CN109092319A - 一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料及其制备方法和应用 - Google Patents
一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料及其制备方法和应用 Download PDFInfo
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- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 129
- 229910002588 FeOOH Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 82
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 15
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 claims description 15
- VVWRJUBEIPHGQF-MDZDMXLPSA-N propan-2-yl (ne)-n-propan-2-yloxycarbonyliminocarbamate Chemical compound CC(C)OC(=O)\N=N\C(=O)OC(C)C VVWRJUBEIPHGQF-MDZDMXLPSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 14
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 10
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 10
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 10
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 9
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PPNKDDZCLDMRHS-UHFFFAOYSA-N dinitrooxybismuthanyl nitrate Chemical class [Bi+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PPNKDDZCLDMRHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 5
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 125000001967 indiganyl group Chemical group [H][In]([H])[*] 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 4
- 229910003091 WCl6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- FSJSYDFBTIVUFD-XHTSQIMGSA-N (e)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C/C(C)=O.C\C(O)=C/C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-XHTSQIMGSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N 0.000 description 1
- ZDQWESQEGGJUCH-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl adipate Chemical compound CC(C)OC(=O)CCCCC(=O)OC(C)C ZDQWESQEGGJUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/84—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/85—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/888—Tungsten
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/60—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/0009—Use of binding agents; Moulding; Pressing; Powdering; Granulating; Addition of materials ameliorating the mechanical properties of the product catalyst
- B01J37/0018—Addition of a binding agent or of material, later completely removed among others as result of heat treatment, leaching or washing,(e.g. forming of pores; protective layer, desintegrating by heat)
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/02—Hydrogen or oxygen
- C25B1/04—Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
- C25B11/091—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of at least one catalytic element and at least one catalytic compound; consisting of two or more catalytic elements or catalytic compounds
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2523/00—Constitutive chemical elements of heterogeneous catalysts
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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Abstract
