CN109196145A - 基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

翘曲较少的基板的制造方法具备：在Si基板11的表面上形成SiC膜121的工序，除去作为与SiC膜121接触的Si基板11的至少一部分的底面RG2的工序，以及在除去底面RG2的工序之后，在SiC膜121的表面上形成其他SiC膜的工序。

Description

基板的制造方法
技术领域
本发明涉及基板的制造方法，更特定的来说，涉及翘曲较少的基板的制造方法。
背景技术
SiC与Si(硅)相比耐热性和耐电压性优异，作为电子器件使用时的电力损耗较小。因此，SiC作为下一代的半导体材料在例如，高性能-省电的变换器、家庭电气化制品用电源模块、或电动汽车用电源半导体元件等的使用不断发展。
另外，由于SiC与Si相比具有高的杨氏模量、高温下的高屈服强度、以及高的化学稳定性，因此正在研究将SiC作为MEMS(MicroElectro Mechanical Systems)使用。此外，由于SiC具有高的光透射率，因此利用这些性质的其他用途也正在研究。
SiC自支撑基板通常通过在Si基板上形成SiC膜后，对Si基板的一部分或全部进行蚀刻来形成。对Si基板的一部分进行了蚀刻的情况下，可以得到SiC膜的一部分由Si基板支撑的部分的自支撑基板，对Si基板的全部进行了蚀刻的情况下，可以得到SiC膜的完全的自支撑基板。
对Si基板进行蚀刻时，形成有SiC膜的Si基板被浸渍于药液中。例如下述专利文献1～3等中公开了形成SiC膜技术。
下述专利文献1中公开了通过在Si基板的表面上形成约1μm厚的SiC膜，以任意的面积除去SiC膜的任意一面来形成基板开口部，并将SiC膜作为掩模通过基板开口部而对Si基板进行蚀刻的技术。对Si基板进行蚀刻时，使用了氢氟酸和硝酸的混合液。
下述专利文献2中公开了制造包含SiC膜的X射线掩模的技术。该技术中，在Si晶片上形成2μm厚的SiC膜，在SiC膜上形成保护膜和X射线吸收膜，在Si晶片的下表面将耐蚀刻物质涂布成环状，并使用氢氧化钠水溶液将Si晶片的中央部除去。
下述专利文献3中公开了在包含增强部的Si基板的一个面上形成3C-SiC层，用混合了氢氟酸和硝酸等的蚀刻液对Si基板进行溶解的技术。
现有技术文献
非专利文献
专利文献1：日本特开平09-310170号公报
专利文献2：日本特开平07-118854号公报
专利文献3：日本特开2015-202990号公报
发明内容
发明要解决的课题
为了确保SiC自支撑基板(包括部分的自支撑基板)的机械强度，SiC自支撑基板的SiC膜优选以某程度的厚度(例如20μm以上且500μm以下的厚度)来形成。然而，若在SiC自支撑基板的制造时在Si基板上形成厚的SiC膜，则存在因Si与SiC的物性(晶格常数和热膨胀系数)的差异而引起的SiC膜产生翘曲这样的问题。
关于该问题，可以考虑像专利文献1～3的技术那样、在SiC膜形成后除去Si基板的一部分或全部的方法。但是，即使在使用了该方法的情况下，由于SiC膜较厚，除去Si基板后也残留有SiC膜的翘曲。该问题SiC膜越变厚、以及基板大小越变大而变得越显著，会阻碍得到翘曲较少的大面积的SiC自支撑基板。
本发明用于解决上述技术问题，其目的在于，提供翘曲较少的基板的制造方法。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方面的基板的制造方法，具备：
在Si基板的一个主面上形成SiC膜的工序、
除去与SiC膜接触的Si基板的至少一部分的工序、以及
在除去Si基板的至少一部分的工序之后，在SiC膜的一个主面上形成其他SiC膜的工序。
上述制造方法中，优选在除去Si基板的至少一部分的工序中，通过湿式蚀刻除去Si基板的另一个主面的至少一部分，使Si基板和SiC膜相对于湿式蚀刻使用的药液进行相对地移动。
上述制造方法中，优选在除去Si基板的至少一部分的工序中，使Si基板和SiC膜在相对于SiC膜的一个主面平行的平面内的方向上移动。
上述制造方法中，优选在除去Si基板的至少一部分的工序中，在使Si基板和SiC膜发生旋转的状态下，将湿式蚀刻使用的药液注入到Si基板的另一个主面上。
上述制造方法中，优选还具备在Si基板的另一个主面的中央部形成以Si为底面的凹部的工序，在除去Si基板的至少一部分的工序中，使SiC膜露出于凹部的底面。
上述制造方法中，优选在Si基板的另一个主面的中央部形成凹部的工序之后，进行在Si基板的一个主面上形成SiC膜的工序。
