CN109216285A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板，包括一基板、一缓冲绝缘层、多个接垫以及多个发光二极管。基板具有一显示区与相邻显示区的一周边区。缓冲绝缘层配置于基板上。缓冲绝缘层的杨氏模量小于10GPa。接垫位于缓冲绝缘层上且配置于基板的显示区。发光二极管电性连接于接垫且通过接垫接合于基板的显示区。缓冲绝缘层位于发光二极管与基板之间。发光二极管在基板上的正投影至少部分重叠于缓冲绝缘层在基板上的正投影。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示设备，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
一般来说，发光芯片是由磊晶结构、N型电极以及P型电极所组成，其中N型电极与P型电极会分别接触N型半导体层与P型半导体层。为了增加发光芯片的应用，通常会将制作好的发光芯片利用升温的方式产生金属接合，藉此将发光芯片固定于一电路基板上而形成一发光模块或一显示模块。由于发光芯片和电路基板二者之间的材料热膨胀系数不匹配(mismatch)，且发光芯片与电路基板之间仅用无机材料(如SiO2或SiN)来作为绝缘层，因此于接合时无法提供缓冲，进而导致接合良率低，因而降低产品的结构可靠度(reliability)。
发明内容
本发明提供一种显示面板，其具有较佳的结构可靠度。
本发明的显示面板，其包括一基板、一缓冲绝缘层、多个接垫以及多个发光二极管。基板具有一显示区与相邻显示区的一周边区。缓冲绝缘层配置于基板上。缓冲绝缘层的杨氏模量小于10GPa。接垫位于缓冲绝缘层上且配置于基板的显示区。发光二极管电性连接于接垫且通过接垫而接合于基板的显示区。缓冲绝缘层位于发光二极管与基板之间。发光二极管在基板上的正投影重叠与缓冲绝缘层在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管与缓冲绝缘层在基板上的正投影的重叠面积是发光二极管于基板上正投影面积的50％至100％之间。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管为一水平式发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一主动层、一绝缘层、一第一型电极以及一第二型电极。主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层位于主动层与缓冲绝缘层之间。绝缘层位于第一型半导体与基板之间且具有一第一接触开口与一第二接触开口。第一型电极由绝缘层的一表面延伸至第一接触开口内与第一型半导体层电性连接。第二型电极由绝缘层的表面延伸至第二接触开口内与第二型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管还包括一盲孔，依序穿过第一型半导体层、主动层至第二型半导体层。绝缘层的第二接触开口还配置于盲孔内。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：第一电极层以及第二电极层。第一电极层配置于基板的一上表面上。第二电极层配置于第一电极层与缓冲绝缘层上，其中缓冲绝缘层具有多个第一开口。部分第二电极层延伸至第一开口内而与第一电极层电性连接。发光二极管透过接垫与第二电极层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一电极层包括多个彼此分离的第一型电极线。第二电极层包括彼此分离的多个连接部与多个第二型电极线。连接部与发光二极管的第一型电极电性连接，该些第二型电极线与该些发光二极管的第二型电极电性连接，该些连接部延伸至该缓冲绝缘层的该些第一开口内而与该第一电极层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：一无机绝缘层，配置于基板的上表面上，且位于缓冲绝缘层与基板之间。无机绝缘层覆盖上表面与第一电极层且具有多个第二开口。第二开口与缓冲绝缘层的第一开口连通。部分第二电极层延伸配置于第一开口与第二开口内而与第一电极层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层为一图案化膜层。缓冲绝缘层的图案实质上与第二电极层的图案相同。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：一无机绝缘层，配置于第二电极层与缓冲绝缘层之间。无机绝缘层具有多个与缓冲绝缘层的第一开口连通的第二开口。部分第二电极层延伸配置于第二开口内而与第一电极层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管为一垂直式发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：多个第一电极线，配置于缓冲绝缘层上且彼此分离。第一电极线分别位于接垫与缓冲绝缘层之间，且发光二极管分别透过接垫接合至第一电极线。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：多个第二电极线，分别配置于发光二极管上。发光二极管分别位于第二电极与第一电极之间。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层的厚度介于3微米至5微米。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层的材质为一有机材料。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层的杨氏系数介于2.9GPa至3.6GPa。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层的残留应力(residual stress)为25MPa～45MPa。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲绝缘层的断裂伸长率(elongation atbreak)介于5％至10％。
