CN109155626B - 供电控制装置 - Google Patents
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Abstract
在供电控制装置(10)中,在将半导体开关(20)切换成接通的情况下,充电电路(23)使基极电压(Vb)上升。在从基极电压(Vb)减去栅极电压(Vg)而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下,第1开关(21)接通,在该差电压低于第1基准电压的情况下,第1开关(21)断开。在第1开关(21)接通的情况下,蓄电池(13)或者电容器(C1)对半导体开关(20)的寄生电容(Cd1、Cs1)进行充电。
Description
技术领域
本发明涉及供电控制装置。
本申请主张基于2016年5月20日申请的日本申请第2016-101584号的优先权,援引所述日本申请所记载的全部记载内容。
背景技术
在专利文献1中,公开了一种控制从以蓄电池为代表的直流电源向负载的供电的供电控制装置。在该供电控制装置中,在直流电源对负载进行供电的供电路径的中途配置有半导体开关。在半导体开关接通的情况下,电流流过供电路径,在半导体开关断开的情况下,电流不流过供电路径。通过将半导体开关切换成接通或者断开,从而控制从直流电源向负载的供电。
在专利文献1所记载的供电控制装置中,直流电源经由开关连接到半导体开关的控制端。在将半导体开关从断开切换成接通的情况下,将开关从断开切换成接通。由此,从直流电源将电力供给到一端连接于控制端的寄生电容。
与蓄积于寄生电容的电力的上升一起,控制端的电压上升。在控制端的电压为接通阈值以上的情况下,半导体开关从断开切换成接通。直流电源能够在长时间内持续将大的电力供给到寄生电容。因此,在专利文献1所记载的供电控制装置中,能够迅速地将半导体开关从断开切换成接通。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第4252091号公报
发明内容
本发明的一个方式涉及一种供电控制装置,配置于供电路径的中途,具备在控制端的电压为阈值以上的情况下接通的半导体开关,其中,所述供电控制装置具备:第2半导体开关,配置于所述供电路径的中途的所述半导体开关的上游侧,在控制端的电压为第2阈值以上的情况下接通;电阻,连接在所述供电路径的电流输入侧的一端和该第2半导体开关的控制端之间;二极管,正极与所述半导体开关的控制端连接,负极与所述第2半导体开关的控制端连接;电压输出部,输出电压;以及开关,连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的控制端之间,在从所述电压输出部所输出的输出电压减去所述半导体开关的控制端的电压而得到的差电压为规定电压以上的情况下,所述开关接通,在该差电压低于所述规定电压的情况下,所述开关断开。
附图说明
图1是实施方式1中的电源***的电路图。
图2是半导体开关从断开向接通的切换的说明图。
图3是实施方式2中的电源***的电路图。
图4是实施方式3中的电源***的电路图。
图5是半导体开关从断开向接通的切换的说明图。
具体实施方式
[本公开所要解决的课题]
根据半导体开关从断开向接通的切换速度,开关损失的大小以及由于切换产生的电磁波的频带不同。在控制从蓄电池向负载的供电的供电控制装置中,以使开关损失的大小以及电磁波的频带分别收敛于规定的范围内的方式,调整切换速度。通过将在装置内使用的电阻或者电容器等元件变更为常数适当的元件来调整切换速度。
另外,用于控制供电的半导体开关的尺寸根据应该供给到负载的电流的大小而不同。例如,应该供给到负载的电流越大,则使用尺寸越大的半导体开关。根据半导体开关的尺寸,寄生电容的电容不同。
在专利文献1所记载的供电控制装置中,根据寄生电容的电容,半导体开关从断开向接通的切换速度不同。因此,每当使半导体开关的尺寸变更时,必须以使开关损失的大小以及电磁波的频带分别收敛于规定范围内的方式,变更电阻或者电容器等元件,调整切换速度。
在车辆中,搭载有多个负载。通常,应该对这些负载分别供给的电流的大小不相同。因此,在作为对分别向多个负载的供电进行控制的供电控制装置而使用专利文献1所记载的供电控制装置的情况下,必须根据负载来选定电阻以及电容器等元件,开发成本高。
因此,在于提供一种无论寄生电容的电容是多少都能够使从断开向接通的切换速度大致恒定的供电控制装置。
[本公开的效果]
根据本公开,无论寄生电容的电容是多少,都能够使从断开向接通的切换速度大致恒定。
[本发明的实施方式的说明]
首先,列举本发明的实施方式来说明。也可以将以下记载的实施方式的至少一部分任意地组合。
(1)本发明的一个方式涉及一种供电控制装置,配置于供电路径的中途,具备在控制端的电压为阈值以上的情况下接通的半导体开关,其中,所述供电控制装置具备:第2半导体开关,配置于所述供电路径的中途的所述半导体开关的上游侧,在控制端的电压为第2阈值以上的情况下接通;电阻,连接在所述供电路径的电流输入侧的一端和该第2半导体开关的控制端之间;二极管,正极与所述半导体开关的控制端连接,负极与所述第2半导体开关的控制端连接;电压输出部,输出电压;以及开关,连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的控制端之间,在从所述电压输出部所输出的输出电压减去所述半导体开关的控制端的电压而得到的差电压为规定电压以上的情况下,所述开关接通,在该差电压低于所述规定电压的情况下,所述开关断开。
在上述一个方式中,例如在蓄电池对负载进行供电的供电路径的中途,配置有半导体开关。经由连接在供电路径中的电流输入侧的一端、即蓄电池的正极与半导体开关的控制端之间的开关,从蓄电池对连接于半导体开关的控制端的寄生电容供给电力,使控制端的电压上升。在将半导体开关切换成接通的情况下,使电压输出部所输出的输出电压上升。在从电压输出部的输出电压减去控制端的电压而得到的差电压为规定电压以上的情况下,开关接通,在差电压低于规定电压的情况下,开关断开。因此,将控制端的电压限制为从电压输出部的输出电压减去规定电压而得到的电压以下。因此,只要蓄电池构成为能够使半导体开关的控制端的电压以比电压输出部的输出电压的上升速度快的速度上升,则无论寄生电容的电容是多少,半导体开关的控制端的电压的上升速度都与电压输出部的输出电压的上升速度大致相同。换言之,在蓄电池如上所述地构成的情况下,无论寄生电容的电容是多少,半导体开关从断开向接通的切换速度都大致恒定。