上述制造方法中，优选在Si基板的一个主面形成SiC膜的工序之后，进行在Si基板的另一个主面的中央部形成凹部的工序。
上述制造方法中，优选在Si基板的另一个主面的中央部形成凹部的工序中，将形成于Si基板的另一个主面的由氧化膜或氮化膜构成的掩模层作为掩模，通过湿式蚀刻除去Si基板的另一个主面的中央部。
上述制造方法中，优选在形成SiC膜的工序中，在Si基板的一个主面、侧面以及Si基板的另一个主面的外周部上形成SiC膜，在除去Si基板的至少一部分的工序中，将形成于Si基板的另一个主面的外周部的SiC膜作为掩模，从而除去Si基板的另一个主面。
上述制造方法中，优选在除去Si基板的至少一部分的工序中，作为湿式蚀刻使用的药液使用包含氢氟酸和硝酸的混酸。
上述制造方法中，优选还具备在形成其他SiC膜的工序之后，将Si基板完全除去的工序。
发明效果
根据本发明，可以提供翘曲较少的基板的制造方法。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式的基板1的构成的截面图。
图2是示出本发明的第一实施方式中，从相对于SiC膜12的表面12a垂直的方向观察时基板1的构成的俯视图。
图3是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第一工序的截面图。
图4是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第二工序的截面图。
图5是示出图4所示的工序的变形例的第一工序的截面图。
图6是示出图4所示的工序的变形例的第二工序的截面图。
图7是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第三工序的截面图。
图8是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第四工序的截面图。
图9是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第五工序的截面图。
图10是示意性地示出本发明的第一实施方式的Si的湿式蚀刻的第一方法的图。
图11是示意性地示出本发明的第一实施方式的Si的湿式蚀刻的第二方法的图。
图12是示意性地示出本发明的第一实施方式的Si的湿式蚀刻的第三方法的图。
图13是图1所示的基板1的A部放大图。
图14是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的第六工序的截面图。
图15是说明本发明的第一实施方式的SiC膜122的成膜条件的一例的图。
图16是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的变形例的第一工序的截面图。
图17是示出本发明的第一实施方式的基板1的制造方法的变形例的第二工序的截面图。
图18是说明本发明的第一实施方式的效果的截面图。
图19是示出本发明的第二实施方式的基板1a的构成的截面图。
图20是示出本发明的第二实施方式的基板1a的制造方法的第一工序的截面图。
图21是示出本发明的第二实施方式的基板1a的制造方法的第二工序的截面图。
图22是示出本发明的第二实施方式的基板1a的制造方法的第三工序的截面图。
图23是示出本发明的第二实施方式中在CVD装置内保持Si基板的方法的一例的俯视图。
图24是示出本发明的第三实施方式的基板1b的构成的截面图。
具体实施方式
以下，基于附图，对本发明的实施方式进行说明。
[第一实施方式]
图1是示出本发明的第一实施方式的基板1的构成的截面图。需要说明的是，图1是用相对于SiC膜12的表面12a垂直的平面进行了切割的情况下的截面图。
参照图1，本实施方式的基板1是部分被Si基板11支撑的SiC自支撑基板，具备Si基板11和SiC膜12。
Si基板11具有环状的平面形状。Si基板11包含表面11a、背面11b、和侧面11c。Si基板11的表面11a露出有(111)面。Si基板11的表面11a也可以露出有(100)面、(110)面。
在Si基板11的表面11a(Si基板的一个主面的一例)上形成有SiC膜12。SiC膜12包含表面12a、背面12b、和侧面12c。SiC膜12的背面12b露出于环状的Si基板11的内侧的凹部13。在Si基板11的背面11b(Si基板的另一个主面的一例)上未形成SiC膜12，露出了Si基板11的背面11b。
SiC膜12具有20μm以上且500μm以下的厚度w。SiC膜12由单晶3C-SiC、多晶3C-SiC、或非晶SiC等形成。尤其是，SiC膜12是在Si基板11的表面上外延生长而成时，一般而言，SiC膜12由3C-SiC形成。