在本发明的一实施例中，上述的基板包括一蓝宝石基板、一玻璃基板、一薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板、一次黏着基台(Submount)、一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)电路基板或一硅基液晶(LiquidCrystal on Silicon,LCOS)基板。
在本发明的一实施例中，上述的每一发光二极管的厚度介于5微米至6微米，而每一接垫的厚度介于0.1微米至10微米。
基于上述，由于本发明的显示面板具有缓冲绝缘层，且缓冲绝缘层的杨氏模量小于10GPa，因此发光二极管电性连接接垫且通过接垫而接合至基板上时，缓冲绝缘层可以吸收接合时所产生的应力，可提高接合良率，进而增加本发明的显示面板的结构可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明的一实施例的一种显示面板的俯视示意图。
图1B为沿图1A的线A-A’的剖面示意图。
图1C为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。
图1D为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。
图2A至图2E为图1A的显示面板的制作方法的剖面示意图。
图3为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。
图4为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。
图5为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。
符号说明
100a：显示面板
110：基板
116：上表面
120a：缓冲绝缘层
122a：第一开口
130a1、130a2：接垫
140a：发光二极管
141a：第一型电极
142a：第一型半导体层
143a：第二型电极
144a：主动层
146a：第二型半导层
148a：绝缘层
148a1：第一接触开口
148a2：第二接触开口
148a3：表面
150a：第一型电极线
160a：第二电极线
160a1：连接部
160a2：第二型电极线
T1、T2、T3：厚度
具体实施方式
图1A为本发明的一实施例的一种显示面板的俯视示意图。图1B为沿图1A的线A-A’的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，显示面板100a包括一基板110、一缓冲绝缘层120a、多个接垫130a1、130a2以及多个发光二极管140a。基板110具有一显示区112与相邻显示区112的一周边区114。接垫130a1、130a2、发光二极管140a配置于显示区112中，且发光二极管140a通过接垫130a1、130a2电性连接于基板110。在本实施例中，发光二极管140a具有多种颜色，而在显示区112中以像素数组设置，再经由驱动电路(未示出)或外接IC(未示出)控制发光、显示画面。缓冲绝缘层120a位于发光二极管140a与基板110之间且缓冲绝缘层120a的杨氏模量(Young’s modulus)小于10GPa。发光二极管140a于基板110上的正投影与缓冲绝缘层120a于基板110上的正投影至少部分重叠。
详细来说，本实施例的基板110可例如为一无线路设计的基板，如一蓝宝石基板或一玻璃基板，而利用被动式驱动的外接IC电路来控制发光二极管140a；或者是，可为一具有驱动电路的基板，如一薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板、一次黏着基台(Submount)、一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)电路基板、一硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)基板或其他适当的驱动电路基板，而利用主动式驱动的IC电路来控制发光二极管140a；当然，于不同的实施例中也可以仅仅是单色发光的固定显示影像、照明装置等等，于此并不加以限制。
特别是，本实施例的缓冲绝缘层120a的材质为一有机材料，例如是光阻、苯并还丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚酰亚胺(PI)、有机胶材等等，其中缓冲绝缘层120a的厚度T1介于3微米至5微米，而缓冲绝缘层120a的残留应力(residual stress)介于25MPa～45MPa，例如为34MPa，且缓冲绝缘层120a的断裂伸长率(elongation at break)例如介于5％至10％。较佳地，缓冲绝缘层120a的杨氏模量介于2.9GPa至3.6GPa。如此一来，缓冲绝缘层120a便可以在两个热膨胀程度不同的组件，例如发光二极管140a与基板110之间提供应力缓冲的效果。
