CN108962964A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高蓝色子像素发光效率,提高显示产品寿命,提升显示产品性能。本申请实施例提供的一种显示面板包括位于衬底上的像素定义层,其中,像素定义层定义出多个子像素区,子像素区包括第一类子像素区和第二类子像素区,在衬底指向像素定义层的方向上,所述第二类子像素区的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区的底部的开口面积;所述第一类子像素区内至少包括依次位于衬底之上的阳极、第一类发光层和第一阴极层;所述第二类子像素区内包括依次位于所述衬底之上的阳极、第一阴极层、第二类发光层和第二阴极层;所述第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术由于可以显著改善(Organic Light-Emitting Diode,OLED)工艺的设备和材料成本,是目前OLED技术的主要发展方向之一,由于受限于喷墨打印材料体系现阶段研发水平,目前喷墨打印技术中蓝光材料的效率和寿命相比于红光、绿光材料都是短板,因此现有技术在OLED器件制作过程中普遍使用传统蒸镀蓝光发光单元代替打印蓝光单元,红光和绿光发光单元采用喷墨打印方式制作。但是,由于现有技术通常利用精细掩模板(Fine Metal Mask,FMM)蒸镀蓝光发光单元,受到FMM开口率的限制,采用上述方法获得的OLED器件的蓝光发光单元开口率小,蓝光效率较低,影响OLED器件性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高蓝色子像素发光效率,提高显示产品寿命,提升显示产品性能。
本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面包括位于衬底上的像素定义层,其中,所述像素定义层定义出多个子像素区,所述子像素区包括第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区的底部的开口面积;
所述第一类子像素区内至少包括依次位于衬底之上的阳极、第一类发光层和第一阴极层;
所述第二类子像素区内包括依次位于所述衬底之上的阳极、第一阴极层、第二类发光层和第二阴极层;所述第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开。
本申请实施例提供的显示面板,第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,这样,第二类子像素区中,第一阴极层与阳极作为发光结构的阳极,第二阴极层作为发光结构的阴极,第二类子像素区可以单独点亮,从而可以对第二类子像素区的亮度单独进行调节,提高显示效果。并且第二类发光层不止设置于第二类子像素区中,因此,在蒸镀第二类发光层时,掩膜板的开口大于第二类子像素区的开口,第二类子像素区的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二类子像素区的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
可选地,所述像素定义层具体包括:在所述衬底上的第一像素定义层和第二像素定义层,以及位于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层上的第三像素定义层;
其中,从所述衬底指向所述像素定义层的方向,所述第一像素定义层和所述第二像素定义层的横截面逐渐减小,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;
在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
可选地,所述像素定义层的横截面积相等,且所述像素定义层垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形。
可选地,所述第一类子像素区包括红色子像素和绿色子像素,所述第二类子像素包括蓝色子像素;所述第一类发光层包括位于所述红色子像素中的红色发光层以及位于所述绿色子像素中的绿色发光层,所述第二类发光层为蓝色发光层。
可选地,所述第一阴极层覆盖所述子像素区以及所述像素定义层,所述第二类发光层覆盖所述第一阴极层,所述第二阴极层覆盖所述第二类发光层。从而第一阴极层和第二阴极层均无需连接复杂引线,可以在不增加显示面板制备工艺难度的情况下,提高第二类子像素区的发光效率。
可选地,所述第一阴极层为透明电极层,且所述第二阴极层为非透明电极层;或者所述第一阴极层为非透明电极层,且所述第二阴极层为透明电极层。
本申请实施例提供的一种上述显示面板的制备方法,该方法包括:
在衬底上依次形成阳极和像素定义层的图案;其中,所述像素定义层限定出多个子像素区,所述子像素区分为第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区开口的顶部面积不大于所述第二类子像素区开口的底部面积;
采用喷墨打印工艺在所述第一类子像素区内形成第一类发光层的图案;
至少在所述第一类发光层和所述第二类子像素区内形成第一阴极层的图案;所述第二类子像素区内与所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,在所述第一类子像素区内所述阳极、第一类发光层以及第一阴极层构成发光结构;
采用完全开口掩膜板,在所述第一阴极层之上蒸镀发光材料形成第二类发光层的图案;
至少在所述第二类子像素区内形成第二阴极层的图案,在所述第二类子像素内所述第一阴极层、第二类发光层以及第二阴极层构成发光结构。
本申请实施例提供的显示面板制备方法,形成的像素定义层使得第二子像素区的开口面积小于或等于第二子像素区中所述衬底的面积,从而,形成第一阴极层在第二类子像素区与其他区域断开,第一阴极层在第二类子像素区中作为阳极,第二类子像素可单独点亮,并且由于采用完全开口掩膜板蒸镀发光材料形成第二类发光层,从而掩膜板的开口可以大于第二子像素的开口,第二子像素的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二子像素的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
可选地,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
采用图形化工艺在衬底上形成第一像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一像层素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在衬底上形成与所述第一像素定义层相邻的第二像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二像素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在所述第一像素定义层和所述第二像素定义层之上形成第三像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;使得在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
可选地,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
形成平行于所述衬底的横截面积相等、且垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形的像素定义层的图案。
本申请实施例提供的一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板像素排列示意图;
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种显示面板制备方法流程示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种显示面板制备方法流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示面板,如图1所示,所述显示面板包括在衬底1上的像素定义层2,其中,所述像素定义层2定义出多个子像素区4,所述子像素区包括第一类子像素区6和第二类子像素区5,在所述衬底1指向所述像素定义层2的方向上,所述第二类子像素区5的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区5的底部的开口面积;
所述第一类子像素区6内至少包括依次位于所述衬底1之上的阳极3、第一类发光层7和第一阴极层8;
所述第二类子像素区5内包括依次位于所述衬底1之上的阳极3、第一阴极层8、第二类发光层9和第二阴极层10;所述第二类子像素区5内和所述第二类子像素区5之外的第一阴极层8之间相互断开。
本申请实施例提供的显示面板,第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,这样,第二类子像素区中,第一阴极层与阳极作为发光结构的阳极,第二阴极层作为发光结构的阴极,第二类子像素区可以单独点亮,从而可以对第二类子像素区的亮度单独进行调节,提高显示效果。并且第二类发光层不止设置于第二类子像素区中,因此,在蒸镀第二类发光层时,掩膜板的开口大于第二类子像素区的开口,第二类子像素区的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二类子像素区的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