图2是示出本发明的第一实施方式中，从相对于SiC膜12的表面12a垂直的方向观察时基板1的构成的俯视图。图2中，为了示出Si基板11的形状，虽然用虚线示出了Si基板11，但实际上不能直接观察到Si基板11。
参照图2，Si基板11、SiC膜12、以及凹部13各自具有任意的平面形状。SiC膜12的外周端部由环状的Si基板11所支撑。由此，SiC膜12的机械强度由Si基板11进行了增强。Si基板11、SiC膜12、以及凹部13各自可以具有例如图2(a)所示那样的圆的平面形状，可以具有图2(b)所示那样的矩形的平面形状。图2(b)中，Si基板11具有四方环状的平面形状。进一步如图2(c)所示，也可以Si基板11和SiC膜12各自具有圆的平面形状，而凹部13具有矩形的平面形状。凹部13的大小为任意，可根据基板1要求的机械强度等来决定。
然后，使用图3～图17对本实施方式的基板1的制造方法进行说明。
参照图3，准备例如圆板状的(凹部13尚未形成)Si基板11。
参照图4，接着除去Si基板11的背面11b的中央部RG1的Si。中央部RG1的Si的除去可以通过对Si基板11的中央部RG1的Si进行机械研削来进行。另外，中央部RG1的Si的除去也可以通过在除了Si基板11的背面11b的中央部RG1以外的区域形成光致抗蚀层，将形成的光致抗蚀层作为掩模对中央部RG1的Si进行蚀刻来进行。
另外，在提高掩模对Si的湿式蚀刻中使用的药液的耐性的情况下，中央部RG1的Si的除去也可以通过以下方法来进行。
参照图5，在Si基板11的背面11b整面上形成由硅氧化膜或硅氮化膜构成的掩模层14。接着在掩模层14上形成图案化为需要的形状的光致抗蚀层15。
参照图6，然后，将光致抗蚀层15作为掩模而通过湿式蚀刻将掩模层14图案化。由此，仅残留掩模层14的外周部。掩模层14由硅氧化膜构成时，作为掩模层14的湿式蚀刻的药液可以使用氢氟酸溶液等。掩模层14由硅氮化膜构成时，作为掩模层14的湿式蚀刻的药液可以使用磷酸溶液等。接着，将图案化后的掩模层14作为掩模，使用混酸等药液通过湿式蚀刻将中央部RG1的Si除去。其后，除去光致抗蚀层15和掩模层14。需要说明的是，光致抗蚀层15也可以在Si的湿式蚀刻之前除去。
需要说明的是，在图3所示的工序中，通过准备在Si基板11的背面11b预先形成了掩模层14的基板，由此可以省略形成图5所示的掩模层14的工序。另外，作为掩模层14，也可以使用硅氧化膜和硅氧化膜以外的氧化膜或氮化膜。
参照图7，除去了中央部RG1的Si的结果，在Si基板11的背面11b上形成凹部13。图7中，凹部13具有不贯穿Si基板11的程度的深度，凹部13的底面由Si构成。由于凹部13的存在，Si基板11的中央部的厚度(图7中纵向的长度)比Si基板11的外周部的厚度更薄。作为一例，Si基板11是外径为100mm、内径为80mm的环状的形状。
参照图8，在形成了凹部13后，在Si基板11的表面11a形成SiC膜121。SiC膜121以例如10nm以上且160nm以下的厚度(作为一例，160nm的厚度)形成。例如，SiC膜121可使用MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、或CVD(Chemical Vapor Deposition)法等在由将Si基板11的表面11a碳化而得的SiC构成的基底层上成膜。另外SiC膜121也可以仅通过将Si基板11的表面11a碳化而形成。此外，SiC膜121也可以在Si基板11的表面11a使用MBE法或CVD法等进行成膜。需要说明的是，上述SiC膜121形成时，可以也在Si基板11的侧面11c上形成SiC膜121。
接着，参照图9，通过湿式蚀刻除去Si基板11的凹部13的底面RG2。底面RG2是与SiC膜121接触的Si基板11的至少一部分。将底面RG2的Si除去的结果，SiC膜121的背面121b(背面121b与SiC膜12的背面12b相当)在凹部13的底面露出。另外，该湿式蚀刻时，Si基板11的背面11b的外周部RG3的Si也与底面RG2的Si一起被除去。通过采用湿式蚀刻，除去Si基板时可以抑制对SiC膜121造成的损伤。
底面RG2的Si的湿式蚀刻优选通过使Si基板11和SiC膜121相对于湿式蚀刻使用的药液相对地移动来进行。使Si基板11和SiC膜121移动包括：不改变Si基板11和SiC膜121的位置而使Si基板11和SiC膜121旋转、改变Si基板11和SiC膜121的位置(换言之，使Si基板11和SiC膜121移动)、一边改变Si基板11和SiC膜121的位置一边使Si基板11和SiC膜121旋转等。作为用于Si的湿式蚀刻的药液，可以使用例如包含氢氟酸和硝酸的混酸、氢氧化钾(KOH)水溶液等。