请再参考图1B，在本实施例中，发光二极管140a具体化为水平式发光二极管，其中每一发光二极管140a包括一第一型半导体层142a、一主动层144a、一第二型半导体层146a、一绝缘层148a、一第一型电极141a以及一第二型电极143a。主动层144a位于第一型半导体层142a与第二型半导体层146a之间。第一型半导体层142a位于主动层144a与缓冲绝缘层120a之间。绝缘层148a配置于第一型半导体142a上且具有一第一接触开口148a1与一第二接触开口148a2。第一型电极141a由绝缘层148a的一表面148a3延伸至第一接触开口148a1内而与第一型半导体层142a电性连接。第二型电极143a由绝缘层148a的表面148a3延伸至第二接触开口148a2内而与第二型半导体层146a电性连接，通过绝缘层148a令第二型电极143a与第一型半导体层142a、主动层144a电性绝缘。
再者，本实施例的接垫130a1、130a2彼此分离，其中发光二极管140a的第一型电极141a与接垫130a1电性连接，而发光二极管140a的第二型电极143a与接垫130a2电性连接，而使发光二极管140a接合至基板110。换言之，发光二极管140a以覆晶的方式接合至基板110上。此处，每一发光二极管140a的厚度T2例如是介于5微米至6微米，而每一接垫130a1(或接垫130a2)的厚度T3例如是介于0.1微米至10微米。
此外，请再参考图1A与图1B，本实施例的显示面板100a还包括一第一电极层150与一第二电极层160，其中第一电极层150配置于基板110的一上表面116上，缓冲绝缘层120a配置于第一电极层150上，而第二电极层160配置于缓冲绝缘层120a上。第一电极层150包括多个彼此分离的第一型电极线150a，而第二电极层160包括多个彼此分离的第二型电极线160a2与连接部160a1。缓冲绝缘层120a具有多个第一开口122a位于第一型电极线150a与第二电极层160的连接部160a1之间。第二电极层160的连接部160a1延伸至第一开口122a内而与相对应之一第一型电极线150a电性连接。发光二极管140a透过接垫130a1、130a2令第一型电极141a电性连接至一条第一型电极线150a，而第二型电极143a电性连接至一条第二型电极线160a2，再透过外部电源电路等组件提供第一型电性载子由第一型电极线150a、连接部160a1、接垫131a1进入第一型半导体层142a，提供第二型电性载子由第二型电极线160a2、接垫131a2进入第二型半导体层146a，而能形成电通路令发光二极管140a发光。
简言之，由于本实施例的显示面板100a具有缓冲绝缘层120a，且缓冲绝缘层120a的杨氏模量小于10GPa，因此发光二极管140a接合至基板110上时，缓冲绝缘层120a可以吸收接合时所产生的应力，提高接合良率，进而增加本实施例的显示面板100a的制程良率与结构可靠度。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图1C为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。请同时参考图1B与图1C，本实施例的显示面板100b与图1B的显示面板100a相似，两者的差异在于：本实施例的发光二极管140b不同于图1B的发光二极管140a。详细来说，本实施例发光二极管140b还包括一盲孔145b，其中盲孔145b依序穿过第一型半导体层142b、主动层144b至第二型半导体层146b。绝缘层148b还延伸配置于盲孔145b的内壁，且第二型电极143b由绝缘层148b的表面148b3延伸至盲孔145b内，第二接触开口148a2也位于盲孔145b中以曝露出第二型半导体层146b令第二型电极143b电性接触第二型半导体层146b。
图1D为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。本实施例的显示面板100c包括一基板110、一缓冲绝缘层120c、多个接垫130c、多个发光二极管140c、一第一电极层150以及一第二电极层160。
详细来说，本实施例的发光二极管140c具体化为一垂直式发光二极管。发光二极管140c包括第一型半导体层142c、主动层144c、第二型半导体层146c、第一型电极141c以及第二型电极143c。主动层144c位于第一型半导体层142c与第二型半导体层146c之间，而第一型电极141c位于第一型半导体层142c与接垫130b之间，且第二型电极143c配置于第二型半导体层146c上。也就是说第一型电极141c与第二型电极143c分别位于主动层144c的两侧。再者，本实施例的缓冲绝缘层120c配置于基板110上，第一电极层150配置于缓冲绝缘层120c上且包括多个彼此分离的第一型电极线150c。发光二极管140c分别透过接垫130c接合至对应的第一型电极线150c。同样地，发光二极管140c于基板110的正投影与缓冲绝缘层120c于基板110的正投影重叠，因此在接合时，可以通过缓冲绝缘层120c减低接合产生的应力、提高接合良率。
由图1B、图1C以及图1D中可得知，本发明并不限制发光二极管140a、140b、140c的态样，只要是采用有机材料的缓冲绝缘层120a、120c是设置于发光二极管140a、140b、140c与基板110之间，皆属于本发明所欲保护的范围。
图2A至图2E为图1A的显示面板的制作方法的剖面示意图。须说明的是，图2A至图2D是沿着图1A的线B-B’的剖面图，而图2E是沿着图1A的线C-C’的剖面图。在制程上，请同时参考图1A与图2A，依照本实施例的显示面板的制作方法，首先，提供基板110；接着，于基板110的上表面116上形成彼此分离的第一型电极线150a。接着，请同时参考图1A与图2B，形成一缓冲绝缘材料层120于基板110的上表面116上，且覆盖上表面116与第一型电极线150a。第一型电极线150a的制作方法可以是先沉积一整层的第一电极层后经过微影、蚀刻定义出来的；或是利用屏蔽定义图案后蒸镀形成。在本实施例中，多个第一型电极线150a相互分隔且由显示区112延伸至周边区114以与外部电路(图未示)电性连接。
