CN109037259B - 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，其中，所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔，并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式，避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触，而由于作为缓冲层的材料的吸水性能一般较强，将与外界接触的缓冲层与密闭空腔隔绝，可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间，从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体封装技术领域，更具体地说，涉及一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法。
背景技术
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的传感芯片。在影像传感芯片制作完成后，再通过对影像传感芯片进行一系列的封装工艺，从而形成封装好的影像传感芯片，以用于诸如数码相机、数码摄像机等各种电子设备。
在影像传感芯片的封装结构中，需要为影像传感芯片的影像感应区提供一个密闭空腔，并为该密闭空腔提供良好的放水防潮特性，以使影像传感芯片的影像感应区免受外界水汽的侵蚀。但在现有技术中的封装结构中，外界的水分容易通过封装结构进入该密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，以解决外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种影像传感芯片的封装结构，包括：
基底；
位于所述基底表面的缓冲层；
贯穿所述缓冲层的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；
覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；
贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；
倒装于所述基底上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，所述影像感应区朝向所述第二凹槽；
至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。
可选的，所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。
可选的，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。
可选的，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
可选的，还包括贯穿所述塑封层的连接端子，所述连接端子与所述金属层电性连接。
可选的，所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。
可选的，所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
可选的，还包括：设置于所述金属层上的连接端子，所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。
可选的，还包括：位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块，所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。
可选的，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。
可选的，所述第一凹槽与所述第二凹槽贯通。
一种影像传感芯片的封装方法，包括：
提供一基底，所述基底包括多个功能区和位于相邻所述功能区之间的切割道，所述功能区包括透光区和位于所述透光区两侧的布线区；
形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层，并对所述缓冲层进行处理，形成贯穿所述缓冲层，且暴露出部分所述基底表面的第一凹槽；
形成覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；
对所述金属层及所述缓冲层进行处理，以形成贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；
提供影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，并将所述影像传感芯片倒装在所述功能区上，以使所述影像感应区朝向所述第二凹槽；
形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层；
沿所述切割道对所述基底进行切割。
可选的，所述形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层包括：
形成部分或全部覆盖所述布线区表面的缓冲层。
可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：
形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层；
或
形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：
对所述塑封层进行处理，以形成多个暴露出所述金属层的第三凹槽，所述第三凹槽位于所述影像传感芯片的周缘；
在所述第三凹槽中填充导电材料，以形成位于所述第三凹槽中，且与所述金属层电性连接的连接端子。