本发明涉及WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料及其制备方法和在光电催化中的应用，属于光电催化领域。一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，主要表现形式为单斜相WO3、单斜BiVO4和非晶态FeOOH。WO3在底层，BiVO4覆盖在WO3上，FeOOH包裹在最外层，其中，BiVO4的质量为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料总质量85‑95％。本发明WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料利用WO3/多孔BiVO4构建高效异质结，FeOOH作为助催化剂，多方面提高光电催化性能，可有效地应用在光电催化中，具有高效性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料及其制备方法和在光电催化中的应用，属于光电催化领域。
背景技术
日益增长的社会需求对电力和能源带来了诸多挑战，比如提高能源效率，开发新能源以及对环境的保护。氢能因其清洁、可再生、资源广泛，并且具有很高的能量密度被认为是理想的能源载体。而半导体材料可通过光电化学(PEC)分解水能将太阳能转化为化学能，引起了广泛的关注。
BiVO4具有较窄的禁带宽度(～2.4eV)，适宜的能带结构，优异的稳定性以及低廉的成本，在光催化降解有机污染物，光催化分解水，光电催化、光致发光等方面都有潜在的应用。然而，影响BiVO4光电阳极转化效率的主要因素是有限的光吸收能力、电荷分离效率和表面电荷转移能力，这些极大的限制了它在光电催化方面的应用。研究表明，通过构建异质结可以有效地提高电荷分离效率，同时，在表面添加助催化剂可以大大提升表面电荷转移能力，从而提高光电催化分解水效率。因此，基于以上讨论，如能探索一种有效的方法制备异质结结构和助催化剂，将有望解决目前单相BiVO4材料存在的主要问题，有力推动光电催化技术在太阳能转换领域的应用。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种催化活性高效、稳定的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，所述的复合材料中的主要表现形式为单斜相WO3、单斜BiVO4和非晶态FeOOH。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料中，WO3在底层，BiVO4覆盖在WO3薄膜上，FeOOH包裹在最外层，其中，BiVO4的质量为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料总质量85-95％。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料中，WO3为粒径30-60nm的WO3薄膜，WO3薄膜的厚度为30-50nm，BiVO4为多孔BiVO4，多孔BiVO的厚度为300-1800nm，FeOOH的厚度为0.5-10nm。
本发明还提供一种上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤：
将六氯化钨(WCl6)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶于二甲基甲酰胺(DMF)中，室温搅拌均匀形成旋涂液，取旋涂液涂覆到FTO导电玻璃的导电面，干燥后退火形成WO3薄膜基底；
将PVP、双(乙酰丙酮)氧化钒(VO(acac)2)、五水硝酸铋和偶氮二甲酸二异丙酯(DIPA)溶解于无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺中，室温下搅拌混合成纺丝液，以金属针头作阳极、WO3薄膜基底作阴极，将纺丝液静电纺丝得前驱体薄膜，前驱体薄膜经退火得WO3/多孔BiVO4；
在FeSO4·H2O溶液中，WO3/多孔BiVO4作工作电极，Ag/AgCl(3M KCl)作参比电极，铂片作对电极，300W氙灯和AM 1.5G的光照下，在0.5V vs.Ag/AgCl电位下进行光沉积，得到WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料。
本发明三元体系复合材料制备中使用的原料为WCl6、PVP、DMF、Bi(NO3)3·5H2O、VO(acac)2和DIPA、无水乙醇、冰醋酸、FeSO4·H2O，其中PVP、DMF、无水乙醇、冰醋酸、DIPA在煅烧处理的过程中分解完全挥发；WCl6提供W源合成WO3，Bi(NO3)3·5H2O和VO(acac)2分别提供Bi源供BiVO4合成，FeSO4·H2O提供Fe源，合成FeOOH。在本发明静电纺丝中加入偶氮二甲酸二异丙酯(DIPA)做发泡剂，将它溶于纺丝液中，在后期退火的过程中会释放出大量的气体，形成多孔BiVO4。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法中，双(乙酰丙酮)氧化钒(VO(acac)2)与五水硝酸铋的质量比为(1.5-2.5)：1。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法中，静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量比为1：(2.5-4)：(1.5-2.5)。无水乙醇，冰醋酸和二甲基甲酰胺作为溶剂溶解五水硝酸铋和双(乙酰丙酮)氧化钒，纺丝时需要考虑溶剂的挥发速率，将无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者按上述比例配比才能纺出丝。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法中，静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量比为1:3:2。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法中，静电纺丝中阳极和阴极之间的距离为12-18cm，注射速度为0.05-0.2mm/min，压力为10-22kV，静电纺丝的时间为5-18min。
在上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法中，光沉积的时间为5min-20min。在本申请中如果沉积时间过短，小于5min，FeOOH量太少，不能完全覆盖住WO3/多孔BiVO4，也不能完全发挥助催化剂的作用；若沉积时间过长，大于20min，过多的FeOOH会影响电极的光吸收、光生载流子的分离和传递，从而影响光电催化效率。
本发明的第三个目的在于提供上述WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料在光电催化中的应用，将WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料作工作阳极，Ag/AgCl(3M KCl)作参比电极，铂片作对电极，在氙灯的光照下，在0.5M Na2SO4和0.5M Na2SO3的混合溶液中，利用电化学工作站测试其光电流密度和阻抗。
