CN109244106B - 照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明*** - Google Patents

照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明*** Download PDF

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Abstract

提供了一种照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***。该照明面板包括:材料层,该材料层位于基板上;辅助电极,该辅助电极嵌入材料层中;第一电极,该第一电极位于材料层上并且电连接至辅助电极;有机发光层和第二电极,该有机发光层和该第二电极位于其中设置有第一电极的发光部分中;和封装构件,该封装构件位于基板的发光部分中。

Description

照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月11日提交的韩国专利申请No.10-2017-0088046的优先权和权益,在此通过引用将该韩国专利申请的全部内容并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***,更具体地涉及一种使用有机发光二极管的照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***。
背景技术
作为当前的照明装置,主要使用荧光灯或白炽灯。白炽灯具有优良的显色指数(CRI)和非常低的能量效率。荧光灯具有优良的能量效率。然而,荧光灯具有较低的CRI并且因为包含汞而具有环境问题。
显色指数是表示色再现的指数。显色指数是通过将物体被特定光源照射的情形与物体被参考光源照射的情形相比较,显示出被光源照射的物体的颜色的相似感是多大的指数。太阳光的CRI是100。
为了解决这种常规照明装置的问题,近来已提出发光二极管(LED)作为照明装置。发光二极管由无机发光材料形成。其发光效率在蓝色波长范围中最高,并且发光效率朝着具有最高可见性的红色波长范围和绿色波长范围降低。因此,当通过组合红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管发射白光时,存在发光效率降低的问题。
作为另一可选方案,已开发了使用有机发光二极管(OLED)的照明面板。在使用传统有机发光器件的照明面板中,由ITO制成的阳极电极形成在玻璃基板上。然后,形成有机发光层和阴极电极,并且钝化层和封装构件的层压膜粘附在其上。
在使用有机发光二极管的照明面板中,为了发射平面光的照明面板的均匀亮度,形成辅助电极。此时,在层压封装构件之后,由于辅助电极的高锥度(taper),钝化层和阴极可破裂。
图1是显示相关技术的辅助电极及其上的堆叠结构的锥度的图片。
此时,图1作为示例显示了包括Mo/Al的双层的辅助电极及其上的堆叠结构的锥度。
参照图1,包括Mo/Al的双层的辅助电极具有70度或更大,例如80度,的高锥度。
此时,随着辅助电极的锥度变得更高,当层压封装构件时在辅助电极上的钝化层和阴极中发生破裂的可能性较高。更具体地说,由于辅助电极的高锥度而形成台阶,通过层压封装构件时的物理压力,在破裂脆弱点中发生破裂。
这种破裂可自面板的边缘起形成湿气的渗透路径,在面板的操作过程中可导致暗点,由此降低面板的可靠性。
发明内容
因此,本公开内容涉及一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***。
本公开内容的目的是提供一种照明面板及其制造方法、照明模块、照明装置和照明***,其防止钝化层和阴极由于辅助电极的台阶和锥度而破裂。
在下面的描述中将阐述本公开内容的附加特征和优点,这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的,或者可通过本公开内容的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本公开内容的这些和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本公开内容的目的,如在此具体和概括描述的,提供了一种使用有机发光二极管的照明面板,包括:材料层,所述材料层位于基板上;辅助电极,所述辅助电极嵌入所述材料层中;第一电极,所述第一电极位于所述材料层上并且电连接至所述辅助电极;有机发光层和第二电极,所述有机发光层和所述第二电极位于其中设置有所述第一电极的发光部分中;和封装构件,所述封装构件位于所述基板的所述发光部分中。
在另一个方面中,提供了一种照明模块,所述照明模块包括根据本公开内容的任意实施方式的照明面板。
在另一个方面中,提供了一种照明装置,所述照明装置包括根据本公开内容的实施方式的照明面板和照明模块中的至少一种。
在另一个方面中,提供了一种照明***,所述照明***包括根据本公开内容的实施方式的照明面板、照明模块和照明装置中的至少一种。
在另一个方面中,提供了一种制造使用有机发光二极管的照明面板的方法,包括:在基板上形成内部光提取层和/或缓冲层;通过选择性地去除所述内部光提取层和/或所述缓冲层,在所述内部光提取层和/或所述缓冲层中形成具有下凹形状的辅助电极图案;在所述辅助电极图案中嵌入辅助电极;在所述缓冲层上形成电连接至所述辅助电极的第一电极;在其中设置有所述第一电极的发光部分中形成有机发光层和第二电极;和在所述基板的所述发光部分中形成封装构件。
应当理解,前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的,旨在对要求保护的本公开内容提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来给本公开内容提供进一步理解且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本公开内容的实施方式,并与说明书一起用于解释本公开内容的原理。
图1是显示相关技术的辅助电极及其上的堆叠结构的锥度的图片;
图2是象征性地显示根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图;
图3是示意性显示根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的平面图;
图4是示意性显示沿图3中的线I-I’截取的根据第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面的示图;
图5A到图5G是按顺序图解图3中所示的根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的制造方法的平面图;
图6A到图6G是按顺序图解图4中所示的根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的制造方法的剖面图;
图7是放大图5D中所示的发光部分的一部分的示图;
图8A到图8C是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的方法的剖面图;
图9A和图9B是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的另一方法的剖面图;
图10A到图10C是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的另一方法的剖面图;
图11是示意性显示根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的平面图;
图12是示意性显示沿图11中的线II-II’截取的根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面的示图;
图13是示意性显示根据本公开内容第三实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图;
图14是示意性显示根据本公开内容第四实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图。
具体实施方式
下文中,将参照附图描述根据本公开内容示例性实施方式的使用有机发光二极管的照明面板及其制造方法。
参照下面结合附图详细描述的实施方式,将清楚地理解本公开内容的优点和特征以及其实现方法。然而,本公开内容不限于下面公开的实施方式,而是可以以各种不同的形式实现。应当注意,提供这些实施方式仅是为了使公开全面并且也使本领域技术人员知晓公开内容的全面范围,因此,本公开内容仅由所附权利要求的范围限定。此外,在整个申请中相同的参考标记表示相同或相似的元素。在图中,为了描述的清楚起见可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。
称一元件或层位于另一元件或层“上”可包括其直接位于另一元件或层上的情形以及在它们之间***其他元件和层的情形。相反,称一元件“直接”位于另一元件“上”表示在它们之间不***其他元件和层。
为了描述图中所示的一个器件或构成元素与其他器件或构成元素之间的相关性,在此可使用诸如“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……上方”或“上部”之类的空间相对术语。将理解到除图中描述的方向之外,这些术语还旨在包括在使用或操作过程中器件的不同方向。例如,当图中的器件颠倒时,被描述为位于另一器件“下面”或“之下”的器件将会放置在另一器件“上方”。因此,示例性术语“在……下面”或“在……之下”包括上方和下方的两个方向。由于器件可在另一方向上定位,所以可根据其定位解释这些空间相对术语。
