CN109179037A - 一种用于减少dbc基板单面烧结后翘曲变形的压板装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体加工技术领域。一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，包括一支撑底座；还包括一下压板，下压板安装在支撑底座上，下压板上设有一开口向上的下凹槽，下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板，以下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；还包括一上压板，上压板设置在下压板的正上方，且上压板上开设有一开口向下的上凹槽，上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板，以上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构，驱动机构与上压板相连。本专利通过压板装置，通过驱动机构驱动上压板下压，进而实现给与DBC基板施加压力，便于减小控制单面基板烧结后翘曲变形量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及DBC基板制造设备。
背景技术
覆铜陶瓷基板(DBC基板)为双面覆铜，即两面铜片需经两次分别进行烧结。由于铜片与陶瓷热膨胀系数不同,当铜片与陶瓷的厚度匹配相差过大时(厚铜与簿陶瓷搭配),在单面(第一面铜片)烧结完成后,基板的翘曲变形会很大。
由于烧结工艺的特殊要求，烧结炉炉膛入口都比较窄，使得因翘曲原因烧结第二面铜片时，基板无法进入炉膛。
目前解决这一问题的常用方法是将单面烧结的基板放在平板上用手或用陶瓷板向下压一下，使翘曲变形变小，从而使单面烧结后的基板能进入炉膛。
但这一方法存在不少问题：1)每次下压的压力大小、速度及下压距离无法控制，使得下压后翘曲变形减少量不一致，从而两次烧结后的基板翘曲量也不一致。2)基板受压有时过大使陶瓷产生裂缝，造成基板报废。3)每次受压点位置不相同，因而基板翘曲的形状也可能各不相同。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，以解决上述至少一个技术问题。
本发明的技术方案是：一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于，包括一支撑底座；
还包括一下压板，所述下压板安装在所述支撑底座上，所述下压板上设有一开口向上的下凹槽，所述下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板，以所述下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；
还包括一上压板，所述上压板设置在所述下压板的正上方，且所述上压板上开设有一开口向下的上凹槽，所述上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板，以所述上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；
还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构，所述驱动机构与所述上压板相连。
本专利通过压板装置，通过驱动机构驱动上压板下压，进而实现给与DBC基板施加压力，便于减小控制单面基板烧结后翘曲变形量，保证基板顺利进入炉膛进行第两次烧结。同时减少因受压过大基板裂缝不良的产生，提升产品的良率。
单面基板受压时是分别与上陶瓷板以及下陶瓷板接触，不会受到金属污染和擦伤。上压板下压时上陶瓷板从单面基板翘曲变形最高点平行往下压，通过控制上压板的运动行程，进而可以有效的控制每次下压后基板变形形状保持相同。
所述驱动机构可以是一气缸驱动机构，所述气缸驱动机构包括一气缸活塞杆，所述气缸活塞杆与所述上压板传动连接。
便于实现气缸驱动上压板的上下运动。
进一步优选为，所述气缸活塞杆与一传动连杆通过一联轴器相连；
所述上压板的顶部中央安装有一杆体，所述杆体的上端插设在所述传动连杆的下端插口内，且所述传动连杆与所述杆体通过两个螺钉相连；
两个螺钉的中心轴线方向呈90°夹角。
便于实现驱动机构带动上压板运动。
进一步优选为，所述上压板上开设有用于***所述上陶瓷板的上插槽，所述上插槽包括分别开设在所述上凹槽左右两侧的上滑槽，所述上滑槽位于靠近所述上凹槽槽底处，所述上插槽的前后两端至少一端为上陶瓷板的***口；
所述下压板上开设有用于***所述下陶瓷板的下插槽，所述下插槽包括分别开设在所述下凹槽左右两侧的下滑槽，所述下滑槽位于靠近所述下凹槽槽底处，所述下插槽的前后两端至少一端为下陶瓷板的***口。
便于实现上陶瓷板与下陶瓷板的可拆卸设置的同时，便于实现对上陶瓷板与下陶瓷板的固定。
所述上凹槽左右方向的宽度为130mm～160mm，高度为4mm～8mm；
所述下凹槽左右方向的宽度为与所述上凹槽左右方向的宽度一致，所述下凹槽的高度与所述上凹槽的高度一致。
便于实现对单面基板的容置。
所述上插槽的高度为1.1mm～1.15mm，所述上陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm；所述上滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm；
所述下插槽的高度为1.1mm～1.15mm，所述下陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm，所述下滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm。