光催化性能检测所使用的光源为氙灯模拟太阳光，亦可使用其它类型的光源。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1、本发明WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料利用WO3/多孔BiVO4构建高效异质结，FeOOH作为助催化剂，多方面提高光电催化性能。
2、本发明BiVO4的合成中通过添加DIPA发泡剂，形成多孔结构，便于光电催化性能测试中电解液的渗入，并且制造了更多的活性位点，有利于光电催化性能的提高。
3、本发明WO3/BiVO4/FeOOH三元体系材料可有效地应用在光电催化中，具有高效性和稳定性。
4、本发明WO3/BiVO4/FeOOH三元体系光电阳极的制备方法工艺简单可控，具有很好的重复性。
附图说明
图1为本发明实施例1所制得的WO3薄膜基底扫描电镜(SEM)图；
图2为本发明实施例1所制得的WO3薄膜基底横截面扫描电镜(SEM)图；
图3为本发明实施例1所得的WO3/多孔BiVO4的扫描电镜(SEM)图；
图4为本发明实施例1所得的WO3/多孔BiVO4的横截面扫描电镜(SEM)图；
图5为本发明实施例1所得的WO3/BiVO4/FeOOH的扫描电镜(SEM)图；
图6为本发明实施例1所得的WO3/BiVO4/FeOOH的横截面扫描电镜(SEM)图；
图7为本发明实施例1所得的WO3/BiVO4/FeOOH光电阳极的X射线衍射图谱(XRD)；
图8为本发明实施例1所得的WO3/BiVO4/FeOOH光电阳极的拉曼图谱(Raman)；
图9为本发明实施例2所得的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的横截面扫描电镜(SEM)图；
图10为本发明实施例3所得的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的横截面扫描电镜(SEM)图；
图11为本发明实施例4制得的材料的高分辨TEM图；
图12为本发明对比例1所得的WO3薄膜的拉曼图谱(Raman)；
图13为本发明对比例2所得的未加DIPA的BiVO4扫描电镜(SEM)图；
图14为本发明对比例2所得的未加DIPA的BiVO4X射线衍射谱图(XRD)；
图15为本发明对比例3所得的添加DIPA的BiVO4扫描电镜(SEM)图；
图16为本发明对比例3所得的添加DIPA的BiVO4X射线衍射谱图(XRD)；
图17为本发明WO3薄膜、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料在不同偏压下的光电流密度对比图；
图18为本发明WO3薄膜、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料随着光照时间的延长的瞬态光电流密度对比图；
图19为本发明WO3薄膜、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的阻抗对比图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例，并结合附图说明对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
分别称取0.1g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和0.02g六氯化钨(WCl6)溶解于10ml二甲基甲酰胺(DMF)中，室温下搅拌1小时后，得到旋涂液。取20微升在2000转/分钟的转速下旋涂于FTO导电玻璃的导电面上，80℃干燥3小时后，置于马弗炉中500度退火1小时，形成WO3薄膜基底。图1为获得的WO3薄膜基底的扫描电镜(SEM)图片，可以看出WO3颗粒大约为50nm，并且致密的覆盖在FTO导电面上。图2为获得的WO3薄膜基底的横截面扫描电镜图(SEM)，表明WO3薄膜基底的厚度大约为35nm。
将0.5g PVP、2.468g Bi(NO3)3·5H2O、1.337g VO(acac)2和1g DIPA溶解于2gDMF、3g冰醋酸和1g无水乙醇中，室温下搅拌混合成纺丝液，取3mL注入塑料针管内，并置于静电纺丝机上，设置注射速度为0.1mm/min。金属针头作阳极，前述制备好的WO3薄膜基底做阴极，固定阳极和阴极之间的距离为15cm，在20kV高压下进行静电纺丝，纺丝时间为15分钟，得到前驱体薄膜，置于马弗炉中450℃退火1小时后，得到WO3/多孔BiVO4材料。图3为所得的WO3/多孔BiVO4的典型扫描电镜图(SEM)，表明在发泡剂DIPA的作用下，BiVO4层为多孔结构，图4为所得的WO3/多孔BiVO4的横截面扫描电镜图(SEM)，说明BiVO4层的厚度约为700nm。
在0.1M FeSO4·H2O溶液中，WO3/多孔BiVO4做工作电极，Ag/AgCl(3M KCl)做参比电极，铂片做对电极，300W氙灯和AM1.5G的光照下，在0.5V vs.Ag/AgCl电位下进行10min的光沉积，得到WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料。图5为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的扫描电镜图(SEM)，表明沉积FeOOH后，材料表面变得更加粗糙。图6为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的横截面扫描电镜图(SEM)，可以看出沉积FeOOH后电极的厚度几乎不变。图7为所制得的WO3/BiVO4/FeOOH光电阳极的X射线衍射图谱，说明该光电催化阳极材料由WO3、BiVO4和FeOOH构成。图8为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的拉曼图谱(Raman)，再次证实由WO3、BiVO4和FeOOH组成。
实施例2
与实施例1的区别仅在于，该实施例中BiVO4层的纺丝时间为10分钟，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。所制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的横截面扫描电镜(SEM)如图9所示，表明BiVO4的厚度为300nm。
实施例3
与实施例1的区别仅在于，该实施例中BiVO4层的纺丝时间为20分钟，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。所制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的横截面扫描电镜(SEM)如图10所示，表明BiVO4的厚度为1800nm。
实施例4
与实施例1的区别仅在于，该实施例中光沉积的时间为5min，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。该实施例制得的材料的高分辨TEM图如图11所示。从图11可知，FeOOH厚度大约5nm，在材料中多孔BiVO4为主体材料，约为92％。
实施例5
