CN109219925B - 弹性波装置 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 279
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 279
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 95
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 54
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 10
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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Abstract
本发明提供一种能够抑制IDT电极中的迁移的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电基板(2)(压电体)和直接地或间接地设置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具有第一金属层(4A~4D)、设置在第一金属层(4D)上的第二金属层(5)、以及设置在第二金属层(5)上的第三金属层(6)。第一金属层(4D)、第二金属层(5)、第三金属层(6)具有侧面部(4Da、5a、6a)。侧面部(4Da)包含作为第二金属层(5)侧的端部的第一端部(4Db)。侧面部(6a)包含作为第二金属层(5)侧的端部的第二端部(6c)。在IDT电极(3)的至少一部分中,从第一端部(4Db)经过第二金属层(5)的侧面部(5a)到达第二端部(6c)的沿面距离比连结第一端部(4Db)和第二端部(6c)的距离长。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往,弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。例如,在下述的专利文献1公开了具有由层叠金属膜构成的IDT电极的弹性波装置。IDT电极是从压电基板侧起依次设置有NiCr层、Pt层、Ti层以及AlCu层的层叠金属膜。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5131117号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1中,在IDT电极中的Pt层与AlCu层之间设置有成为阻挡层的Ti层。然而,AlCu层中的Al原子有时通过表面扩散而在Ti层的侧面移动并到达Pt层。通过这样的迁移,在Pt层中,有时形成Al和Pt的合金。因此,存在弹性波装置的特性劣化的倾向。
本发明的目的在于,提供一种能够抑制IDT电极中的迁移的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
在本发明涉及的弹性波装置的某个广泛的方面中,具备压电体和直接地或间接地设置在所述压电体上的IDT电极,所述IDT电极具有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层、以及设置在所述第二金属层上的第三金属层,所述第一金属层具有连结所述压电体侧的面和所述第二金属层侧的面的侧面部,所述第一金属层中的所述侧面部包含作为所述第二金属层侧的端部的第一端部,所述第二金属层具有连结所述第一金属层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,所述第三金属层具有连结所述第二金属层侧的面和与所述第二金属层侧相反侧的面的侧面部,所述第三金属层中的所述侧面部包含作为所述第二金属层侧的端部的第二端部,在所述IDT电极的至少一部分中,从所述第一端部经过第二金属层的所述侧面部到达所述第二端部的沿面距离比连结所述第一端部和所述第二端部的距离长。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中,跨过所述第三金属层的俯视下的外周的整个区域,从所述第一端部经过所述第二金属层的所述侧面部到达所述第二端部的沿面距离比连结所述第一端部和所述第二端部的距离长。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述第二金属层的所述侧面部在俯视下位于比所述第二端部靠外侧,所述第二金属层的所述第一金属层侧的面包含不与所述第一金属层接触的非接触部。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述非接触部延伸的方向与所述压电体的主面延伸的方向交叉。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述非接触部延伸,使得越接近所述第二金属层的所述侧面部,越远离所述压电体。