另外,在供电路径的中途,在半导体的上游侧配置有第2半导体开关。第2半导体开关在控制端的电压为第2阈值以上的情况下接通。进一步地,将电阻连接在供电路径的电流输入侧的一端和第2半导体开关的控制端之间。将二极管连接在半导体开关和第2半导体开关的控制端之间。在这里,关于二极管,正极与半导体开关的控制端连接,负极与第2半导体开关的控制端连接。
(2)本发明的一个方式的供电控制装置具备连接在所述电压输出部输出电压的输出端和所述半导体开关的所述控制端之间的电阻。
在上述一个方式中,在半导体开关切换成接通之后,电压输出部经由电阻持续输出电压,将半导体开关维持于接通。
(3)本发明的一个方式的供电控制装置具备连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的电流输出端之间的电容器。
在上述一个方式中,例如,将蓄电池的正极连接到供电路径中的电流输入侧的一端,将负载的一端连接到半导体开关的电流输出端。在半导体开关断开的情况下,蓄电池对电容器进行充电。此时,电容器的两端间的电压与蓄电池的输出电压大致一致。
在为了将半导体开关切换成接通而使电压输出部的输出电压上升的情况下,对连接于半导体开关的控制端的寄生电容进行充电,控制端的电压上升,半导体开关的电流输入端以及电流输出端的电阻值降低。由此,电流流过负载,电流输出端的电压上升。电容器的两端间的电压与蓄电池的输出电压大致一致,因此,与电流输出端的电压的上升一起,供电路径中的电流输入侧的一端的电压上升,超过蓄电池的输出电压。由此,能够使半导体开关的控制端的电压以比电压输出部的输出电压的上升速度可靠地快的速度上升。
(4)在本发明的一个方式的供电控制装置中,在以所述供电路径的另一端的电位为基准而将负的电压施加到该供电路径的所述一端的情况下,所述第2半导体开关切换成断开。
在上述一个方式中,例如在错误地将蓄电池的正极以及负极分别连接于供电路径的另一端以及一端的情况下,第2半导体开关切换成断开,因此,能够可靠地防止电流逆流过供电路径。
[本发明的实施方式的详细内容]
下面,参照附图,说明本发明的实施方式的供电控制装置的具体例。此外,本发明不限定于这些示例,通过权利要求书来表示,旨在包括与权利要求书等同的含义以及范围内的全部变更。
(实施方式1)
图1是实施方式1中的电源***1的电路图。电源***1适当地搭载于车辆,具备供电控制装置10、负载11、导体12及蓄电池13。供电控制装置10分别连接到负载11的一端以及正极端子T1。负载11的另一端以及负极端子T2连接到导体12。导体12例如是车辆的车身。蓄电池13的正极以及负极分别连接到正极端子T1以及负极端子T2。
蓄电池13经由供电控制装置10对负载11进行供电。在电源***1中,形成有电流从正极端子T1依次流过供电控制装置10、负载11以及导体12而返回到负极端子T2的供电路径。将正极端子T1设置于供电路径中的电流输入侧的一端,将负极端子T2设置于供电路径的另一端。
负载11是搭载于车辆的电气设备。在从蓄电池13对负载11进行供电的情况下,负载11工作。在从蓄电池13向负载11的供电停止的情况下,负载11停止动作。供电控制装置10控制从蓄电池13向负载11的供电。
供电控制装置10具有半导体开关20、第1开关21、第2开关22、充电电路23、放电电路24、电容器C1、二极管D1、D2、D3及电阻R1、R2。半导体开关20是N沟道型的FET(FieldEffect Transistor,场效应晶体管)。第1开关21是NPN型的双极型晶体管。第2开关22是PNP型的双极型晶体管。
在制造半导体开关20时,形成寄生电容Cd1、Cs1以及寄生二极管Dp1。因此,供电控制装置10还具有寄生电容Cd1、Cs1以及寄生二极管Dp1。寄生电容Cd1连接在半导体开关20的漏极和栅极之间。寄生电容Cs1连接在半导体开关20的源极和栅极之间。寄生二极管Dp1的负极以及正极分别连接到半导体开关20的漏极以及源极。
半导体开关20的漏极连接到正极端子T1。半导体开关20的源极连接到负载11的一端。进一步地,将二极管D1的正极连接到正极端子T1。二极管D1的负极连接到电容器C1的一端以及二极管D2的正极。电容器C1的另一端连接到半导体开关20的源极。二极管D2的负极连接到第1开关21的集电极。
半导体开关20的栅极连接到第1开关21和第2开关22各自的发射极以及电阻R1的一端。第2开关22的集电极连接到二极管D3的正极。二极管D3的负极连接到电阻R2的一端。电阻R2的另一端连接到半导体开关20的源极。第1开关21和第2开关22各自的基极以及电阻R1的另一端连接到充电电路23的输出端以及放电电路24的输入端。
如上所述,在第1开关21中,集电极经由二极管D1、D2连接到正极端子T1,发射极连接到半导体开关20的栅极。因此,第1开关连接在供电路径的电流输入侧的一端与半导体开关20的栅极之间。另外,电容器C1的一端经由二极管D1连接到正极端子T1,电容器C1的另一端连接到半导体开关20的源极。因此,电容器C1连接在供电路径的电流输入侧的一端与半导体开关20的源极之间。
关于半导体开关20,在从以导体12的电位为基准的栅极的电压(下面称为栅极电压)Vg减去以导体12的电位为基准的源极的电压(下面称为源极电压)Vs而得到的差电压为接通阈值以上的情况下,漏极和源极之间的电阻值大致为零Ω。此时,半导体开关20接通。
在半导体开关20接通的情况下,源极电压与蓄电池13的输出电压Vt大致一致。因此,半导体开关20在栅极电压Vg为对蓄电池13的输出电压加上接通阈值而得到的阈值以上的情况下接通。
另外,关于半导体开关20,在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压低于断开阈值的情况下,漏极和源极之间的电阻值充分大,电流不流过漏极和源极之间。此时,半导体开关20断开。断开阈值是正的,低于接通阈值。
半导体开关20的栅极作为控制端发挥功能。
充电电路23用于对寄生电容Cd1、Cs1进行充电。充电电路23在对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的情况下,从输出端输出以导体12为基准的电压,使所输出的输出电压、即以导体12的电位为基准的第1开关21和第2开关22各自的基极的电压(下面称为基极电压)Vb上升至目标电压Vm(参照图2)。充电电路23作为电压输出部发挥功能。