与实施例1的区别仅在于，该实施例中光沉积的时间为15min，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
实施例6
与实施例1的区别仅在于，该实施例中光沉积的时间为20min，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
实施例7
与实施例1的区别仅在于，该实施例中静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量分别为1g、2.5g、1.5g，即无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的比例为1：2.5：1.5，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
实施例8
与实施例1的区别仅在于，该实施例中静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量分别为1g、4g、2.5g，即无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的比例为1：4：2.5，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
实施例9
与实施例1的区别仅在于，该实施例中双(乙酰丙酮)氧化钒(VO(acac)2)与五水硝酸铋的质量比为1.5：1，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
实施例10
与实施例1的区别仅在于，该实施例中双(乙酰丙酮)氧化钒(VO(acac)2)与五水硝酸铋的质量比为2.5：1，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
对比例1
与实施例1区别在，该实施例只制备WO3薄膜，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。所制得的材料的拉曼(Raman)图谱如图12所示，表明所制备的材料为WO3。
对比例2
与实施例1的区别在于，该实施例只制备BiVO4层，且不添加发泡剂DIPA，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。图13为未加DIPA的BiVO4扫描电镜图(SEM)，看出电极材料表面孔较少。图14为该电极材料的X射线谱图(XRD)，表明所制备的材料为BiVO4。
对比例3
与实施例1的区别在于，该实施例只制备BiVO4层，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。图15为添加DIPA的BiVO4扫描电镜图(SEM)图15进一步证明添加DIPA起到发泡作用，形成多孔BiVO4。图16为该材料的X射线谱图(XRD)，表明所制备的材料为BiVO4。
对比例4
与实施例1的区别在于，该实施例仅制备WO3和多孔BiVO4层，其他工艺与实施例1相同，此处不再赘述。
应用实施例1
光电催化性能测试采用三电极体系，分别以实施例1中制得的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，0.5M L-1Na2SO4和0.5M L-1Na2SO3作为电解液，选择带有石英玻璃窗口的电解池。以300W氙灯装配有AM1.5的滤光片作为模拟光源，通过电化学工作站测试样品的在不同偏压下的光电流密度。
应用实施例2
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为实施例2制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料为工作电极，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
应用实施例3
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为实施例3制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料为工作电极，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
应用实施例4
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为实施例4制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料为工作电极，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
对比应用例1
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为对比例1制备的WO3薄膜材料，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
对比应用例2
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为对比例2制备的BiVO4材料，其他工艺以及测试过程与应用实施例一相同，此处不再累述。
对比应用例3
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为对比例3制备的多孔BiVO4，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
对比应用实施例4
与应用实施例1仅区别在使用的工作电极为对比实施例4制备的WO3/多孔BiVO4，其他工艺以及测试过程与应用实施例1相同，此处不再累述。
将本发明中制得的WO3、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料进行测试，它们在不同偏压下的光电流密度对比图如图17所示。从图17说明本发明制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料作为光电阳极比纯WO3薄膜、BiVO4、多孔BiVO4、多孔WO3/BiVO4材料具有更加优异的光电催化性能。
本发明中制得的WO3、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料随着光照时间的延长的瞬态光电流密度对比图如图18所示。图18进一步说明本发明制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的光电催化性能的优越性。
本发明中制得的WO3、BiVO4、多孔BiVO4、WO3/多孔BiVO4和WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的阻抗对比图如图19所示。图19说明本发明制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料具有更加优异的电荷传导性能。再次证实了本发明制备的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料具有更加优异的光电催化性能。