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第二金属层具有设置在所述第一金属层上的第一阻挡层和设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第二阻挡层具有连结所述第一阻挡层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,所述第二阻挡层中的所述侧面部的所述第一阻挡层侧的端部的至少一部分位于比所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触的部分靠所述第三金属层侧。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间设置有金属氧化物层。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述IDT电极具有:第一汇流条以及第二汇流条,相互对置;多根第一电极指,一端与所述第一汇流条连接;以及多根第二电极指,与所述多根第一电极指相互交替***,且一端与所述第二汇流条连接,在所述IDT电极中,将在从弹性波传播方向观察时所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为交叉区域,所述交叉区域具有:中央区域,弹性波的声速相对高;以及低声速部,使声速比所述中央区域低,设置在所述中央区域的电极指延伸的方向上的两端部,在所述低声速部设置有所述第三金属层。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述压电体的一个主面上,设置有覆盖所述IDT电极的电介质膜。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个广泛的方面中,具备压电体和设置在所述压电体上的IDT电极,所述IDT电极具有位于所述压电体侧的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层、以及设置在所述第二金属层上的第三金属层,所述第二金属层具有从所述第一金属层的外缘向外侧鼓出的鼓出部,所述鼓出部在与所述压电体的主面延伸的方向平行或远离所述压电体的方向上延伸。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第二金属层具有设置在所述第一金属层上的第一阻挡层和设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第二阻挡层具有连结所述第一阻挡层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,所述第二阻挡层中的所述侧面部的所述第一阻挡层侧的端部的至少一部分位于比所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触的部分靠所述第三金属层侧。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间设置有金属氧化物层。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述IDT电极具有:第一汇流条以及第二汇流条,相互对置;多根第一电极指,一端与所述第一汇流条连接;以及多根第二电极指,与所述多根第一电极指相互交替***,且一端与所述第二汇流条连接,在所述IDT电极中,将在从弹性波传播方向观察时所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为交叉区域,所述交叉区域具有:中央区域,弹性波的声速相对高;以及低声速部,使声速比所述中央区域低,设置在所述中央区域的电极指延伸的方向上的两端部,在所述低声速部设置有所述第三金属层。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够抑制IDT电极中的迁移的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式中的IDT电极的第一电极指的第二低声速部处的横截面图。
图3是图2的放大图。
图4是比较例的IDT电极的电极指的横截面图。
图5是本发明的第一实施方式的变形例中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图6的(a)~图6的(c)是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
图7的(a)~图7的(d)是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
图8是本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图9是本发明的第二实施方式的变形例涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图10是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图11是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图12是本发明的第四实施方式的变形例涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