便于保证上陶瓷板与下陶瓷板的固定效果。
位于上凹槽左右两侧的至少一个上滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，所述上陶瓷板的断面与所述上插槽的断面相匹配；
位于下凹槽左右两侧的至少一个下滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，所述下陶瓷板的断面与所述下插槽的断面相匹配。
便于保证插接效果，避免上陶瓷板以及下陶瓷板插接后的左右位移。
所述支撑座包括一支撑平台，所述支撑平台与所述下压板通过螺栓相连；
所述下压板的下方还安装有一可调高度的支撑脚，所述支撑脚的下端与所述支撑平台相抵。
便于实现下压板相对于支撑平台的纵向高度的调整，可以实现不同曲率的需求的调整。比如，原先设计好驱动机构的运动进程，实现基板的顶部与底部的高度差为Amm，当需要基板的顶部与底部的高度差变化为A+Bmm时，将下压板下移Bmm，即可实现，无需改变进程；当需要基板的顶部与底部的高度差变化为A-Bmm时，将下压板上移Bmm。
所述支撑脚可以是一垫块。
所述螺栓包括一头部以及一螺杆，所述螺栓的头部嵌舍在所述支撑平台上；
所述螺杆的上端与设置在下压板上下两侧的螺母螺纹连接。
通过螺母相对于螺杆的旋入情况的调整，便于实现下压板不同高度的调整。
附图说明
图1为本发明安装有DBC基板的一种剖视图；
图2为本发明上压板的一种结构示意图；
图3为本发明上压板的另一种剖视图；
图4为本发明支撑平台与所述下压板连接处的另一种局部剖视图。
图中：1为上压板，2为下压板，3为螺栓，4为支撑平台，5为支撑脚，6为陶瓷，7为铜片，8为下陶瓷板，9为上陶瓷板，10为传动连杆，11为螺钉，12为杆体，13为螺母，14为***口。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
参见图1以及图2，一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，包括一支撑底座；还包括一下压板2，下压板2安装在支撑底座上，下压板2上设有一开口向上的下凹槽，下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板9，以下陶瓷板9的外表面为用于接触DBC基板的接触面；还包括一上压板1，上压板1设置在下压板2的正上方，且上压板1上开设有一开口向下的上凹槽，上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板8，以上陶瓷板8的外表面为用于接触DBC基板的接触面；还包括一驱动上压板1上下运动的驱动机构，驱动机构与上压板1相连。本专利通过压板装置，通过驱动机构驱动上压板1下压，进而实现给与DBC基板施加压力，便于减小控制单面基板烧结后翘曲变形量，保证基板顺利进入炉膛进行第两次烧结。同时减少因受压过大基板裂缝不良的产生，提升产品的良率。单面基板受压时是分别与上陶瓷板8以及下陶瓷板9接触，不会受到金属污染和擦伤。上压板1下压时上陶瓷板8从单面基板翘曲变形最高点平行往下压，通过控制上压板1的运动行程，进而可以有效的控制每次下压后基板变形形状保持相同。驱动机构安装在一支架上，支撑底座也固定在支架上。
DBC基板包括陶瓷6以及覆盖在陶瓷6上的铜片7。
驱动机构可以是一气缸驱动机构，气缸驱动机构包括一气缸活塞杆，气缸活塞杆与上压板1传动连接。便于实现气缸驱动上压板1的上下运动。气缸活塞杆与一传动连杆10通过一联轴器相连；上压板1的顶部中央安装有一杆体12，杆体12的上端插设在传动连杆10的下端插口内，且传动连杆10与杆体12通过两个螺钉11相连；两个螺钉11的中心轴线方向呈90°夹角。便于实现驱动机构带动上压板1运动。
上压板1上开设有用于***上陶瓷板8的上插槽，上插槽包括分别开设在上凹槽左右两侧的上滑槽，上滑槽位于靠近上凹槽槽底处，上插槽的前后两端至少一端为上陶瓷板8的***口14；下压板2上开设有用于***下陶瓷板9的下插槽，下插槽包括分别开设在下凹槽左右两侧的下滑槽，下滑槽位于靠近下凹槽槽底处，下插槽的前后两端至少一端为下陶瓷板9的***口。便于实现上陶瓷板8与下陶瓷板9的可拆卸设置的同时，便于实现对上陶瓷板8与下陶瓷板9的固定。
上凹槽左右方向的宽度为130mm～160mm，高度为4mm～8mm；下凹槽左右方向的宽度为与上凹槽左右方向的宽度一致，下凹槽的高度与上凹槽的高度一致。便于实现对单面基板的容置。上插槽的高度为1.1mm～1.15mm，上陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm；上滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm；下插槽的高度为1.1mm～1.15mm，下陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm，下滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm。便于保证上陶瓷板与下陶瓷板的固定效果。
支撑座包括一支撑平台4，支撑平台4与下压板通过螺栓3相连；下压板的下方还安装有一可调高度的支撑脚5，支撑脚5的下端与支撑平台4相抵。便于实现下压板相对于支撑平台的纵向高度的调整，可以实现不同曲率的需求的调整。比如，原先设计好驱动机构的运动进程，实现基板的顶部与底部的高度差为Amm，当需要基板的顶部与底部的高度差变化为A+Bmm时，将下压板下移Bmm，即可实现，无需改变进程；当需要基板的顶部与底部的高度差变化为A-Bmm时，将下压板上移Bmm。支撑脚可以是一垫块。
参见图4，螺栓3包括一头部以及一螺杆，螺栓3的头部嵌舍在支撑平台上；螺杆的上端与设置在下压板上下两侧的螺母13螺纹连接。通过螺母相对于螺杆的旋入情况的调整，便于实现下压板不同高度的调整。