应当注意,在此使用的术语仅用于描述实施方式,并不限制本公开内容。在本申请中,除非清楚相反地使用,否则单数形式的表述包括复数形式。本申请中使用的旨在表示组件、步骤、操作和/或器件的术语“包括”不排除存在或添加一个或多个其他组件、步骤、操作和/或器件。
图2是象征性地显示根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图。
图3是示意性显示根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的平面图。
图4是示意性显示沿图3中的线I-I’截取的根据第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面的示图。
本公开内容提供了一种代替由无机材料制成的无机发光二极管,使用由有机材料制成的有机发光二极管的照明面板。
与无机发光二极管相比,由有机发光材料制成的有机发光二极管具有相对优良的绿色和红色的发光效率。此外,由于与无机发光二极管相比,有机发光二极管具有相对较宽宽度的红色、绿色和蓝色的发光峰值(emissionpeak),所以有机发光二极管具有显色指数(CRI)改善且发光器件的光更类似于太阳光的优点。
在下面的描述中,本公开内容的照明面板被描述为具有柔性的柔性照明面板。然而,除柔性照明面板以外,本公开内容还可应用于不弯曲的一般照明面板。
参照图2到图4,根据本发明第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板100可包括用于发射平面光的有机发光二极管单元100a和用于封装有机发光二极管单元100a的封装单元102。
此时,可在有机发光二极管单元100a下方进一步设置外部光提取层145,以增加雾度(haze)。然而,本公开内容不限于此,可不设置外部光提取层。
外部光提取层145可由分散在树脂中的TiO2或类似物的散射颗粒形成,外部光提取层145可通过粘合剂层(未示出)贴附至基板110的下部。
有机发光二极管单元100a包括设置在基板110上的有机发光二极管。在这一点上,可在基板110与有机发光二极管之间进一步设置内部光提取层140。然而,本公开内容不限于此,可不设置内部光提取层。
内部光提取层140可由分散在树脂中的TiO2、ZrO2或类似物的散射颗粒形成,但本公开内容不限于此。
缓冲层101可进一步设置在内部光提取层140上。
此时,基板110可包括实际发光并将光输出到外部的发光部分EA以及通过接触电极127和128电连接至外部以给发光部分EA施加信号的接触部分CA1和CA2。
接触部分CA1和CA2可不被金属膜170和/或保护膜175的封装构件覆盖并且可通过接触电极127和128电连接至外部。因此,金属膜170和/或保护膜175可贴附至基板110的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面。然而,本公开内容不限于此。
此时,接触部分CA1和CA2可位于发光部分EA外部。图3作为示例显示了包括接触电极128的第二接触部分CA2设置在包括接触电极127的第一接触部分CA1之间,但本公开内容不限于此。
此外,图3图解了接触部分CA1和CA2仅位于发光部分EA的一侧,但本公开内容不限于此。因此,本公开内容的接触部分CA1和CA2可设置在发光部分EA的上侧和下侧二者。
第一电极116和第二电极126可设置在基板110上,并且有机发光层130可设置在第一电极116与第二电极126之间,由此形成有机发光二极管。在具有上述结构的照明面板100中,通过给有机发光二极管的第一电极116和第二电极126施加电流,有机发光层130发光,并且光通过发光部分EA输出。
有机发光层130可以是输出白光的发光层。例如,有机发光层130可包括蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层,或者可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构(tandem structure)。然而,本公开内容的有机发光层130不限于上述结构,可应用各种结构。
此外,本公开内容的有机发光层130可进一步包括用于分别将电子和空穴注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于分别将注入的电子和空穴传输至发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
此时,第一钝化层115a、有机发光层130和第二电极126不形成在发光部分EA外部的接触部分CA1和CA2中,接触电极127和128可暴露到外部。
此时,尽管图中未示出,但有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层可形成在发光部分EA中,从而覆盖有机发光层130和第二电极126。
一般来说,当构成有机发光材料的聚合物与湿气结合时,发光特性快速劣化,有机发光层130的发光效率降低。特别是,当有机发光层130的一部分暴露到外部时,湿气沿有机发光层130传播到照明面板100中,由此降低照明面板100的发光效率。因此,在本公开内容中,第二钝化层和第三钝化层形成为覆盖发光部分EA的有机发光层130和第二电极126,因而防止湿气通过照明面板100的实际发射并输出光的发光部分EA的有机发光层130渗透。因此,提高了产率,降低了制造成本并且确保了可靠性。
如上所述,包括第一接触电极127和第二接触电极128的第一电极116设置在透明材料的基板110上。基板110可由诸如玻璃之类的刚性材料形成。然而,通过使用诸如塑料之类的具有柔性的材料,可制造能够弯曲的照明面板100。此外,在本公开内容中,通过使用具有柔性的塑料材料作为基板110,可使用辊来执行工序,由此快速地制造照明面板100。
包括第一接触电极127和第二接触电极128的第一电极116可设置在发光部分EA以及第一接触部分CA1和第二接触部分CA2中并且可由具有相对高导电性和高功函数的透明导电材料形成。例如,包括第一接触电极127和第二接触电极128的第一电极116可由诸如氧化铟锡(ITO)之类的锡氧化物导电材料或诸如氧化铟锌(IZO)之类的锌氧化物导电材料形成,或者可由透明导电聚合物形成。
此时,在本公开内容中,短路减少图案(short reduction pattern)117形成在用于给每个像素提供电流的第一电极116中,以显示出窄路径,第一钝化层115a覆盖短路减少图案117,以防止发生短路。就是说,短路减少图案117形成为围绕每个像素的发光区域的外周并给每个像素增加电阻,由此限制流到短路发生区域的电流。
第一电极116可延伸至发光部分EA外部的第一接触部分CA1并且可构成第一接触电极127。第二接触电极128可设置在第二接触部分CA2中并且可与第一电极116电绝缘。就是说,第二接触电极128可设置在与第一电极116相同的层中并且可与第一电极116电隔离。
作为示例,图3显示了包括第一接触电极127的第一电极116整体上具有矩形形状并且包括被去除以形成凹部的上方中央部分,第二接触电极128设置在凹部中。然而,本公开内容不限于此。
辅助电极111可设置在基板110上且设置在发光部分EA和第一接触部分CA1中并且可电连接至第一电极116和第一接触电极127。由于第一电极116由透明高电阻导电膜形成,所以与不透明金属相比,第一电极116具有透光的优点并且还具有非常高的电阻的缺点。因此,当制造大面积照明面板100时,由于透明高电阻导电膜的高电阻而导致施加至较大发光区域的电流的分布不是均匀的,这种不均匀的电流分布使大面积照明面板100不可能发射均匀亮度的光。
辅助电极111以具有细宽度的网、六边形、八边形或圆形的形状遍布发光部分EA布置,使得可遍布发光部分EA给第一电极116施加均匀的电流,大面积照明面板100可发射均匀亮度的光。
图4作为示例显示了辅助电极111设置在包括第一接触电极127的第一电极116下方并且嵌入内部光提取层140和缓冲层101中,但本公开内容不限于此。辅助电极111可仅嵌入内部光提取层140和缓冲层101之一中。此外,本公开内容的辅助电极111可被嵌入达内部光提取层140和/或缓冲层101的厚度,或者可被嵌入达内部光提取层140和/或缓冲层101的厚度的一部分。在本公开内容中,还可进一步形成用于嵌入辅助电极111的无机膜的特定层。
此时,在图4中,作为示例,辅助电极111以倒锥形(reversed taper)嵌入内部光提取层140和缓冲层101中,但本公开内容不限于此。辅助电极111可以以大致90度的锥度嵌入。在此,倒锥形是指嵌入内部光提取层140和缓冲层101中的辅助电极111的上部具有比其下部宽的宽度。因此,当辅助电极111具有90度的锥度时,上部的宽度大致等于下部的宽度。
根据本公开内容的辅助电极111可嵌入相同的层或下面的层中,而不突出到内部光提取层140和/或缓冲层101上方。
当辅助电极111嵌入内部光提取层140和/或缓冲层101中时,在辅助电极111与上部层之间不形成台阶,可防止钝化层(即,第一、第二和第三钝化层115a)和阴极(即,第二电极126)破裂。结果,可提供提高照明面板的可靠性的效果。
此时,设置在第一接触部分CA1中的辅助电极111用作电流经由第一接触电极127到达第一电极116的传输路径。辅助电极111可与外部接触并且可充当用于将来自外部的电流施加至第一电极116的接触电极。
辅助电极111可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金之类的导电金属形成。辅助电极111可具有上部辅助电极和下部辅助电极的双层结构,但本公开内容不限于此。辅助电极111可由单层形成。
第一钝化层115a可形成在基板110的发光部分EA中。在图3中,第一钝化层115a被显示为整体上具有均匀宽度的矩形框形状。实际中,第一钝化层115a可在发光区域中被去除并且可形成为网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极111。然而,本公开内容不限于此。