图13的(a)以及图13的(b)是用于说明本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
具体实施方式
以下,通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,在本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。另外,在图1中,省略了后述的电介质层。
弹性波装置1具有作为压电体的压电基板2。压电基板2由LiNbO3构成。另外,压电基板2也可以由LiTaO3等LiNbO3以外的压电单晶构成,或者还可以由AlN、ZnO、PZT、铌酸钾钠等适当的压电材料构成。弹性波装置1的压电体也可以是压电薄膜。
压电基板2具有作为一个主面的主面2a。在主面2a上设置有IDT电极3。在本实施方式中,IDT电极3直接设置在压电基板2上。IDT电极3具有第一汇流条3a1、第二汇流条3b1以及多个第一电极指3a2、第二电极指3b2。第一汇流条3a1、第二汇流条3b1相互对置。在第一汇流条3a1连接有多个第一电极指3a2的一端。在第二汇流条3b1连接有多个第二电极指3b2的一端。多个第一电极指3a2和多个第二电极指3b2相互交替***。
将在从弹性波传播方向观察时第一电极指3a2和第二电极指3b2相互重叠的区域设为交叉区域A。此时,交叉区域A具有弹性波的声速相对高的中央区域A1。交叉区域A具有使声速比中央区域A1低并设置在中央区域A1的第一电极指3a2、第二电极指3b2延伸的方向上的两端部的第一低声速部A2a、第二低声速部A2b。IDT电极3具有使声速比中央区域A1高并位于交叉区域A的两侧的第一高声速部Ba、第二高声速部Bb。更具体地,第一高声速部Ba是多个第二电极指3b2的前端部与第一汇流条3a1之间的缝隙区域。第二高声速部Bb是多个第一电极指3a2的前端部与第二汇流条3b1之间的缝隙区域。
在此,将中央区域A1中的声速设为V1,将第一低声速部A2a、第二低声速部A2b中的声速设为V2,将第一高声速部Ba、第二高声速部Bb中的声速设为V3。在图1中,表示声速的实线越位于靠右侧,表示声速越快。如图1所示,可知V3>V1>V2的关系成立。
图2是第一实施方式中的IDT电极的第一电极指的第二低声速部处的横截面图。图3是图2的放大图。另外,在图3中,省略了后述的电介质膜。
IDT电极具有设置在压电基板2上的多个第一金属层4A~4D。更具体地,在压电基板2的主面2a上设置有第一金属层4A,在第一金属层4A上设置有第一金属层4B。进而,在第一金属层4B上设置有第一金属层4C,在第一金属层4C上设置有第一金属层4D。在本实施方式中,第一金属层4A由NiCr构成。第一金属层4B由Pt构成。第一金属层4C由Ti构成。第一金属层4D由A1Cu构成。另外,第一金属层4A~4D的材料并不限定于上述材料。IDT电极只要具有至少一层第一金属层即可。
IDT电极具有设置在第一金属层4D的与压电基板2侧相反侧的第二金属层5和设置在第二金属层5上的第三金属层6。第二金属层5是抑制第三金属层6的金属扩散到第一金属层4D的阻挡层。在本实施方式中,第二金属层5由Ti构成。第三金属层6由Pt构成。另外,第二金属层5、第三金属层6的材料并不限定于上述材料。
在压电基板2的主面2a上设置有电介质膜7。电介质膜7覆盖IDT电极。电介质膜7没有特别限定,由SiO2构成。另外,也可以不设置电介质膜7。
第一金属层4D具有将压电基板2侧的面和第二金属层5侧的面连结的侧面部4Da。同样地,第一金属层4A~4C也分别具有侧面部。第二金属层5具有将第一金属层4D侧的面和第三金属层6侧的面连结的侧面部5a。第三金属层6具有将第二金属层5侧的面和与第二金属层5侧相反侧的面连结的侧面部6a。第一金属层4A~4C的侧面部、第一金属层4D的侧面部4Da以及第二金属层5的侧面部5a、第三金属层6的侧面部6a相对于压电基板2的主面2a的法线方向倾斜。另外,上述各侧面部也可以不相对于压电基板2的主面2a的法线方向倾斜。
第一金属层4D的侧面部4Da包含作为第二金属层5侧的端部的第一端部4Db。第三金属层6的侧面部6a包含作为第二金属层5侧的端部的第二端部6c。
第二金属层5的侧面部5a在俯视下位于比第一端部4Db靠外侧。第二金属层5的第一金属层4D侧的面包含不与第一金属层4D接触的非接触部5d。在本实施方式中,非接触部5d延伸的方向与压电基板2的主面2a延伸的方向平行。换言之,第二金属层5具有向第一金属层4D的外侧鼓出且与主面2a延伸的方向平行地延伸的鼓出部5e。
在此,如图3所示,将连结第一端部4Db和第二端部6c的距离设为L1。将从第一端部4Db经过图2所示的非接触部5d以及第二金属层5的侧面部5a到达第二端部6c的沿面距离设为L2。第一电极指3a2具有距离L2比距离L1长的部分。第一金属层4A~4D、第二金属层5、第三金属层6在图2以及图3所示的第一电极指3a2以外的多个第一电极指、第二电极指中也同样地构成。