作为Si的湿式蚀刻的药液，使用氢氧化钾水溶液等碱溶液的情况下，还会通过在SiC膜121中以低密度存在的针孔甚至SiC膜121也被蚀刻。为了抑制SiC膜121受到蚀刻、使SiC膜121的品质良好，作为Si的湿式蚀刻的药液优选使用上述的混酸。
Si的湿式蚀刻时使Si基板11和SiC膜121移动的方向为任意。但是，为了避免使Si基板11和SiC膜121移动时受到来自药液的压力导致SiC膜121发生破损的情况，优选如以下第一～第三方法那样，使Si基板11和SiC膜121在相对于SiC膜121的表面121a平行的平面(图10～图12中的平面PL)内的方向上移动。
图10～图12示意性地示出本发明的第一实施方式的Si的湿式蚀刻的第一～第三方法的图。需要说明的是，图10～图12的说明中，将即将进行Si的湿式蚀刻之前的结构记作中间体2。本实施方式中，刚经过图8的工序后的结构相当于中间体2，在后述的第二实施方式中，刚经过图20的工序后的结构相当于中间体2。
参照图10，第一方法是通过旋转蚀刻除去Si的方法。第一方法中，以Si基板11的背面11b朝向上方的方式将中间体2固定于固定台HP上。并且，如箭头AR1所示，以在与背面11b正交的方向上延伸的旋转轴为中心使固定台HP旋转。如此，在不改变中间体2的位置而使中间体2旋转的状态下，将湿式蚀刻中使用的药液MA(蚀刻液)注入到Si基板11的背面11b上。固定台HP的转速设定为例如500～1500rpm左右。
参照图11，第二方法中，以立着多个中间体2的状态固定于固定台HP上。并且，将多个中间体2浸渍到反应容器CS的内部所填充的药液MA中，在相对于SiC膜121的表面121a平行的平面PL内，如箭头AR2所示一边改变中间体2的位置一边使中间体2和固定台HP旋转。
参照图12，第三方法中，以Si基板11的背面11b朝向上方的方式将中间体2固定于固定台HP上。并且，将中间体2浸渍到反应容器CS的内部所填充的药液MA中，在相对于SiC膜121的表面121a平行的平面PL内，如箭头AR3所示使中间体2和固定台HP在直线上来回移动。
图13是图1所示的基板1的A部放大图。需要说明的是，图13中，比实际的宽度变化量更强调地示出了Si基板11的宽度的变化量。
参照图13，包含氢氟酸和硝酸的混酸具有各向同性地蚀刻Si的作用。因此，将包含氢氟酸和硝酸的混酸用作药液进行Si的湿式蚀刻的情况下，作为其痕迹，Si基板11的宽度d(图13中横向的长度)随着远离SiC膜12(从SiC膜12向着Si基板11的背面11b)而减小。
参照图14，底面RG2的Si的湿式蚀刻后，在SiC膜121的表面121a上形成SiC膜122(使SiC膜122发生同质外延生长)。SiC膜122使用MBE法或CVD法等进行成膜。通过下层的SiC膜121和上层的SiC膜122构成SiC膜12。通过以上工序，完成了图1所示的基板1。
SiC膜122优选由以下的成膜条件形成。
图15是说明本发明的第一实施方式的SiC膜122的成膜条件的一例的图。
参照图15，例如用10分钟将Si基板11从室温升温至成膜温度后，在例如1050～1100℃的温度下、以例如5～12小时形成SiC膜121。作为原料气体，可以使用例如单甲基硅烷。原料气体的流量为例如20～30sccm、成膜时的压力为例如0.02～0.03Pa。
需要说明的是，作为本实施方式的制造方法的变形例，也可以如图16所示，在Si基板11的表面11a上形成SiC膜121后，如图17所示，除去Si基板11的背面11b的中央部RG1的Si而形成凹部13，然后通过湿式蚀刻除去凹部13的底面RG2。
根据本实施方式，可以抑制基板1上翘曲的发生。
图18是说明本发明的第一实施方式的效果的截面图。图18(a)是示意性示出刚形成SiC膜121后(刚结束图8所示的工序后)Si基板11和SiC膜121的状态的图。图18(b)是示意性示出底面RG2的Si刚湿式蚀刻后(刚结束图9所示的工序后)Si基板11和SiC膜121的状态的图。需要说明的是，图18(a)中，为了方便说明，将Si基板11和SiC膜121的翘曲显示得比实际更大。
参照图18(a)，在刚形成SiC膜121后，SiC膜121的背面121b整体与Si基板11接触。该状态下，因Si与SiC的物性(晶格常数和热膨胀系数)的差异而引起Si基板11与SiC膜121互相施加力。其结果，Si基板11和SiC膜121产生向Si基板11侧(图18(a)中的下侧)凸出的翘曲。