需要说明的是,本申请实施例中,对于第一类子像素区,第一阴极层仍作为阴极,第一阴极层在第二类子像素区以及第二类子像素区之外的区域相互断开,即本申请实施例需要形成图案化的第一阴极层,本申请通过设计像素定义层的结构来实现第一阴极层图案化,如图1所示的显示面板,像素定义层2包括第一层像素定义层11和第二层像素定义层12,从衬底1指向像素定义层2的方向,第一层像素定义层11的横截面逐渐减小,第二层像素定义层12的横截面逐渐增大,并且在所述衬底1指向所述像素定义层2的方向上,所述第二类子像素区5的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区5的底部的开口面积,从而在蒸镀第一阴极层的材料时,可以实现在第二类子像素区5与第二类子像素区5之外区域的第一阴极层相互断开。
当然,为了使得蓝色子像素中的第一阴极层与其之外的第一阴极层断开,蓝色子像素周围的像素定义层也可以采用其他设置方式。可选地,也可以如图2所述,所述像素定义层2具体包括:设置在衬底1上的第一像素定义层13和第二像素定义层14,以及设置在所述第一像素定义层13和所述第二像素定义层14上的第三像素定义层15;从所述衬底1指向所述像素定义层2的方向,所述第一像素定义层13和所述第二像素定义层14的横截面逐渐减小,所述第三像素定义层12的横截面逐渐增大;在所述衬底1指向所述像素定义层2的方向上,所述第一类子像素区6的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区6的底部的开口面积。
与图1相比,图2中下层像素定义层包括同层设置的两个像素定义层,在下层像素定义层之上设置倒梯形的像素定义层更容易实现。此外,本申请实施例提供的显示面板,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积,从而在第二类子像素区之外的第一阴极层连续设置,这样无需针对第一阴极层设置复杂的引线,不会增加显示面板设计及制备的难度。
可选地,当下层像素定义层包括第一像素定义层和第二像素定义层时,所述第一像素定义层和所述第二像素定义层的厚度相同,所述第一像素定义层和所述第二像素定义层的厚度范围为:0.2~1.5微米;所述第三像素定义层的厚度范围为:0.2~1.5微米。
可选地,所述第一类子像素区包括红色子像素和绿色子像素,所述第二类子像素包括蓝色子像素;所述第一类发光层包括位于所述红色子像素中的红色发光层以及位于所述绿色子像素中的绿色发光层,所述第二类发光层为蓝色发光层。以图2为例,第一类子像素区6包括红色子像素R和绿色子像素G,相应的红色子像素R中第一类发光层为红色发光层21,绿色子像素G中第一类发光层为绿色发光层22,第二类发光层为蓝色发光层。
需要说明的是,本申请实施例提供的如图2所示的显示面板,每一像素包括红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B,即像素排列为传统的RGB排列方式。当然,也可以采用其他像素排列方式。
可选地,如图3所示,显示面板包括沿第一方向X和第二方向Y重复排列的像素组16,每一所述像素组16包括沿第一方向X排列的第一像素17和第二像素18,所述第一像素17包括沿第一方向X排列的红色子像素R和蓝色子像素B,所述第二像素18包括沿第一方向X排列的绿色子像素G和蓝色子像素B。当需要进行画面显示时,第一像素17在第一方向X上借用相邻第二像素中的绿色子像素渲染混合形成白光,第二像素在第一方向X上借用相邻第一像素中的红色子像素渲染混合形成白光。这样,相比于传统的一个像素包括RGB三种子像素的情况,本申请实施例提供的显示面板中每个像素减少一个子像素,从而可以提升显示面板的分辨率,进一步提升显示效果。
图1、图2中蓝色子像素和第一类子像素区周围的像素定义层都包括上下两层,且上层像素定义层为倒梯形像素定义层,实际上,为了不增加第一阴极层连接引线的复杂度,在第二类子像素区之外的区域第一阴极层连续设置,而第一类子像素区周围的像素定义层可以仅设置一层截面为正梯形的像素定义层。
此外,像素定义层还可以采用其他设置方式,例如像素定义层仅包括单层像素定义层。可选地,所述像素定义层平行于所述衬底的横截面积相等,且所述像素定义层垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形。
以如图3所示的像素排列结构为例,可选地,如图4所示,本申请实施例提供的显示面板,红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B周围的像素界定层2仅包括一层,图4中,像素定义层2在垂直于所述衬底1方向上的截面为平行四边形,且从所述衬底1指向所述像素定义层2的方向所述像素定义层2的横截面积相等。图4中,蓝色子像素B周围的像素定义层2从所述衬底1指向所述像素定义层2的方向所述像素定义层2的横截面逐渐靠近蓝色子像素,即在所述衬底1指向所述像素定义层2的方向上,所述蓝色子像素B的顶部的开口面积小于或等于所述蓝色子像素B的底部的开口面积,从而可以使得蓝色子像素B与蓝色子像素之外的区域的第一阴极层8相互断开,从而实现对蓝色子像素单独点亮。
