CN109116686A - 一种dmd多区域激光投影***及曝光方法 - Google Patents

一种dmd多区域激光投影***及曝光方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种DMD多区域激光投影***及曝光方法,包括DMD控制***、光学***、掩膜板、分图***及运动控制***,本发明在单个DMD上显示多个曝光图形,配合光学***,把多个曝光图形映射到掩膜板的不同曝光区域进行曝光,整个***可以使用单个DMD或多个DMD同时曝光,按此发明的方法曝光可以快速提高曝光整体时间,同时又节约DMD的物料成本。

Description

一种DMD多区域激光投影***及曝光方法
技术领域:
本发明属于激光直接成像技术领域,具体为一种DMD多区域激光投影***及曝光方法。
背景技术:
激光直接成像技术是用激光扫描的方法直接将图像在掩膜板上成像,用于pcb工艺及丝网印刷中的曝光工序,曝光后,图像留在掩膜板上,结合后续的工序,完成pcb或丝网制作。该技术核心成像部分由分图***,DMD(数字微镜元件)控制***、光学投影***组成及运动平台控制***组成。
目前国内该技术第一步是通过分图***,把需要曝光的原始大图像分成M个小图形,然后把分图数据交由DMD控制***,使小图像在DMD微镜阵列上显示,第二步是光学***通过激光照射,镜片反射,涨缩等物理方法,把DMD微镜上图像转移到掩膜板上完成单次曝光,第三步通过运动平台控制***按一定扫描速率,依次改变图像落在掩膜板的曝光位置,可以实现掩膜板的全部曝光。但由于DMD面积较小,掩膜板尺寸较大,完整曝光一块掩膜板扫描很多次,曝光时间长,同时扫描曝光过程中还需要考虑掩膜板材料感光等因素,DMD微镜阵列也不会完全使用,并且DMD价格昂贵,DMD利用率低。目前国内公司,大多采用多个DMD同时曝光,这样曝光一块掩膜板,平台控制***运行次数会成倍减少,但是DMD成本会增加,如何即快速又经济的曝光成为激光直接成像领域的一大难题。
发明内容:
针对上述问题,本发明要解决的技术问题是提供一种DMD多区域激光投影***及曝光方法。
本发明的一种DMD多区域激光投影***,包括DMD控制***、光学***、掩膜板、分图***及运动控制***,所述DMD控制***包括CPU控制单元和DMD控制电路,所述光学***包括激光器和光学镜片模块,所述掩膜板包括化学膜和基板,所述运动控制***由DMD台面、掩膜板台面、电机、导轨、运动平台控制器组成,所述分图***、DMD控制***、光学***及掩膜板依次连接,所述分图***控制运动平台控制器运动,所述DMD控制***固定在DMD台面,所述掩膜板固定在掩膜板台面。
本发明的一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,包括以下步骤:
(1)DMD多区域激光投影***中根据掩膜板尺寸设置R个DMD控制***,R≥1;
(2)分图***根据曝光图像原始图形大小、掩膜板物理大小及DMD控制***的物理参数,把原始图形在X方向分成N个区,在Y方向把每个区分成M组,每个区的第1组数据组合起来,组成第1组分图数据,之后依次是第2组数据组成第2组分图数据,一直到第M组分图数据,分图***把分图数据从第1-M组依次发送到DMD控制***;
(3)DMD控制***的CPU控制单元接收到分图数据后,经过数据转换把数据发送到DMD控制电路,DMD控制电路控制DMD显示***时序,使DMD微镜阵列同时显示出多个图像区域,把DMD微镜阵列在二维XY平面展示,在Y方向依次显示图像1区图像,图像2区图像,一直到图像N区图像;
(4)光学***的激光器投射激光到DMD微镜阵列的多个图像区域上面,DMD微镜阵列反射多个图像区域的激光图形到光学***的镜片模块,光学***的镜片模块把多个图像区域图像分别映射到掩膜板的不同区域,图像1-N分别被映射到掩膜板的X方向不同区域;
(5)运动控制***控制掩膜板与映射到掩膜板上的图像在产生相对运动,把一个图像区域从掩膜板的Y方向一侧运动到另一侧,一次扫描可以完成从图像1-N及R*N个条带的曝光。
具体地,所述光学***由激光器和光学镜片模块组成,激光器产生特定能量大小的激光投射到DMD像素阵列上去,光学镜片模块包含不同方向的镜片,使DMD像素阵列的光经过反射最终到掩膜板上。
具体地,所述掩膜板是由化学膜及基板组成,化学膜均匀地附着在基板表面,当接收到光学***投射下来的光线时,化学膜感光后自身或与基板表面材料发生化学反应,从而形成曝光后图像。
具体地,所述分图***首先接收曝光现场的TIFF/Gerber等类型的曝光原始文件,之后把原始文件转换成***需要的图形数据文件,最终按时序发送给DMD控制***的CPU控制单元,同时控制运动控制***的运动平台控制器运动。
本发明的有益效果:本发明的一种DMD多区域激光投影***及曝光方法在单个DMD上同时显示多个曝光图形,配合光学***,把多个曝光图形映射到掩膜板的不同曝光区域同时进行曝光,整个***可以使用单个DMD或多个DMD同时曝光,按此发明的方法曝光可以快速提高曝光整体时间,同时又节约DMD的物料成本。本发明的DMD多区域激光投影***根据掩膜板尺寸设置R个DMD控制***,R≥1,每个DMD控制***单次扫描可同时控制1个或多个曝光区域进行曝光,实现DMD微镜阵列Y方向N个区域图形转换到掩膜板X方向N个区域,N>1,有效扩展了成像面积,目前一套成像***可实现原来N套成像***曝光功能。
附图说明:
为了易于说明,本发明由下述的具体实施例及附图作以详细描述。
图1为本发明的整体结构示意图;
图2-4为本发明的工作原理示意图。
图中:1-DMD控制***;2-光学***;3-掩膜板;4-分图***;5-运动控制***。