设置在发光部分EA中的第一钝化层115a可形成为覆盖辅助电极111及其上的第一电极116。第一钝化层115a不形成在实际发光的发光区域中。
第一钝化层115a可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,第一钝化层115a可由诸如光学压克力之类的有机材料形成或者可由无机材料和有机材料的多个层组成。
此外,有机发光层130和第二电极126可设置在其上设置有第一电极116和第一钝化层115a的基板110上。此时,发光部分EA中在第二接触电极128上的第一钝化层115a可被部分去除并且可具有暴露第二接触电极128的接触孔114。因此,第二电极126可通过接触孔114电连接至其下方的第二接触电极128。
如上所述,作为白色发光层的有机发光层130可包括蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层,或者可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。此外,有机发光层130可进一步包括用于分别将电子和空穴注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于分别将注入的电子和空穴传输至发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
优选地,第二电极126可由具有相对低功函数的材料形成,使得电子很容易注入到有机发光层130中。用作第二电极126的材料的具体示例可包括诸如镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅之类的金属或它们的合金。
发光部分EA的第一电极116、有机发光层130和第二电极126构成有机发光二极管。此时,第一电极116是有机发光二极管的阳极,第二电极126是有机发光二极管的阴极。当给第一电极116和第二电极126施加电流时,电子从第二电极126注入到有机发光层130中,并且空穴从第一电极116注入到有机发光层130中。之后,在有机发光层130中产生激子,随着激子衰变,与发光层的LUMO(最低未占分子轨道)和HOMO(最高占有分子轨道)之间的能量差相对应的光向着向下的方向(图中朝向基板110)发射。
此时,尽管图中未示出,但第二钝化层和第三钝化层可设置在其上形成有第二电极126的基板110上。
如上所述,根据本公开内容第一实施方式的第二钝化层可形成为覆盖发光部分EA的有机发光层130和第二电极126,并且可防止湿气渗透到发光部分EA的有机发光层130中。
就是说,在本公开内容中,除了粘合剂118和金属膜170的封装构件以外,还形成第二钝化层和第三钝化层以覆盖发光部分EA的有机发光层130和第二电极126,可防止湿气渗透到照明面板100的实际发射并输出光的发光部分EA的有机发光层130中。
第二钝化层可由诸如光学压克力之类的有机材料形成。此外,第三钝化层可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,本公开内容不限于此。
预定的密封剂可设置在第三钝化层上,环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸化合物或类似物可用作密封剂。
如上所述,从第一电极116延伸的第一接触电极127在第一接触部分CA1的基板110上暴露到外部。通过接触孔114电连接至第二电极126的第二接触电极128在第二接触部分CA2的基板110上暴露到外部。因此,第一接触电极127和第二接触电极128电连接至外部电源,使得电流可分别施加至第一电极116和第二电极126。
诸如PSA(压敏粘合剂)之类的粘合剂118施加在第三钝化层上,在其上设置金属膜170,金属膜170被贴附至第三钝化层,使得可封装照明面板100。
此时,粘合剂118和金属膜170的封装构件可进行贴附,从而充分覆盖第二钝化层和第三钝化层。
此外,预定的保护膜175可设置在其上并贴附至基板110的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面上。
粘合剂118可以是光固化粘合剂或热固性粘合剂。
下文中,参照附图描述根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的制造方法。
图5A到图5G是按顺序图解图3中所示的根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的制造方法的平面图。
图6A到图6G是按顺序图解图4中所示的根据本公开内容第一实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的制造方法的剖面图。
图7是放大图5D中所示的发光部分的一部分的示图。
首先,参照图5A和图6A,在基板110的大致整个表面上形成内部光提取层140。然而,本公开内容不限于此,可不形成内部光提取层。
此时,内部光提取层140可由分散在树脂中的TiO2、ZrO2或类似物的散射颗粒形成,本公开内容不限于此。
可在内部光提取层140上进一步设置缓冲层101。
在这一点上,基板110可包括实际发光并将光输出到外部的发光部分、以及通过接触电极与外部电连接并给发光部分施加信号的接触部分。
接着,参照图5B和图6B,部分地去除内部光提取层140和/或缓冲层101,将导电材料沉积并嵌入去除的部分中,由此形成预定的辅助电极111。
如上所述,作为示例,根据本公开内容第一实施方式的辅助电极111嵌入内部光提取层140和缓冲层101中,本公开内容不限于此。本公开内容的辅助电极111可仅嵌入内部光提取层140或缓冲层101中。此外,本公开内容的辅助电极111可被嵌入达内部光提取层140和/或缓冲层101的厚度,或者可被嵌入达内部光提取层140和/或缓冲层101的厚度的一部分。此外,本公开内容可增加无机层的特定层以嵌入辅助电极111。
此时,图6B作为示例显示了辅助电极111嵌入内部光提取层140和缓冲层101中从而具有倒锥形,但本公开内容不限于此。辅助电极111可被嵌入为具有大致90度的锥度。
此外,根据本公开内容第一实施方式的辅助电极111可不突出到所嵌入层(即,内部光提取层140和/或缓冲层101)上方,而是可嵌入相同的层中或下面的层中。因此,嵌入辅助电极111的缓冲层101可具有平坦化表面。在该情形中,在辅助电极111与上部层之间不形成台阶,可防止钝化层和阴极由于相关技术的辅助电极的台阶和锥度而破裂。结果,可提供提高照明面板的可靠性的效果。
此外,辅助电极111以具有细宽度的网、六边形、八边形或圆形的形状遍布发光部分布置,使得可遍布发光部分给第一电极施加均匀的电流,大面积照明面板可发射均匀亮度的光。
根据本公开内容第一实施方式嵌入的辅助电极111可通过各种方法,诸如激光构图工艺或光刻工艺形成,这将参照随后的附图详细进行描述。
图8A到图8C是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的方法的剖面图。
此时,在图8A到图8C中所示的形成辅助电极的方法中,作为示例,使用激光构图工艺将内部光提取层和缓冲层构图,并且使用光刻工艺形成辅助电极。
参照图8A,在形成内部光提取层140和缓冲层101的基板110上照射激光150,由此部分地去除内部光提取层140和缓冲层101。
此时,被选择性去除的内部光提取层140和缓冲层101可包括具有下凹形状的辅助电极图案T,辅助电极图案T可设置在之后将形成辅助电极的区域中。
在此,图8A作为示例显示了内部光提取层140和缓冲层101被构图,使得辅助电极图案T的宽度从顶部到底部变窄的情形,但本公开内容不限于此。
之后,参照图8B,在除辅助电极图案T之外的缓冲层101上形成预定光刻胶图案160,从而形成辅助电极。
参照图8C,在包括辅助电极图案T的内部在内的基板110的大致整个表面上沉积预定导电材料,由此形成导电层120。
此时,沉积在辅助电极图案T内部的导电材料构成辅助电极111。
用于形成辅助电极111和导电层120的导电材料可包括具有优良导电性的金属,诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金。
之后,通过剥离(lift-off)工艺选择性地去除光刻胶图案160和光刻胶图案160上的导电层120,由此在内部光提取层140和缓冲层101内部,即在辅助电极图案T内部形成由导电材料制成的辅助电极111。
图9A和图9B是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的另一方法的剖面图。
此时,图9A和图9B的方法与上述图8A到图8C的方法大致相同,不同之处在于代替光刻工艺,使用溶液涂布工艺形成辅助电极。
参照图9A,使用上述激光构图工艺去除内部光提取层140和缓冲层101的预定区域,由此形成具有下凹形状的辅助电极图案。
之后,在基板110的大致整个表面上涂布液体型金属,由此形成金属层111’。此时,金属层111’可形成在包括辅助电极图案的内部在内的基板110的大致整个表面上。
然后,从基板110的一侧到另一侧在一个方向上推动诸如刮片(blade)155之类的工具,由此去除除辅助电极图案内部之外的基板110上的金属层并形成预定的辅助电极111。
图10A到图10C是具体图解图6B中所示的形成辅助电极的另一方法的剖面图。
此时,图10A到图10C的方法作为示例显示了代替激光构图工艺而使用光刻工艺将内部光提取层和缓冲层构图,并且同时形成辅助电极的情形。
参照图10A,在其上形成有内部光提取层140和缓冲层101的基板110上形成预定光刻胶图案160。
此时,光刻胶图案160可形成在除之后形成辅助电极的区域之外的缓冲层101上。
