CN109273315A - 一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法及真空灭弧室 - Google Patents
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Abstract
本发明的屏蔽筒与瓷壳的固定方法,包括:在瓷壳内壁加工一个台阶,台阶下端为斜面;加工一个内衬过渡环,内衬过渡环包括挂接于台阶的挂接部以及与台阶侧壁相贴合的贴合部;将内衬过渡环挂接于瓷壳的台阶上后,与屏蔽筒进行焊接固定。本发明的真空灭弧室,包括瓷壳、内衬过渡环以及屏蔽筒;瓷壳的内壁具有台阶;内衬过渡环包括依次相连的挂接部、贴合部以及扩口部,挂接部挂接于台阶的上端面,贴合部与台阶的侧壁相贴合,扩口部与所述台阶下端的斜面相贴合;屏蔽筒与内衬过渡环通过焊接方式相固定。本发明的固定方法采用薄壁内衬过渡环使瓷壳内台不需要加工金属化层,降低了瓷壳制造成本,屏蔽筒钎焊固定在内衬过渡环上,不易偏斜,对正性良好。
Description
技术领域
本发明属于真空灭弧室技术领域,具体涉及一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,还涉及利用该固定方法固定屏蔽筒与瓷壳的真空灭弧室。
背景技术
真空灭弧室是真空开关的核心元器件,既要承载、关合、开断正常工作电流和短路故障电流,还需在分闸状态时保持良好的绝缘能力。真空灭弧室的屏蔽筒零件用来吸收电流开断过程的电弧生成物,避免瓷壳内壁受到金属蒸汽沉积导致绝缘能力下降。
常见的屏蔽筒固定方式有中间封接式、外露式、瓷壳内台旋压式、瓷壳内台焊接式等。中间封接式固定方式通过瓷壳与中间封接环之间、屏蔽筒与中间封接环之间钎焊的方式实现屏蔽筒固定,具有固定牢固可靠的优点,且瓷壳加工简单、内壁不需要加工台阶,但该方式需要两节瓷壳,既增加了两道焊缝而增加了漏气几率,又存在中封部位对瓷壳外表面放电的可能。外露式固定方式相当于中间封接式的演变,该固定方式取消了中间封接环,使屏蔽筒外露,屏蔽筒两端与瓷壳端面直接钎焊,该方式在瓷壳直径不增加的情况下增加了屏蔽筒直径,从而适用于直径较大开断能力较大的电极的布置,但采用该方式会显著增加灭弧室高度,不利于产品小型化。瓷壳内台旋压式固定方式采用一节瓷壳,瓷壳内壁上有固定屏蔽筒用台阶,通过机械旋压屏蔽筒的一个端口,使屏蔽筒旋压端口翻边后悬挂固定于瓷壳内台上,该方式没有中间封接式的中封部位放电问题,并具有成本较低,操作简便的优点,但存在屏蔽通固定后经高温后易松动歪斜的缺陷。瓷壳内台焊接式固定方式同样采用内壁有固定屏蔽筒用台阶的一节瓷壳,但该台阶需要加工金属化层,以便于与屏蔽筒钎焊,该固定方式操作简便,屏蔽筒固定牢固,但由于瓷壳内台阶需要加工金属化层,增加了瓷壳制造成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,其采用内台阶无需加工金属化层的一节瓷壳,并引入了内衬过渡环薄壁零件,通过内衬过渡环旋压包裹方式实现了瓷壳内台加工金属化层的同等效果,屏蔽筒与内衬过渡环再通过焊接方式固定在瓷壳上。
本发明还公开一种利用该固定方法固定屏蔽筒和瓷壳的真空灭弧室。
本发明所采用的一种技术方案是:一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,包括步骤:
加工一节瓷壳,在所述瓷壳内壁加工一个台阶,所述台阶下端为斜面;
加工一个与所述台阶形状相适应的金属材质的内衬过渡环,所述内衬过渡环包括挂接于所述台阶的挂接部以及与所述台阶侧壁相贴合的贴合部,所述挂接部与所述贴合部相连;
将所述内衬过渡环挂接于所述瓷壳的台阶上;
最后将屏蔽筒采用焊接方式与所述内衬过渡环进行焊接固定,即完成屏蔽筒与瓷壳的固定工作。
本发明的特点还在于,
所述贴合部远离挂接部的一端连接有扩口部。
将所述内衬过渡环挂接于所述瓷壳的台阶上并与屏蔽筒焊接之前,还包括步骤:采用旋压方式将所述内衬过渡环的扩口部包裹于所述瓷壳的台阶下端斜面处。
所述屏蔽筒与内衬过渡环采用钎焊方式进行固定。
本发明所采用的另一种技术方案是:一种真空灭弧室,包括瓷壳、金属材质的内衬过渡环以及屏蔽筒;
所述瓷壳的内壁具有台阶,所述台阶下端为斜面;
所述内衬过渡环包括依次相连的挂接部、贴合部以及扩口部,所述挂接部挂接于所述台阶的上端面,所述贴合部与所述台阶的侧壁相贴合,所述扩口部与所述台阶下端的斜面相贴合;
所述屏蔽筒与所述内衬过渡环通过焊接方式相固定。
本发明的有益效果是:本发明的一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,采用薄壁内衬过渡环方案,使瓷壳内台不需要加工金属化层,降低了瓷壳制造成本,屏蔽筒的中间部位钎焊固定在内衬过渡环上,使得屏蔽筒固定牢固,不易偏斜,对正性良好。该固定方法兼顾了瓷壳内台旋压式、瓷壳内台焊接式两种屏蔽筒固定方式的优点,既有屏蔽筒固定牢固可靠、固定效果良好的技术优势,又具有瓷壳加工成本低的成本优势。本发明的真空灭弧室,其屏蔽筒和瓷壳采用上述固定方式,使得屏蔽筒固定牢靠,从而提高了其性能。