参照图18(b)，若除去Si基板11的一部分(底面RG2的Si)，则曾与Si基板11被除去的部分接触的SiC膜121的部分(图18(b)中的中央部)从由Si基板11受到的力中被释放。其结果，可以得到Si基板11和SiC膜121平坦化、翘曲较小的SiC自支撑基板(部分的自支撑基板)。
此外，根据本实施方式，Si基板11的湿式蚀刻时，通过使Si基板11和SiC膜121相对于湿式蚀刻的药液相对地移动，可以抑制Si基板11的湿式蚀刻中在SiC膜121上产生裂纹、或SiC膜121由Si基板11剥离的情况。
本申请发明人发现，在以往，Si基板11的湿式蚀刻中(Si基板11在药液中的浸渍中)在SiC膜121上产生裂纹、或SiC膜121由Si基板11剥离的原因是反应后的药液局部性地滞留在Si基板11的反应面(Si基板11的背面11b中的与药液发生反应的部分的面)，由此Si的蚀刻速度变得不均匀，Si基板11的反应面产生毛糙。另外本申请发明人发现，在使用了混酸作为湿式蚀刻的药液的情况下，由药液与Si的反应产生的大的泡局部性地滞留在Si基板11的反应面，该泡局部性地阻碍Si基板11的反应面与药液的反应，Si基板11的反应面产生毛糙。
SiC膜121比较厚的情况(例如厚度大于10μm的情况)下，SiC膜121本身的机械强度较高，因此Si基板11的反应面的毛糙不会对SiC膜121造成很大的不良影响。但是，SiC膜121比较薄的情况(例如厚度为10μm以下的情况)下，具体而言为薄膜(厚度为数μm左右)的情况或为极薄膜(厚度为100nm级别以下)的情况下，Si基板11的反应面的毛糙会对SiC膜121造成不良影响。即，由Si基板11的反应面的毛糙会对SiC膜121施加不均匀的应力，导致Si蚀刻中在SiC膜121上产生裂纹或SiC膜121由Si基板11剥离的情况。
因此，本实施方式中，Si基板11的湿式蚀刻时，通过使Si基板11和SiC膜121相对于湿式蚀刻的药液相对地移动，可以抑制反应后的药液、泡局部性地滞留在Si基板11的反应面，并抑制Si基板11的反应面的毛糙。其结果，可以抑制对SiC膜121施加不均匀的应力，可以实现SiC膜121的薄膜化。
特别是，作为Si的湿式蚀刻的方法，采用了通过旋转蚀刻除去Si的方法(图10所示的第一方法)的情况下，湿式蚀刻中SiC膜121暴露于药液中的仅仅是在凹部13的底部SiC膜121的背面121b露出的部分。另外，湿式蚀刻中SiC膜121的表面121a不暴露在药液中。因此，可将药液导致的SiC膜121的损伤维持在最低限度。
另外，通过使用混酸作为Si的湿式蚀刻的药液，可以抑制药液导致的SiC膜121的损伤。其结果，可以提高SiC膜121的成品率，可以大面积形成SiC膜。
[第二实施方式]
图19是示出本发明的第二实施方式的基板1a的构成的截面图。需要说明的是，图19是用相对于SiC膜12的表面12a垂直的平面进行了切割的情况下的截面图。
参照图19，本实施方式的基板1a中，在Si基板11的表面11a、侧面11c、以及背面11b的外周部形成有SiC膜12。Si基板11的表面11a、侧面11c、以及背面11b的外周部由连续的SiC膜12完全覆盖。SiC膜12的背面12b在凹部13的底部露出。表面11a的SiC膜12比侧面11c和背面11b的SiC膜12更厚。在Si基板的表面11a形成的SiC膜12的部分具有20μm以上且500μm以下的厚度w。
然后，使用图20～图23对本实施方式的基板1a的制造方法进行说明。
参照图20，对于图3所示的Si基板11，使用CVD法形成SiC膜121。形成SiC膜121时，以供给至Si基板11的表面11a的原料气体的一部分也围绕在Si基板11的侧面11c以及背面11b上的方式保持Si基板11。由此，原料气体的化学反应也在Si基板11的表面11a、侧面11c、以及背面11b的外周部发生，在Si基板11的表面11a、侧面11c、以及背面11b的外周部上形成连续的SiC膜121。其结果，可以得到本实施方式的中间体2。
接着，参照图21，将在Si基板11的背面11b的外周部形成的SiC膜121作为掩模，通过湿式蚀刻除去Si基板11的背面11b露出的中央部RG4。除去了中央部RG4的Si的结果是在Si基板的背面11b上形成凹部13。SiC膜121的背面121b在凹部13的底面露出。需要说明的是，该湿式蚀刻时，不除去Si基板11的背面11b的被SiC膜121覆盖的外周部的Si。