接着,参照图10B,使用光刻胶图案160作为掩模选择性地去除内部光提取层140和缓冲层101,由此在内部光提取层140和缓冲层101内部形成具有下凹形状的辅助电极图案T。
此时,图10B作为示例显示了内部光提取层140和缓冲层101被构图,使得辅助电极图案T的宽度从顶部到底部变窄的情形,但本公开内容不限于此。
接着,参照图10C,在包括辅助电极图案T的内部在内的基板的大致整个表面上沉积预定导电材料,由此在光刻胶图案160上形成导电层111’。
此时,沉积在辅助电极图案T内部的导电材料组成辅助电极111。
用于形成辅助电极111和导电层111’的导电材料可包括具有优良导电性的金属,诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金。
之后,通过剥离工艺选择性地去除光刻胶图案160和光刻胶图案160上的导电层111’,由此在内部光提取层140和缓冲层101内部,即在辅助电极图案T内部形成由导电材料制成的辅助电极111。
然后,参照图5C和图6C,在基板110的大致整个表面上沉积诸如ITO或IZO之类的透明导电材料并将其蚀刻,由此在发光部分以及第一接触部分和第二接触部分中形成包括第一接触电极127和第二接触电极128的第一电极116。
此时,第一电极116可延伸到发光部分外部的第一接触部分中,以构成第一接触电极,并且与第一电极116电绝缘的第二接触电极128可形成在发光部分的一部分和第二接触部分中。就是说,第二接触电极128形成在与第一电极116相同的层中并且可与第一电极116电隔离。
例如,图5C显示了包括第一接触电极127的第一电极116整体上具有矩形形状,第一电极116的上方中央部分被去除以形成凹部,并且第二接触电极128形成在凹部中的示例,但本公开内容不限于此。
此时,可在发光区域的内部的***处在第一电极116中形成预定的短路减少图案117。
在本公开内容中,由于辅助电极111嵌入并形成在内部光提取层140和缓冲层101中,所以在没有台阶的情况下形成辅助电极111上的第一电极116。
参照图5D和图6D,大致遍布基板110层叠诸如SiNx或SiOx之类的无机材料或诸如光学压克力之类的有机材料。然后,蚀刻无机材料或有机材料,由此在发光部分中的辅助电极111上形成第一钝化层115a并且同时形成暴露第二接触电极128的接触孔114。
此时,第一钝化层115a形成在第一电极116上,从而覆盖辅助电极111,并且第一钝化层115a不形成在实际发光的发光区域中。然后,参照图5D和图7,第一钝化层115a可形成为在发光部分的中央具有网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极111。在图5D中,第一钝化层115a整体上具有均匀宽度的矩形框形状,如上所述,第一钝化层115a可在发光部分的中央具有网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极111。此外,图5D显示了其中第一电极116上的第一钝化层115a与第二接触电极128上的第一钝化层115a分离的示例,但本公开内容不限于此。
在此,第一钝化层115a可形成在短路减少图案117内部。
下文中,参照图5E和图5F以及图6E和图6F,在基板110的发光部分中分别由有机发光材料和金属形成有机发光层130和第二电极126。
首先,参照图5E和图6E,在基板110的发光部分中形成有机发光材料的有机发光层130。
此时,作为白色发光层的有机发光层130可包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,或者可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。此外,有机发光层130可进一步包括用于分别将电子和空穴注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于分别将注入的电子和空穴传输至发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
接着,参照图5F和图6F,在基板110的发光部分中形成金属的第二电极126,从而覆盖有机发光层130。
此时,第二电极126可通过接触孔114电连接至其下方的第二接触电极128。
第二电极126可由诸如镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅之类的金属或它们的合金形成。
第一电极116、有机发光层130和第二电极126构成有机发光二极管。
此时,由于第一钝化层115a设置在发光部分的辅助电极111上,所以辅助电极111上的有机发光层130不直接接触第一电极116,在辅助电极111上未形成有机发光二极管。
尽管未示出,但可在基板110的发光部分中形成有机材料的第二钝化层,从而覆盖有机发光层130和第二电极126。
此时,如上所述,第二钝化层可形成为覆盖发光部分的有机发光层130和第二电极126,并且可防止湿气渗透到发光部分的有机发光层130中。
可通过辊制造设备以流水线方式形成有机发光层130、第二电极126和第二钝化层,但本公开内容不限于此。
接着,可在基板110的发光部分中形成第三钝化层,从而覆盖第二钝化层。
可通过另一辊制造设备形成第三钝化层。
第三钝化层可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,本公开内容不限于此。
可在第三钝化层上进一步设置预定密封剂,密封剂可由环氧化合物、丙烯酸酯化合物或丙烯酸化合物形成。
然后,参照图5G和图6G,在基板110的发光部分上施加光固化粘合剂材料或热固性粘合剂材料的粘合剂118。此外,在粘合剂118上设置金属膜170,金属膜170通过固化粘合剂118而贴附于粘合剂118。
此时,由于第一接触部分和第二接触部分未被金属膜170的封装构件覆盖,所以第一接触部分和第二接触部分可通过第一接触电极127和第二接触电极128电连接至外部。
之后,预定的保护膜175可贴附至基板110的除接触部分之外的发光部分的大致整个表面,由此完成照明面板。
如此,本公开内容的第一实施方式特征在于,辅助电极嵌入内部光提取层和缓冲层中达内部光提取层和缓冲层的厚度。在本公开内容中,可防止第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层由于辅助电极的台阶和锥度而破裂,由此提高照明面板的可靠性。
然而,如上所述,本公开内容的辅助电极可仅嵌入内部光提取层或缓冲层中。此外,本公开内容的辅助电极可被嵌入达内部光提取层和/或缓冲层的厚度的一部分。此外,在本公开内容中,可增加无机膜的特定层,从而嵌入辅助电极,这将参照下面的第二到第四实施方式详细进行描述。
图11是示意性显示根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的平面图。
图12是示意性显示沿图11中的线II-II’截取的根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面的示图。
图11和图12中所示的根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板具有与上述本公开内容第一实施方式大致相同的结构,不同之处在于,去除了内部光提取层,辅助电极仅嵌入缓冲层中。
就是说,根据本公开内容第二实施方式的使用有机发光二极管的照明面板可包括用于发射平面光的有机发光二极管单元和用于封装有机发光二极管单元的封装单元。
此时,可在有机发光二极管单元下方进一步设置外部光提取层,以增加雾度。然而,本公开内容不限于此,可不设置外部光提取层。
外部光提取层可由分散在树脂中的TiO2或类似物的散射颗粒形成,外部光提取层可通过粘合剂层贴附至基板的下部。
有机发光二极管单元包括设置在基板上的有机发光二极管。在这一点上,在本公开内容的第二实施方式中,在基板与有机发光二极管之间没有设置内部光提取层。
参照图11和图12,基板210可包括实际发光并将光输出到外部的发光部分EA以及通过接触电极227和228电连接至外部以给发光部分EA施加信号的接触部分CA1和CA2。
接触部分CA1和CA2可不被金属膜270和/或保护膜275的封装构件覆盖并且可通过接触电极227和228电连接至外部。因此,金属膜270和/或保护膜275可贴附至基板210的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面。然而,本公开内容不限于此。
此时,接触部分CA1和CA2可位于发光部分EA外部。图11作为示例显示了包括接触电极228的第二接触部分CA2设置在包括接触电极227的第一接触部分CA1之间,但本公开内容不限于此。
此外,图11图解了接触部分CA1和CA2仅位于发光部分EA的一侧,但本公开内容不限于此。因此,本公开内容的接触部分CA1和CA2可设置在发光部分EA的上侧和下侧二者。
第一电极216和第二电极226可设置在基板210上,并且有机发光层230可设置在第一电极216与第二电极226之间,由此形成有机发光二极管。在具有上述结构的照明面板200中,通过给有机发光二极管的第一电极216和第二电极226施加电流,有机发光层230发光,并且光通过发光部分EA输出。
此时,第一钝化层215a、有机发光层230和第二电极226不形成在发光部分EA外部的接触部分CA1和CA2中,接触电极227和228可暴露到外部。
此时,尽管图中未示出,但有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层可形成在发光部分EA中,从而覆盖有机发光层230和第二电极226。