更具体地,在本实施方式中,第二金属层5、第三金属层6设置在图1所示的第一低声速部A2a、第二低声速部A2b,未设置在中央区域A1。由此,第一低声速部A2a、第二低声速部A2b的声速比中央区域A1中的声速慢。
另一方面,在第一高声速部Ba设置有多个第一电极指3a2,未设置第二电极指3b2。在第二高声速部Bb设置有多个第二电极指3b2,未设置第一电极指3a2。图2所示的第二金属层5、第三金属层6未设置在第一高声速部Ba、第二高声速部Bb。因而,第一高声速部Ba、第二高声速部Bb中的声速比中央区域A1以及第一低声速部A2a、第二低声速部A2b的声速快。在中央区域A1的外侧设置有第一低声速部A2a、第二低声速部A2b,在第一低声速部A2a、第二低声速部A2b的外侧设置有第一高声速部Ba、第二高声速部Bb。由此,能够有效地封闭弹性波的能量。
在本实施方式中,如图3所示,跨过第三金属层6的俯视下的外周的整个区域,距离L2比距离L1长。
另外,设置有第二金属层5、第三金属层6的位置并不限定于上述位置。第二金属层5、第三金属层6只要设置在IDT电极3的至少一部分即可,例如,也可以设置在第一低声速部A2a、第二低声速部A2b以外的部分。
此外,在弹性波装置1中,鼓出部5e比第一金属层4D的与第二金属层5相接的面的外周缘向外侧鼓出。在该情况下,鼓出部5e在上述第一金属层4D的与第二金属层5相接的面的外周缘的整体比外周缘向外侧鼓出。因此,在从第三金属层6侧俯视的情况下,鼓出部5e具有框状的形状。像这样,鼓出部5e也可以具有如下的构造,即,从第一金属层4D的外周缘到达外侧,在与从压电基板2的主面延伸的方向平行或远离压电基板2的方向上延伸。在该情况下,也能够抑制从第三金属层6向第一金属层4D的迁移。
本实施方式的特征在于,在IDT电极3的至少一部分,距离L2比距离L1长。由此,在IDT电极3中,能够抑制金属原子从图2所示的第三金属层6到达第一金属层4D的迁移。通过对本实施方式和比较例进行比较,从而对此进行说明。
图4是比较例的IDT电极的电极指的横截面图。
在比较例中,第二金属层105的第一金属层4D侧的面不具有上述非接触部。将第一金属层4D的第一端部4Db和第三金属层106的第二端部106c连结的距离L101与从第一端部4Db经过第二金属层105的侧面部到达第二端部106c的沿面距离L102相同。在上述以外的方面,比较例的弹性波装置与第一实施方式的弹性波装置1同样地构成。
在比较例中,因为距离L101与距离L102相同,所以第一金属层4D的Al原子通过表面扩散在第二金属层105的侧面部移动,能够容易地到达第三金属层106。在该情况下,会形成Al和Pt的合金,存在IDT电极的电阻变高等电特性劣化的倾向。
相对于此,在第一实施方式中,如图3所示,距离L2比距离L1长。因此,Al原子从第一金属层4D到达第三金属层6为止的移动距离或Pt原子从第三金属层6到达第一金属层4D为止的移动距离变长。因而,能够抑制迁移。
可是,也可以像图5所示的第一实施方式的变形例那样,在压电基板2的与主面2a相反侧的主面2b上设置有低声速膜44。也可以在低声速膜44的与压电基板2侧相反侧设置有高声速构件45。在此,低声速膜44是传播的体波的声速比在压电基板2传播的弹性波的声速慢的膜。高声速构件45是传播的体波的声速比在压电基板2传播的弹性波的声速快的构件。高声速构件45可以是高声速膜,或者也可以是高声速基板。通过具有低声速膜44以及高声速构件45,从而能够有效地封闭弹性波的能量。
或者,也可以在压电基板2的主面2b上设置有声多层膜。所谓声多层膜,是交替地层叠有声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层的膜。在该情况下,也能够有效地封闭弹性波的能量。
另一方面,压电基板2也可以设置在具有凹部的支承基板等上。在该情况下,可以形成被上述凹部以及压电基板2包围的空隙部。在俯视下,也可以在与上述空隙部重叠的位置设置有IDT电极3。
也可以在压电基板2与IDT电极3之间设置有由SiO2等构成的电介质层。在该情况下,例如,能够使用拉夫波。像这样,IDT电极3也可以间接地设置在压电基板2上。
以下,说明第一实施方式涉及的弹性波装置1的制造方法的一个例子。
图6的(a)~图6的(c)是用于说明第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。图7的(a)~图7的(d)是用于说明第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。另外,图6的(a)~图6的(c)以及图7的(a)~图7的(d)示出图1中的第二低声速部A2b处的截面。
如图6的(a)所示,准备压电基板2。接着,在压电基板2的主面2a上通过光刻法形成抗蚀剂图案8A。在图6的(a)所示的截面中,在抗蚀剂图案8A间形成有缝隙。在本实施方式中,抗蚀剂图案8A的侧面部倾斜,使得越接近压电基板2,隔着上述缝隙的抗蚀剂图案8A间的距离变得越长。另外,抗蚀剂图案8A的侧面部的倾斜方向并不限定于上述方向。或者,抗蚀剂图案8A的侧面部也可以不倾斜。
接着,如图6的(b)所示,在压电基板2上形成第一金属层4A。接着,在第一金属层4A上层叠第一金属层4B。接着,在第一金属层4B上层叠第一金属层4C。接着,在第一金属层4C上层叠第一金属层4D。第一金属层4A~4D例如能够通过真空蒸镀法形成。另外,此时,在抗蚀剂图案8A上也沉积作为第一金属层4A~4D的材料的金属。