可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：
形成覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：
在所述金属层上形成与所述金属层电性连接的连接端子。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，其中，所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔，并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式，避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触，而由于作为缓冲层的材料的吸水性能一般较强，将与外界接触的缓冲层与密闭空腔隔绝，可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间，从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；
图2为图1沿Z轴负向的俯视结构示意图；
图3为本申请的另一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；
图4为图3沿Z轴负向的俯视结构示意图；
图5为本申请的又一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；
图6为本申请的再一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；
图7-图18为本申请的一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装方法的流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中的影像传感芯片的封装结构难以避免外界水分进入密闭空腔中，从而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。主要原因如下：
现有技术中的影像传感芯片的基底上设置有缓冲层，缓冲层上设置有连接影像传感芯片的焊盘的金属层，影像传感芯片通过倒装的方式将焊盘与金属层电连接，最后通过在影像传感芯片的两侧设置封装层的方式形成影像传感芯片与基底之间的密闭空腔结构。但是由于作为缓冲层的材料的吸湿性能均较强，在这种封装结构中，外界水汽容易被缓冲层吸收，并沿着缓冲层扩散进入密闭空腔中，从而使得该封装结构的防水防潮性能较差，难以避免外界水分进入密闭空腔中，从而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种影像传感芯片的封装结构，所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔，并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式，避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触，从而可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间，解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
参考图1-图6，图1、图3、图5和图6为本申请实施例提供的影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图，图2为图1沿Z轴反方向的俯视结构示意图，图4为图3沿Z轴反方向的俯视结构示意图。在本申请实施例提供的附图中的坐标系均为以垂直于基底表面指向影像传感芯片为Z轴正向建立的右手坐标系，X轴、Y轴和Z轴彼此垂直。
该封装结构包括：
基底11；
位于所述基底11表面的缓冲层12；
贯穿所述缓冲层12的第一凹槽TH1，所述第一凹槽TH1暴露出部分所述基底11表面；
覆盖所述缓冲层12和所述第一凹槽TH1暴露出的基底11表面的金属层13；
贯穿所述金属层13和所述缓冲层12的第二凹槽TH2，所述第二凹槽TH2暴露出部分所述基底11表面；所述第一凹槽TH1位于所述第二凹槽TH2的周缘；
倒装于所述基底11上的影像传感芯片16，所述影像传感芯片16包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区162和环绕所述影像感应区162的第一焊盘161，所述第一焊盘161和所述金属层13电连接，所述影像感应区162朝向所述第二凹槽TH2；
至少覆盖所述影像传感芯片16的侧壁、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11表面和部分所述金属层13的封装层。
参考图1、图3和图6，在图1、图3和图6所示的封装结构中，所述基底11包括透光区111和位于透光区111两侧的布线区112，所述缓冲层12和所述金属层13在所述基底11上的正投影全部覆盖所述基底11的布线区112表面；这样可以减少形成掩膜的工序，在一定程度上减少封装结构的制备工序。
参考图5，在图5所示的封装结构中，为了解决封装结构的成本，所述缓冲层12和所述金属层13在所述基底11上的正投影部分覆盖所述基底11的布线区112表面。其好处在于，后续在形成封装层时，可以将封装层形成为覆盖所述影像传感芯片16的第二表面、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11表面、所述金属层13和所述基底11裸露表面的塑封层142。由于所述塑封层142覆盖于所述基底11裸露表面，从而使金属层13侧壁被塑封层142包覆住，防止金属层13的侧壁与外部电路发生不必要的电连接，还可以防止金属层13的材料被氧化，从而提高后续形成的封装结构的可靠性。