具体实施方式:
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图中示出的具体实施例来描述本发明。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本发明的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本发明的概念。
如图1-4所示,本发明的一种DMD多区域激光投影***及曝光方法,包括DMD控制***1、光学***2、掩膜板3、分图***4及运动控制***5,DMD控制***1由负责数据处理的CPU控制单元及DMD控制电路组成,CPU控制单元获取DMD控制***1的图像数据,经过数据转换,把图像数据发送到DMD控制电路,DMD控制电路负责把图像显示到DMD像素阵列上去。光学***2主要由激光器,光学镜片模块组成,激光器负责产生特定能量大小的激光,投射到DMD像素阵列上去,光学镜片模块包含不同方向的镜片,可以使DMD像素阵列的光经过反射,最终到掩膜板3上去。掩膜板3是由化学膜及基板组成,化学膜均匀地附着在基板表面,当接收到光学***2投射下来的光线时,化学膜感光后自身或与基板表面材料发生化学反应,从而形成曝光后图像。分图***4主要由软件完成,采用C/C++等方法编程,首先接收曝光现场的TIFF/Gerber等类型的曝光原始文件,之后把原始文件转换成***需要的图形数据文件,最终按时序发送给DMD控制***1的CPU控制单元部分,同时控制运动平台控制器运动。运动控制***5主要由DMD台面、掩膜板台面、电机、导轨和运动平台控制器组成,DMD控制***1被固定到DMD台面,掩膜板3被固定到掩膜板台面,曝光运动平台控制器5接收分图***4命令,可以在X,Y,Z三个方向控制DMD控制***1和掩膜板3的相对位移。
本发明的一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,包括以下步骤:
(1)DMD多区域激光投影***中根据掩膜板3尺寸设置R个DMD控制***1,R≥1;
(2)分图***4根据曝光图像原始图形大小,掩膜板4物理大小,及DMD控制***1的物理参数,把原始图形在X方向分成了N个区,如图2所示,分图***4按Y方向把每个区分成m组,每个区的第1组数据组合起来,组成第1组分图数据,之后依次是第2组数据组成第2组分图数据,一直到第M组分图数据,分图***4把分图数据从第1组到第M组依次发送到DMD控制***1。
(3)CPU控制单元接收到分图数据后,控制DMD控制***1时序,使DMD控制***1上显示出多个图像区域,如图3中所示的,把DMD控制***1在二维XY平面显示,在Y方向,DMD控制***1依次显示图像1区图像,图像2区图像,一直到图像N区图像。
(4)DMD像素阵列的多个图像区域的经过光学***2后,被映射到掩膜板3的不同区域。如图4所示,图像1到图像N分别被映射到掩膜板3的X方向不同区域。
(5)运动控制***5控制掩膜板3与映射到掩膜板3上的图像在产生相对运动,如图4所示,如果把一个图像区域从掩膜板3的Y方向一侧运动到另一侧称为扫描一个条带,单个DMD控制***1采用此方法,一次扫描可以完成从图像1到图像N即N个条带的曝光,相比未使用该方向的单个DMD控制***1,提高N倍的曝光效率,***中根据掩膜板3尺寸设置R个DMD控制***1,其中的曝光方式采用第1步到第5步描述进行,即可实现单次曝光R*N个条带,可大大缩短曝光时间。
本发明一种DMD多区域激光投影***及曝光方法,实现DMD微镜阵列Y方向N个区域图形转换到掩膜板X方向N个区域,N>1,有效扩展了成像面积,目前一套成像***可实现原来N套成像***曝光功能。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种DMD多区域激光投影***,其特征在于:包括DMD控制***、光学***、掩膜板、分图***及运动控制***,所述DMD控制***包括CPU控制单元和DMD控制电路,所述光学***包括激光器和光学镜片模块,所述掩膜板包括化学膜和基板,所述运动控制***由DMD台面、掩膜板台面、电机、导轨、运动平台控制器组成,所述分图***、DMD控制***、光学***及掩膜板依次连接,所述分图***控制运动平台控制器运动,所述DMD控制***固定在DMD台面,所述掩膜板固定在掩膜板台面。
2.一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,其特征在于:包括以下步骤:
DMD多区域激光投影***中根据掩膜板尺寸设置R个DMD控制***,R≥1;
分图***根据曝光图像原始图形大小、掩膜板物理大小及DMD控制***的物理参数,把原始图形在X方向分成N个区,在Y方向把每个区分成M组,每个区的第1组数据组合起来,组成第1组分图数据,之后依次是第2组数据组成第2组分图数据,一直到第M组分图数据,分图***把分图数据从第1-M组依次发送到DMD控制***;
DMD控制***的CPU控制单元接收到分图数据后,经过数据转换把数据发送到DMD控制电路,DMD控制电路控制DMD显示***时序,使DMD微镜阵列同时显示出多个图像区域,把DMD微镜阵列在二维XY平面展示,在Y方向依次显示图像1区图像,图像2区图像,一直到图像N区图像;
光学***的激光器投射激光到DMD微镜阵列的多个图像区域上面,DMD微镜阵列反射多个图像区域的激光图形到光学***的镜片模块,光学***的镜片模块把多个图像区域图像分别映射到掩膜板的不同区域,图像1-N分别被映射到掩膜板的X方向不同区域;
运动控制***控制掩膜板与映射到掩膜板上的图像在产生相对运动,把一个图像区域从掩膜板的Y方向一侧运动到另一侧,一次扫描可以完成从图像1-N及R*N个条带的曝光。