接着,如图6的(c)所示,从压电基板2剥离抗蚀剂图案8A。接着,如图7的(a)所示,通过光刻法在压电基板2的主面2a上形成抗蚀剂图案8B。
此时,进行图案化,使得抗蚀剂图案8B的侧面部成为两级的阶梯状的形状。抗蚀剂图案8B从压电基板2侧起具有作为第一级的台阶部的第一台阶部8B1、作为第二级的台阶部的第二台阶部8B2、以及将第一台阶部8B1、第二台阶部8B2连接的连接部8B3。抗蚀剂图案8B具有与第二台阶部8B2的图7的(a)中的上方连接的上表面部8B4。
第一台阶部8B1从压电基板2侧的端部直到与连接部8B3连接的端部为止与第一金属层4A~4D的侧面部相接。第一台阶部8B1、第二台阶部8B2与图6的(a)所示的抗蚀剂图案8A的侧面部同样地倾斜。另外,第一台阶部8B1、第二台阶部8B2的倾斜方向并不限定于上述方向。或者,第一台阶部8B1、第二台阶部8B2也可以不倾斜。
连接部8B3与压电基板2的主面2a延伸的方向平行地延伸。由连接部8B3和第一金属层4D的与压电基板2侧相反侧的面构成与压电基板2的主面2a平行的面。
在本实施方式的弹性波装置1的制造方法中,第一金属层4D中的图1所示的第一低声速部A2a、第二低声速部A2b以外的部分被抗蚀剂图案8B覆盖。
接着,如图7的(b)所示,通过真空蒸镀法等在由连接部8B3以及第一金属层4D的与压电基板2侧相反侧的面构成的面上层叠第二金属层5。第二金属层5中的设置在连接部8B3上的部分成为上述非接触部5d。
接着,通过真空蒸镀法等在第二金属层5上层叠第三金属层6。另外,在层叠第二金属层5、第三金属层6的工序中,在抗蚀剂图案8B的上表面部8B4也沉积作为第二金属层5、第三金属层6的材料的金属。
接着,如图7的(c)所示,从压电基板2剥离抗蚀剂图案8B。由此,能够得到IDT电极。接着,如图7的(d)所示,在压电基板2的主面2a上设置电介质膜7,使得覆盖IDT电极。电介质膜7例如能够通过真空蒸镀法、溅射法等进行设置。
如上所述,IDT电极只要具有至少一层第一金属层即可,第一金属层4A~4D、第二金属层5、第三金属层6的材料并不限定于上述材料。例如,IDT电极也可以不具有第一金属层4C、4D。更具体地,也可以在由Pt构成的第一金属层4B上隔着第二金属层5设置有由Pt构成的第三金属层6。在该情况下,也能够抑制IDT电极中的迁移。由此,能够抑制在第一金属层4B产生空隙。像这样,即使在第一金属层4B和第三金属层6包含相同的金属的情况下,也能够抑制IDT电极的电特性的劣化。
在IDT电极不具有第一金属层4C、4D的情况下,也可以是,第一金属层4B由Al构成,且第三金属层6由Al构成。或者,也可以是,第一金属层4A由Al构成,第一金属层4B由Mo构成,且第三金属层6由Mo构成。也可以是,第一金属层4A由Ti构成,第一金属层4B由Cu构成,且第三金属层6由Cu构成。在这些情况下,也与上述同样地,能够抑制IDT电极中的迁移。
图8是第二实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
在本实施方式的弹性波装置中,IDT电极的第一电极指13a2中的第二金属层15、第三金属层16的形状与第一实施方式不同。另外,图8所示的第一电极指13a2以外的多个第一电极指、第二电极指也与图8所示的第一电极指13a2同样地构成。除了上述的方面以外,本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
第二金属层15的非接触部15d延伸的方向与压电基板2的主面2a延伸的方向交叉。更具体地,非接触部15d在越接近侧面部15a越远离压电基板2的方向上延伸。换言之,第二金属层15的鼓出部15e在越接近侧面部15a越远离压电基板2的方向上延伸。
在该情况下,能够加长非接触部15d中的从第一金属层4D侧的端部到侧面部15a侧的端部为止的长度。由此,能够更进一步加长从第一金属层4D的第一端部4Db到达第三金属层16的第二端部16c的沿面距离。因而,能够更进一步抑制IDT电极中的迁移。
可是,在设置电介质膜7时,电介质膜7从压电基板2侧进行沉积。此时,非接触部15d在越接近侧面部15a越远离压电基板2的方向上延伸,因此电介质膜7容易与非接触部15d接触。因而,在IDT电极与电介质膜7之间不易产生间隙。因此,更加不易产生IDT电极的电特性的劣化。
另外,也可以像图9所示的第二实施方式的变形例那样,第二金属层65的非接触部65d在越接近侧面部65a越接近压电基板2的方向上延伸。
图10是第三实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
本实施方式的弹性波装置与第一实施方式的不同点在于,IDT电极的第一电极指23a2中的第二金属层25具有第一阻挡层25A、第二阻挡层25B,以及IDT电极具有金属氧化物层29。另外,图10所示的第一电极指23a2以外的多个第一电极指、第二电极指也与图10所示的第一电极指23a2同样地构成。除了上述的方面以外,本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