如上所述,包括第一接触电极227和第二接触电极228的第一电极216设置在透明材料的基板210上。基板210可由诸如玻璃之类的刚性材料形成。然而,通过使用诸如塑料之类的具有柔性的材料,可制造能够弯曲的照明面板200。此外,在本公开内容中,通过使用具有柔性的塑料材料作为基板210,可使用辊来执行工序,由此快速地制造照明面板200。
包括第一接触电极227和第二接触电极228的第一电极216可设置在发光部分EA以及第一接触部分CA1和第二接触部分CA2中并且可由具有相对高导电性和高功函数的透明导电材料形成。
此时,在本公开内容中,短路减少图案217形成在用于给每个像素提供电流的第一电极216中,以显示出窄路径,第一钝化层215a覆盖短路减少图案217,以防止发生短路。就是说,短路减少图案217形成为围绕每个像素的发光区域的外周并给每个像素增加电阻,由此限制流到短路发生区域的电流。
第一电极216可延伸至发光部分EA外部的第一接触部分CA1并且可构成第一接触电极227。第二接触电极228可设置在第二接触部分CA2中并且可与第一电极216电绝缘。就是说,第二接触电极228可设置在与第一电极216相同的层中并且可与第一电极216电隔离。
作为示例,图11显示了包括第一接触电极227的第一电极216整体上具有矩形形状并且包括被去除以形成凹部的上方中央部分,第二接触电极228设置在凹部中。然而,本公开内容不限于此。
辅助电极211可设置在基板210上且设置在发光部分EA和第一接触部分CA1中并且可电连接至第一电极216和第一接触电极227。
类似于本公开内容的第一实施方式,辅助电极211以具有细宽度的网、六边形、八边形或圆形的形状遍布发光部分EA布置,使得可遍布发光部分EA给第一电极216施加均匀的电流,大面积照明面板200可发射均匀亮度的光。
图12作为示例显示了辅助电极211设置在包括第一接触电极227的第一电极216下方并且嵌入缓冲层202中,但如上所述,本公开内容不限于此。本公开内容的辅助电极211可被嵌入达缓冲层202的厚度,或者可被嵌入达缓冲层202的厚度的一部分。
此时,根据本公开内容第二实施方式的缓冲层202可由无机膜形成以嵌入辅助电极211。
此时,在图12中,作为示例,辅助电极211以倒锥形嵌入缓冲层202中,但本公开内容不限于此。辅助电极211可以以大致90度的锥度嵌入。如上所述,倒锥形是指嵌入缓冲层202中的辅助电极211的上部具有比其下部宽的宽度。因此,当辅助电极211具有90度的锥度时,上部的宽度大致等于下部的宽度。
根据本公开内容第二实施方式的辅助电极211可嵌入相同的层或下面的层中,而不突出到缓冲层202上方。
如此,当辅助电极211嵌入缓冲层202中时,在辅助电极211与上部层之间不形成台阶,可防止钝化层(即,第一、第二和第三钝化层215a)和阴极(即,第二电极226)由于相关技术的辅助电极的台阶和锥度而破裂。结果,可提供提高照明面板的可靠性的效果。
此时,设置在第一接触部分CA1中的辅助电极211用作电流经由第一接触电极227到达第一电极216的传输路径。辅助电极211可与外部接触并且可充当用于将来自外部的电流施加至第一电极216的接触电极。
辅助电极211可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金之类的导电金属形成。辅助电极211可具有上部辅助电极和下部辅助电极的双层结构,但本公开内容不限于此。辅助电极211可由单层形成。
第一钝化层215a可形成在基板210的发光部分EA中。在图11中,第一钝化层215a被显示为整体上具有均匀宽度的矩形框形状。实际中,第一钝化层215a可在发光区域中被去除并且可形成为网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极211。然而,本公开内容不限于此。
设置在发光部分EA中的第一钝化层215a可形成为覆盖辅助电极211及其上的第一电极216。第一钝化层215a不形成在实际发光的发光区域中。
第一钝化层215a可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,第一钝化层215a可由诸如光学压克力之类的有机材料形成或者可由无机材料和有机材料的多个层组成。
此外,有机发光层230和第二电极226可设置在其上设置有第一电极216和第一钝化层215a的基板210上。此时,发光部分EA中在第二接触电极228上的第一钝化层215a可被部分去除并且可具有暴露第二接触电极228的接触孔214。因此,第二电极226可通过接触孔214电连接至其下方的第二接触电极228。
优选地,第二电极226可由具有相对低功函数的材料形成,使得电子很容易注入到有机发光层230中。用作第二电极226的材料的具体示例可包括诸如镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅之类的金属或它们的合金。
发光部分EA的第一电极216、有机发光层230和第二电极226构成有机发光二极管。
此时,尽管图中未示出,但第二钝化层和第三钝化层可设置在其上形成有第二电极226的基板210上。
如上所述,根据本公开内容第二实施方式的第二钝化层可形成为覆盖发光部分EA的有机发光层230和第二电极226,并且可防止湿气渗透到发光部分EA的有机发光层230中。
就是说,在本公开内容中,除了粘合剂218和金属膜270的封装构件以外,还形成第二钝化层和第三钝化层以覆盖发光部分EA的有机发光层230和第二电极226,可防止湿气渗透到照明面板200的实际发射并输出光的发光部分EA的有机发光层230中。
第二钝化层可由诸如光学压克力之类的有机材料形成。此外,第三钝化层可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,本公开内容不限于此。
预定的密封剂可设置在第三钝化层上,环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸化合物或类似物可用作密封剂。
如上所述,从第一电极216延伸的第一接触电极227在第一接触部分CA1的基板210上暴露到外部。通过接触孔214电连接至第二电极226的第二接触电极228在第二接触部分CA2的基板210上暴露到外部。因此,第一接触电极227和第二接触电极228电连接至外部电源,使得电流可分别施加至第一电极216和第二电极226。
诸如PSA(压敏粘合剂)之类的粘合剂218施加在第三钝化层上,在其上设置金属膜270,金属膜270被贴附至第三钝化层,使得可封装照明面板200。
此时,粘合剂218和金属膜270的封装构件可进行贴附,从而充分覆盖第二钝化层和第三钝化层。
此外,预定的保护膜275可设置在其上并贴附至基板210的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面上。
粘合剂218可以是光固化粘合剂或热固性粘合剂。
图13是示意性显示根据本公开内容第三实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图。
此时,图13中所示的根据本公开内容第三实施方式的使用有机发光二极管的照明面板具有大致与上述本公开内容第一和第二实施方式相同的结构,不同之处在于,辅助电极被嵌入达内部光提取层和/或缓冲层的厚度的一部分。
就是说,根据本公开内容第三实施方式的使用有机发光二极管的照明面板可包括用于发射平面光的有机发光二极管单元和用于封装有机发光二极管单元的封装单元。
此时,可在有机发光二极管单元下方进一步设置外部光提取层,以增加雾度。然而,本公开内容不限于此,可不设置外部光提取层。
外部光提取层可由分散在树脂中的TiO2或类似物的散射颗粒形成,外部光提取层可通过粘合剂层贴附至基板的下部。
有机发光二极管单元包括设置在基板上的有机发光二极管。在这一点上,参照图13,可在基板310与有机发光二极管之间进一步设置内部光提取层340。然而,本公开内容不限于此,可不设置内部光提取层。
内部光提取层340可由分散在树脂中的TiO2、ZrO2或类似物的散射颗粒形成,但本公开内容不限于此。
缓冲层301可进一步设置在内部光提取层340上。
此时,基板310可包括实际发光并将光输出到外部的发光部分EA以及通过接触电极327和328电连接至外部以给发光部分EA施加信号的接触部分CA1和CA2。
接触部分CA1和CA2可不被金属膜370和/或保护膜375的封装构件覆盖并且可通过接触电极327和328电连接至外部。因此,金属膜370和/或保护膜375可贴附至基板310的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面。然而,本公开内容不限于此。
第一电极316和第二电极326可设置在基板310上,并且有机发光层330可设置在第一电极316与第二电极326之间,由此形成有机发光二极管。在具有上述结构的照明面板300中,通过给有机发光二极管的第一电极316和第二电极326施加电流,有机发光层330发光,并且光通过发光部分EA输出。
此时,第一钝化层315a、有机发光层330和第二电极326不形成在发光部分EA外部的接触部分CA1和CA2中,接触电极327和328可暴露到外部。
此时,尽管图中未示出,但有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层可形成在发光部分EA中,从而覆盖有机发光层330和第二电极326。
如上所述,包括第一接触电极327和第二接触电极328的第一电极316设置在透明材料的基板310上。基板310可由诸如玻璃之类的刚性材料形成。然而,通过使用诸如塑料之类的具有柔性的材料,可制造能够弯曲的照明面板300。此外,在本公开内容中,通过使用具有柔性的塑料材料作为基板310,可使用辊来执行工序,由此快速地制造照明面板300。
包括第一接触电极327和第二接触电极328的第一电极316可设置在发光部分EA以及第一接触部分CA1和第二接触部分CA2中并且可由具有相对高导电性和高功函数的透明导电材料形成。