在对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的情况下,栅极电压Vg上升,半导体开关20从断开切换成接通。在半导体开关20接通的情况下,源极电压Vs与蓄电池13的输出电压Vt大致一致。因此,目标电压Vm(参照图2)是高于蓄电池13的输出电压Vt的电压。
在半导体开关20接通的情况下,经由半导体开关20从蓄电池13对负载11进行供电,负载11工作。这样,半导体开关20配置于蓄电池13对负载11进行供电的供电路径的中途。充电电路23通过在内部使输出端开路,从而停止电压的输出。由此,停止寄生电容Cd1、Cs1的充电。
在半导体开关20接通的情况下,电流依次流过半导体开关20的漏极以及源极。因此,半导体开关20的漏极以及源极分别作为电流输入端以及电流输出端发挥功能。
放电电路24用于使寄生电容Cd1、Cs1进行放电。放电电路24在使寄生电容Cd1、Cs1进行放电的情况下,使输入端经由未图示的内部电阻连接到导体12。在寄生电容Cd1、Cs1放电的情况下,栅极电压Vg降低,半导体开关20从接通切换成断开。在半导体开关20断开的情况下,从蓄电池13向负载11的供电停止,负载11停止动作。放电电路24通过在内部使输入端开路,从而使寄生电容Cd1、Cs1的放电停止。
关于第1开关21,在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下,电流能够流过集电极和发射极之间。此时,第1开关21接通。另外,关于第1开关21,在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压的情况下,电流不流过集电极和发射极之间。此时,第1开关21断开。第1基准电压是正的恒定电压。
关于第2开关22,在从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压为第2基准电压以上的情况下,电流能够流过发射极和集电极之间。此时,第2开关22接通。另外,关于第2开关22,在从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压低于第2基准电压的情况下,电流不流过发射极和集电极之间。此时,第2开关22断开。第2基准电压是正的恒定电压。
当在充电电路23停止充电的状态下放电电路24完成寄生电容Cd1、Cs1的放电的情况下,栅极电压Vg以及基极电压Vb大致为零V。此时,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压低于第2基准电压。因此,第1开关21和第2开关22断开。另外,寄生电容Cs1的放电完成,因此,从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压大致为零V,低于断开阈值。因此,半导体开关20也断开。
在半导体开关20、第1开关21和第2开关22断开的情况下,从蓄电池13的正极经由二极管D1流到电容器C1,对电容器C1进行充电。电容器C1进行充电直至电容器C1的两端间的电压与蓄电池13的输出电压Vt大致一致为止。
图2是半导体开关20从断开向接通的切换的说明图。在图2中,基极电压Vb、栅极电压Vg以及源极电压Vs各自的推移用粗实线、细实线以及单点划线表示。横轴是时间轴。在基极电压Vb、栅极电压Vg和源极电压Vs重叠的部分以及基极电压Vb和栅极电压Vg重叠的部分,描绘粗实线。
下面,说明在第1开关21和第2开关22断开的状态下开始的半导体开关20向接通的切换。首先,放电电路24使输入端开路,充电电路23使基极电压Vb上升。
在充电电路23输出电压的情况下,基极电压Vb为栅极电压Vg以上,因此,从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压低于第2基准电压,第2开关22断开。
在充电电路23使基极电压Vb上升的情况下,首先,电流从充电电路23的输出端经由电阻R1分别流到寄生电容Cd1、Cs1,对寄生电容Cd1、Cs1进行充电,栅极电压Vg上升。在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压的期间,第1开关21断开,因此,寄生电容Cd1、Cs1利用充电电路23进行充电。
在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下,第1开关21切换成接通。蓄电池13的输出电压充分高于充电电路23的输出电压、即基极电压Vb。因此,在第1开关21切换成接通的情况下,寄生电容Cd1、Cs1由蓄电池13迅速进行充电。
如上所述,第1开关21在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下接通,在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压的情况下断开。因此,将栅极电压Vg限制于从基极电压Vb减去第1基准电压而得到的电压以下。
蓄电池13构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升。因此,栅极电压Vg以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。
在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压为半导体开关20的断开阈值以上的情况下,电流从蓄电池13的正极经由半导体开关20的漏极以及源极流到负载11,在负载11的两端间产生电压。在栅极电压Vg上升的情况下,半导体开关20的漏极和源极之间的电阻值减少,流过负载11的电流上升,负载11的两端间的电压上升。由此,源极电压Vs上升。源极电压Vs在将栅极电压Vg和源极电压Vs之差维持于断开阈值的状态下上升,直至达到蓄电池13的输出电压Vt为止。
电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压是以导体12的电位为基准将电容器C1的两端间的电压加到源极电压Vs而得到的电压。如上所述,电容器C1的两端间的电压与蓄电池13的输出电压Vt大致一致。因此,在源极电压Vs上升的情况下,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压也上升,该电压超过蓄电池13的输出电压Vt。
因此,在源极电压Vs上升的情况下,从电容器C1经由二极管D2输出高于蓄电池13的电压,对寄生电容Cd1、Cs1进行充电。二极管D1防止电流从电容器C1流到蓄电池13。