参考图3和图4，当所述缓冲层12和所述金属层13在所述基底11上的正投影全部覆盖所述基底11的布线区112表面时，所述封装层可以为覆盖所述影像传感芯片16的第二表面、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11表面和所述金属层13的塑封层142。
参考图4，为了便于布线，影像传感芯片16的影像感应区162位于影像传感芯片16的中间位置，第一焊盘161位于影像感应区162的周缘，在图4所示的结构中，所述第一焊盘161位于所述影像感应区162的两侧；在本申请的可选实施例中，所述第一焊盘161还可以位于影像感应区162的四侧、三侧或一侧，呈矩形分布，每一个侧边形成有若干个第一焊盘161，第一焊盘161的数量取决于芯片的类型，后续将第一焊盘161与金属层13相连接，通过金属层13使影像传感芯片16与外部电路连接。
在图3、图4和图5所示的封装结构中，还示出了位于所述第一焊盘161与所述金属层13之间的金属凸块17以及贯穿所述塑封层142的连接端子15，所述金属凸块17与所述金属层13和所述第一焊盘161均电性连接，所述连接端子15与所述金属层13电性连接。
且所述连接端子15的高度大于所述塑封层142的高度。
仍然参考图4，所述金属凸块17的顶部高于影像感应区162内感光元件的顶部。所述金属凸块17的作用为：一方面，通过所述金属凸块17使第一焊盘161与后续形成的金属层13电连接；另一方面，通过设置所述金属凸块17的顶部高于影像感应区162的顶部，后续将第一焊盘161与金属层13电连接时，防止金属层13的表面碰到影像感应区162，起到保护影像感应区162的作用。
所述金属凸块17的形状为方形或球形。本实施例以所述金属凸块17的形状为方形为例做示范性说明，所述金属凸块17的形成工艺为网板印刷工艺。
作为一个可选实施例中，采用网板印刷工艺形成所述金属凸块17具体的过程为：提供具有网孔的网板，所述网孔与金属凸块17的位置相对应；将网板与影像传感芯片16的第一表面贴合，使得网板中的网孔暴露出第一焊盘161的表面，在网孔中刷入金、锡或者锡合金等材料，在第一焊盘161表面形成金属凸块17。
所述金属凸块17的材料可以为金、锡或者锡合金，所述锡合金可以是锡银、锡铅、锡银铜、锡银锌、锡锌、锡铋铟、锡铟、锡金、锡铜、锡锌铟或者锡银锑等。
所述连接端子15设置于影像传感芯片16的两侧，且每一个侧边设置有若干个连接端子15，通过连接端子15使第一焊盘161与外部电路电连接，从而使影像传感芯片16正常工作；在本申请的一些可选实施例中，所述连接端子15还可以设置于影像传感芯片16的一侧、三侧或四侧，本申请对此并不做限定。
所述连接端子15顶部表面形状为弧形，连接端子15的材料为金、锡或者锡合金，所述锡合金可以是锡银、锡铅、锡银铜、锡银锌、锡锌、锡铋铟、锡铟、锡金、锡铜、锡锌铟或者锡银锑等。作为一个可选实施例，所述连接端子15的材料为锡。
作为一个具体实施例中，所述连接端子15顶部距离所述塑封层142顶部之间的距离为20μm-100μm。
大部分的连接端子15表面被塑封层142包覆，仅保留极少的连接端子15表面在外界环境中，有效的防止连接端子15被外界环境所氧化，提高后续形成的封装结构的可靠性和稳定性。并且，在塑封层142内形成连接端子15，所述连接端子15的顶部略高于塑封层142表面，即可使影像传感芯片16与外部电路电连接，而连接端子15的顶部略高于塑封层142的表面可进一步减小后续形成的封装结构的整体厚度，有利于提高封装集成度。
参考图1和图2，在图1和图2所示的封装结构中，所述封装层为覆盖所述第一凹槽TH1暴露出的基底11表面以及所述影像传感芯片16侧壁的点胶层141。
同样的，图1和图2中还示出了设置于所述金属层13上的连接端子15以及位于所述第一焊盘161与所述金属层13之间的金属凸块17，所述金属凸块17与所述金属层13和所述第一焊盘161均电性连接，所述连接端子15与所述金属层13电性连接。
所述点胶层141使影像感应区162处于密闭空腔中，防止外界环境对影像传感芯片16造成不良影响。在本申请的一个具体实施例中，所述点胶层141采用点胶机进行点胶工艺形成。
所述连接端子15和金属凸块17的材料可参考前文的说明。在本实施例中，采用植球工艺形成所述连接端子15，连接端子15顶部距离影响传感芯片顶部表面的垂直距离为20μm-100μm。
在图1-图5所示的封装结构中，所述第一凹槽TH1与所述第二凹槽TH2之间设置有部分所述缓冲层12。由于第一凹槽TH1的存在，位于第一凹槽TH1与所述第二凹槽TH2之间的缓冲层12也被金属层13以及封装层密封起来，不与外界接触，从而避免了这部分的缓冲层12吸水而扩散进入密闭空腔中的可能。
在图6所示的封装结构中，所述第一凹槽TH1与所述第二凹槽TH2贯通，完全去掉了与密闭空腔接触的缓冲层12，进一步降低了由于缓冲层12吸水而造成的外界水分进入密闭空腔中的可能。
基于上述封装结构实施例，相应的，本申请实施例还提供了一种影像传感芯片的封装方法，该封装方法如图7-图18所示，图7-图18为本申请的一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装方法的流程示意图，该封装方法包括：
S101：如图7和图8所示，提供一基底11’，所述基底11’包括多个功能区20和位于相邻所述功能区20之间的切割道30，所述功能区20包括透光区111和位于所述透光区111两侧的布线区112，所述透光区111用于在后续形成工艺中设置影像传感芯片16的影像感应区162；在图7中所示的基底11’在经过切割工艺后，作为单个影像创安芯片的封装结构的基底11’。
S102：如图8和图9所示，形成至少部分覆盖所述布线区112的缓冲层12，并对所述缓冲层12进行处理，形成贯穿所述缓冲层12，且暴露出部分所述基底11’表面的第一凹槽TH1；在图8中，形成的所述缓冲层12覆盖了所述功能区20和所述切割道30，位于所述切割道30上的缓冲层12在切割工艺中可以被去除，形成覆盖所述功能区20和所述切割道30的缓冲层12可以无需形成掩膜层，简化了封装结构的形成工艺。参考图9，所述第一凹槽TH1形成于透光区111的两侧，且与所述透光区111不接触，在本申请的一个可选实施例中，所述第一凹槽TH1的形成区域可以与所述透光区111接触。