第一阻挡层25A设置在第一金属层4D上。在第一阻挡层25A上设置有金属氧化物层29。在金属氧化物层29上设置有第二阻挡层25B。在第二阻挡层25B上设置有第三金属层6。
在本实施方式中,第一阻挡层25A、第二阻挡层25B由Ti构成,金属氧化物层29由氧化钛构成。另外,第一阻挡层25A、第二阻挡层25B只要由能够抑制金属间的金属原子的扩散的适当的金属构成即可。金属氧化物层29也可以由能够抑制金属间的金属原子的扩散的适当的金属的氧化物构成。
第一阻挡层25A具有连结压电基板2侧的面和第三金属层6侧的面的侧面部25Aa。在俯视下,该侧面部25Aa不位于第一金属层4D的第一端部4Db的外侧。
另一方面,第二阻挡层25B具有连结压电基板2侧的面和第三金属层6侧的面的侧面部25Ba。在俯视下,该侧面部25Ba位于上述第一端部4Db的外侧。由此,能够更进一步加长从上述第一端部4Db到达第三金属层6的第二端部6c的沿面距离。因而,能够更进一步抑制IDT电极中的迁移。
另外,在俯视下,第一阻挡层25A的侧面部25Aa也可以位于第一金属层4D的第一端部4Db的外侧。
在本实施方式中,如上所述,在第一阻挡层25A与第二阻挡层25B之间设置有金属氧化物层29。因此,能够更进一步抑制第三金属层6的金属原子在第二金属层25内通过并扩散到第一金属层4D。
在得到本实施方式的弹性波装置时,例如,也可以在图6的(b)所示的形成第一金属层4A~4D的工序之后,并在剥离抗蚀剂图案8A之前,在第一金属层4D上层叠第一阻挡层25A。第一阻挡层25A例如能够通过真空蒸镀法形成。
接着,进行对第一阻挡层25A的与第一金属层4D侧相反侧的面进行氧化的工序。由此,能够得到金属氧化物层29。接着,进行图6的(c)以及图7的(a)所示的工序。接着,通过与图7的(b)所示的工序同样的方法,在金属氧化物层29上层叠第二阻挡层25B。另外,上述的氧化的工序只要在形成第二阻挡层25B之前进行即可。然后,能够通过与图7的(c)以及图7的(d)所示的工序同样的方法得到本实施方式的弹性波装置。
图11是第四实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的第一电极指的横截面图。
在本实施方式的弹性波装置中,IDT电极的第一电极指33a2中的第二阻挡层35B以及第三金属层36的形状与第三实施方式不同。本实施方式与第三实施方式的不同点还在于,IDT电极不具有金属氧化物层。另外,图11所示的第一电极指33a2以外的多个第一电极指、第二电极指也与图11所示的第一电极指33a2同样地构成。除了上述的方面以外,本实施方式的弹性波装置具有与第三实施方式的弹性波装置同样的结构。
更具体地,第二阻挡层35B的侧面部35Ba的第一阻挡层35A侧的端部位于比第二阻挡层35B与第一阻挡层35A接触的部分靠第三金属层36侧。像这样,第二阻挡层35B具有从第一阻挡层35A上浮的上浮部35Bd。由此,能够加长从第一金属层4D的第一端部4Db到达第三金属层36的第二端部36c的沿面距离。因而,能够有效地抑制IDT电极中的迁移。
除此以外,在本实施方式中,也与第二实施方式同样地,在IDT电极与电介质膜7之间不易产生间隙。
在俯视下,第三金属层36的与上浮部35Bd重叠的部分向远离压电基板2的方向突出。另外,第三金属层36也可以不具有上述的突出的部分。
在本实施方式中,在俯视下,第一阻挡层35A的侧面部35Aa、第二阻挡层35B的侧面部35Ba不位于第一金属层4D的第一端部4Db的外侧。另外,在俯视下,第一阻挡层35A的侧面部35Aa、第二阻挡层35B的侧面部35Ba也可以位于第一金属层4D的第一端部4Db的外侧。
在俯视下,第二阻挡层35B的侧面部35Ba位于第一阻挡层35A的侧面部35Aa的内侧。另外,在俯视下,第二阻挡层35B的侧面部35Ba也可以位于第一阻挡层35A的侧面部35Aa的外侧。
也可以像图12所示的第四实施方式的变形例那样,在第一阻挡层35A与第二阻挡层35B之间,与第三实施方式同样地设置有金属氧化物层59。
图13的(a)以及图13的(b)是用于说明第四实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
关于本实施方式的弹性波装置的制造,直到形成第一金属层4A~4D以及第一阻挡层35A的工序为止,能够与第三实施方式的弹性波装置的制造方法同样地进行。接着,如图13的(a)所示,在压电基板2上通过光刻法形成抗蚀剂图案38B。此时,进行图案化,使得抗蚀剂图案38B的一部分位于第一阻挡层35A上的第一阻挡层35A的侧面部35Aa附近。
更具体地,与第一实施方式的弹性波装置的制造方法同样地,抗蚀剂图案38B具有第一台阶部38B1、第二台阶部38B2以及上表面部38B4。抗蚀剂图案38B具有连接部38B3,连接部38B3连接第一台阶部38B1、第二台阶部38B2,且配置在第一阻挡层35A上的上述侧面部35Aa附近。
接着,如图13的(b)所示,通过真空蒸镀法等在连接部38B3上以及第一阻挡层35A上层叠第二阻挡层35B。第二阻挡层35B中的设置在连接部38B3上的部分成为上述上浮部35Bd。
接着,通过真空蒸镀法等在第二阻挡层35B上层叠第三金属层36。然后,能够通过与图7的(c)以及图7的(d)所示的工序同样的方法得到本实施方式的弹性波装置。