附图说明
图1是本发明的屏蔽筒与瓷壳的固定状态示意图;
图2是图1中S处的放大图;
图3是本发明的内衬过渡环的结构示意图;
图4是本发明的内衬过渡环旋压前与瓷壳的位置示意图;
图5是本发明的内衬过渡环旋压后与瓷壳的位置示意图;
图6是本发明的真空灭弧室的结构示意图。
图中,1.导向套,2.动端盖板,3.瓷壳,4.内衬过渡环,5.屏蔽筒,6.静导电杆,7.静端盖板,8.动导电杆,9.波纹管,10.动电极,11.静电极,12.均压罩,13.焊料。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明提供的一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,包括步骤:
加工一节瓷壳3,在瓷壳3内壁加工一个台阶,台阶下端为斜面;
加工一个与台阶形状相适应的金属材质的内衬过渡环4,内衬过渡环4包括挂接于台阶的挂接部以及与所述台阶侧壁相贴合的贴合部,挂接部与所述贴合部相连;
将内衬过渡环4挂接于瓷壳3的台阶上;
最后将屏蔽筒5采用焊接方式与所述内衬过渡环4进行焊接固定,即完成屏蔽筒5与瓷壳3的固定工作。
参见图1和图2,即为焊接完成后的结构示意图及焊接位置的放大图。
参见图3至图5,内衬过渡环4还具有扩口部,扩口部连接于贴合部远离挂接部的一端。内衬过渡环可以是无氧铜或纯铜、不锈钢、电工纯铁等金属材料,其是一种薄壁冲压件,壁厚在0.3~1毫米之间。
将内衬过渡环4挂接于瓷壳3的台阶上并与屏蔽筒焊接之前,还包括步骤:采用旋压方式将所述内衬过渡环的扩口部包裹于所述瓷壳的台阶下端斜面处。该步骤由图4到图5的变化可知。
优选的,屏蔽筒与内衬过渡环采用钎焊方式进行固定,焊料13堆积于内衬过渡环4的挂接部上。
本发明所采用瓷壳的的特点是其内壁上加工有一道台阶,该台阶用于固定屏蔽筒,且该台阶表面不需要加工金属化层。将内衬过渡环零件装配在瓷壳内台阶上,并通过机械旋压方式使内衬过渡环包裹在内台阶上,从而实现了瓷壳内台加工金属化层的同等效果。再将屏蔽筒装配在内衬过渡环上,并与内衬过渡环进行钎焊固定,屏蔽筒的焊接部位位于屏蔽筒的中部或偏离中部一定距离,最终实现将屏蔽筒可靠固定在瓷壳内台阶上。
本发明还公开了一种真空灭弧室,该真空灭弧室至少包括瓷壳3、金属材质的内衬过渡环4以及屏蔽筒5;
所述瓷壳3的内壁具有台阶,所述台阶下端为斜面;
所述内衬过渡环4包括依次相连的挂接部、贴合部以及扩口部,所述挂接部挂接于所述台阶的上端面,所述贴合部与所述台阶的侧壁相贴合,所述扩口部与所述台阶下端的斜面相贴合;
屏蔽筒5与所述内衬过渡环4通过焊接方式相固定。
即本发明的真空灭弧室,其瓷壳和屏蔽筒的固定方式采用上述的利用内衬过渡环的固定方式,其余部件结构与现有技术无异。一种具体的真空灭弧室结构如图6所示,还包括分别穿过瓷壳3和屏蔽筒5的动导电杆8和静导电杆6,动导电杆8和静导电杆6相对的一端分别设置动电极10和静电极11,动导电杆上设置有波纹管9,静导电杆6上设置有均压罩12,动导电杆8和静导电杆6分别通过动端盖板2和静端盖板7固定于瓷壳3上,动导电杆8位于瓷壳3外部的圆周上还设置导向套1。
Claims (5)
1.一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,其特征在于,包括步骤:
加工一节瓷壳,在所述瓷壳内壁加工一个台阶,所述台阶下端为斜面;
加工一个与所述台阶形状相适应的金属材质的内衬过渡环,所述内衬过渡环包括挂接于所述台阶的挂接部以及与所述台阶侧壁相贴合的贴合部,所述挂接部与所述贴合部相连;
将所述内衬过渡环挂接于所述瓷壳的台阶上;
最后将屏蔽筒采用焊接方式与所述内衬过渡环进行焊接固定,即完成屏蔽筒与瓷壳的固定工作。
2.如权利要求1所述的一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,其特征在于,所述贴合部远离挂接部的一端连接有扩口部。
3.如权利要求2所述的一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,其特征在于,将所述内衬过渡环挂接于所述瓷壳的台阶上并与屏蔽筒焊接之前,还包括步骤:采用旋压方式将所述内衬过渡环的扩口部包裹于所述瓷壳的台阶下端斜面处。
4.如权利要求1所述的一种屏蔽筒与瓷壳的固定方法,其特征在于,所述屏蔽筒与内衬过渡环采用钎焊方式进行固定。
5.一种真空灭弧室,其特征在于,包括瓷壳、金属材质的内衬过渡环以及屏蔽筒;
所述瓷壳的内壁具有台阶,所述台阶下端为斜面;
所述内衬过渡环包括依次相连的挂接部、贴合部以及扩口部,所述挂接部挂接于所述台阶的上端面,所述贴合部与所述台阶的侧壁相贴合,所述扩口部与所述台阶下端的斜面相贴合;
所述屏蔽筒与所述内衬过渡环通过焊接方式相固定。
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