本处实施例对本发明要求保护的技术范围中点值未穷尽之处以及在实施例技术方案中对单个或者多个技术特征的同等替换所形成的新的技术方案，同样都在本发明要求保护的范围内，并且本发明方案所有涉及的参数间如未特别说明，则相互之间不存在不可替换的唯一性组合。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
Claims (10)
1.一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，其特征在于，所述的复合材料中的主要表现形式为单斜相WO3、单斜BiVO4和非晶态FeOOH。
2.根据权利要求1所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，其特征在于，WO3在底层，BiVO4覆盖在WO3上，FeOOH包裹在最外层，其中，BiVO4的质量为WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料总质量85-95％。
3.根据权利要求1或2所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，其特征在于，WO3为粒径30-60nm的WO3薄膜，WO3薄膜的厚度为30-50nm，BiVO4为多孔BiVO4，多孔BiVO的厚度为300-1800nm，FeOOH的厚度为0.5-10nm。
4.WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
将六氯化钨和聚乙烯吡咯烷酮溶于二甲基甲酰胺中，室温搅拌均匀形成旋涂液，取旋涂液涂覆到FTO导电玻璃的导电面，干燥后退火形成WO3薄膜基底；
将PVP、双(乙酰丙酮)氧化钒、五水硝酸铋和偶氮二甲酸二异丙酯溶解于无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺中，室温下搅拌混合成纺丝液，以金属针头作阳极、WO3薄膜基底作阴极，将纺丝液静电纺丝得前驱体薄膜，前驱体薄膜经退火得WO3/多孔BiVO4；
在FeSO4·H2O溶液中，WO3/多孔BiVO4作工作电极，Ag/AgCl作参比电极，铂片作对电极，300W氙灯和AM 1.5G的光照下，在0.5V vs.Ag/AgCl电位下进行光沉积，得到WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料。
5.根据权利要求4所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，双(乙酰丙酮)氧化钒与五水硝酸铋的质量比为(1.5-2.5)：1。
6.根据权利要求4所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量比为1：(2.5-4)：(1.5-2.5)。
7.根据权利要求6所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，静电纺丝溶液中无水乙醇、冰醋酸和二甲基甲酰胺三者的质量比为1:3:2。
8.根据权利要求4所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，静电纺丝中阳极和阴极之间的距离为12-18cm，注射速度为0.05-0.2mm/min，压力为10-22kV，静电纺丝的时间为5-18min。
9.根据权利要求4所述的WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料的制备方法，其特征在于，光沉积的时间为5min-20min。
10.WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料在光电催化中的应用，其特征在于，将WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料作工作阳极，Ag/AgCl作参比电极，铂片作对电极，在氙灯的光照下，在0.5M Na2SO4和0.5M Na2SO3的混合溶液中，利用电化学工作站测试其光电流密度和阻抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
| CN109092319A true CN109092319A (zh) | 2018-12-28 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109092319B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109772355A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 辽宁石油化工大学 | 非晶羟基氧化铁/矾酸铋复合光催化材料的制备方法 |
| CN110441372A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-12 | 济南大学 | 以多金属氧酸盐为电子供体的羟基氧化铁复合材料光电化学传感器的制备方法及应用 |
| CN111762880A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-13 | 南京理工大学 | 一种基于光激发空穴为电子受体的生物强化处理难降解有机污染物的方法 |
| CN113145136A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-23 | 天津城建大学 | 一种用于光电催化降解污染物的WO3/CdS/MoS2复合薄膜的制备方法 |
| CN113385200A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-09-14 | 浙江大学 | 一种无牺牲剂的全光谱产氧CeF3/α-FeOOH光催化剂及其制备方法 |
| CN114452969A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-10 | 山东大学 | 一种双助催化剂负载的光催化剂及其制备方法与应用 |
| CN114657588A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-24 | 福建师范大学泉港石化研究院 | 一种新型三元WO3/BiVO4/NiOOH复合光阳极的三步合成法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102266783A (zh) * | 2011-06-23 | 2011-12-07 | 浙江大学 | 一种铁掺杂三氧化钨光催化剂及其制备方法 |
| CN105435774A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 宁波工程学院 | 一种BiVO4全介孔纤维材料高效光催化剂 |
| CN105923656A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-09-07 | 上海大学 | BiVO4/WO3/rGO三元纳米复合材料及其制备方法 |