接着，请同时参考图1A与图2C，形成第一开口122a于缓冲绝缘材料层120上以暴露出第一型电极线150a的局部上表面152a，而完成缓冲绝缘层120a的制作。之后，请同时参考图2D与图2E，形成图案化的第二电极层160于缓冲绝缘层120a上，制作出彼此独立的连接部160a1与第二型电极线160a2，其中连接部160a1由缓冲绝缘层120a的表面124a延伸至第一开口122a内而与第一型电极线150a电性连接，而第二型电极线160a2配置于缓冲绝缘层120a的表面124a上且与连接部160a1彼此分离并呈交替排列，在本实施例中，第二型电极线160a2是由显示区112延伸至周边区114以与外部电路(图未示)电性连接，而且外部电路提供电流载子经由第一型电极线150a、第二型电极线160a2令发光二极管140a发光。然而，本发明并不限制第一型电极线150a、第二型电极线160a2的线路设计，第一型电极线150a、第二型电极线160a2也可形成于显示区112中，连接基板110中的线路来提供发光二极管140a电流。
最后，如图1A所示，形成接垫130a1、130a2于连接部160a1、第二型电极线160a2上，对应接垫130a1、130a2接合发光二极管140a于基板110上，其中发光二极管140a透过与接垫130a1、130a2电性连接而接合至基板110。至此，已完成显示面板100a的制作。
图3为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。请同时参考图1B与图3，本实施例的显示面板100d与图1B的显示面板100a相似，两者的差异在于：本实施例的显示面板100d还包括一无机绝缘层170d，其中无机绝缘层170d配置于基板110的上表面116上，且位于缓冲绝缘层120d与基板110之间。无机绝缘层170d覆盖上表面116与第一型电极线150a且具有多个第二开口172d。第二开口172d对应缓冲绝缘层120d的第一开口122d设置并与第一开口122d连通，其中第二开口172d的口径与第一开口122d的口径实质上相同。第二电极层160的连接部160a1延伸配置于第一开口122d与第二开口172d内而与第一型电极线150a电性连接。此处，无机绝缘层170d的厚度远小于缓冲绝缘层120d的厚度，且无机绝缘层170d的材质如是二氧化硅(SiO2)或者是氮化硅(SiN)，其设置的目的在于改善结构的可靠度、提高制程良率。此外，此处所示出的发光二极管140可为上述的发光二极管140a或发光二极管140b，于此并不加以限制。
图4为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。请同时参考图3与图4，本实施例的显示面板100e与图3的显示面板100d相似，两者的差异在于：本实施例的缓冲绝缘层120e是图案化的设计，形成于第二电极层160下。较佳地，发光二极管140与缓冲绝缘层120e于基板110上的正投影重叠的面积比例介于50％至100％的发光二极管140于基板110上的正投影面积。也就是说，发光二极管140于基板110上的正投影会局部重叠或完全重叠于缓冲绝缘层120e于基板110上的正投影。此处，缓冲绝缘层120e的图案与第二电极层160的图案相似。更详细地说，第二电极层160与缓冲绝缘层120e可以在同一道蚀刻制程制作图案，令缓冲绝缘层120e图案的边缘与连接部160a1的边缘切齐，同时也切齐第二型电极线160a2的边缘。此处，无机绝缘层170e的厚度远小于缓冲绝缘层120e的厚度。此外，此处所示出的发光二极管140可为上述的发光二极管140a或发光二极管140b，于此并不加以限制。
图5为本发明的另一实施例的一种显示面板的局部剖面示意图。请同时参考图3与图5，本实施例的显示面板100f与图3的显示面板100d相似，两者的差异包含：本实施例的显示面板100f还包括一无机绝缘层170f以及图案化的缓冲绝缘层120f，其中无机绝缘层170f配置于第二电极层160与缓冲绝缘层120f之间，且延伸配置于基板110的上表面116上与第一开口122f的内壁。缓冲绝缘层120f则是对应第二电极层160与发光二极管140形成图案，令发光二极管140接合时第二电极层160下同样具有缓冲绝缘层120f缓冲接合产生的应力。其中，无机绝缘层170f具有多个第二开口172f，而第二开口172f对应缓冲绝缘层120f的第一开口122f设置。每一第二开口172f的口径小于每一第一开口122f的口径。第二电极层160的连接部160a1延伸配置于第二开口172f内而与第一电极层150电性连接。此处，无机绝缘层170f的厚度远小于缓冲绝缘层120f的厚度。此外，此处所示出的发光二极管140可为上述的发光二极管140a或发光二极管140b，于此并不加以限制。
综上所述，由于本发明的显示面板具有缓冲绝缘层，且缓冲绝缘层的杨氏模量小于10GPa，因此发光二极管电性连接至接垫且通过接垫而接合至基板上时，缓冲绝缘层可以吸收接合时所产生的应力，可提高接合良率，进而增加本发明的显示面板的结构可靠度。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。
Claims (20)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一基板，具有一显示区与相邻所述显示区的一周边区；
一缓冲绝缘层，配置于所述基板上，其中所述缓冲绝缘层的杨氏模量小于10GPa；
多个接垫，位于所述缓冲绝缘层上且配置于所述基板的所述显示区；以及