此时,在本公开内容中,短路减少图案317形成在用于给每个像素提供电流的第一电极316中,以显示出窄路径,第一钝化层315a覆盖短路减少图案317,以防止发生短路。就是说,短路减少图案317形成为围绕每个像素的发光区域的外周并给每个像素增加电阻,由此限制流到短路发生区域的电流。
第一电极316可延伸至发光部分EA外部的第一接触部分CA1并且可构成第一接触电极327。第二接触电极328可设置在第二接触部分CA2中并且可与第一电极316电绝缘。就是说,第二接触电极328可设置在与第一电极316相同的层中并且可与第一电极316电隔离。
辅助电极311可设置在基板310上且设置在发光部分EA和第一接触部分CA1中并且可电连接至第一电极316和第一接触电极327。
类似于如上所述的本公开内容的第一和第二实施方式,辅助电极311以具有细宽度的网、六边形、八边形或圆形的形状遍布发光部分EA布置,使得可遍布发光部分EA给第一电极316施加均匀的电流,大面积照明面板300可发射均匀亮度的光。
图13作为示例显示了辅助电极311设置在包括第一接触电极327的第一电极316下方并且嵌入内部光提取层340和缓冲层301中达内部光提取层340的厚度的一部分,但如上所述,本公开内容不限于此。本公开内容的辅助电极311可嵌入达缓冲层301的厚度的一部分。
如此,当辅助电极311被嵌入达内部光提取层340或缓冲层301的厚度的一部分时,具有减少用于激光构图工艺的节拍时间(tack time)并且可防止在玻璃或聚酰亚胺基板310的表面暴露时而导致的玻璃基板310的变黄或对聚酰亚胺基板310的损害的效果。
此时,在图13中,作为示例,辅助电极311以倒锥形嵌入内部光提取层340和缓冲层301中,但本公开内容不限于此。辅助电极311可以以大致90度的锥度嵌入。
根据本公开内容第三实施方式的辅助电极311可嵌入内部光提取层340和缓冲层301中而不突出到缓冲层301上方。
如此,当辅助电极311嵌入内部光提取层340和缓冲层301中时,在辅助电极311与上部层之间不形成台阶,可防止第一钝化层315a到第三钝化层和第二电极326由于相关技术的辅助电极的台阶和锥度而破裂。结果,可提供提高照明面板的可靠性的效果。
此时,设置在第一接触部分CA1中的辅助电极311用作电流经由第一接触电极327到达第一电极316的传输路径。辅助电极311可与外部接触并且可充当用于将来自外部的电流施加至第一电极316的接触电极。
辅助电极311可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金之类的导电金属形成。辅助电极311可具有上部辅助电极和下部辅助电极的双层结构,但本公开内容不限于此。辅助电极311可由单层形成。
第一钝化层315a可形成在基板310的发光部分EA中。类似于如上所述的本公开内容的第一和第二实施方式,第一钝化层315a可在发光区域中被去除并且可形成为网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极311。然而,本公开内容不限于此。
设置在发光部分EA中的第一钝化层315a可形成为覆盖辅助电极311及其上的第一电极316。第一钝化层315a不形成在实际发光的发光区域中。
第一钝化层315a可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,第一钝化层315a可由诸如光学压克力之类的有机材料形成或者可由无机材料和有机材料的多个层组成。
此外,有机发光层330和第二电极326可设置在其上设置有第一电极316和第一钝化层315a的基板310上。此时,发光部分EA中在第二接触电极328上的第一钝化层315a可被部分去除并且可具有暴露第二接触电极328的接触孔314。因此,第二电极326可通过接触孔314电连接至其下方的第二接触电极328。
优选地,第二电极326可由具有相对低功函数的材料形成,使得电子很容易注入到有机发光层330中。用作第二电极326的材料的具体示例可包括诸如镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅之类的金属或它们的合金。
此时,尽管图中未示出,但第二钝化层和第三钝化层可设置在其上形成有第二电极326的基板310上。
如上所述,根据本公开内容第三实施方式的第二钝化层可形成为覆盖发光部分EA的有机发光层330和第二电极326,并且可防止湿气渗透到发光部分EA的有机发光层330中。
第二钝化层可由诸如光学压克力之类的有机材料形成。此外,第三钝化层可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,本公开内容不限于此。
预定的密封剂可设置在第三钝化层上,环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸化合物或类似物可用作密封剂。
诸如PSA(压敏粘合剂)之类的粘合剂318施加在第三钝化层上,在其上设置金属膜370,金属膜370被贴附至第三钝化层,使得可封装照明面板300。
此时,粘合剂318和金属膜370的封装构件可进行贴附,从而充分覆盖第二钝化层和第三钝化层。
此外,预定的保护膜375可设置在其上并贴附至基板310的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面上。
粘合剂318可以是光固化粘合剂或热固性粘合剂。
图14是示意性显示根据本公开内容第四实施方式的使用有机发光二极管的照明面板的剖面图。
此时,图14中所示的根据本公开内容第四实施方式的使用有机发光二极管的照明面板具有大致与上述本公开内容第一、第二和第三实施方式相同的结构,不同之处在于,辅助电极被嵌入达缓冲层的厚度的一部分,并且与缓冲层的其余厚度对应的部分被第一电极填充。
就是说,根据本公开内容第四实施方式的使用有机发光二极管的照明面板可包括用于发射平面光的有机发光二极管单元和用于封装有机发光二极管单元的封装单元。
此时,可在有机发光二极管单元下方进一步设置外部光提取层,以增加雾度。然而,本公开内容不限于此,可不设置外部光提取层。
外部光提取层可由分散在树脂中的TiO2或类似物的散射颗粒形成,外部光提取层可通过粘合剂层贴附至基板的下部。
有机发光二极管单元包括设置在基板上的有机发光二极管。在这一点上,参照图14,可在基板410与有机发光二极管之间进一步设置内部光提取层440。然而,本公开内容不限于此,可不设置内部光提取层。
内部光提取层440可由分散在树脂中的TiO2、ZrO2或类似物的散射颗粒形成,但本公开内容不限于此。
缓冲层401可进一步设置在内部光提取层440上。
此时,基板410可包括实际发光并将光输出到外部的发光部分EA以及通过接触电极427和428电连接至外部以给发光部分EA施加信号的接触部分CA1和CA2。
接触部分CA1和CA2可不被金属膜470和/或保护膜475的封装构件覆盖并且可通过接触电极427和428电连接至外部。因此,金属膜470和/或保护膜475可贴附至基板410的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面。然而,本公开内容不限于此。
第一电极416和第二电极426可设置在基板410上,并且有机发光层430可设置在第一电极416与第二电极426之间,由此形成有机发光二极管。在具有上述结构的照明面板400中,通过给有机发光二极管的第一电极416和第二电极426施加电流,有机发光层430发光,并且光通过发光部分EA输出。
此时,第一钝化层415a、有机发光层430和第二电极426不形成在发光部分EA外部的接触部分CA1和CA2中,接触电极427和428可暴露到外部。
此时,尽管图中未示出,但有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层可形成在发光部分EA中,从而覆盖有机发光层430和第二电极426。
如上所述,包括第一接触电极427和第二接触电极428的第一电极416设置在透明材料的基板410上。基板410可由诸如玻璃之类的刚性材料形成。然而,通过使用诸如塑料之类的具有柔性的材料,可制造能够弯曲的照明面板400。此外,在本公开内容中,通过使用具有柔性的塑料材料作为基板410,可使用辊来执行工序,由此快速地制造照明面板400。
包括第一接触电极427和第二接触电极428的第一电极416可设置在发光部分EA以及第一接触部分CA1和第二接触部分CA2中并且可由具有相对高导电性和高功函数的透明导电材料形成。
此时,在本公开内容中,短路减少图案417形成在用于给每个像素提供电流的第一电极416中,以显示出窄路径,第一钝化层415a覆盖短路减少图案417,以防止发生短路。就是说,短路减少图案417形成为围绕每个像素的发光区域的外周并给每个像素增加电阻,由此限制流到短路发生区域的电流。
第一电极416可延伸至发光部分EA外部的第一接触部分CA1并且可构成第一接触电极427。第二接触电极428可设置在第二接触部分CA2中并且可与第一电极416电绝缘。就是说,第二接触电极428可设置在与第一电极416相同的层中并且可与第一电极416电隔离。
辅助电极411可设置在基板410上且设置在发光部分EA和第一接触部分CA1中并且可电连接至第一电极416和第一接触电极427。
类似于如上所述的本公开内容的第一、第二和第三实施方式,辅助电极411以具有细宽度的网、六边形、八边形或圆形的形状遍布发光部分EA布置,使得可遍布发光部分EA给第一电极416施加均匀的电流,大面积照明面板400可发射均匀亮度的光。
图14作为示例显示了辅助电极411设置在包括第一接触电极427的第一电极416下方并且嵌入内部光提取层440和缓冲层401中达内部光提取层440的总厚度和缓冲层401的厚度的一部分,但如上所述,本公开内容不限于此。
此时,与辅助电极411的其余厚度对应的部分被第一电极416填充。
此外,在图14中,作为示例,辅助电极411以倒锥形嵌入内部光提取层440和缓冲层401中,但本公开内容不限于此。辅助电极411可以以大致90度的锥度嵌入。