| CN106076314A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-09 | 宁波工程学院 | 一种BiVO4全介孔纳米带高效光催化剂及其制备方法和应用 |
| CN106745474A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-05-31 | 上海交通大学 | 可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法 |
| CN107190362A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-22 | 宁波工程学院 | 一种高纯度ZnO/BiVO4异质微米带的制备方法 |
-
2018
- 2018-06-27 CN CN201810678391.0A patent/CN109092319B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102266783A (zh) * | 2011-06-23 | 2011-12-07 | 浙江大学 | 一种铁掺杂三氧化钨光催化剂及其制备方法 |
| CN105435774A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 宁波工程学院 | 一种BiVO4全介孔纤维材料高效光催化剂 |
| CN105923656A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-09-07 | 上海大学 | BiVO4/WO3/rGO三元纳米复合材料及其制备方法 |
| CN106076314A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-09 | 宁波工程学院 | 一种BiVO4全介孔纳米带高效光催化剂及其制备方法和应用 |
| CN106745474A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-05-31 | 上海交通大学 | 可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法 |
| CN107190362A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-22 | 宁波工程学院 | 一种高纯度ZnO/BiVO4异质微米带的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| BEIBEI ZHANG ET AL，: "Ultrathin FeOOH Nanolayers with Abundant Oxygen Vacancies on BiVO4 Photoanodes for Efficient Water Oxidation", 《ANGEW. CHEM. INT. ED.》 * |
| PONCHIO CHATCHAI ET AL: "Enhanced photoelectrocatalytic activity of FTO/WO3/BiVO4 electrode modified with gold nanoparticles for water oxidation under visible light irradiation", 《ELECTROCHIMICA ACTA》 * |
| WAI LING KWONG ET AL: "Transparent Nanoparticulate FeOOH Improves the Performance of a WO3 Photoanode in a Tandem Water-Splitting Device", 《J. PHYS. CHEM. C. 》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109772355A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 辽宁石油化工大学 | 非晶羟基氧化铁/矾酸铋复合光催化材料的制备方法 |
| CN109772355B (zh) * | 2019-03-11 | 2022-04-08 | 辽宁石油化工大学 | 非晶羟基氧化铁/矾酸铋复合光催化材料的制备方法 |
| CN110441372A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-12 | 济南大学 | 以多金属氧酸盐为电子供体的羟基氧化铁复合材料光电化学传感器的制备方法及应用 |
| CN110441372B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-06-04 | 济南大学 | 以多金属氧酸盐为电子供体的羟基氧化铁复合材料光电化学传感器的制备方法及应用 |
| CN111762880A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-13 | 南京理工大学 | 一种基于光激发空穴为电子受体的生物强化处理难降解有机污染物的方法 |
| CN111762880B (zh) * | 2020-07-22 | 2021-12-10 | 南京理工大学 | 一种基于光激发空穴为电子受体的生物强化处理难降解有机污染物的方法 |
| CN113145136A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-23 | 天津城建大学 | 一种用于光电催化降解污染物的WO3/CdS/MoS2复合薄膜的制备方法 |
| CN113385200A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-09-14 | 浙江大学 | 一种无牺牲剂的全光谱产氧CeF3/α-FeOOH光催化剂及其制备方法 |
| CN114452969A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-10 | 山东大学 | 一种双助催化剂负载的光催化剂及其制备方法与应用 |
| CN114452969B (zh) * | 2022-01-21 | 2023-05-30 | 山东大学 | 一种双助催化剂负载的光催化剂及其制备方法与应用 |
| CN114657588A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-24 | 福建师范大学泉港石化研究院 | 一种新型三元WO3/BiVO4/NiOOH复合光阳极的三步合成法 |
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| CN109092319B (zh) | 2022-04-26 |
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