承该外周剩余区域，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部且在该支承部的内侧；框架支承工序，以将晶片的背面粘贴至划片带并且利用具有收纳晶片的开口的框架收纳晶片的状态，将该晶片粘贴至划片带从而利用该框架进行支承；卡盘工作台载置工序，将该辅助器具载置于具备吸引保持单元的卡盘工作台并且将该晶片的正面侧收纳在该辅助器具的第一开口部，使吸引力作用于该卡盘工作台；改质层形成工序，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点隔着该划片带从该晶片的背面定位在内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层；以及分割工序，对借助划片带而保持于框架的晶片赋予外力，沿着该分割预定线将晶片分割成各个器件。
对于该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，优选构成为将该第一开口部的外周的正面加工成粗面而使该改质层形成工序中使用的激光光线发生散射。
对于该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，优选将该第二开口部的底部与该支承部的阶差设定为10μm～20μm。
在该晶片的该器件区域所形成的器件为MEMS的情况下，本发明是特别适宜的。
为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种辅助器具，其对具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行支承，该辅助器具具备第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状；所述第二开口部形成在该第一开口部的底部，其具有支承部，该支承部在避开与该器件区域接触的同时支承外周剩余区域。
发明效果
本发明提供一种晶片的加工方法，其将具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片分割成各个器件，该方法至少由下述工序构成：辅助器具准备工序，准备具备第一开口部、支承部以及第二开口部的辅助器具，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述支承部形成在第一开口部的底部，在避开与器件区域接触的同时支承外周剩余区域，所述第二开口部形成在第一开口部的底部且在支承部的内侧；框架支承工序，以将晶片的背面粘贴至划片带并且利用具有收纳晶片的开口的框架收纳晶片的状态，将晶片粘贴至划片带而利用框架进行支承；卡盘工作台载置工序，将辅助器具载置于具备吸引保持单元的卡盘工作台并且将晶片的正面侧收纳在辅助器具的第一开口部，使吸引力作用于卡盘工作台；改质层形成工序，将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点隔着划片带从晶片的背面定位在内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层；以及分割工序，对借助划片带而保持于框架的晶片赋予外力，沿着该分割预定线将晶片分割成各个器件，由此，即使在从晶片的背面侧照射激光光线来实施激光加工的情况下，也能够不损伤器件的正面而在晶片的内部形成改质层。另外，无需在晶片的正面粘贴具备粘接层的保护带等，因而能够克服粘接层的一部分附着于器件而使品质降低、或在剥离时使器件损伤的问题。
根据本发明，提供一种辅助器具，其对具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行支承，该辅助器具具备第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状；所述第二开口部形成在该第一开口部的底部，其具有支承部，该支承部在避开与该器件区域接触的同时支承外周剩余区域。通过将该辅助器具用于激光加工方法，即使在从晶片的背面侧照射激光光线来实施激光加工的情况下，也能够不损伤器件的正面而在晶片的内部形成改质层。另外，无需在晶片的正面粘贴具备粘接层的保护带等，因而能够克服粘接层的一部分附着于器件而使品质降低、或在剥离时使器件损伤的问题。