电容器C1也构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升。因此,在电容器C1对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间,栅极电压Vg也以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。
源极电压Vs在达到蓄电池13的输出电压Vt之后,维持于蓄电池13的输出电压Vt。
如上所述,充电电路23的目标电压Vm高于蓄电池13的输出电压Vt,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压高于蓄电池13的输出电压Vt。因此,在源极电压Vs达到蓄电池13的输出电压Vt之后,基极电压Vb以及栅极电压Vg也在将基极电压Vb和栅极电压Vg之差维持于第1基准电压的状态下上升。
在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压为接通阈值以上的情况下,半导体开关20切换成接通。目标电压Vm高于将半导体开关20的接通阈值和第1开关21的第1基准电压加到蓄电池13的输出电压Vt而得到的电压。因此,半导体开关20在蓄电池13或者电容器C1对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间内切换成接通。
在充电电路23的输出电压、即基极电压Vb达到目标电压Vm的情况下,充电电路23持续输出目标电压Vm。在基极电压Vb达到目标电压Vm之后,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,因此,第1开关21切换成断开,寄生电容Cd1、Cs1利用充电电路23进行充电。由此,栅极电压Vg缓缓上升至维持于目标电压Vm的基极电压Vb。在栅极电压Vg达到基极电压Vb之后,只要充电电路23输出目标电压Vm,基极电压Vb以及栅极电压Vg就维持于目标电压Vm。充电电路23通过持续输出目标电压Vm,从而将半导体开关20维持于接通。
如上所述,在供电控制装置10中,在半导体开关20从断开切换成接通的期间中的除去充电电路23对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间以外的其他期间内,栅极电压Vg以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。在半导体开关20从断开切换成接通的期间中,充电电路23对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间所占的比例非常小。因此,只要蓄电池13以及电容器C1分别构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升,则无论寄生电容Cd1、Cs1的电容是多少,半导体开关20从断开向接通的切换速度都大致恒定。
另外,在半导体开关20切换成接通之后,充电电路23经由电阻R1持续输出目标电压Vm,将半导体开关20维持于接通。
进一步地,如上所述,在源极电压Vs上升的情况下,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压也上升,因此,能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度可靠地快的速度上升。
接下来,说明半导体开关20从接通向断开的切换。说明充电电路23输出目标电压Vm、并且基极电压Vb以及栅极电压Vg维持于目标电压Vm的情况下的半导体开关20向断开的切换。
在基极电压Vb以及栅极电压Vg是目标电压Vm的情况下,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压低于第2基准电压,因此,第1开关21和第2开关22断开。
充电电路23使电压的输出停止,并且放电电路24将输入端经由内部电阻连接到导体12,从而开始半导体开关20向断开的切换。在充电电路23使电压的输出停止、并且放电电路24将输入端经由内部电阻连接到导体12的情况下,电流从寄生电容Cd1、Cs1的栅极侧的一端依次流过电阻R1以及放电电路24的内部电阻,电阻R1和放电电路24的内部电阻对栅极电压Vg进行分压。基极电压Vb是电阻R1和放电电路24的内部电阻进行分压而得到的电压。
电阻R1以及放电电路24的内部电阻各自的电阻值是恒定的。因此,基极电压Vb是栅极电压Vg的规定数分之一。例如,在电阻R1以及放电电路24的内部电阻各自的电阻值相同的情况下,基极电压Vb是栅极电压Vg的二分之一。
在放电电路24将输入端经由内部电阻连接于导体12的情况下,栅极电压Vg为基极电压Vb以上,因此,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,第1开关21断开。
当然,栅极电压Vg越高,则从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压越大。在规定数是3的情况下,在栅极电压Vg是30V时,从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压是20V(=30-(30/3))。在同样的情况下,在栅极电压Vg是15V时,从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压是10V(=15-(15/3))。
在放电电路24将输入端经由内部电阻连接于导体12的时刻下,栅极电压Vg是目标电压Vm,最高。因此,从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压为第2基准电压以上,第2开关22切换成接通。
在第2开关22接通的情况下,电流从寄生电容Cs1的栅极侧的一端依次流过二极管D3以及电阻R2,返回到寄生电容Cs1的源极侧的一端,寄生电容Cs1进行放电。在第2开关22接通的情况下,进一步地,电流从寄生电容Cd1的栅极侧的一端依次流过二极管D3、电阻R2以及寄生二极管Dp1,寄生电容Cd1也进行放电。电阻R2的电阻值充分小于电阻R1和放电电路24的内部电阻各自的电阻值之和。因此,在第2开关22接通的情况下,寄生电容Cs1、Cd1各自放出的电力大,栅极电压Vg迅速降低。