附图标记说明
1:弹性波装置;
2:压电基板;
2a、2b:主面:
3:IDT电极;
3a1、3b1:第一汇流条、第二汇流条;
3a2、3b2:第一电极指、第二电极指;
4A~4D:第一金属层;
4Da:侧面部;
4Db:第一端部;
5:第二金属层;
5a:侧面部;
5d:非接触部;
5e:鼓出部;
6:第三金属层;
6a:侧面部;
6c:第二端部;
7:电介质膜;
8A、8B:抗蚀剂图案;
8B1、8B2:第一台阶部、第二台阶部;
8B3:连接部;
8B4:上表面部;
13a2:第一电极指;
15:第二金属层;
15a:侧面部;
15d:非接触部;
15e:鼓出部;
16:第三金属层;
16c:第二端部;
23a2:第一电极指;
25:第二金属层;
25A、25B:第一阻挡层、第二阻挡层;
25Aa、25Ba:侧面部;
29:金属氧化物层;
33a2:第一电极指;
35A、35B:第一阻挡层、第二阻挡层;
35Aa、35Ba:侧面部;
35Bd:上浮部;
36:第三金属层;
36c:第二端部;
38B:抗蚀剂图案;
38B1、38B2:第一台阶部、第二台阶部;
38B3:连接部;
38B4:上表面部;
44:低声速膜;
45:高声速构件;
59:金属氧化物层;
65:第二金属层;
65a:侧面部;
65d:非接触部;
105、106:第二金属层、第三金属层;
106c:第二端部。
Claims (15)
1.一种弹性波装置,具备:
压电体;以及
IDT电极,直接地或间接地设置在所述压电体上,
所述IDT电极具有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层、以及设置在所述第二金属层上的第三金属层,
所述第一金属层具有连结所述压电体侧的面和所述第二金属层侧的面的侧面部,
所述第一金属层中的所述侧面部包含作为所述第二金属层侧的端部的第一端部,
所述第二金属层具有连结所述第一金属层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,
所述第三金属层具有连结所述第二金属层侧的面和与所述第二金属层侧相反侧的面的侧面部,
所述第三金属层中的所述侧面部包含作为所述第二金属层侧的端部的第二端部,
所述第二端部与所述第二金属层的所述侧面部相接,
在所述IDT电极的至少一部分中,从所述第一端部经过所述第二金属层的所述侧面部到达所述第二端部的沿面距离比连结所述第一端部和所述第二端部的距离长。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
跨过所述第三金属层的俯视下的外周的整个区域,从所述第一端部经过所述第二金属层的所述侧面部到达所述第二端部的沿面距离比连结所述第一端部和所述第二端部的距离长。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述第二金属层的所述侧面部在俯视下位于比所述第二端部靠外侧,所述第二金属层的所述第一金属层侧的面包含不与所述第一金属层接触的非接触部。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
所述非接触部延伸的方向与所述压电体的主面延伸的方向交叉。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置,其中,
所述非接触部延伸,使得越接近所述第二金属层的所述侧面部,越远离所述压电体。
6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述第二金属层具有设置在所述第一金属层上的第一阻挡层和设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置,其中,
所述第二阻挡层具有连结所述第一阻挡层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,
所述第二阻挡层中的所述侧面部的所述第一阻挡层侧的端部的至少一部分位于比所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触的部分靠所述第三金属层侧。
8.根据权利要求6所述的弹性波装置,其中,
在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间设置有金属氧化物层。
9.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述IDT电极具有:第一汇流条以及第二汇流条,相互对置;多根第一电极指,一端与所述第一汇流条连接;以及多根第二电极指,与所述多根第一电极指相互交替***,且一端与所述第二汇流条连接,
在所述IDT电极中,将在从弹性波传播方向观察时所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为交叉区域,
所述交叉区域具有:中央区域,弹性波的声速相对高;以及低声速部,使声速比所述中央区域低,设置在所述中央区域的电极指延伸的方向上的两端部,
在所述低声速部设置有所述第三金属层。
10.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