附图说明
图1是基于本发明构成的辅助器具的整体立体图以及示意性截面图。
图2是用于说明本发明的框架支承工序的示意图。
图3是为了实施本发明的激光加工方法而构成的激光加工装置的整体立体图。
图4是用于说明本发明的卡盘工作台载置工序的示意图。
图5是用于说明本发明的改质层形成工序的示意图。
图6是用于说明本发明的分割工序的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对基于本发明构成的晶片的加工方法以及该晶片的加工中使用的辅助器具进行详细说明。
(辅助器具准备工序)
图1的(a)示出了在基于本发明的晶片的加工方法的辅助器具准备工序中准备的辅助器具100的整体立体图，图1的(b)示出了图1的(a)的A-A截面图。辅助器具100例如具有晶片的直径+10mm左右的直径，由Si(硅)构成，其具备第一开口部120，该第一开口部120用于收纳晶片，与后述的作为被加工物的晶片的外形为大致相同形状。另外，辅助器具100具备支承部122以及第二开口部130，在使形成有器件的面朝下将晶片收纳在第一开口部120的底部的情况下，该支承部122在避开与形成有器件的器件区域接触的同时支承未形成器件的外周剩余区域；第二开口部130形成在第一开口部120的底部且在支承部122的内侧区域；在第二开口部130的底部形成有底壁132。上述的辅助器具100例如可以通过以下的过程来制造。
首先，准备具有相对于要加工的晶片的直径+10mm的直径、并且具有相对于要加工的晶片的厚度+0.6mm的厚度的Si基板。接下来，利用呈环状具备磨削磨具的磨削磨轮将Si基板的上表面磨削0.1mm，形成粗面，其中，该磨削磨具是将粒径为50μm左右的金刚石磨粒用树脂结合剂固定而形成的。接着，将以要加工的晶片直径的1/2左右的直径呈环状具备磨削磨具的磨削磨轮定位在距离Si基板的外周端小于5mm的内侧，磨削至500μm的深度，形成与晶片大致相同形状的第一开口部120，其中，该磨削磨具是将粒径为20μm左右的金刚石磨粒用树脂结合剂固定而形成的。进一步，将形成了第一开口部120的磨削磨轮定位在第一开口部120的底部且按照与要加工的晶片的外周剩余区域的宽度(2～3mm)对应的宽度(2～3mm)定位在靠内侧的位置，残留支承部122，磨削至20μm的深度，形成第二开口部130。通过以上完成了辅助器具100。
通过利用上述的过程进行制造而将围绕辅助器具100的第一开口部120的外周112形成为粗面，以使得后述的晶片加工时所照射的激光光线发生散射。需要说明的是，外周112并不限于利用上述的条件进行磨削，只要形成为使在加工时所照射的激光光线发生散射的程度的粗面即可。
辅助器具100的第一开口部120的深度根据要进行加工的晶片的厚度来设定，在本实施方式中例如设为500μm左右的深度。另外，第二开口部130的深度、即从底部132到支承部122的阶差被设定为20μm。需要说明的是，该阶差只要为不接触收纳在第一开口部120的晶片的器件形成面的程度的阶差即可，优选设定为10～20μm的程度。需要说明的是，为方便起见，图1是以易于理解的方式说明了辅助器具100的构成，其与实际尺寸不符。
在对作为被加工物的晶片实施加工前，预先准备以上示出的辅助器具100，从而完成辅助器具准备工序。
(框架支承工序)
接下来实施框架支承工序。在实施框架支承工序时，首先，如图2的(a)所示，准备作为被加工物的大致圆形状的晶片10。关于晶片10，例如对由Si(硅)构成的晶片实施包括光刻工艺和蚀刻的加工，在由在正面10a上相互正交的多条分割预定线12划分出的器件区域形成有多个器件(MEMS)14。在围绕形成有该器件14的该器件区域的外周形成有未形成器件14的外周剩余区域10c。以将晶片10的背面10b粘贴至划片带T并且利用具有收纳晶片10的开口的框架F收纳晶片10的状态，将该晶片10粘贴至划片带T而利用该框架F进行支承。通过以上完成框架支承工序(参照图2的(b))。
若完成了上述的框架支承工序，则实施卡盘工作台载置工序，将晶片10保持于激光加工装置的卡盘工作台。参照图3对为了实现本发明的晶片的加工方法而构成的激光加工装置2进行说明。