多个发光二极管，电性连接于所述多个接垫且通过所述多个接垫接合于所述基板的所述显示区，其中所述缓冲绝缘层位于所述多个发光二极管与所述基板之间，且所述多个发光二极管在所述基板上的正投影与所述缓冲绝缘层在所述基板上的正投影至少部份重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中各所述发光二极管与所述缓冲绝缘层在所述基板上的正投影的重叠面积是所述多个发光二极管于所述基板上正投影面积的50％至100％之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中各所述发光二极管为一水平式发光二极管。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，其中各所述发光二极管包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一主动层、一绝缘层、一第一型电极以及一第二型电极，所述主动层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，而所述第一型半导体层位于所述主动层与所述缓冲绝缘层之间，所述绝缘层位于所述第一型半导体层与所述基板之间且具有一第一接触开口与一第二接触开口，所述第一型电极由所述绝缘层的一表面延伸至所述第一接触开口内与所述第一型半导体层电性连接，所述第二型电极由所述绝缘层的所述表面延伸至所述第二接触开口内与所述第二型半导体层电性连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，其中各所述发光二极管还包括一盲孔，依序穿过所述第一型半导体层、所述主动层至所述第二型半导体层，所述绝缘层的所述第二接触开口还配置于所述盲孔内。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一第一电极层，配置于所述基板的一上表面上；以及
一第二电极层，配置于所述第一电极层与所述缓冲绝缘层上，其中所述缓冲绝缘层具有多个第一开口，部分所述多个第二电极层延伸至所述多个第一开口内而与所述多个第一电极层电性连接，且所述多个发光二极管透过所述多个接垫与所述多个第二电极层电性连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，其中所述第一电极层包括多个彼此分离的第一型电极线，所述第二电极层包括彼此分离的多个连接部与多个第二型电极线，所述多个连接部与所述多个发光二极管的所述多个第一型电极电性连接，所述多个第二型电极线与所述多个发光二极管的所述多个第二型电极电性连接，所述多个连接部延伸至所述缓冲绝缘层的所述多个第一开口内而与所述第一电极层电性连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一无机绝缘层，配置于所述基板的所述上表面上，且位于所述缓冲绝缘层与所述基板之间，其中所述无机绝缘层覆盖所述上表面与所述第一电极层且具有多个第二开口，而所述多个第二开口与所述缓冲绝缘层的所述多个第一开口连通，且部分所述第二电极层延伸配置于所述多个第一开口与所述多个第二开口内而与所述第一电极层电性连接。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层为一图案化膜层，所述缓冲绝缘层的图案实质上与所述第二电极层的图案相同。
10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一无机绝缘层，配置于所述多个第二电极层与所述缓冲绝缘层之间，其中所述无机绝缘层具有多个与所述缓冲绝缘层的所述多个第一开口连通的第二开口，部分所述第二电极层延伸配置于所述多个第二开口以与所述第一电极层电性连接。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中各所述发光二极管为一垂直式发光二极管。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括：
多个第一电极线，配置于所述缓冲绝缘层上且彼此分离，其中所述多个第一电极线分别位于所述多个接垫与所述缓冲绝缘层之间，且所述多个发光二极管分别透过所述多个接垫接合至所述多个第一电极线。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，还包括：
多个第二电极线，分别配置于所述多个发光二极管上，其中所述多个发光二极管分别位于所述多个第二电极与所述多个第一电极之间。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层的厚度介于3微米至5微米。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层的材质为一有机材料。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层的杨氏系数介于2.9GPa至3.6GPa。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层的残留应力为25MPa～45MPa。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述缓冲绝缘层的断裂伸长率介于5％至10％。
19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中所述基板包括一蓝宝石基板、一玻璃基板、一薄膜晶体管基板、一次黏着基台、一互补式金属氧化物半导体电路基板或一硅基液晶基板。
20.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中各所述发光二极管的厚度介于5微米至6微米，而各所述接垫的厚度介于0.1微米至10微米。
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