在所述压电体的一个主面上,设置有覆盖所述IDT电极的电介质膜。
11.一种弹性波装置,具备:
压电体;以及
IDT电极,设置在所述压电体上,
所述IDT电极具有位于所述压电体侧的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层、以及设置在所述第二金属层上的第三金属层,
所述第三金属层的侧面部的所述第二金属层侧的端部与所述第二金属层的侧面部相接,
所述第二金属层具有从所述第一金属层的外缘向外侧鼓出的鼓出部,
所述鼓出部在与所述压电体的主面延伸的方向平行或远离所述压电体的方向上延伸。
12.根据权利要求11所述的弹性波装置,其中,
所述第二金属层具有设置在所述第一金属层上的第一阻挡层和设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层。
13.根据权利要求12所述的弹性波装置,其中,
所述第二阻挡层具有连结所述第一阻挡层侧的面和所述第三金属层侧的面的侧面部,
所述第二阻挡层中的所述侧面部的所述第一阻挡层侧的端部的至少一部分位于比所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触的部分靠所述第三金属层侧。
14.根据权利要求12或13所述的弹性波装置,其中,
在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间设置有金属氧化物层。
15.根据权利要求12或13所述的弹性波装置,其中,
所述IDT电极具有:第一汇流条以及第二汇流条,相互对置;多根第一电极指,一端与所述第一汇流条连接;以及多根第二电极指,与所述多根第一电极指相互交替***,且一端与所述第二汇流条连接,
在所述IDT电极中,将在从弹性波传播方向观察时所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为交叉区域,
所述交叉区域具有:中央区域,弹性波的声速相对高;以及低声速部,使声速比所述中央区域低,设置在所述中央区域的电极指延伸的方向上的两端部,
在所述低声速部设置有所述第三金属层。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113332 | 2016-06-07 | ||
JP2016-113332 | 2016-06-07 | ||
PCT/JP2017/015375 WO2017212787A1 (ja) | 2016-06-07 | 2017-04-14 | 弾性波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109219925A CN109219925A (zh) | 2019-01-15 |
CN109219925B true CN109219925B (zh) | 2022-06-28 |
Family
ID=60577751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780034341.2A Active CN109219925B (zh) | 2016-06-07 | 2017-04-14 | 弹性波装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11239820B2 (zh) |
KR (1) | KR102095213B1 (zh) |
CN (1) | CN109219925B (zh) |
WO (1) | WO2017212787A1 (zh) |
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-
2017
- 2017-04-14 WO PCT/JP2017/015375 patent/WO2017212787A1/ja active Application Filing
- 2017-04-14 KR KR1020187031239A patent/KR102095213B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-14 CN CN201780034341.2A patent/CN109219925B/zh active Active
-
2018
- 2018-10-31 US US16/176,037 patent/US11239820B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11239820B2 (en) | 2022-02-01 |
CN109219925A (zh) | 2019-01-15 |
KR102095213B1 (ko) | 2020-03-31 |
KR20180122734A (ko) | 2018-11-13 |
WO2017212787A1 (ja) | 2017-12-14 |
US20190068160A1 (en) | 2019-02-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |