CN109134346A - 有机分子，特别是用于光电子器件的有机分子 - Google Patents

有机分子，特别是用于光电子器件的有机分子 Download PDF

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Abstract

本发明涉及有机分子，特别是用于有机光电子器件中的有机分子。根据本发明，该有机分子由以下组成：‑具有式I的结构的第一化学部分，和‑具有式II的结构的两个第二化学部分，其中第一化学部分通过单键与两个第二化学部分中的每一个连接；其中，T、V独立于另一个地是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者是氢；W、X、Y独立于另一个地是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或选自由氢、CN和CF3组成的组；其中选自由W、X和Y组成的组的恰好一个取代基是CN或CF3，以及选自由T、V、W、X和Y组成的组的恰好两个取代基代表将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的连接单键的结合位点。

Description

有机分子，特别是用于光电子器件的有机分子
本发明涉及有机分子及其在有机发光二极管(OLED)和其他光电子器件中的用途。
发明描述
本发明的目的是提供适用于光电子器件的分子。
该目的通过提供一类新的有机分子的本发明来实现。
根据本发明，与已知用于光电子器件的金属络合物相比，该有机分子是纯有机分子，即它们不含任何金属离子。
根据本发明，有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内呈现发射最大值。该有机分子在420nm和520nm之间，优选在440nm和495nm之间，更优选在450nm和470nm之间尤其呈现发射最大值。根据本发明的有机分子的光致发光量子产率特别地是70％或更多。根据本发明的分子尤其表现出热激活的延迟荧光(TADF)。在光电子器件(例如有机发光二极管(OLED))中使用根据本发明的分子导致器件更高的效率。相应的OLED比具有已知发射体材料和可比较的色彩的OLED具有更高的稳定性。
根据本发明的有机分子包括第一化学部分和两个第二化学部分或由第一化学部分和两个第二化学部分组成，第一化学部分包括式I的结构或由式I的结构组成，
并且
-两个第二化学部分各自独立于另一个地包括式II的结构或由式II的结构组成，
其中第一化学部分通过单键与两个第二化学部分中的每一个连接。
T是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者是氢。
V是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者是氢。
W是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组。
X是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组。
Y是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组。
#表示将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点。
Z在每次出现时独立于另一个地选自由直接键、CR3R4、C＝CR3R4、C＝O、C＝NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2所组成的组。
R1在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8烯基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8炔基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；和
C6-C18芳基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代。
R2在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8烯基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8炔基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；和
C6-C18芳基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代。
Ra，R3和R4在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，N(R5)2，OR5，Si(R5)3，B(OR5)2，OSO2R5，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、
SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代。
R5在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，N(R6)2，OR6，Si(R6)3，B(OR6)2，OSO2R6，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代。
R6在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，OPh，CF3，CN，F，
C1-C5烷基，
其中任选地，一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C1-C5烷氧基，
其中任选地，一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C1-C5硫代烷氧基，
其中任选地，一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C2-C5烯基，
其中任选地，一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C2-C5炔基，
其中任选地，一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C6-C18芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5烷基取代基取代；
C3-C17杂芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5烷基取代基取代；
N(C6-C18-芳基)2；
N(C3-C17-杂芳基)2；和
N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)。
取代基Ra、R3、R4或R5彼此独立地可以任选地与一个或多个取代基Ra、R3、R4或R5形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠环体系。
根据本发明，选自由W、X和Y所组成的组的恰好一个取代基是CN或CF3，选自由T、V、W、X和Y所组成的组的恰好两个取代基代表连接第一化学部分与两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点。
在一个实施方式中，R1和R2在每次出现时独立于另一个地选自由H、甲基和苯基所组成的组。
在一个实施方式中，W是将第一化学部分连接至两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由CN和CF3所组成的组。
在本发明的一个实施方式中，W是CN。
在本发明的另一个实施方式中，两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIa的结构或由式IIa的结构组成：
其中#和Ra如上定义。
在本发明的另一个实施方式中，Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
H，Me，iPr，tBu，CN，CF3，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
咔唑基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
和N(Ph)2。
在本发明的另一个实施方式中，Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
H，Me，iPr，tBu，CN，CF3，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，和
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中，Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
H，Me，tBu，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中，Ra在每次出现时是H。
在本发明的另一个实施方式中，两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIb的结构、式IIb-2的结构、式IIb-3的结构或式IIb 4的结构，或由其组成：
其中，
Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，N(R5)2，OR5，Si(R5)3，B(OR5)2，OSO2R5，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地被一个或多个取代基R5取代。
除此之外，上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIc的结构、式IIc-2的结构、式IIc-3的结构或式IIc-4的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，iPr，tBu，CN，CF3，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
咔唑基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
和N(Ph)2。
在本发明的另一个实施方式中，Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，iPr，tBu，CN，CF3，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，和
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中，Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，tBu，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
在下文中，示出了第二化学部分的示例性实施方式：
其中对于#、Z、Ra、R3、R4和R5，上述定义适用。
在一个实施方式中，Ra和R5在每次出现时独立于另一个地选自由氢(H)、甲基(Me)、异丙基(CH(CH3)2)(iPr)、叔丁基(tBu)、苯基(Ph)、CN、CF3和二苯胺(NPh2)所组成的组。
在本发明的一个实施方式中，有机分子包括式III-1或式III-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIa-1或式IIIa-2的结构，或由其组成：
其中，
Rc在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，
iPr，
tBu，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
咔唑基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
和N(Ph)2。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIb-1或式IIIb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIc-1或式IIIc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIId-1或式IIId-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIe-1或式IIIe-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIf-1或式IIIf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIg-1或式IIIg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IIIh-1或式IIIh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IV-1或式IV-2的结构，或由其组成：
其中上述的定义。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVa-1或式IVa-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVb-1或式IVb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVc-1或式IVc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVd-1或式IVd-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVe-1或式IVe-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVf-1或式IVf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVg-1或式IVg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式IVh-1或式IVh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中，有机分子包括式V-1或式V-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Va-1或式Va-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vb-1或式Vb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vc-1或式Vc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vd-1或式Vd-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Ve-1或式Ve-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vf-1或式Vf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vg-1或式Vg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式Vh-1或式Vh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中，有机分子包括式VI-1或式VI-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIa-1或式VIa-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIb-1或式VIb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIc-1或式VIc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VId-1或式VId-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIe-1或式VIe-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIf-1或式VIf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIg-1或式VIg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIh-1或式VIh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中，有机分子包括式VII-1或式VII-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIa-1或式VIIa-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIb-1或式VIIb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIc-1或式VIIc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIId-1或式VIId-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIe-1或式VIIe-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIf-1或式VIIf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIg-1或式VIIg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIh-1或式VIIh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中，有机分子包括式VIII-1或式VIII-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIa-1或式VIIIa-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIb-1或式VIIIb-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIc-1或式VIIIc-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIId-1或式VIIId-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIe-1或式VIIIe-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIf-1或式VIIIf-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIg-1或式VIIIg-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中，有机分子包括式VIIIh-1或式VIIIh-2的结构，或由其组成：
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中，Rc在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，iPr，tBu，CN，CF3，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，
嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代，和
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
在本发明的一个实施方式中，Rc在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
Me，tBu，
Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；和
三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代。
如贯穿本申请中所使用的，术语“芳基”和“芳族”可以在最广义上理解为任何单-、双-或多环芳族部分。因此，芳基基团含有6至60个芳族环原子，并且杂芳基基团含有5至60个芳族环原子，其中至少一个为杂原子。尽管如此，在整个申请中，芳族环原子的数目可以在某些取代基的定义中作为下标数字给出。特别是，杂芳环包括一至三个杂原子。此外，术语“杂芳基”和“杂芳族”可以在最广义上理解为包括至少一个杂原子的任何单-、双-或多环杂芳族部分。杂原子在每次出现时可以相同或不同，并且可以单独选自由N、O和S所组成的组。因此，术语“亚芳基”是指与其它分子结构具有两个结合位点并由此用作连接基团结构的二价取代基。如果，示例性实施方式中的基团的定义与此处给出的定义不同，例如，芳族环原子的数目或杂原子的数目与给出的定义不同，将应用示例性实施方式中的定义。根据本发明，缩合(稠合)的芳族或杂芳族多环由两个或多个单芳族或杂芳族环构成，其通过缩合反应形成多环。
特别地，如贯穿本申请所使用的，术语芳基基团或杂芳基基团包括可以通过芳族或杂芳族基团的任何位置结合的基团，其衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、(chrysene)、苝(perylene)、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩；吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩恶嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、恶唑、苯并恶唑、萘并恶唑、蒽并恶唑(anthroxazol)、菲并恶唑(phenanthroxazol)、异恶唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪(benzopyridazine)、嘧啶、喹唑啉、1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-恶二唑、1,2,4-恶二唑、1,2,5-恶二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪(indolizine)和苯并噻二唑或上述基团的组合。
如贯穿本申请所使用的，术语环状基团可以在最广泛的意义上理解为任何单-、双-或多环部分。
如贯穿本申请所使用的，术语烷基基团可以在最广义上理解为任何直链、支链或环状的烷基取代基。特别是，术语烷基包括取代基甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(nPr)、异丙基(iPr)、环丙基、正丁基(nBu)、异丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、叔丁基(tBu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-二环[2,2,2]辛基、2-二环[2,2,2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-环己-1-基、1-(正丁基)-环己-1-基、1-(正己基)-环己-1-基、1-(正辛基)-环己-1-基和1-(正癸基)-环己-1-基。
如贯穿本申请所使用的，术语烯基包括直链、支链和环状烯基取代基。术语烯基基团示例性地包括取代基乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。
如贯穿本申请所使用的，术语炔基包括直链、支链和环状炔基取代基。术语炔基基团示例性地包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。
如贯穿本申请所使用的，术语烷氧基包括直链、支链和环状烷氧基取代基。术语烷氧基基团示例性地包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基。
如贯穿本申请所使用的，术语硫代烷氧基包括直链、支链和环状硫代烷氧基取代基，其中示例性烷氧基基团的O被S代替。
如贯穿本申请所使用的，术语“卤素”和“卤代”可以在最广义上理解为优选氟、氯、溴或碘。
无论何时在本文提及氢，在每次出现时其也可以被氘代替。
应该理解的是，当分子片段被描述为是取代基或另外连接到另一个部分时，其名称可以写成好像它是片段(例如萘基、二苯并呋喃基)或好像它是整个分子(例如萘、二苯并呋喃)。如本文所使用的，指定取代基或连接片段的这些不同方式被认为是等同的。
在一个实施方式中，根据本发明的有机分子在室温下在以重量计具有10％的有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中具有不大于150μs、不大于100μs、特别是不大于50μs、更优选不大于10μs或不大于7μs的激发态寿命。
在本发明的一个实施方式中，根据本发明的有机分子代表热激活延迟荧光(TADF)发射体，其表现ΔEST值，该值对应于小于5000cm-1、优选小于3000cm-1、更优选小于1500cm-1、甚至更优选小于1000cm-1或甚至小于500cm-1的在第一激发单重态(S1)和第一激发三重态(T1)之间的能量差。
在本发明的另一个实施方式中，根据本发明的有机分子在可见光或最近的紫外光范围内(即在380-800nm的波长范围内)具有发射峰，在室温下在以重量计具有10％的有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中具有小于0.50eV、优选小于0.48eV、更优选小于0.45eV、甚至更优选小于0.43eV或甚至小于0.40eV的半峰全宽。
在本发明的另一个实施方式中，根据本发明的有机分子具有超过150、特别是超过200、优选超过250、更优选超过300或甚至超过500的“蓝色材料指数”(BMI)(通过用以％表示的光致发光量子产率(PLQY)除以发射光的CIEy色坐标来计算)。
轨道和激发态能量可以通过实验方法来确定或通过采用量子化学方法的计算来确定，特别是密度泛函理论计算。最高占据分子轨道EHOMO的能量通过本领域技术人员已知的方法由循环伏安法测量确定，具有0.1eV的精确度。最低未占分子轨道ELUMO的能量计算为EHOMO+Egap，其中Egap如下测定：对于主体化合物，除非另有说明，在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中具有以重量计10％的主体的膜的发射光谱的开始用作Egap。对于发射体分子，Egap被确定为在PMMA交叉(cross)中以重量计具有10％的发射体的膜的激发和发射光谱的能量。
第一激发三重态T1的能量由低温(通常在77K)下的发射光谱的开始确定。对于主体化合物，在第一激发单重态和最低三重态在能量上分开>0.4eV之处，在2-Me-THF中在稳态光谱中磷光通常可见。三重态能量因此可以被确定为磷光光谱的开始。对于TADF发射体分子，第一激发三重态T1的能量由在77K的延迟发射光谱的开始确定，如果未另外说明，则在以重量计具有10％的发射体的PMMA膜中测量。对于主体化合物和发射体化合物二者来说，从发射光谱的开始确定第一激发单重态S1的能量，如果未另外说明，则在以重量计具有10％的主体或发射体化合物的PMMA膜中测量。通过计算发射光谱的切线与x轴的交点来确定发射光谱的开始。发射光谱的切线设置在发射带的高能侧(即发射带从高能量值到低能量值上升)，并且在发射光谱的最大强度的半最大值点处。
本发明的另一方面涉及制备根据本发明的有机分子(具有任选的后续反应)的方法，其中将4,6-R1-5-R2-2-氯/溴-3-(三氟甲基)苄腈用作反应物：
根据本发明，在用于合成E1的反应中，可以使用硼酸代替硼酸酯。
对于亲核芳族取代中的含氮杂环与芳基卤化物、优选芳基氟化物的反应，典型的条件包括使用碱，例如磷酸三钾或氢化钠，例如在非质子极性溶剂中，例如二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF)。
另一种合成路线包括通过铜-或钯-催化偶联芳基卤化物或芳基类卤化物(优选芳基溴化物、芳基碘化物、芳基三氟甲烷磺酸盐或芳基甲苯磺酸盐)引入氮杂环。
本发明的另一方面涉及根据本发明的有机分子作为光电子器件中的发光发射体或吸收体、和/或作为主体材料和/或作为电子传输材料、和/或作为空穴注入材料、和/或作为空穴阻挡材料的用途。
有机电致发光器件可以在最广义上理解为基于适用于在可见光或最近的紫外光(UV)范围内(即在380至800nm的波长范围内)发射光的有机材料的任何器件。更优选地，有机电致发光器件可以能够发射可见光范围内(即400至800nm)的光。
在这种用途的情况下，光电子器件更具体地选自由以下所组成的组：
·有机发光二极管(OLED)，
·发光电化学电池，
·OLED传感器，特别是在非气密地外部屏蔽的气体和蒸气传感器中，
·有机二极管，
·有机太阳能电池，
·有机晶体管，
·有机场效应晶体管，
·有机激光器，和
·下变频元件。
在这种用途的背景的优选实施方式中，有机电致发光器件是选自由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管所组成的组的器件。
在该用途的情况下，在光电子器件(更特别是在OLED中)的发射层中，根据本发明的有机分子的分数为以重量计1％至99％，更特别为以重量计5％至80％。在可选择的实施方式中，发射层中有机分子的比例为以重量计100％。
在一个实施方式中，发光层不仅包括根据本发明的有机分子，还包括主体材料，其三重态(T1)和单重态(S1)能级在能量上高于有机分子的三重态(T1)和单重态(S1)能级。
本发明的另一方面涉及包括以下物质或由以下物质组成的组合物：
(a)根据本发明的至少一种有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)不同于根据本发明的有机分子的一种或多种发射体和/或主体材料，和
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
在一个实施方式中，发光层包括组合物(或(基本上)由组合物组成)，该组合物包括以下物质或由以下物质组成：
(a)根据本发明的至少一种有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)不同于根据本发明的有机分子的一种或多种发射体和/或主体材料，和
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
特别优选地，发光层EML包括组合物(或(基本上)由组合物组成)，该组合物包括以下物质或由以下物质组成：
(i)以重量计1-50％，优选以重量计5-40％，特别是以重量计10-30％的根据本发明的一种或多种有机分子；
(ii)以重量计5-99％，优选以重量计30-94.9％，特别是以重量计40-89％的至少一种主体化合物H；和
(iii)任选地以重量计0-94％，优选以重量计0.1-65％，特别是以重量计1-50％的至少一种另外的主体化合物D，其结构不同于根据本发明的分子的结构；和
(iv)任选地以重量计0-94％，优选以重量计0-65％，特别是以重量计0-50％的溶剂；和
(v)任选地以重量计0-30％，特别是以重量计0-20％，优选以重量计0-5％的至少一种另外的发射体分子F，其结构不同于根据本发明的分子的结构。
优选地，能量可以从主体化合物H转移到根据本发明的一种或多种有机分子，特别是从主体化合物H的第一激发三重态T1(H)转移到根据本发明的一种或多种有机分子的第一激发三重态T1(E)和/或从主体化合物H的第一激发单重态S1(H)转移到根据本发明的一种或多种有机分子的第一激发单重态S1(E)。
在另一个实施方式中，发光层EML包括组合物(或(基本上)由组合物组成)，该组合物包括以下物质或由以下物质组成：
(i)以重量计1-50％，优选以重量计5-40％，特别是以重量计10-30％的根据本发明的一种有机分子；
(ii)以重量计5-99％，优选以重量计30-94.9％，特别是以重量计40-89％的一种主体化合物H；和
(iii)任选地以重量计0-94％，优选以重量计0.1-65％，特别是以重量计1-50％的至少一种另外的主体化合物D，其结构不同于根据本发明的分子的结构；和
(iv)任选地以重量计0-94％，优选以重量计0-65％，特别是以重量计0-50％的溶剂；和
(v)任选地以重量计0-30％，特别是以重量计0-20％，优选以重量计0-5％的至少一种另外的发射体分子F，其结构不同于根据本发明的分子的结构。
在一个实施方式中，主体化合物H具有最高占据分子轨道HOMO(H)，其具有()在-5至-6.5eV范围内的能量EHOMO(H)，并且至少一种另外的主体化合物D具有最高占据分子轨道HOMO(D)，其具有能量EHOMO(D)，其中EHOMO(H)>EHOMO(D)。
在另一个实施方式中，主体化合物H具有最低未占据分子轨道LUMO(H)，其具有能量ELUMO(H)，并且至少一种另外的主体化合物D具有最低未占据分子轨道LUMO(D)，其具有能量ELUMO(D)，其中ELUMO(H)>ELUMO(D)。
在一个实施方式中，主体化合物H具有最高占据分子轨道HOMO(H)(具有能量EHOMO(H))和最低未占据分子轨道LUMO(H)(具有能量ELUMO(H))，以及
该至少一种另外的主体化合物D具有最高占据分子轨道HOMO(D)(具有能量EHOMO(D))和最低未占据分子轨道LUMO(D)(具有能量ELUMO(D))，
根据本发明的有机分子具有最高占据分子轨道HOMO(E)(具有能量EHOMO(E))和最低未占据分子轨道LUMO(E)(具有能量ELUMO(E))，
其中，
EHOMO(E)>EHOMO(D)，并且根据本发明的有机分子的最高占据分子轨道HOMO(E)的能级(EHOMO(E))与主体化合物H的最高占据分子轨道HOMO(H)的能级(EHOMO(H))之间的差在-0.5eV与0.5eV之间，更优选在-0.3eV和0.3eV之间，甚至更优选在-0.2eV和0.2eV之间或甚至在-0.1eV和0.1之间；并且
ELUMO(H)>ELUMO(D)，并且根据本发明的有机分子的最低未占据分子轨道LUMO(E)的能级(ELUMO(E))与至少一种另外的主体化合物D的最低未占据分子轨道LUMO(D)的能级(ELUMO(D))之间的差在-0.5eV和0.5eV之间，更优选在-0.3eV和0.3eV之间，甚至更优选在-0.2eV和0.2eV之间，或者甚至在-0.1eV和0.1eV之间。
另一方面，本发明涉及包括有机分子或本文所述类型的组合物的光电子器件，更具体是以选自由以下所组成的组的器件的形式：有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池、OLED传感器(特别是在非气密地外部屏蔽的气体和蒸气传感器中)、有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机场效应晶体管、有机激光器和下变频元件。
在优选实施方式中，有机电致发光器件是选自由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管所组成的组的器件。
在本发明的光电子器件的一个实施方式中，根据本发明的有机分子被用作发光层EML中的发射材料。
在本发明的光电子器件的一个实施方式中，发光层EML由本文描述的根据本发明的组合物组成。
示例性地，当有机电致发光器件是OLED时，其可以呈现以下的层结构：
1.基板
2.阳极层A
3.空穴注入层，HIL
4.空穴传输层，HTL
5.电子阻挡层，EBL
6.发光层，EML
7.空穴阻挡层，HBL
8.电子传输层，ETL
9.电子注入层，EIL
10.阴极层，
其中OLED包括每个层，仅任选地不同的层可以合并，并且OLED可以包括多于一层的以上定义的各个层类型。
此外，有机电致发光器件可以任选地包括一个或多个保护层，以保护器件免受暴露于环境中的有害物质(示例性地包括湿气、蒸气和/或气体)的损害。
在本发明的一个实施方式中，有机电致发光器件是OLED，其呈现以下倒置的层结构：
1.基板
2.阴极层
3.电子注入层，EIL
4.电子传输层，ETL
5.空穴阻挡层，HBL
6.发光层，B
7.电子阻挡层，EBL
8.空穴传输层，HTL
9.空穴注入层，HIL
10.阳极层A
其中，具有倒置的层结构的OLED包括每个层，仅任选地不同的层可以合并，并且OLED可以包括多于一层的以上定义的各个层类型。
在本发明的一个实施方式中，有机电致发光器件是OLED，其可以呈现堆叠的结构。在这种结构中，与OLED被并排放置的典型布置相反，各个单元堆叠在彼此的顶部。采用呈现堆叠结构的OLED可以产生混合光，特别是可以通过堆叠蓝色、绿色和红色OLED来产生白光。此外，呈现堆叠结构的OLED可以任选地包括电荷产生层(CGL)，其通常位于两个OLED子单元之间，并且通常由n-掺杂的和p-掺杂的层组成，其中一个CGL的n-掺杂的层通常更靠近阳极层。
在本发明的一个实施方式中，有机电致发光器件是OLED，其包括在阳极和阴极之间的两个或更多个发射层。特别是，这种所谓的串联OLED包括三个发射层，其中一个发射层发射红光，一个发射层发射绿光并且一个发射层发射蓝光，并且任选地可以包括其他层，例如电荷产生层、在各个发射层之间的阻挡层或传输层。在另一个实施方式中，发射层相邻地堆叠。在另一个实施方式中，串联OLED包括在每两个发射层之间的电荷产生层。另外，相邻发射层或被电荷产生层分开的发射层可以合并。
基板可以由任何材料或材料组合形成。最经常地，玻璃载玻片被用作基底。或者，可以使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或塑料膜或载玻片。这可以允许更高程度的灵活性。阳极层A主要由允许获得(基本上)透明膜的材料组成。由于两个电极中的至少一个应当(基本上)透明以允许来自OLED的光发射，所以阳极层A或阴极层C是透明的。优选地，阳极层A包括大量的透明导电氧化物(TCO)或甚至由其()组成。这种阳极层A可以示例性地包括氧化铟锡、氧化铝锌、氟掺杂的氧化锡、氧化铟锌、PbO、SnO、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂的Si、掺杂的Ge、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯和/或掺杂的聚噻吩。
特别优选地，阳极层A(基本上)由氧化铟锡(ITO)(例如(InO3)0.9(SnO2)0.1)组成。由透明导电氧化物(TCO)引起的阳极层A的粗糙度可以通过使用空穴注入层(HIL)来补偿。此外，HIL可促进准载流子(即，空穴)的注入，因为促进了从TCO到空穴传输层(HTL)的准载流子的传输。空穴注入层(HIL)可以包括聚-3,4-乙二氧基噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、MoO2、V2O5、CuPC或CuI，特别是PEDOT和PSS的混合物。空穴注入层(HIL)还可以防止金属从阳极层A扩散到空穴传输层(HTL)中。HIL可以示例性地包括PEDOT:PSS(聚-3,4-乙二氧基噻吩:聚苯乙烯磺酸盐)、PEDOT(聚-3,4-乙二氧基噻吩)、mMTDATA(4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯基胺、Spiro-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、DNTPD(N1,N1'-(联苯基-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)、NPB(N,N'-nis-(1-萘基)-N,N'-双-苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-联苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]联苯胺)、MeO-TPD(N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六腈)和/或Spiro-NPD(N,N'-联苯基-N,N'-双-(1-萘基)-9,9'-螺二芴-2,7-二胺)。
邻近阳极层A或空穴注入层(HIL)通常设置空穴传输层(HTL)。在此，可以使用任何空穴传输化合物。示例性地，可以使用富电子杂芳族化合物，如三芳基胺和/或咔唑作为空穴传输化合物。HTL可以降低阳极层A和发光层EML之间的能量势垒。空穴传输层(HTL)也可以是电子阻挡层(EBL)。优选地，空穴传输化合物承受其三重态T1的相对较高的能级。示例性的空穴传输层(HTL)可以包括星形杂环，例如三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、聚-TPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、TAPC(4,4'-环亚己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](4,4′-cyclohexyliden-bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]))、2-TNATA(4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺)、Spiro-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN和/或TrisPcz(9,9'-联苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-联咔唑)。另外，HTL可以包括p-掺杂的层，其可以由有机空穴传输基质中的无机或有机掺杂剂组成。过渡金属氧化物例如氧化钒、氧化钼或氧化钨可以示例性地被用作无机掺杂剂。四氟四氰基醌二甲烷(Tetrafluorotetracyanoquinodimethane)(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属络合物可以示例性地被用作有机掺杂剂。
EBL可以示例性地包括mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯基)、tris-Pcz、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和/或DCB(N,N'-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。
通常，与空穴传输层(HTL)相邻，设置发光层EML。发光层EML包括至少一种发光分子。特别是，EML包括根据本发明的至少一种发光分子。在一个实施方式中，发光层仅包括根据本发明的有机分子。通常地，EML另外包括一种或多种主体材料。示例性地，主体材料选自CBP(4,4'-双-(N-咔唑基)-联苯基)、mCP、mCBP Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、CzSi、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)二苯基硅烷)、DPEPO(双[2-](二苯基膦基)苯基]醚氧化物)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)和/或TST(2,4,6-三(9,9'-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)。通常应选择主体材料以展现第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级，其在能量上高于有机分子的第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级。
在本发明的一个实施方式中，EML包括具有至少一种空穴主导主体和一种电子主导主体的所谓的混合主体***。在具体的实施方式中，EML恰好包括根据本发明的一种发光分子和包括T2T作为电子主导主体的混合主体***，以及主体选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑作为空穴主导主体。在另一个实施方式中，EML包括以重量计50-80％，以重量计优选60-75％的主体，该主体选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑；以重量计10-45％，优选以重量计15-30％的T2T和以重量计5-40％，优选以重量计10-30％的根据本发明的发光分子。
邻近发光层EML可以设置电子传输层(ETL)。在此，可以使用任何电子传输体。示例性地，可以使用缺电子的化合物，例如苯并咪唑、吡啶、***、恶二唑(例如1,3,4-恶二唑)、氧化膦和砜。电子传输体也可以是星形杂环，例如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)。ETL可以包括NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(联苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、BPyTP2(2,7-二(2,2'-联吡啶-5-基)三苯基)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)，Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)联苯基硅烷)、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)和/或BTB(4,4'-双-[2-(4,6-联苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1'-联苯基)。任选地，ETL可以掺杂有诸如Liq的材料。电子传输层(ETL)也可以阻挡空穴，或引入空穴阻挡层(HBL)。
HBL可以示例性地包括BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉＝浴铜灵(Bathocuproine))、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(联苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、T2T(2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9'-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑)-9-基)苯)。
邻近电子传输层(ETL)可以设置阴极层C。示例性地，阴极层C可以包括金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、LiF、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金，或者由其组成。出于实践的原因，阴极层也可以(基本上)由不透明的金属如Mg、Ca或Al组成。备选地或另外地，阴极层C还可以包括石墨和/或碳纳米管(CNT)。或者，阴极层C也可以由纳米银线(nanoscalic silver wires)组成。
OLED还可以任选地在电子传输层(ETL)和阴极层C之间包括保护层(其可以被称为电子注入层(EIL))。该层可以包括氟化锂、氟化铯、银、Liq(8-羟基喹啉醇锂(8-hydroxyquinolinolatolithium))、Li2O、BaF2、MgO和/或NaF。
任选地，电子传输层(ETL)和/或空穴阻挡层(HBL)也可以包括一种或多种主体化合物。
为了进一步改进发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱，发光层EML还可以包括一种或多种另外的发射体分子F。这种发射体分子F可以是本领域中已知的任何发射体分子。优选地，这种发射体分子F是具有与根据本发明的分子的结构不同的结构的分子。发射体分子F可以任选地是TADF发射体。或者，发射体分子F可以任选地是能够改变发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱的荧光和/或磷光发射体分子。示例性地，可以通过发射与发射体分子E发射的光相比通常红移的光，在松弛到基态S0之前将三重态和/或单重态激子从根据本发明的发射体分子转移到发射体分子F。任选地，发射体分子F也可以引起双光子效应(即，吸收最大值的一半能量的两个光子的吸收)。
任选地，有机电致发光器件(例如OLED)可以示例性地为基本上白色的有机电致发光器件。示例性地，这种白色有机电致发光器件可以包括至少一种(深)蓝色发射体分子和发射绿光和/或红光的一种或多种发射体分子。然后，还可以任选地在如上所述的两个或更多个分子之间存在能量透射率。
如本文所使用的，如果在特定的背景中没有更具体地定义，如下指定发射的和/或吸收的光的颜色：
紫色：波长范围为>380-420nm；
深蓝色：波长范围为>420-480nm；
天蓝色：波长范围为>480-500nm；
绿色：波长范围为>500-560nm；
黄色：波长范围为>560-580nm；
橙色：波长范围为>580-620nm；
红色：波长范围为>620-800nm。
关于发射体分子，这种颜色是指发射最大值。因此，示例性地，深蓝色发射体在>420nm至480nm的范围内具有发射最大值，天蓝色发射体在>480nm至500nm的范围内具有发射最大值，绿色发射体在>500nm至560nm的范围内具有发射最大值，红色发射体在>620nm至800nm的范围内具有发射最大值。
深蓝色发射体可以优选具有低于480nm，更优选低于470nm，甚至更优选低于465nm或甚至低于460nm的发射最大值。其通常将高于420nm，优选高于430nm，更优选高于440nm或甚至高于450nm。
因此，本发明的另一方面涉及OLED，其在1000cd/m2表现出大于8％，更优选大于10％，更优选大于13％，甚至更优选大于15％或甚至大于20％的外部量子效率；和/或在420nm与500nm之间，优选在430nm与490nm之间，更优选在440nm与480nm之间，甚至更优选在450nm与470nm之间呈现发射最大值；和/或在500cd/m2表现出大于100h，优选大于200h，更优选大于400h，甚至更优选大于750h或甚至大于1000h的LT80值。因此，本发明的另一方面涉及一种OLED，其发射呈现小于0.45，优选小于0.30，更优选小于0.20或甚至更优选小于0.15或甚至小于0.10的CIEy色坐标。
本发明的另一方面涉及一种在不同色点发光的OLED。根据本发明，OLED发射具有窄发射带(小的半峰全宽(FWHM))的光。在一个方面，根据本发明的OLED发射具有小于0.50eV，优选小于0.48eV，更优选小于0.45eV，甚至更优选小于0.43eV或甚至小于0.40eV的主发射峰的FWHM的光。
本发明的另一方面涉及OLED，其发射具有CIEx和CIEy色坐标的光，该色坐标接近如ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的原色蓝色(CIEx＝0.131和CIEy＝0.046)的CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)色坐标，因此适用于超高清晰度(UHD)显示器，例如UHD-电视。在商业应用中，通常使用顶部发射(顶部电极是透明的)器件，而在整个本申请中使用的测试器件代表底部发射器件(底部电极和基板是透明的)。当从底部发射器件改变为顶部发射器件时，蓝色器件的CIEy色坐标可以降低高达2倍，而CIEx几乎保持不变(Okinaka等人，(2015),22.1:Invited Paper:New Fluorescent Blue Host Materialsfor Achieving Low Voltage in OLEDs,SID Symposium Digest of Technical Papers,46；doi:10.1002/sdtp.10480)。因此，本发明的另一方面涉及OLED，其发射呈现在0.02和0.30之间，优选在0.03和0.25之间，更优选在0.05和0.20之间，或甚至更优选在0.08和0.18之间，或甚至在0.10和0.15之间的CIEx色坐标，和/或在0.00和0.45之间，优选在0.01和0.30之间，更优选在0.02和0.20之间，甚至更优选在0.03和0.15之间或者甚至在0.04和0.10之间的CIEy色坐标。
另一方面，本发明涉及一种用于生产光电子部件的方法。在这种情况下，使用本发明的有机分子。
有机电致发光器件，特别是根据本发明的OLED可以通过气相沉积和/或液体处理的任何方式来制造。因此，至少一层
-通过升华过程制备，
-通过有机气相沉积过程制备，
-通过载气升华过程制备，
-是加工的或者印刷的溶液。
用于制造有机电致发光器件，特别是根据本发明的OLED的方法是本领域已知的。通过随后的沉积工艺将不同的层单独且连续地沉积在合适的基板上。可以使用相同或不同的沉积方法沉积各个层。
气相沉积工艺示例性地包括热(共)蒸发、化学气相沉积和物理气相沉积。对于有源矩阵OLED显示器，使用AMOLED背板作为基板。单独的层可以从使用适当溶剂的溶液或分散加工。溶液沉积工艺示例性地包括旋涂、浸涂和喷印。液体加工可以任选地在惰性气氛中(例如在氮气氛中)进行，并且溶剂可以任选地通过本领域已知的方式完全地或部分地去除。
实施例
一般合成方案I
合成AAV1的一般过程：
2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2(1.00当量)，4-氰基/(三氟甲基)-3,5-二氟-硼酸频哪醇酯(1.10当量)，Pd2(dba)3(0.01当量)，2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯基(SPhos)(0.04当量)和磷酸三钾(2.50当量)在110℃在甲苯/水混合物(比例为10:1，2mL甲苯/mmol芳基溴)中在氮气氛中搅拌直至完成(通常2-4小时)。随后将反应混合物过滤，并将残留物用二氯甲烷洗涤。滤液中加入盐水并分离各相。随后，将有机相用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。通过从适当的溶剂(乙醇、甲苯、正己烷)重结晶或通过快速色谱来纯化所得的粗产物。以固体形式获得该产品。
可以使用相应的硼酸代替硼酸酯。
合成AAV2的一般过程：
Z2的合成根据AAV1进行，其中2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2与3-氰基/(三氟甲基)-2,4-二氟-硼酸频哪醇酯反应。
合成AAV3的一般过程：
Z3的合成根据AAV1进行，其中2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2与4-氰基/(三氟甲基)-2,6-二氟-硼酸频哪醇酯反应。
合成AAV4的一般过程：
Z4的合成根据AAV1进行，其中2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2与4-氰基/(三氟甲基)-2,5-二氟-硼酸频哪醇酯反应。
合成AAV5的一般过程：
Z5的合成根据AAV1进行，其中2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2与2-氰基/(三氟甲基)-4,5-二氟-硼酸频哪醇酯反应。
合成AAV6的一般过程：
Z6的合成根据AAV1进行，其中2-氯-3-(三氟甲基)苄腈E2与3-氰基/(三氟甲基)-4,5-二氟-硼酸频哪醇酯反应。
合成AAV7的一般过程：
将Z1、Z2、Z3、Z4、Z5或Z6(各1当量)，相应的供体分子D-H(2.00当量)和磷酸三钾(4.00当量)在氮气氛中悬浮于DMSO中，并在120℃搅拌(16h)。随后将反应混合物倒入饱和氯化钠溶液中并用二氯甲烷萃取三次。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤两次，用MgSO4干燥并除去溶剂。通过从甲苯中重结晶或通过快速色谱来纯化粗产物。以固体形式获得该产品。
特别地，供体分子D-H是3,6-取代的咔唑(例如3,6-二甲基咔唑，3,6-二苯基咔唑，3,6-二叔丁基咔唑)，2,7-取代的咔唑(例如2,7-二甲基咔唑，2,7-二苯基咔唑，2,7-二叔丁基咔唑)，1,8-取代的咔唑(例如1,8-二甲基咔唑，1,8-二苯基咔唑，1,8-二叔丁基咔唑)，1-取代的咔唑(例如1-甲基咔唑，1-苯基咔唑，1-叔丁基咔唑)，2-取代的咔唑(例如2-甲基咔唑，2-苯基咔唑，2-叔丁基咔唑)或3-取代的咔唑(例如3-甲基咔唑，3-苯基咔唑，3-叔丁基咔唑)。
示例性的卤素取代的咔唑，特别是3-溴咔唑可被用作D-H。
在随后的反应中，可以在通过D-H引入的一个或多个卤素取代基的位置处示例性地引入硼酸酯官能团或硼酸官能团，以产生相应的咔唑-3-基硼酸酯或咔唑-3-基硼酸，例如通过与双(频哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)(CAS号73183-34-3)的反应。随后，可以通过与相应的卤化反应物Ra-Hal，优选Ra-Cl和Ra-Br的偶联反应，引入一个或多个取代基Ra来代替硼酸酯基团或硼酸基团。
或者，经由与取代基Ra[Ra-B(OH)2]的硼酸或相应的硼酸酯的反应，将一个或多个取代基Ra在一个或多个卤素取代基的位置引入(其经由D-H引入)。
HPLC-MS：
通过具有MS-检测器(Thermo LTQ XL)的Agilent(1100系列)在HPLC上进行HPLC-MS色谱分析。在HPLC中使用来自Waters的4.6mm×150mm，粒径5.0μm的反相柱(不含前置柱)。在室温(rt)下用以下列浓度的溶剂乙腈、水和THF进行HPLC-MS测量：
溶剂A: H<sub>2</sub>O(90％) MeCN(10％)
溶剂B: H<sub>2</sub>O(10％) MeCN(90％)
溶剂C: THF(50％) MeCN(50％)
从浓度为0.5mg/ml的溶液中，取15μL进样量进行测量。使用以下梯度：
探针的离子化通过APCI(大气压化学电离)进行。
循环伏安法
从有机分子在二氯甲烷或合适的溶剂以及合适的支持电解质(例如0.1mol/l四丁基六氟磷酸铵)中浓度为10-3mol/l的溶液测量循环伏安曲线。利用三电极组件(工作电极和反电极：铂丝，参比电极：铂丝)在氮气氛下在室温进行测量，并使用FeCp2/FeCp2 +作为内部标准进行校准。相对于SCE使用二茂铁作为内部标准校正HOMO数据。
密度泛函理论计算
使用BP86泛函和同一性解析法(RI)来优化分子结构。使用采用时间相关DFT(TD-DFT)方法(BP86)优化的结构来计算激发能量。轨道和激发态能量用B3LYP泛函计算。使用Def2-SVP基本集合和用于数值积分的m4-网格。Turbomole程序包用于所有计算。
光物理测量
样品预处理：旋涂
仪器：Spin150，SPS euro。
样品浓度为10mg/ml，溶于合适的溶剂中。
程序：1)在400U/min下3s；以1000Upm/s在1000U/min下20s。3)以1000Upm/s在4000U/min下10s。涂布后，将膜在70℃干燥1分钟。
光致发光光谱和TCSPC(时间相关单光子计数)
稳态发射光谱由配备有150W氙弧灯、激发和发射单色器和Hamamatsu R928光电倍增器的Horiba Scientific，Modell FluoroMax-4和时间相关单光子计数选项进行测量。使用标准校正拟合校正发射和激发光谱。
使用具有FM-2013设备的FMSPC方法和Horiba Yvon TCSPC中心采用相同的***来确定激发态寿命。
激发源：
NanoLED 370(波长：371nm，脉冲持续时间：1.1ns)
NanoLED 290(波长：294nm，脉冲持续时间：&lt;1ns)
SpectraLED 310(波长：314nm)
SpectraLED 355(波长：355nm)。
使用软件套件DataStation和DAS6分析软件完成数据分析(指数拟合)。该拟合使用卡方检验来指定。
光致发光量子产率测量
对于光致发光量子产率(PLQY)测量，使用绝对PL量子产率测量C9920-03G***(Hamamatsu Photonics)。使用软件U6039-05版本3.6.0来确定量子产率和CIE坐标。
发射最大值以nm表示，量子产率Φ以％表示，CIE坐标表示为x，y值。
使用以下协议来确定PLQY：
1)质量保证：乙醇中的蒽(已知浓度)用作参考；
2)激发波长：确定有机分子的吸收最大值并使用该波长激发分子；
3)测定。
在氮气氛下测量溶液或薄膜样品的量子产率。产率使用以下公式计算：
其中n光子表示光子计数和Int.表示强度。
有机电致发光器件的生产和表征
包括根据本发明的有机分子的OLED器件可以通过真空沉积方法来生产。如果层含有多于一种的化合物，则一种或多种化合物的重量百分比以％表示。总重量百分比值达到100％，因此如果未给出值，则该化合物的分数等于给定值与100％之间的差值。
未完全优化的OLED使用标准方法以及测量电致发光光谱、依赖于强度的外部量子效率(以％计)进行表征，使用光电二极管检测到的光以及电流进行计算。从以恒定电流密度运行时亮度的变化提取OLED器件寿命。LT50值对应于测量的亮度降低到初始亮度的50％的时间，类似地，LT80对应于测量的亮度降低到初始亮度的80％的时间点，LT95对应于测量的亮度降低到初始亮度的95％的时间点，等等。
进行加速寿命测量(例如，施加提高的电流密度)。使用以下公式确定在500cd/m2下示例性LT80值：
其中L0表示在施加的电流密度下的初始亮度。
这些值对应于几个像素(通常为2到8个)的平均值，给出这些像素之间的标准偏差。附图示出了一个OLED像素的数据系列。
实施例1
根据AAV1(81％收率)和AAV7(43％收率)合成实施例1。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：826.48(11.17min)。
图1描述了实施例1的发射光谱(在PMMA中以重量计10％)。发射最大值在462nm。光致发光量子产率(PLQY)为82％，半峰全宽为0.46eV，发射寿命为6.8μs。确定得到的CIEx坐标在0.16，CIEy坐标在0.20。
实施例2
根据AAV1(81％收率)和AAV7(91％收率)合成实施例2。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：906.48(10.15min)。
图2描述了实施例2的发射光谱(在PMMA中以重量计10％)。发射最大值在475nm。光致发光量子产率(PLQY)为81％，半峰全宽为0.46eV，发射寿命为14.8μs。确定得到的CIEx坐标在0.18，CIEy坐标在0.27。
实施例3
根据AAV1(81％收率)和AAV7(87％收率)合成实施例3。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：866.47(10.72min)。
图3描绘了实施例3的发射光谱(在PMMA中以重量计10％)。发射最大值在469nm。光致发光量子产率(PLQY)为81％，半峰全宽为0.46eV，发射寿命为14.8μs。确定得到的CIEx坐标在0.18，CIEy坐标在0.27。
器件D1
在具有以下层结构的OLED器件D1中测试实施例1：
对于D1，确定在1000cd/m2下7.4％的外部量子效率(EQE)。在10V，发射最大值在475nm，FWHM为71nm。相应的CIEx值为0.16，CIEy为0.25。
器件D2
在具有以下层结构的OLED器件D2中测试实施例3：
对于D2，确定在1000cd/m2下5.5％的外部量子效率(EQE)。在10V，发射最大值在476nm，FWHM为70nm。相应的CIEx值为0.17，CIEy为0.27。
本发明有机分子的其他实施例
附图
图1在PMMA中实施例1(以重量计10％)的发射光谱。
图2在PMMA中实施例2(以重量计10％)的发射光谱。
图3在PMMA中实施例3(以重量计10％)的发射光谱。

Claims (14)

1.一种有机分子，其包括
-包括式I的结构的第一化学部分，
和
-两个第二化学部分，各自独立于另一个地包括式II的结构，
其中所述第一化学部分通过单键与所述两个第二化学部分中的每一个连接；
其中，
T是将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者是氢；
V是将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者是氢；
W是将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组；
X是将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组；
Y是将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点，或者选自由氢、CN和CF3所组成的组；
#表示将所述第一化学部分连接至所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点；
Z在每次出现时独立于另一个地选自由直接键、CR3R4、C＝CR3R4、C＝O、C＝NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2所组成的组；
R1，R2在每次出现时独立于另一个地彼此独立地选自由以下组成的组：
氢，
氘，
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8烯基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
C2-C8炔基，
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；和
C6-C18芳基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代；
Ra，R3和R4在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，
氘，
N(R5)2，
OR5，
Si(R5)3，
B(OR5)2，
OSO2R5，
CF3，
CN，
F，
Br，
I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；
R5在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：氢，氘，N(R6)2，OR6，Si(R6)3，B(OR6)2，OSO2R6，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40-烷基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6，C≡C，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，P(＝O)(R6)，SO，SO2，NR6，O，S或CONR6取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6，C≡C，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，P(＝O)(R6)，SO，SO2，NR6，O，S或CONR6取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6，C≡C，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，P(＝O)(R6)，SO，SO2，NR6，O，S或CONR6取代；
C2-C40-烯基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6，C≡C，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，P(＝O)(R6)，SO，SO2，NR6，O，S或CONR6取代；
C2-C40-炔基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R6C＝CR6，C≡C，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，P(＝O)(R6)，SO，SO2，NR6，O，S或CONR6取代；
C6-C60-芳基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选地用一个或多个取代基R6取代；
R6在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氢，氘，OPh，CF3，CN，F，
C1-C5烷基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C1-C5烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C1-C5硫代烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C2-C5烯基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C2-C5炔基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；
C6-C18芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5烷基取代基取代；
C3-C17杂芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5烷基取代基取代；
N(C6-C18-芳基)2；
N(C3-C17-杂芳基)2；
和N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)；
其中所述取代基Ra、R3、R4或R5彼此独立地任选地与一个或多个取代基Ra、R3、R4或R5形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠环体系；
其中选自由W、X和Y所组成的组的恰好一个取代基是CN或CF3，以及选自由T、V、W、X和Y所组成的组的恰好两个取代基代表连接所述第一化学部分和所述两个第二化学部分中的一个的单键的结合位点。
2.根据权利要求1所述的有机分子，其中R1和R2在每次出现时独立于另一个地选自由H、甲基和苯基所组成的组。
3.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中W是CN。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的有机分子，其中所述两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIa的结构：
其中#和Ra如权利要求1中所定义。
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的有机分子，其中所述两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIb的结构：
其中，
Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氘，N(R5)2，OR5，Si(R5)3，B(OR5)2，OSO2R5，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40烷氧基，
其选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地被一个或多个取代基R5取代；
并且其中除此之外，权利要求1中的定义适用。
6.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的有机分子，其中所述两个第二化学部分在每次出现时各自独立于另一个地包括式IIc的结构：
其中，
Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
氘，N(R5)2，OR5，Si(R5)3，B(OR5)2，OSO2R5，CF3，CN，F，Br，I，
C1-C40烷基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40烯基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C2-C40炔基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代，以及
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选地被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代；
C6-C60芳基，
其任选地用一个或多个取代基R5取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选地被一个或多个取代基R5取代；
并且其中除此之外，权利要求1中的定义适用。
7.根据权利要求5或6所述的有机分子，其中Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下所组成的组：
-Me，iPr，tBu，CN，CF3，
-Ph，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；
-吡啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；
-嘧啶基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；
-咔唑基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；
-三嗪基，其任选地用彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph所组成的组的一个或多个取代基取代；
和
-N(Ph)2。
8.用于制备根据权利要求1至7所述的有机分子的方法，其中使用4,6-R1-5-R2-取代的2-氯-3-(三氟甲基)苄腈作为反应物，该反应物优选与二氟取代的氰基/(三氟甲基)-苯基硼酸酯或二氟取代的氰基/(三氟甲基)-苯基硼酸反应。
9.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的分子在光电子器件中作为发光发射体和/或作为主体材料和/或作为电子传输材料和/或作为空穴注入材料和/或作为空穴阻挡材料的用途。
10.根据权利要求9所述的用途，其中所述光电子器件选自由以下所组成的组：
·有机发光二极管(OLEDS)，
·发光电化学电池，
·OLED传感器，特别是在非气密屏蔽的气体和蒸气传感器中，
·有机二极管，
·有机太阳能电池，
·有机晶体管，
·有机场效应晶体管，
·有机激光器，和
·下变频元件。
11.一种组合物，其包括：
(a)至少一种根据权利要求1至7中的一项或多项所述的有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)一种或多种发射体和/或主体材料，其不同于权利要求1至7中的一项或多项所述的有机分子，和
(c)任选地，一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
12.一种光电子器件，其包括根据权利要求1至7中的一项或多项所述的有机分子或根据权利要求11所述的组合物，特别是以选自由以下所组成的组的器件的形式：有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池、OLED传感器、有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机场效应晶体管、有机激光器和下变频元件。
13.根据权利要求12所述的光电子器件，包括：
-基板，
-阳极，和
-阴极，其中所述阳极或所述阴极设置在所述基板上，和
-至少一个发光层，其布置在所述阳极和所述阴极之间，并且所述发光层包括根据权利要求1至7所述的有机分子或根据权利要求11所述的组合物。
14.一种用于生产光电子器件的方法，其中使用根据权利要求1至7中的一项所述的有机分子或根据权利要求11所述的组合物，特别地包括通过真空蒸发方法或从溶液处理所述有机化合物。
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