图3所示的激光加工装置2具备：保持单元22，其保持被加工物；移动单元23，其配设于静止基台2a上，使保持单元22移动；激光光线照射单元24，其对保持单元22所保持的被加工物照射激光光线；以及框体50，其由在静止基台2a上的移动单元23的侧方沿箭头Z所示的Z方向竖立设置的垂直壁部51和从垂直壁部51的上端部沿水平方向延伸的水平壁部52构成。在框体50的水平壁部52内部内置有构成本发明的激光加工装置2的主要部分的激光光线照射单元24的光学***，在水平壁部52的前端部下表面侧配设有构成激光光线照射单元24的聚光器241，并且在相对于聚光器241沿图中箭头X所示方向相邻的位置配设有摄像单元26。该摄像单元26包含：通过可见光线进行拍摄的通常的摄像元件(CCD)；对被加工物照射红外线的红外线照射单元；捕捉通过红外线照射单元照射的红外线的光学***；以及输出与该光学***所捕捉的红外线相对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)。
保持单元22包含：矩形状的X方向可动板30，其在图中箭头X所示的X方向上可自由移动地搭载于基台2a；矩形状的Y方向可动板31，其在图中箭头Y所示的Y方向上可自由移动地搭载于X方向可动板30；圆筒状的支柱32，其固定于Y方向可动板31的上表面；以及矩形状的罩板33，其固定于支柱32的上端。在罩板33配设有卡盘工作台34，其构成为通过形成在该罩板33上的长孔而向上方延伸，对圆形状的被加工物进行保持，可利用未图示的旋转驱动单元进行旋转。在卡盘工作台34的上表面配置有由实质上水平延伸的圆形状的吸附卡盘35构成的吸引保持单元，该吸附卡盘35由多孔质材料形成。吸附卡盘35利用通过支柱32的流路与未图示的吸引单元连接，在吸附卡盘35的周围均等地配置有4个夹具36，它们在将被加工物固定于卡盘工作台34时用于把持对晶片10进行保持的框架F。需要说明的是，X方向为图1中箭头X所示的方向，Y方向为箭头Y所示的方向、是与X方向正交的方向。由X方向、Y方向所规定的平面实质上为水平的。
移动单元23包含X方向移动单元40和Y方向移动单元42。X方向移动单元40借助滚珠丝杠将电动机的旋转运动转换成直线运动并传递至X方向可动板30，使X方向可动板30沿着基台2a上的导轨在X方向上进退。Y方向移动单元42借助滚珠丝杠将电动机的旋转运动转换成直线运动并传递至Y方向可动板31，使Y方向可动板31沿着X方向可动板30上的导轨在Y方向上进退。需要说明的是，虽然图示省略，但在X方向移动单元40、Y方向移动单元42分别配设有位置检测单元，精确检测出卡盘工作台34的X方向的位置、Y方向的位置、周向的旋转位置，基于由后述的控制单元指示的信号驱动X方向移动单元40、Y方向移动单元42以及未图示的旋转驱动单元，能够将卡盘工作台34精确地定位在任意的位置和角度。需要说明的是，上述的激光加工装置2整体以及移动单元23等在通常的加工状态下构成为利用未图示的罩(为了便于说明而将其省略)、波纹罩等覆盖，以使得粉尘或尘埃等不会进入到内部。
本实施方式的激光加工装置2大致按上述构成，下面对接着上述框架支承工序实施的卡盘工作台载置工序进行说明。
(卡盘工作台载置工序)
在卡盘工作台载置工序中，如图4的(a)所示，在卡盘工作台34的吸附卡盘35上载置辅助器具100并且使形成有器件14的晶片10的正面10a侧朝下收纳在辅助器具100的第一开口部120，使4个夹具36作用于保持着晶片10的框架F来进行固定。进一步通过使吸引力作用于卡盘工作台34的吸附卡盘35而吸引保持辅助器具100。此时，使晶片10的正面10a的围绕形成有器件14的器件区域的外周剩余区域10c与辅助器具100的支承部122抵接并保持在该支承部122。由此，如图4的(b)中的示意性截面图所示，划片带T位于最上表面，晶片10隔着辅助器具100保持在卡盘工作台34的吸附卡盘35上，并且在晶片10的形成有器件14的器件区域与辅助器具100的底壁132之间确保空间(约20μm)。通过以上完成卡盘工作台载置工序。
(改质层形成工序)
如上所述，若完成了卡盘工作台载置工序，则实施改质层形成工序，用于在晶片10的内部形成改质层。改质层形成工序具体通过以下过程来实施。