S103：如图10所示，形成覆盖所述缓冲层12和所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面的金属层13；同样的，在图10中，在位于切割道30上的缓冲层12上也形成了金属层13，这些金属层13同样可以在切割工艺中去除，但形成覆盖缓冲层12、第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面的金属层13可以无需进行掩膜的形成，简化了制备工艺。
S104：参考图11和图12，对所述金属层13及所述缓冲层12进行处理，以形成贯穿所述金属层13和所述缓冲层12的第二凹槽TH2，所述第二凹槽TH2暴露出部分所述基底11’表面；所述第一凹槽TH1位于所述第二凹槽TH2的周缘。所述第二凹槽TH2的形成区域与所述基底11’的透光区111重合，以为影像传感芯片16的影像感应区162提供设置位置。
在图11中，所述第一凹槽TH1与所述第二凹槽TH2之间保留有部分所述缓冲层12，在图12中，所述第一凹槽TH1与所述第二凹槽TH2贯通。
S105：参考图13，提供影像传感芯片16，所述影像传感芯片16包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区162和环绕所述影像感应区162的第一焊盘161，所述第一焊盘161和所述金属层13电连接，并将所述影像传感芯片16倒装在所述功能区20上，以使所述影像感应区162朝向所述第二凹槽TH2；
在图13中，还示出了连接所述第一焊盘161与所述金属层13的金属凸块17，所述金属凸块17的形成工艺和形成材料可参考上文中的描述，本申请在此不做赘述。
S106：参考图14和图16，形成至少覆盖所述影像传感芯片16的侧壁、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面和部分所述金属层13的封装层；
在图14中，所述封装层为覆盖所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面以及所述影像传感芯片16侧壁的点胶层141，即所述形成至少覆盖所述影像传感芯片16的侧壁、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面和部分所述金属层13的封装层包括：形成覆盖所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面以及所述影像传感芯片16侧壁的点胶层141。
在图16中，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片16的第二表面、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面、所述金属层13和所述基底11’裸露表面的塑封层142；即所述形成至少覆盖所述影像传感芯片16的侧壁、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面和部分所述金属层13的封装层包括：形成覆盖所述影像传感芯片16的第二表面、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面、所述金属层13和所述基底11’裸露表面的塑封层142。
S107：参考图15和图17，在所述金属层13上形成与所述金属层13电性连接的连接端子15；所述连接端子15设置于所述影像传感芯片16的周缘，且每个侧边上设置有若干个连接端子15，通过连接端子15使第一焊盘161与外部电路电连接，从而使影像传感芯片16正常工作。
在图17所示的实施例中，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片16的侧壁、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面和部分所述金属层13的封装层之后，所述沿所述切割道30对所述基底11’进行切割之前还包括：
对所述塑封层142进行处理，以形成多个暴露出所述金属层13的第三凹槽，所述第三凹槽位于所述影像传感芯片16的周缘；
在所述第三凹槽中填充导电材料，以形成位于所述第三凹槽中，且与所述金属层13电性连接的连接端子15。
S108：沿所述切割道30对所述基底11’进行切割。
在图7-图15所示的实施例中，所述形成至少部分覆盖所述布线区112的缓冲层12包括：
形成全部覆盖所述布线区112表面的缓冲层12
在本申请的一些可选实施例中，参考图18，所述形成至少部分覆盖所述布线区112的缓冲层12包括：
形成部分覆盖所述布线区112表面的缓冲层12。在图18中，为了解决封装结构的成本，所述缓冲层12和所述金属层13在所述基底11’上的正投影部分覆盖所述基底11’的布线区112表面。其好处在于，后续在形成封装层时，可以将封装层形成为覆盖所述影像传感芯片16的第二表面、所述第一凹槽TH1暴露出的基底11’表面、所述金属层13和所述基底11’裸露表面的塑封层142。由于所述塑封层142覆盖于所述基底11’裸露表面，从而使金属层13侧壁被塑封层142包覆住，防止金属层13的侧壁与外部电路发生不必要的电连接，还可以防止金属层13的材料被氧化，从而提高后续形成的封装结构的可靠性。
综上所述，本申请实施例提供了一种影像传感芯片16的封装结构及其封装方法，其中，所述影像传感芯片16的封装结构通过封装层、基底11’和影像传感芯片16构成了一个用于设置影像感应区162的密闭空腔，并且通过在缓冲层12中设置第一凹槽TH1的方式，避免与外界接触的缓冲层12与密闭空腔的直接接触，而由于作为缓冲层12的材料的吸水性能一般较强，将与外界接触的缓冲层12与密闭空腔隔绝，可以避免外界水分通过缓冲层12进入影像传感芯片16的封装结构的密闭空间，从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片16的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片16的影像感应区162产生不良影响的问题。