在栅极电压Vg降低的情况下,如上所述,从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压也降低。在从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压低于第2基准电压的情况下,第2开关22切换成断开。在第2开关22切换成断开之后,寄生电容Cd1、Cs1经由电阻R1以及放电电路24的内部电阻进行放电,直至栅极电压Vg以及基极电压Vb大致为零V为止。
在栅极电压Vg降低的情况下,半导体开关20的漏极和源极之间的电阻值上升,流到负载11的电流降低。由此,源极电压Vs也降低。在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压低于断开阈值的情况下,电流不流到负载11,半导体开关20切换成断开,源极电压Vs变成零V。
电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压与源极电压Vs的降低一起降低。在该电压低于蓄电池13的输出电压Vt的情况下,蓄电池13再次对电容器C1进行充电。源极电压Vs如上所述变成零V,因此,蓄电池13对电容器C1进行充电,直至电容器C1的两端间的电压变成蓄电池13的输出电压Vt为止。
在供电控制装置10中,在从栅极电压Vg减去基极电压Vb而得到的差电压为第2基准电压以上的情况下,寄生电容Cd1、Cs1经由二极管D3以及电阻R2进行放电,因此,栅极电压Vg迅速降低。因此,半导体开关20从接通切换成断开的速度快。
(实施方式2)
图3是实施方式2中的电源***1的电路图。
下面,关于实施方式2,说明与实施方式1的不同点。除了关于后述结构以外的其他结构,与实施方式1相同,因此,对与实施方式1相同的结构部附加与实施方式1相同的附图标记,省略其说明。
关于实施方式2中的电源***1,与实施方式1中的电源***1相比较,供电控制装置10的结构不同。实施方式2中的供电控制装置10具有实施方式1中的供电控制装置10的结构部的全部,它们除了半导体开关20的漏极的连接目的地以外,与实施方式1同样地连接。
实施方式2中的供电控制装置10还具有半导体开关30、第3开关31、二极管D4以及电阻R3、R4、R5。半导体开关30是N沟道型的FET。第3开关31是NPN型的双极型晶体管。
在制造半导体开关30时,形成寄生电容Cd2、Cs2以及寄生二极管Dp2。因此,实施方式2中的供电控制装置10还具有寄生电容Cd2、Cs2以及寄生二极管Dp2。寄生电容Cd2连接在半导体开关30的漏极和栅极之间。寄生电容Cs2连接在半导体开关30的源极和栅极之间。寄生二极管Dp2的负极以及正极分别连接到半导体开关30的漏极以及源极。
半导体开关30的源极连接到正极端子T1。半导体开关30的漏极连接到半导体开关20的漏极。进一步地,将第3开关31的发射极以及电阻R3、R4各自的一端连接到半导体开关30的源极。将第3开关31的集电极、二极管D5的负极以及电阻R3的另一端连接到半导体开关30的栅极。二极管D5的正极连接到半导体开关20的栅极。因此,半导体开关30的栅极经由二极管D5而与半导体开关20的栅极连接。
第3开关31的基极连接到电阻R4的另一端以及电阻R5的一端。电阻R5的另一端连接到二极管D4的负极。二极管D4的正极连接到导体12。
关于半导体开关30,在从以导体12的电位为基准的栅极的电压减去以导体12的电位为基准的源极的电压而得到的差电压为第2接通阈值以上的情况下,漏极和源极之间的电阻值大致为零Ω。此时,半导体开关30接通。
另外,关于半导体开关30,在从以导体12的电位为基准的栅极的电压减去以导体12的电位为基准的源极的电压而得到的差电压低于第2断开阈值的情况下,漏极和源极之间的电阻值充分大,电流不流过源极和漏极之间。此时,半导体开关30断开。第2断开阈值是正的,低于第2接通阈值。
关于第3开关31,在以发射极的电位为基准的基极的电压为第3基准电压以上的情况下,电流能够流过集电极和发射极之间。此时,第3开关31接通。另外,关于第3开关31,在以发射极的电位为基准的基极的电压低于第3基准电压的情况下,电流不流过集电极和发射极之间。此时,第3开关31断开。第3基准电压是正的恒定电压。
以导体12的电位为基准的半导体开关30的源极的电压固定于蓄电池13的输出电压Vt。因此,在第3开关31断开的情况下,在以导体12的电位为基准的半导体开关30的栅极的电压为将第2接通阈值加到蓄电池13的输出电压Vt而得到的阈值以上时,半导体开关30接通。该阈值相当于第2阈值。进一步地,在第3开关31断开的情况下,在以导体12的电位为基准的半导体开关30的栅极的电压低于将第2断开阈值加到蓄电池13的输出电压Vt而得到的阈值的情况下,半导体开关30断开。
如上所述,在第3开关31断开的情况下,通过调整以导体12的电位为基准的半导体开关30的栅极的电压,能够将半导体开关30切换成接通或者断开。半导体开关30的栅极也作为控制端发挥功能。
在第3开关31接通的情况下,在半导体开关30中,以源极的电位为基准的栅极的电压大致为零V,低于第2断开阈值。因此,在第3开关31接通的情况下,半导体开关30断开。
蓄电池13能够装卸地连接在正极端子T1和负极端子T2之间。蓄电池13的正常的连接状态是蓄电池13的正极以及负极分别连接到正极端子T1以及负极端子T2的状态。蓄电池13的错误的连接状态是蓄电池13的正极以及负极分别连接到负极端子T2以及正极端子T1的状态。
在蓄电池13的连接正常的情况下,通过二极管D4的作用,电流不流过电阻R4、R5。此时,在第3开关31中,以发射极的电位为基准的基极的电压大致为零V,低于第3基准电压,第3开关31断开。在第3开关31断开的情况下,如上所述,半导体开关30根据以导体12的电位为基准的栅极的电压而切换成接通或者断开。
在蓄电池13正常连接的情况下,在半导体开关20、30接通时,蓄电池13对负载11进行供电,负载11进行工作。在同样的情况下,在半导体开关20、30断开时,从蓄电池13向负载11的供电停止,负载11停止动作。
在实施方式2中,也在从蓄电池13向负载11的供电路径中的电流输入侧的一端设置有正极端子T1,在供电路径的另一端设置有负极端子T2。另外,在半导体开关20、30接通的情况下,电流依次流过半导体开关30、20,因此,半导体开关30在供电路径的中途,配置于半导体开关20的上游侧。半导体开关30作为第2半导体开关发挥功能。
在弄错蓄电池13的连接的情况下,即在以供电路径的另一端的电位为基准将负的电压施加到供电路径的一端的情况下,电流从负极端子T2依次流过导体12、二极管D4以及电阻R5、R4,返回到正极端子T1。此时,在电阻R4产生压降,在第3开关31中,以发射极的电位为基准的基极的电压变成第3阈值以上。其结果,第3开关31切换成接通,半导体开关30切换成断开。如上所述,寄生二极管Dp2的正极连接到正极端子T1。因此,在弄错蓄电池13的连接的情况下,只要半导体开关30断开,则无论半导体开关20是否接通,电流都不从负极端子T2经由负载11流到正极端子T1。另外,即使当在半导体开关20、30接通的状态下弄错蓄电池13的连接的情况下,由于强制地将半导体开关30切换成断开,因此,也能够可靠地防止电流从负极端子T2经由负载11流到正极端子T1。
下面,说明蓄电池13正常连接的情况下的供电控制装置10。在供电控制装置10中,在充电电路23在内部使输出端开路、放电电路24将输入端经由内部电阻连接于导体12的情况下,寄生电容Cd1、Cs1与实施方式1同样地进行放电。在同样的情况下,寄生电容Cd2、Cs2分别经由电阻R3放电。在寄生电容Cd2、Cs2完成放电的情况下,半导体开关30的源极、漏极以及栅极各自的电压与蓄电池13的输出电压Vt大致一致。为了简化说明,将寄生二极管Dp2的正向的压降大致视为零V。
放电电路24使输入端开路,并且充电电路23使基极电压Vb上升,从而半导体开关20、30分别切换成接通。在充电电路23开始基极电压Vb的上升的时刻下,以导体12的电位为基准的半导体开关30的栅极的电压与蓄电池13的输出电压Vt大致一致。因此,以导体12的电位为基准的半导体开关30的栅极的电压维持于蓄电池13的输出电压Vt,直至半导体开关20的栅极电压Vg超过蓄电池13的输出电压Vt为止。
在充电电路23使基极电压Vb上升的情况下,首先,电流从充电电路23的输出端经由电阻R1流到寄生电容Cs1,对寄生电容Cs1进行充电,半导体开关20的栅极电压Vg上升。在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压的期间,第1开关21断开,因此,寄生电容Cs1利用充电电路23进行充电。
在充电电路23输出电压的情况下,与实施方式1同样地,第2开关22断开。
在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下,第1开关21切换成接通,与实施方式1同样地,寄生电容Cs1由蓄电池13迅速进行充电。在实施方式2中,蓄电池13也构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升。因此,栅极电压Vg以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。
在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压为半导体开关20的断开阈值以上的情况下,与实施方式1同样地,电流在负载11处开始,与栅极电压Vg的上升一起,源极电压Vs也上升。源极电压Vs在将栅极电压Vg和源极电压Vs之差维持于断开阈值的状态下上升,直至达到蓄电池13的输出电压Vt为止。在源极电压Vs上升的情况下,与实施方式1同样地,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压也上升,高于蓄电池13的输出电压Vt。
在源极电压Vs上升的情况下,在栅极电压Vg低于蓄电池13的输出电压Vt时,从电容器C1的二极管D2侧的一端将高于蓄电池13的输出电压Vt的电压经由二极管D2输出,对寄生电容Cd1、Cs1进行充电。在同样的情况下,在栅极电压Vg为蓄电池13的输出电压Vt以上时,从电容器C1的二极管D2侧的一端将高于蓄电池13的输出电压Vt的电压经由二极管D2输出,对寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2进行充电。二极管D1防止电流从电容器C1流到蓄电池13。
电容器C1也构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升。因此,在电容器C1对寄生电容Cd1、Cs1或者寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2进行充电的期间,栅极电压Vg也以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上之后,基极电压Vb以及栅极电压Vg在将基极电压Vb和栅极电压Vg之差维持于第1基准电压的状态下上升。
源极电压Vs在达到蓄电池13的输出电压Vt之后,维持于蓄电池13的输出电压Vt。在源极电压Vs达到蓄电池13的输出电压Vt之后,基极电压Vb以及栅极电压Vg也在将基极电压Vb和栅极电压Vg之差维持于第1基准电压的状态下上升。
与实施方式1同样地,在从栅极电压Vg减去源极电压Vs而得到的差电压为接通阈值以上的情况下,半导体开关20切换成接通。目标电压Vm高于将半导体开关20的接通阈值以及第1开关21的第1基准电压加到蓄电池13的输出电压Vt而得到的电压。因此,半导体开关20在蓄电池13或者电容器C1对寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2进行充电的期间内切换成接通。
另外,在半导体开关30中,在从栅极的电压减去源极的电压而得到的差电压为第2接通阈值以上的情况下,半导体开关30切换成接通。目标电压Vm高于将半导体开关30的第2接通阈值以及第1开关21的第1基准电压加到蓄电池13的输出电压Vt而得到的电压。因此,半导体开关30也在蓄电池13或者电容器C1对寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2进行充电的期间内切换成接通。
在充电电路23的输出电压、即基极电压Vb达到目标电压Vm的情况下,与实施方式1同样地,充电电路23持续输出目标电压Vm。在基极电压Vb达到目标电压Vm之后,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,因此,第1开关21切换成断开,寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2利用充电电路23进行充电。由此,半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压分别缓缓上升至维持于目标电压Vm的基极电压Vb。为了简化说明,将二极管D5的正向的压降大致视为零V。
在半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压分别达到基极电压Vb之后,只要充电电路23输出目标电压Vm,基极电压Vb、半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压就分别维持于目标电压Vm。充电电路23通过持续输出目标电压Vm,从而将半导体开关20、30维持于接通。
如上所述,在供电控制装置10中,在半导体开关20、30从断开切换成接通的期间中的除去充电电路23对寄生电容Cs1进行充电的期间以外的其他期间内,半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压分别以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。
在半导体开关20从断开切换成接通的期间中,充电电路23对寄生电容Cs1进行充电的期间所占的比例非常小。因此,蓄电池13以及电容器C1只要分别构成为能够使半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升,则无论寄生电容Cd1、Cs1、Cd2、Cs2的电容是多少,半导体开关20、30从断开向接通的切换速度都大致恒定。
另外,在将半导体开关20、30切换成接通之后,充电电路23经由电阻R1持续输出目标电压Vm,将半导体开关20、30维持于接通。
进一步地,在源极电压Vs上升的情况下,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压也上升,因此,与实施方式1同样地,能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度可靠地快的速度上升。
接下来,说明充电电路23输出目标电压Vm、并且基极电压Vb、半导体开关20的栅极电压Vg以及半导体开关30的栅极的电压维持于目标电压Vm的情况下的半导体开关20、30向断开的切换。
在基极电压Vb以及栅极电压Vg是目标电压Vm的情况下,如实施方式1所述,第1开关21和第2开关22断开。
在实施方式2中,也通过充电电路23使电压的输出停止,并且放电电路24将输入端经由内部电阻连接到导体12,从而开始半导体开关20、30向断开的切换。
寄生电容Cd1、Cs1与实施方式1同样地放电,半导体开关20迅速切换成断开。寄生电容Cd2经由电阻R3以及寄生二极管Dp2进行放电,寄生电容Cs2经由电阻R3进行放电。由此,半导体开关30的源极以及栅极各自的电压变成蓄电池13的输出电压Vt,半导体开关30切换成断开。
此外,在实施方式2中,第3开关31是在蓄电池13正常连接的情况下接通、在弄错蓄电池13的连接的情况下断开的开关即可。因此,第3开关31不限定于NPN型的双极型晶体管,例如,也可以是N沟道型的FET。
(实施方式3)
图4是实施方式3中的电源***1的电路图。
下面,关于实施方式3,说明与实施方式1的不同点。除了关于后述结构以外的其他结构,与实施方式1相同,因此,对与实施方式1相同的结构部附加与实施方式1相同的附图标记,省略其说明。
在实施方式3中的电源***1中,正极端子T1连接到负载11的一端。负极端子T2与实施方式1同样地,连接到导体12。供电控制装置10分别连接到正极端子T1、负载11的另一端以及导体12。在实施方式3中,蓄电池13也对负载11进行供电。在实施方式3中的电源***1中,形成有电流从正极端子T1依次流过负载11、供电控制装置10以及导体12而返回到负极端子T2的供电路径。在供电路径中的电流输入侧的一端设置有正极端子T1,在供电路径的另一端设置有负极端子T2。供电控制装置10控制从蓄电池13向负载11的供电。
实施方式3中的供电控制装置10与实施方式1中的供电控制装置10同样地,具有半导体开关20、第1开关21、第2开关22、充电电路23、放电电路24、寄生电容Cs1、Cd1、二极管D2、D3、寄生二极管Dp1以及电阻R1、R2。它们除了半导体开关20的漏极和源极以及二极管D2的正极的连接目的地以外,与实施方式1同样地连接。半导体开关20的漏极连接到负载11的另一端。半导体开关20的源极连接到导体12。二极管D2的正极连接到正极端子T1。
在实施方式3中的供电控制装置10中,源极电压Vs固定于大致零V,不上升。因此,即使栅极电压Vg低于蓄电池13的输出电压Vt,也能够将半导体开关20维持于接通。
图5是半导体开关20从断开向接通的切换的说明图。在图5中,用粗实线、细实线以及单点划线表示基极电压Vb、栅极电压Vg以及源极电压Vs各自的推移。横轴是时间轴。在基极电压Vb、栅极电压Vg和源极电压Vs重叠的部分以及基极电压Vb和栅极电压Vg重叠的部分,描绘粗实线。源极电压Vs如上所述始终大致为零V。
在放电电路24将输入端经由内部电阻连接于导体12、并且充电电路23使输出端在内部开路的情况下,在寄生电容Cd1、Cs1完成放电时,与实施方式1同样地,基极电压Vb以及栅极电压Vg大致为零V,第1开关21和第2开关22断开。
在将半导体开关20从断开切换成接通的情况下,与实施方式1同样地,放电电路24使输入端开路,充电电路23使基极电压Vb上升。与实施方式1同样地,在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1开关21的第1基准电压的期间,第1开关21断开,寄生电容Cd1、Cs1利用充电电路23进行充电。在充电电路23输出电压的情况下,与实施方式1同样地,第2开关22断开。
在从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下,第1开关21切换成接通,蓄电池13经由二极管D2以及第1开关21对寄生电容Cd1、Cs1进行充电。与实施方式1同样地,蓄电池13构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升,因此,栅极电压Vg在将栅极电压Vg和基极电压Vb之差维持于第1基准电压的状态下,以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。
在栅极电压Vg为接通阈值以上的情况下,半导体开关20切换成接通。目标电压Vm高于将第1开关21的第1基准电压加到半导体开关20的接通阈值而得到的电压。因此,半导体开关20在蓄电池13对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间内切换成接通。
在充电电路23的输出电压、即基极电压Vb达到目标电压Vm的情况下,充电电路23持续输出目标电压Vm。在基极电压Vb达到目标电压Vm之后,从基极电压Vb减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压,因此,第1开关21切换成断开,寄生电容Cd1、Cs1利用充电电路23进行充电。由此,栅极电压Vg缓缓上升至维持于目标电压Vm的基极电压Vb。在栅极电压Vg达到基极电压Vb之后,只要充电电路23输出目标电压Vm,基极电压Vb以及栅极电压Vg就维持于目标电压Vm。充电电路23通过持续输出目标电压Vm,从而将半导体开关20维持于接通。
如上所述,在供电控制装置10中,在半导体开关20从断开切换成接通的期间中的除去充电电路23对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间以外的其他期间内,栅极电压Vg以与基极电压Vb的上升速度大致相同的速度上升。在半导体开关20从断开切换成接通的期间中,充电电路23对寄生电容Cd1、Cs1进行充电的期间所占的比例非常小。因此,蓄电池13以及电容器C1只要分别构成为能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度快的速度上升,则无论寄生电容Cd1、Cs1的电容是多少,半导体开关20从断开向接通的切换速度都大致恒定。
另外,在半导体开关20切换成接通之后,充电电路23经由电阻R1持续输出目标电压Vm,将半导体开关20维持于接通。
进一步地,在源极电压Vs上升的情况下,电容器C1的二极管D2侧的一端处的电压也上升,因此,能够使栅极电压Vg以比基极电压Vb的上升速度可靠地快的速度上升。
在实施方式3中的供电控制装置10中,充电电路23使电压的输出停止,并且放电电路24将输入端经由内部电阻连接到导体12,从而与实施方式1同样地,将半导体开关20从接通切换成断开。此时,基极电压Vb、栅极电压Vg以及第1开关21和第2开关22各自的接通断开状态分别与实施方式1同样地推移。
此外,在实施方式1~3中,第1开关21是在从充电电路23的输出端的电压减去栅极电压Vg而得到的差电压为第1基准电压以上的情况下接通、在从充电电路23的输出端的电压减去栅极电压Vg而得到的差电压低于第1基准电压的情况下断开的开关即可。因此,第1开关21不限定于NPN型的双极型晶体管,例如,也可以是N沟道型的FET。
另外,第2开关22是在从栅极电压Vg减去放电电路24的输入端的电压而得到的差电压为第2基准电压以上的情况下接通、在从栅极电压Vg减去放电电路24的输入端的电压而得到的差电压低于第2基准电压的情况下断开的开关即可。因此,第2开关22不限定于PNP型的双极型晶体管,也可以是P沟道型的FET。
应该认为,所公开的实施方式1~3在所有方面都是示例性的,而非限制性的。本发明的范围不通过上述说明来表示,而通过权利要求书来表示,旨在包括与权利要求书等同的含义以及范围内的全部变更。
标号说明
1 电源***
10 供电控制装置
11 负载
12 导体
13 蓄电池
20 半导体开关
21 第1开关
22 第2开关
23 充电电路(电压输出部)
24 放电电路
30 半导体开关(第2半导体开关)
31 第3开关
C1 电容器
Cd1、Cs1、Cd2、Cs2 寄生电容
D1、D2、D3、D4、D5 二极管
Dp1、Dp2 寄生二极管
R1、R2、R3、R4、R5 电阻
T1 正极端子
T2 负极端子
Vb 基极电压
Vg 栅极电压
Vm 目标电压
Vs 源极电压
Vt 输出电压
Claims (5)
1.一种供电控制装置,配置于供电路径中的蓄电池与负载之间,具备在栅极的电压为阈值以上的情况下接通的半导体开关,其中,
所述供电控制装置具备:
第2半导体开关,配置于所述供电路径的中途的所述半导体开关的上游侧,在栅极的电压为第2阈值以上的情况下接通;
第一寄生电容(Cd1),连接在所述半导体开关的漏极和栅极之间;
第二寄生电容(Cs1),连接在所述半导体开关的源极和栅极之间;
第三寄生电容(Cd2),连接在所述第2半导体开关的漏极和栅极之间;
第四寄生电容(Cs2),连接在所述第2半导体开关的源极和栅极之间;
电阻,连接在所述供电路径的电流输入侧的一端和该第2半导体开关的栅极之间;
二极管,正极与所述半导体开关的栅极连接,负极与所述第2半导体开关的栅极连接;
电压输出部,输出电压;
开关(21),连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的栅极之间;以及
电容器(C1),连接在所述供电路径的电流输入侧的一端与所述半导体开关的源极之间,
在从所述电压输出部所输出的输出电压减去所述半导体开关的栅极的电压而得到的差电压为规定电压以上的情况下,所述开关接通,在该差电压低于所述规定电压的情况下,所述开关断开,
在所述半导体开关及所述第2半导体开关从断开切换成接通的期间中的除去所述电压输出部对所述第二寄生电容(Cs1)进行充电的期间以外的其他期间内,所述半导体开关的栅极电压以及所述第2半导体开关的栅极的电压分别以与所述开关的基极的电压即基极电压(Vb)的上升速度相同的速度上升,
在所述半导体开关从断开切换成接通的期间中,所述蓄电池以及所述电容器(C1)分别构成为能够使所述半导体开关的栅极电压以及所述第2半导体开关的栅极的电压以比所述基极电压(Vb)的上升速度快的速度上升。
2.根据权利要求1所述的供电控制装置,其中,
所述供电控制装置具备连接在所述电压输出部输出电压的输出端和所述半导体开关的所述栅极之间的电阻。
3.根据权利要求1或2所述的供电控制装置,其中,
所述供电控制装置具备连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的电流输出端之间的电容器。
4.根据权利要求1或2所述的供电控制装置,其中,
在以所述供电路径的另一端的电位为基准而将负的电压施加到该供电路径的所述一端的情况下,所述第2半导体开关切换成断开。
5.根据权利要求3所述的供电控制装置,其中,
在以所述供电路径的另一端的电位为基准而将负的电压施加到该供电路径的所述一端的情况下,所述第2半导体开关切换成断开。
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