若将晶片10与辅助器具100一起保持在卡盘工作台34上，则使加工进给单元23动作，将卡盘工作台34定位在摄像单元26的正下方。卡盘工作台34定位在摄像单元26的正下方时，执行对准作业，利用摄像单元26和未图示的控制单元对晶片10的要进行激光加工的加工区域进行检测。即，摄像单元26和控制单元执行图案匹配等图像处理，用于进行沿着晶片10的分割预定线12照射激光光线LB的激光光线照射单元24的聚光器241与加工区域的对位，从而完成激光光线照射位置的对准工序。此时，尽管晶片10的形成有分割预定线12的正面10a位于下侧，但由于摄像单元26如上所述由红外线照射单元和捕捉红外线的光学***以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，因而可以透过划片带T和晶片10而对正面10a侧的分割预定线12进行拍摄。
若实施了上述的对准工序，则如图5的(a)所示实施改质层形成工序，越过划片带T、即隔着划片带T沿分割预定线12照射具有对于晶片10来说为透过性的波长的激光光线LB，在晶片10的内部形成改质层200。更具体地说，将卡盘工作台34移动到照射激光光线LB的激光光线照射单元24的聚光器241所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线12的一端定位在激光光线照射单元24的聚光器241正下方。接着，将从聚光器241照射的激光光线LB的聚光点定位在晶片10的内部，一边从聚光器24照射具有对于晶片10来说为透过性的波长的脉冲激光光线LB一边使卡盘工作台34沿图中箭头X所示的方向以规定的加工进给速度移动，移动至分割预定线12的另一端为止。在这样的加工中，一边使保持单元22、移动单元23动作，一边实施沿着全部的分割预定线12形成改质层的激光加工(参照图5的(b))。需要说明的是，图5的(b)是示出从辅助器具100取出晶片10并使其正面10a侧朝向上方的状态的图。
上述的激光加工中实施的激光加工条件例如如下设定。
在本发明中，不粘贴对晶片10的形成有器件14的正面10a侧进行保护的粘接带等，而使用上述那样的辅助器具来实施激光加工。因而，在实施了激光加工后，无需剥离粘接性的带等，即使像MEMS器件那样形成了微细复杂的电路的器件，也不会发生损坏等问题。
在实施上述的激光加工时，对于规定的分割预定线12开始激光光线LB的照射的开始位置以及结束激光光线LB的照射的结束位置均被定位在从晶片10上的分割预定线12的端部稍向辅助器具100的外周112侧的位置。此处，在本发明中，如上所述，辅助器具100的外周112的正面加工成粗面，以使激光光线LB在照射时发生散射，即使向辅助器具100的外周112照射激光光线，也可防止劣化。需要说明的是，辅助器具100的外周112的宽度优选为3～5mm的程度。通过以上完成改质层形成工序。
(分割工序)
如上所述，若完成了改质层形成工序，则实施分割工序。参照图6对在本实施方式中为了实施分割工序而构成的分割装置70进行说明。
图示的分割装置70中，由保持对晶片10进行保持的环状的框架F的框架保持部件71、以及配设在框架保持部件71的外周的作为固定单元的多个夹具72构成框架保持单元。另外，为了对安装在该框架保持单元所保持的环状的框架F上的划片带T进行扩展，具备配设在框架保持部件71的内侧的扩展鼓75。该扩展鼓75具有小于环状的框架F的内径、大于粘贴至安装于该环状框架F上的划片带T的晶片10的外径的内径和外径。另外，扩展鼓75在下端部具备沿径向突出而形成的支承凸缘(图示省略)，在该支承凸缘上，为了使框架保持部件71沿上下方向进退而配设多个气缸73，利用气缸73沿上下方向进退的活塞杆74连结在框架保持部件71的下表面。像这样由多个气缸73、活塞杆74构成的支承单元构成为能够在基准位置与扩展位置之间选择性地移动，该基准位置如图6的(a)中实线所示是环状的框架保持部件71与扩展鼓75的上端为大致相同高度的位置，该扩展位置如双点划线所示是环状的框架保持部件71距离扩展鼓75的上端为规定量的下方的位置。
对上述的分割装置70的作用进行说明。将借助划片带T支承有沿着分割预定线12形成有改质层200的晶片10的环状的框架F载置于框架保持部件71的载置面上，并利用夹具72固定于框架保持部件71。此时，框架保持部件71被定位在图6的(a)中实线所示的基准位置。