需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。对于实施例公开的封装方法而言，由于其与实施例公开的封装结构相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见封装结构相应部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (17)
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底表面的缓冲层；
贯穿所述缓冲层的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；
覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；
贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；
倒装于所述基底上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，所述影像感应区朝向所述第二凹槽；
至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。
4.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
5.根据权利要求3或4任一项所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括贯穿所述塑封层的连接端子，所述连接端子与所述金属层电性连接。
6.根据权利要求5所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。
7.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
8.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括：设置于所述金属层上的连接端子，所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。
9.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块，所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。
10.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。
11.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽贯通。
12.一种影像传感芯片的封装方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底包括多个功能区和位于相邻所述功能区之间的切割道，所述功能区包括透光区和位于所述透光区两侧的布线区；
形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层，并对所述缓冲层进行处理，形成贯穿所述缓冲层，且暴露出部分所述基底表面的第一凹槽；
形成覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；
对所述金属层及所述缓冲层进行处理，以形成贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；
提供影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，并将所述影像传感芯片倒装在所述功能区上，以使所述影像感应区朝向所述第二凹槽；
形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层；
沿所述切割道对所述基底进行切割。
13.根据权利要求12所述的影像传感芯片的封装方法，其特征在于，所述形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层包括：
形成部分或全部覆盖所述布线区表面的缓冲层。
14.根据权利要求13所述的影像传感芯片的封装方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：
形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层；
或
形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
15.根据权利要求14所述的影像传感芯片的封装方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：
对所述塑封层进行处理，以形成多个暴露出所述金属层的第三凹槽，所述第三凹槽位于所述影像传感芯片的周缘；
在所述第三凹槽中填充导电材料，以形成位于所述第三凹槽中，且与所述金属层电性连接的连接端子。
16.根据权利要求13所述的影像传感芯片的封装方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：
形成覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
17.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：
在所述金属层上形成与所述金属层电性连接的连接端子。
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