3.根据权利要求2所述的一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,其特征在于:所述光学***由激光器和光学镜片模块组成,激光器产生特定能量大小的激光投射到DMD像素阵列上去,光学镜片模块包含不同方向的镜片,使DMD像素阵列的光经过反射最终到掩膜板上。
4.根据权利要求2所述的一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,其特征在于:所述掩膜板是由化学膜及基板组成,化学膜均匀地附着在基板表面,当接收到光学***投射下来的光线时,化学膜感光后自身或与基板表面材料发生化学反应,从而形成曝光后图像。
5.根据权利要求2所述的一种DMD多区域激光投影***的曝光方法,其特征在于:所述分图***首先接收曝光现场的TIFF/Gerber等类型的曝光原始文件,之后把原始文件转换成***需要的图形数据文件,最终按时序发送给DMD控制***的CPU控制单元,同时控制运动控制***的运动平台控制器运动。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109960113A (zh) * 2019-05-07 2019-07-02 苏州源卓光电科技有限公司 光刻机的投图***及消除曝光过程中产生的拖影的方法
CN110456612A (zh) * 2019-07-02 2019-11-15 苏州源卓光电科技有限公司 一种高效率投影光刻成像***及曝光方法
CN110930316A (zh) * 2019-10-24 2020-03-27 中山新诺科技股份有限公司 灰度图像的处理曝光方法、装置、***和设备
CN111025858A (zh) * 2019-12-27 2020-04-17 合肥众群光电科技有限公司 一种实现超高速曝光的设备
CN114734717A (zh) * 2022-04-06 2022-07-12 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102207690A (zh) * 2011-05-20 2011-10-05 合肥芯硕半导体有限公司 一种多slm曝光和数据处理方法
JP2014168040A (ja) * 2013-01-30 2014-09-11 Hitachi High-Technologies Corp パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
CN106023069A (zh) * 2016-05-31 2016-10-12 西安嵌牛电子科技有限公司 一种基于视频流的多dmd曝光方法
CN107065441A (zh) * 2016-12-31 2017-08-18 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种激光直写数据处理***及处理方法
CN108073043A (zh) * 2016-11-07 2018-05-25 俞庆平 一种直写式丝网制版***的光均匀性补偿方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102207690A (zh) * 2011-05-20 2011-10-05 合肥芯硕半导体有限公司 一种多slm曝光和数据处理方法
JP2014168040A (ja) * 2013-01-30 2014-09-11 Hitachi High-Technologies Corp パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
CN106023069A (zh) * 2016-05-31 2016-10-12 西安嵌牛电子科技有限公司 一种基于视频流的多dmd曝光方法
CN108073043A (zh) * 2016-11-07 2018-05-25 俞庆平 一种直写式丝网制版***的光均匀性补偿方法
CN107065441A (zh) * 2016-12-31 2017-08-18 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种激光直写数据处理***及处理方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109960113A (zh) * 2019-05-07 2019-07-02 苏州源卓光电科技有限公司 光刻机的投图***及消除曝光过程中产生的拖影的方法
CN110456612A (zh) * 2019-07-02 2019-11-15 苏州源卓光电科技有限公司 一种高效率投影光刻成像***及曝光方法
CN110930316A (zh) * 2019-10-24 2020-03-27 中山新诺科技股份有限公司 灰度图像的处理曝光方法、装置、***和设备
CN110930316B (zh) * 2019-10-24 2023-09-05 中山新诺科技股份有限公司 灰度图像的处理曝光方法、装置、***和设备
CN111025858A (zh) * 2019-12-27 2020-04-17 合肥众群光电科技有限公司 一种实现超高速曝光的设备
CN114734717A (zh) * 2022-04-06 2022-07-12 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法

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