若将借助划片带T支承有晶片10的环状的框架F固定在定位于图中实线所示的基准位置的框架保持部件71，则使构成带扩展单元的多个气缸73动作，使环状的框架保持部件71下降。由此，固定于框架保持部件71的载置面上的环状的框架F也下降，因而如图中双点划线所示，安装在环状的框架F上的划片带T与相对上升的扩展鼓75的上端缘抵接而被扩展。其结果，拉伸力呈放射状作用在粘贴于划片带T的晶片10，如图6的(b)所示，沿着分割预定线12形成的改质层200成为分割起点，沿着各个器件14形成分割线210。通过以上完成分割工序。
若完成了上述的分割工序，则应用适宜的拾取单元，从划片带T拾取分割成单个的器件14，搬运到下一工序。
本发明并不限于上述的实施方式，只要包含在本发明的技术范围内，即可以设想各种变形例。上述实施方式中，示出了器件14为MEMS的情况，但本发明并不限于此，在对形成了IC、LSI、LED等其他器件的晶片进行加工时也能够应用本发明。
符号说明
2：激光加工装置
10：晶片
10a：正面
10b：背面
10c：外周剩余区域
12：分割预定线
14：器件
22：保持单元
23：移动单元
34：卡盘工作台
35：吸附卡盘
36：夹具
40：X方向移动单元
42：Y方向移动单元
70：分割装置
100：辅助器具
112：外周
120：第一开口部
122：支承部
130：第二开口部
132：底壁
Claims (7)
1.一种晶片的加工方法，其将具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片分割成各个器件，该方法至少由下述工序构成：
辅助器具准备工序，准备具备第一开口部、支承部以及第二开口部的辅助器具，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述支承部形成在该第一开口部的底部，在避开与该器件区域接触的同时支承该外周剩余区域，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部且在该支承部的内侧；
框架支承工序，以将晶片的背面粘贴至划片带并且利用具有收纳晶片的开口的框架收纳晶片的状态，将该晶片粘贴至划片带从而利用该框架进行支承；
卡盘工作台载置工序，将该辅助器具载置于具备吸引保持单元的卡盘工作台并且将该晶片的正面侧收纳在该辅助器具的第一开口部，使吸引力作用于该卡盘工作台；
改质层形成工序，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点隔着该划片带从该晶片的背面定位在内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层；以及
分割工序，对借助划片带而保持于框架的晶片赋予外力，沿着该分割预定线将晶片分割成各个器件。
2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，对于在该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，将该第一开口部的外周的正面加工成粗面而使该改质层形成工序中使用的激光光线发生散射。
3.如权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，对于在该辅助器具准备工序中准备的辅助器具，将该第二开口部的底部与该支承部的阶差设定为10μm～20μm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片的加工方法，其中，在该晶片的该器件区域所形成的器件为MEMS。
5.一种辅助器具，其对具备由分割预定线划分而在正面形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行支承，
该辅助器具具备第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部用于收纳晶片，其与晶片的外形大致为相同形状，所述第二开口部形成在该第一开口部的底部，其具有支承部，该支承部在避开与该器件区域接触的同时支承外周剩余区域。
6.如权利要求5所述的辅助器具，其中，对于该辅助器具，将该第一开口部的外周的正面形成为粗面而使激光光线发生散射。
7.如权利要求5或6所述的辅助器具，其中，对于该辅助器具，将该第二开口部的底部与该支承部的阶差设定为10μm～20μm。
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