如此,当辅助电极411嵌入内部光提取层440和缓冲层401中时,在辅助电极411与上部层之间不形成台阶,可防止第一钝化层415a到第三钝化层和第二电极426由于相关技术的辅助电极的台阶和锥度而破裂。结果,可提供提高照明面板的可靠性的效果。
此时,设置在第一接触部分CA1中的辅助电极411用作电流经由第一接触电极427到达第一电极416的传输路径。辅助电极411可与外部接触并且可充当用于将来自外部的电流施加至第一电极416的接触电极。
辅助电极411可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金之类的导电金属形成。辅助电极411可具有上部辅助电极和下部辅助电极的双层结构,但本公开内容不限于此。辅助电极411可由单层形成。
第一钝化层415a可形成在基板410的发光部分EA中。类似于如上所述的本公开内容的第一和第二实施方式,第一钝化层415a可在发光区域中被去除并且可形成为网状,从而覆盖布置成网状的辅助电极411。然而,本公开内容不限于此。
设置在发光部分EA中的第一钝化层415a可形成为覆盖辅助电极411及其上的第一电极416。第一钝化层415a不形成在实际发光的发光区域中。
第一钝化层415a可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,第一钝化层415a可由诸如光学压克力之类的有机材料形成或者可由无机材料和有机材料的多个层组成。
此外,有机发光层430和第二电极426可设置在其上设置有第一电极416和第一钝化层415a的基板410上。此时,发光部分EA中在第二接触电极428上的第一钝化层415a可被部分去除并且可具有暴露第二接触电极428的接触孔414。因此,第二电极426可通过接触孔414电连接至其下方的第二接触电极428。
优选地,第二电极426可由具有相对低功函数的材料形成,使得电子很容易注入到有机发光层330中。用作第二电极426的材料的具体示例可包括诸如镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅之类的金属或它们的合金。
此时,尽管图中未示出,但第二钝化层和第三钝化层可设置在其上形成有第二电极426的基板410上。
如上所述,根据本公开内容第四实施方式的第二钝化层可形成为覆盖发光部分EA的有机发光层430和第二电极426并且可防止湿气渗透到发光部分EA的有机发光层430中。
第二钝化层可由诸如光学压克力之类的有机材料形成。此外,第三钝化层可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。然而,本公开内容不限于此。
预定的密封剂可设置在第三钝化层上,环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸化合物或类似物可用作密封剂。
诸如PSA(压敏粘合剂)之类的粘合剂418施加在第三钝化层上,在其上设置金属膜470,金属膜470被贴附至第三钝化层,使得可封装照明面板400。
此时,粘合剂418和金属膜470的封装构件可进行贴附,从而充分覆盖第二钝化层和第三钝化层。
此外,预定的保护膜475可设置在其上并贴附至基板410的除接触部分CA1和CA2之外的发光部分EA的整个表面上。
粘合剂418可以是光固化粘合剂或热固性粘合剂。
本公开内容不限于上述第一至第四实施方式。在本公开内容中,通过将辅助电极嵌入缓冲层和/或内部光提取层而使得位于辅助电极上的结构不会被由辅助电极形成的台阶影响到。也就是说,辅助电极的嵌入可减小台阶的尺寸,从而防止钝化层(即,第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层)和阴极(即,第二电极)由于辅助电极的台阶和锥度而破裂,由此提高照明面板的可靠性。另外,辅助电极的嵌入可使台阶消失,即第一电极具有平坦化表面,从而防止钝化层(即,第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层)和阴极(即,第二电极)由于辅助电极的台阶和锥度而破裂,由此提高照明面板的可靠性。
在本公开内容的一些实施方式中,当照明面板包括缓冲层而不包括内部光提取层时,辅助电极可嵌入达缓冲层的厚度或者可嵌入达缓冲层的厚度的一部分。而且,当照明面板中包括缓冲层和内部光提取层时,辅助电极也可以嵌入达缓冲层的厚度或者可嵌入达缓冲层的厚度的一部分。也就是说,即使设置了内部光提取层,辅助电极也可以仅设置在缓冲层中。在此,辅助电极可嵌入达缓冲层的厚度指辅助电极的厚度与缓冲层的厚度相似。辅助电极嵌入达缓冲层的厚度的一部分指辅助电极的厚度小于缓冲层的厚度,并且辅助电极的上表面可与缓冲层的上表面齐平,辅助电极的下表面可与缓冲层的下表面齐平,或者辅助电极的上表面和下表面二者都在缓冲层内部。此外,为了使第一电极具有平坦化表面,例如,所述辅助电极的上表面可以与所述缓冲层的上表面齐平,或者与所述缓冲层的除了该一部分以外的其余厚度对应的部分可以被所述第一电极填充。
在本公开内容的一些实施方式中,当照明面板中包括缓冲层和内部光提取层时,辅助电极可以嵌入达缓冲层的厚度,并且辅助电极进一步嵌入达内部光提取层的厚度或内部光提取层的所述厚度的一部分。在这种情况下,辅助电极的上表面与缓冲层的上表面齐平,使得第一电极具有平坦化表面。
在本公开内容的一些实施方式中,当照明面板中包括缓冲层和内部光提取层时,辅助电极可以嵌入达缓冲层的厚度的一部分,并且辅助电极进一步嵌入达内部光提取层的厚度或内部光提取层的所述厚度的一部分。也就是说,辅助电极的上表面设置在缓冲层内部并且辅助电极的下表面与内部光提取层的下表面齐平,或者辅助电极的上表面和下表面二者可以都设置在缓冲层和内部光提取层的内部。在这种情况下,与缓冲层的除了该一部分以外的其余厚度对应的部分被第一电极填充,使得第一电极具有平坦化表面。
在本公开内容的一些实施方式中,提供了一种使用有机发光二极管的照明面板,包括:材料层,所述材料层位于基板上;辅助电极,所述辅助电极嵌入所述材料层中;第一电极,所述第一电极位于所述材料层上并且电连接至所述辅助电极;有机发光层和第二电极,所述有机发光层和所述第二电极位于其中设置有所述第一电极的发光部分中;和封装构件,所述封装构件位于所述基板的所述发光部分中。在此,所述材料层的上表面可与辅助电极的上表面齐平,使得第一电极具有平坦化表面。此外,第一电极与辅助电极接触的位置可低于材料层的上表面。也就是说,第一电极填充在辅助电极上,使得第一电极具有平坦化表面。材料层可包括有机材料和/或无机材料的一个层或更多个层。所述一个层或更多个层可包括缓冲层和/或内部光提取层,并且所述一个层或更多个层可以进一步包括其他层。本公开不限于此,并且所述一个层或更多个层可以是其中不包括缓冲层或内部光提取层的其他材料层。
在本公开内容的一些实施方式中,提供了一种照明模块,所述照明模块包括根据本公开内容的任意实施方式的照明面板。在此,照明模块是构成最终的照明装置或照明***的半成品。
在本公开内容的一些实施方式中,提供了一种照明装置,所述照明装置包括根据本公开内容的实施方式的照明面板和照明模块中的至少一种。在此,照明装置可以是台灯、壁灯、吊灯、落地灯、路灯、便携灯、吸顶灯或车灯。
在本公开内容的一些实施方式中,提供了一种照明***,所述照明***包括根据本公开内容的实施方式的照明面板、照明模块和照明装置中的至少一种。在此,照明***可以进一步包括控制装置以控制照明面板、照明模块或照明装置。
在不背离实施方式的精神或范围的情况下,能够在本公开内容的装置中进行各种修改和变化,这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而,本公开内容旨在涵盖落入所附利要求范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。

Claims (21)

1.一种使用有机发光二极管的照明面板,包括:
材料层,所述材料层位于基板上;
辅助电极,所述辅助电极嵌入所述材料层中;
第一电极,所述第一电极位于所述材料层上并且电连接至所述辅助电极;
有机发光层和第二电极,所述有机发光层和所述第二电极位于其中设置有所述第一电极的发光部分中;
封装构件,所述封装构件位于所述基板的所述发光部分中;和
短路减少图案,所述短路减少图案形成在所述第一电极中并且形成为围绕所述照明面板的每个像素的发光区域的外周,以显示出窄路径,
其中所述短路减少图案包括顺序连接并且分别沿每个像素的发光区域的外周的四条边形成的五个直线图案,并且所述五个直线图案中的两个直线图案沿所述四条边之中的同一条边彼此分离地形成。
2.根据权利要求1所述的照明面板,所述第一电极具有平坦化表面。
3.根据权利要求2所述的照明面板,其中所述材料层的上表面与所述辅助电极的上表面齐平。
4.根据权利要求2所述的照明面板,其中所述第一电极与所述辅助电极接触的位置低于所述材料层的上表面。
5.根据权利要求1所述的照明面板,所述材料层包括缓冲层。
6.根据权利要求5所述的照明面板,所述材料层进一步包括内部光提取层,所述内部光提取层位于所述基板与所述缓冲层之间。
7.根据权利要求5或6所述的照明面板,其中所述辅助电极仅嵌入所述缓冲层中,并且所述辅助电极嵌入达所述缓冲层的厚度或者嵌入达所述缓冲层的所述厚度的一部分。
8.根据权利要求7所述的照明面板,其中所述辅助电极的上表面与所述缓冲层的上表面齐平,使得所述第一电极具有平坦化表面。
9.根据权利要求7所述的照明面板,其中与所述缓冲层的除了该一部分以外的其余厚度对应的部分被所述第一电极填充,使得所述第一电极具有平坦化表面。
10.根据权利要求6所述的照明面板,其中所述辅助电极嵌入达所述缓冲层的厚度,并且所述辅助电极进一步嵌入达所述内部光提取层的厚度或所述内部光提取层的所述厚度的一部分,并且
其中所述辅助电极的上表面与所述缓冲层的上表面齐平,使得所述第一电极具有平坦化表面。
11.根据权利要求6所述的照明面板,其中所述辅助电极嵌入达所述缓冲层的厚度的一部分,并且所述辅助电极进一步嵌入达所述内部光提取层的厚度或所述内部光提取层的所述厚度的一部分,并且
与所述缓冲层的除了该一部分以外的其余厚度对应的部分被所述第一电极填充,使得所述第一电极具有平坦化表面。
12.根据权利要求5所述的照明面板,其中所述辅助电极不突出到所述缓冲层上方。
13.根据权利要求1所述的照明面板,其中所述辅助电极具有倒锥形,使得所述辅助电极的上部具有比所述辅助电极的下部宽的宽度。
14.根据权利要求1所述的照明面板,所述照明面板进一步包括第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述短路减少图案。
15.根据权利要求14所述的照明面板,其中所述第一钝化层进一步覆盖所述辅助电极及在所述辅助电极上的所述第一电极。
16.一种照明模块,所述照明模块包括根据权利要求1-15中任一项所述的照明面板。
17.一种照明装置,所述照明装置包括根据权利要求1-15所述的照明面板和根据权利要求16所述的照明模块中的至少一种。
18.一种照明***,所述照明***包括根据权利要求1-15所述的照明面板、根据权利要求16所述的照明模块和根据权利要求17所述的照明装置中的至少一种。
19.一种制造使用有机发光二极管的照明面板的方法,包括:
在基板上形成内部光提取层和/或缓冲层;
通过选择性地去除所述内部光提取层和/或所述缓冲层,在所述内部光提取层和/或所述缓冲层中形成具有下凹形状的辅助电极图案;
在所述辅助电极图案中嵌入辅助电极;
在所述缓冲层上形成电连接至所述辅助电极的第一电极;
在所述第一电极中形成短路减少图案,所述短路减少图案形成为围绕所述照明面板的每个像素的发光区域的外周,以显示出窄路径;
在其中设置有所述第一电极的发光部分中形成有机发光层和第二电极;和
在所述基板的所述发光部分中形成封装构件,
其中所述短路减少图案包括顺序连接并且分别沿每个像素的发光区域的外周的四条边形成的五个直线图案,并且所述五个直线图案中的两个直线图案沿所述四条边之中的同一条边彼此分离地形成。
20.根据权利要求19所述的方法,其中在所述辅助电极图案中嵌入所述辅助电极包括:
在除所述辅助电极图案之外的所述缓冲层上形成光刻胶图案;
通过在包括所述辅助电极图案的内部在内的所述基板的整个表面上沉积导电材料,在所述光刻胶图案上形成导电层;并且
通过剥离工艺选择性地去除所述光刻胶图案和所述光刻胶图案上的所述导电层,在所述辅助电极图案中形成由所述导电材料制成的所述辅助电极。
21.根据权利要求19所述的方法,其中在所述辅助电极图案中嵌入所述辅助电极包括:
通过在包括所述辅助电极图案的内部在内的所述基板的整个表面上涂布液体型金属,形成金属层;并且
通过从所述基板的一侧到另一侧在一个方向上推动刮片并去除除所述辅助电极图案的内部之外的所述基板上的所述金属层,在所述辅助电极图案中形成所述辅助电极。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102441681B1 (ko) 2017-12-05 2022-09-07 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법
KR102605887B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109888116A (zh) * 2019-02-14 2019-06-14 固安翌光科技有限公司 一种高稳定性的oled器件及其制备方法
KR20220014921A (ko) 2020-07-29 2022-02-08 주식회사 포그시스템코리아 포그 제어기

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102782624A (zh) * 2010-03-03 2012-11-14 未来奈米科技股份有限公司 静电容式触控面板及其制造方法
JP2014096334A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20150115242A1 (en) * 2012-04-12 2015-04-30 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device
CN104718637A (zh) * 2012-08-17 2015-06-17 荷兰应用自然科学研究组织Tno 电光部件及其制造方法
CN104798222A (zh) * 2012-11-16 2015-07-22 株式会社Lg化学 有机发光元件及其制造方法
CN105027315A (zh) * 2013-03-08 2015-11-04 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电支承件、包括所述支承件的oled及其制备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266870A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜el素子及びその製造方法
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
US7045861B2 (en) 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
US7183707B2 (en) * 2004-04-12 2007-02-27 Eastman Kodak Company OLED device with short reduction
JP2006156267A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US8466610B2 (en) * 2009-05-14 2013-06-18 Sri International Low cost high efficiency transparent organic electrodes for organic optoelectronic devices
KR101013885B1 (ko) * 2009-07-03 2011-02-14 한국기계연구원 유기 발광다이오드 및 유기 발광다이오드의 제조방법
EP2863707A4 (en) * 2012-09-13 2015-08-05 Panasonic Ip Man Co Ltd ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
WO2014148878A1 (ko) 2013-03-22 2014-09-25 주식회사 엘지화학 전도성 패턴 적층체 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20150002218A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 엘지디스플레이 주식회사 패널 및 그 제조방법
CN105917483A (zh) * 2013-11-05 2016-08-31 Oled工厂有限责任公司 发光器件
KR101725947B1 (ko) 2014-02-13 2017-04-11 주식회사 엘지화학 레이저 열전사 기법을 통한 매립형 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조한 매립형 전극
DE102015100336A1 (de) * 2015-01-12 2016-07-14 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Trägervorrichtung für ein organisches Licht emittierendes Bauelement und zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
KR102035378B1 (ko) 2015-06-08 2019-11-18 주식회사 엘지화학 금속배선층이 형성된 적층체 및 이를 제조하는 방법
KR102443645B1 (ko) * 2016-01-13 2022-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102782624A (zh) * 2010-03-03 2012-11-14 未来奈米科技股份有限公司 静电容式触控面板及其制造方法
US20150115242A1 (en) * 2012-04-12 2015-04-30 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device
CN104718637A (zh) * 2012-08-17 2015-06-17 荷兰应用自然科学研究组织Tno 电光部件及其制造方法
JP2014096334A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104798222A (zh) * 2012-11-16 2015-07-22 株式会社Lg化学 有机发光元件及其制造方法
CN105027315A (zh) * 2013-03-08 2015-11-04 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电支承件、包括所述支承件的oled及其制备

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