参照图22，中央部RG4的Si的湿式蚀刻后，在SiC膜121的表面121a上形成SiC膜122(使SiC膜122发生同质外延生长)。SiC膜122使用MBE法或CVD法等进行成膜。通过下层的SiC膜121和上层的SiC膜122构成SiC膜12。通过以上工序，完成了图19所示的基板1a。
图20所示的工序(使用CVD法形成SiC膜121的工序)中，在CVD装置内优选用以下的方法保持Si基板11。
图23是示出本发明的第二实施方式中在CVD装置内保持Si基板的方法的一例的俯视图。
参照图23，CVD装置包含用于保持Si基板11的保持部31。保持部31包含环状的外周部31a、和以等间隔设置于外周部31a的内周侧端部的多个(此处为3个)突出部31b。各个多个突出部31b为直线状，并向外周部31a的中心突出。Si基板11以表面11a朝向上方的方式载置于多个突出部31b各自的前端上。反应气体在Si基板11的表面11a上以箭头AR4所示的方向流动。反应气体的一部分通过外周部31a与多个突出部31b之间的空间SP围绕在Si基板11的侧面11c和背面11b。其结果，在Si基板11的表面11a、侧面11c、以及背面11b的外周部上形成连续的SiC膜121。
需要说明的是，上述以外的基板1a的构成以及制造方法与第一实施方式的基板1的构成以及制造方法相同。因此，这些的说明不再重复。
根据本实施方式，可以获得与第一实施方式相同的效果。此外，由于将围绕在Si基板11的背面11b而形成的SiC膜121作为掩模能够对Si基板11进行湿式蚀刻，因此不必在与形成SiC膜121的工序不同的工序中在Si基板11上形成凹部、或用平板印刷形成图案。其结果，能够以简易的方法制造基板1a，能够以短时间和低成本制造基板1a。
[第三实施方式]
图24是示出本发明的第三实施方式的基板1b的构成的截面图。需要说明的是，图24是用相对于SiC膜12的表面12a垂直的平面进行了切割的情况下的截面图。
参照图24，本实施方式的基板1b是未支撑Si基板的完全的SiC自支撑基板。基板1是在在第一实施方式的基板1(图1)完成后，使用氟硝酸等从SiC膜12的背面12b将Si基板11完全除去而得到的。
需要说明的是，上述以外的基板1b的构成以及制造方法与第一实施方式的基板1的构成以及制造方法相同，因此对相同的构件赋予相同的符号，并且其说明不再重复。
SiC膜12通过SiC膜122进行厚膜化，具有充分的机械强度。因此，即使Si基板11被除去，SiC膜12也不会发生破损。实际上本申请发明人制造基板1b并测量其翘曲，其结果是基板1b的翘曲被抑制至30μm以下这样的非常低的值。
[其他]
上述实施方式中示出了通过湿式蚀刻除去凹部13的底面的Si的情况，但本发明中通过湿式蚀刻而除去的部分只要是Si基板的另一个主面的至少一部分即可，除去的部分的位置、大小、以及形状为任意的。另外，凹部13的底面的Si的除去方法为任意，可以是干式蚀刻等。
上述的实施方式可以互相组合。例如，也可以通过将第二实施方式和第三实施方式组合，可以制造除去Si基板11和在Si基板11的背面11b上形成的SiC膜12而得到的SiC自支撑基板。
应该认为上述的实施方式和实施例在所有方面都是例示的而不是限制性的。本发明的范围并非通过上述的说明、而是通过实施方案来示出，并旨在包含与技术方案等同的意义以及范围内的全部变更。
产业上的可利用性
本发明可适用于例如具备形成SiC膜的工序的基板的制造方法。
附图标记说明
1、1a、1b 基板
2 中间体
11 Si基板
11a Si基板的表面
11b Si基板的背面
11c Si基板的侧面
12、121、122 SiC膜
12a、121a SiC膜的表面
12b、121b SiC膜的背面
12c SiC膜的侧面
13 凹部
14 掩模层
15 光致抗蚀层
31 保持部
31a 保持部的外周部
31b 保持部的突出部
CS 反应容器
HP 固定台
MA 药液
PL 相对于SiC膜的表面平行的平面
RG1 Si基板的背面的中央部
RG2 Si基板的凹部的底面
RG3 Si基板的背面的外周部
RG4 Si基板的背面的露出的中央部
SP 保持部中外周部与多个突出部之间的空间

Claims (11)

1.一种基板的制造方法，其具备：
在Si基板的一个主面上形成SiC膜的工序、
除去与所述SiC膜接触的所述Si基板的至少一部分的工序、以及
在除去所述Si基板的至少一部分的工序之后，在所述SiC膜的一个主面上形成其他SiC膜的工序。