参见图3，位于上凹槽左右两侧的至少一个上滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，上陶瓷板9的断面与上插槽的断面相匹配；位于下凹槽左右两侧的至少一个下滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，下陶瓷板的断面与下插槽的断面相匹配。便于保证插接效果，避免上陶瓷板以及下陶瓷板插接后的左右位移。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于，包括一支撑底座；
还包括一下压板，所述下压板安装在所述支撑底座上，所述下压板上设有一开口向上的下凹槽，所述下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板，以所述下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；
还包括一上压板，所述上压板设置在所述下压板的正上方，且所述上压板上开设有一开口向下的上凹槽，所述上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板，以所述上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面；
还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构，所述驱动机构与所述上压板相连。
2.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述驱动机构是一气缸驱动机构，所述气缸驱动机构包括一气缸活塞杆，所述气缸活塞杆与所述上压板传动连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述气缸活塞杆与一传动连杆通过一联轴器相连；
所述上压板的顶部中央安装有一杆体，所述杆体的上端插设在所述传动连杆的下端插口内，且所述传动连杆与所述杆体通过两个螺钉相连；
两个螺钉的中心轴线方向呈90°夹角。
4.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述上压板上开设有用于***所述上陶瓷板的上插槽，所述上插槽包括分别开设在所述上凹槽左右两侧的上滑槽，所述上滑槽位于靠近所述上凹槽槽底处，所述上插槽的前后两端至少一端为上陶瓷板的***口；
所述下压板上开设有用于***所述下陶瓷板的下插槽，所述下插槽包括分别开设在所述下凹槽左右两侧的下滑槽，所述下滑槽位于靠近所述下凹槽槽底处，所述下插槽的前后两端至少一端为下陶瓷板的***口。
5.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述上凹槽左右方向的宽度为130mm～160mm，高度为4mm～8mm；
所述下凹槽左右方向的宽度为与所述上凹槽左右方向的宽度一致，所述下凹槽的高度与所述上凹槽的高度一致。
6.根据权利要求4所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述上插槽的高度为1.1mm～1.15mm，所述上陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm；所述上滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm；
所述下插槽的高度为1.1mm～1.15mm，所述下陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm，所述下滑槽左右方向上的宽度为4mm～8mm。
7.根据权利要求4所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：位于上凹槽左右两侧的至少一个上滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，所述上陶瓷板的断面与所述上插槽的断面相匹配；
位于下凹槽左右两侧的至少一个下滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形，所述下陶瓷板的断面与所述下插槽的断面相匹配。
8.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置，其特征在于：所述支撑座包括一支撑平台，所述支撑平台与所述下压板通过螺栓相连；
所述下压板的下方还安装有一可调高度的支撑脚，所述支撑脚的下端与所述支撑平台相抵。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20201116 Address after: Building 3, 181 Shanlian Road, Baoshan District, Shanghai, 200444 Applicant after: Shanghai fulewa Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 200444 Baoshan District, Baoshan City Industrial Park Road, No., Hill Road, No. 181 Applicant before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd. Applicant before: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20190111 |