2.根据权利要求1所述的基板的制造方法，其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，通过湿式蚀刻除去所述Si基板的所述另一个主面的至少一部分，使所述Si基板和所述SiC膜相对于所述湿式蚀刻使用的药液进行相对地移动。
3.根据权利要求2所述的基板的制造方法，其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，使所述Si基板和所述SiC膜在相对于所述SiC膜的一个主面平行的平面内的方向上移动。
4.根据权利要求3所述的基板的制造方法，其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，在使所述Si基板和所述SiC膜发生旋转的状态下，将所述湿式蚀刻使用的药液注入到所述Si基板的所述另一个主面上。
5.根据权利要求2所述的基板的制造方法，其中，还具备在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成以Si为底面的凹部的工序，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，使所述SiC膜露出于所述凹部的底面。
6.根据权利要求5所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序之后，进行在所述Si基板的所述一个主面上形成所述SiC膜的工序。
7.根据权利要求5所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述一个主面上形成所述SiC膜的工序之后，进行在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序。
8.根据权利要求5所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序中，将形成于所述Si基板的所述另一个主面上的由氧化膜或氮化膜构成的掩模层作为掩模，通过湿式蚀刻除去所述Si基板的所述另一个主面的中央部。
9.根据权利要求2所述的基板的制造方法，其中，在形成所述SiC膜的工序中，在所述Si基板的所述一个主面、侧面以及所述Si基板的所述另一个主面的外周部上形成所述SiC膜，
在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，将形成于所述Si基板的所述另一个主面的所述外周部上的所述SiC膜作为掩模来除去所述Si基板的所述另一个主面。
10.根据权利要求2所述的基板的制造方法，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，作为所述湿式蚀刻使用的药液使用包含氢氟酸和硝酸的混酸。
11.根据权利要求1所述的基板的制造方法，还具备在形成所述其他SiC膜的工序之后，将所述Si基板完全除去的工序。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180118681A (ko) * 2016-02-19 2018-10-31 에어 워터 가부시키가이샤 화합물 반도체 기판, 펠리클막, 및 화합물 반도체 기판의 제조 방법
CN108699687B (zh) * 2016-02-19 2022-03-01 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
JP6787851B2 (ja) * 2017-08-08 2020-11-18 エア・ウォーター株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09310170A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Hoya Corp 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
JPH11329960A (ja) * 1998-02-23 1999-11-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
CN1949472A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
JP2015202990A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 エア・ウォーター株式会社 化合物半導体基板の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3733311A1 (de) * 1987-10-02 1989-04-13 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer roentgenstrahllithographie-masken
DE3841352A1 (de) * 1988-12-08 1990-06-21 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer strahlungslithographie-masken
DE4234508C2 (de) * 1992-10-13 1994-12-22 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht
JPH07118854A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Hoya Corp 炭化ケイ素膜の形成方法
US6691581B2 (en) * 1995-05-25 2004-02-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Pressure transducer fabricated from beta silicon carbide
US6265323B1 (en) 1998-02-23 2001-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method and apparatus
JP3706527B2 (ja) * 1999-06-30 2005-10-12 Ｈｏｙａ株式会社 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法
JP2002025916A (ja) 2000-07-11 2002-01-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ヘテロ構造基板およびその製造方法
JP2004281551A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Toshiba Corp 半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ
JP2007261900A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 単結晶炭化シリコン基板の製造方法
JP5807949B2 (ja) 2010-11-12 2015-11-10 国立大学法人東北大学 超高速ウェットエッチング装置
US9515222B2 (en) * 2011-10-26 2016-12-06 Anvil Semiconductors Limited Gallium nitride on 3C—SiC composite wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09310170A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Hoya Corp 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
JPH11329960A (ja) * 1998-02-23 1999-11-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
CN1949472A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
JP2015202990A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 エア・ウォーター株式会社 化合物半導体基板の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王琦等: "用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长", 《稀有金属》 *

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