可选地,本申请实施例提供的如图1、2、4所示的显示面板,所述第一阴极层8覆盖所述子像素区4以及所述像素定义层2,所述第二类发光层9覆盖所述第一阴极层8,所述第二阴极层10覆盖所述第二类发光层9。从而第二阴极层无需连接复杂引线,可以在不增加显示面板制备工艺难度的情况下,提高蓝色子像素的发光效率。
可选地,所述第二阴极层厚度为50~10000纳米。从而可以保证第二阴极层连续覆盖像素区。
需要说明的是,本申请实施例提供的显示面板为OLED面板,以图1、2、4为例,所述第一阴极层8覆盖所述子像素区4以及所述像素定义层2,所述第二类发光层9覆盖所述第一阴极层8,所述第二阴极层10覆盖所述第二类发光层,虽然第一类子像素区中包括第二类发光层,但在第一类子像素区中第二类发光层在第一阴极层和第二阴极层之间,实际情况中,第一阴极层和第二阴极层的电压为零,即第一阴极层和第二阴极层之间没有电压差,因此,第一类子像素区中的第二类发光层不发光,当第二类发光层为蓝色发光层时,从而在第一类子像素区中也不会出现蓝色串扰。
可选地,所述第一阴极层为透明阴极层,且所述第二阴极层为不透明阴极层;或者,所述第一阴极层为不透明阴极层,且所述第二阴极层为透明阴极层。以子像素区包括红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素为例,在具体实施时,阳极的材料例如可以是氧化铟锡(ITO),。当所述第一阴极层为透明阴极层,且所述第二阴极层为不透明阴极层时,即红色子像素和绿色子像素中的第一阴极层为透明阴极,本申请实施例提供的上述显示面板,对于红色子像素和绿色子像素,相当于增加了谐振腔中发光层与反射阴极之间的,通过调节蓝光发光层的厚度,可以调节整个红色子像素和蓝色子像素的谐振腔的腔长,并可以使得发光层处于谐振腔的反射节点,从而可以提高红色子像素和蓝色子像素的出光效率。当所述第一阴极层为不透明阴极层,且所述第二阴极层为透明阴极层时,这样蓝色子像素为顶发射,红色子像素和蓝色子像素为底发射,并且由于第一阴极层在蓝色子像素和蓝色子像素之外的区域断开,底发射子像素和顶发射子像素可以同时单独控制,从而显示面板可以进行双面发光显示,进一步丰富显示面板的功能。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法,如图5所示,该方法包括:
S101、在衬底上依次形成阳极和像素定义层的图案;其中,所述像素定义层限定出多个子像素区,所述子像素区分为第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区开口的顶部面积不大于所述第二类子像素区开口的底部面积;
S102、采用喷墨打印工艺在所述第一类子像素区内形成第一类发光层的图案;
S103、至少在所述第一类发光层和所述第二类子像素区内形成第一阴极层的图案;所述第二类子像素区内与所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,在所述第一类子像素区内所述阳极、第一类发光层以及第一阴极层构成发光结构;
S104、采用完全开口掩膜板,在所述第一阴极层之上蒸镀发光材料形成第二类发光层的图案;
S105、至少在所述第二类子像素区内形成第二阴极层的图案,在所述第二类子像素内所述第一阴极层、第二类发光层以及第二阴极层构成发光结构。
本申请实施例提供的显示面板制备方法,形成的像素定义层使得第二子像素区的开口面积小于或等于第二子像素区中所述衬底的面积,从而,形成第一阴极层在第二类子像素区与其他区域断开,第一阴极层在第二类子像素区中作为阳极,第二类子像素可单独点亮,并且由于采用完全开口掩膜板蒸镀发光材料形成第二类发光层,从而掩膜板的开口可以大于第二子像素的开口,第二子像素的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二子像素的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
需要说明的是,本申请实施例提供的衬底,例如可以是在衬底基板上完成薄膜晶体管等膜层的制作后,再进行平坦化层制作形成的衬底。平坦化层材料可以是树脂(Resin)、氮化硅(SiNx)等,平坦化层的材料可以选择与像素定义层相同的材料。
可选地,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
采用图形化工艺在衬底上形成第一像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一像层素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在衬底上形成与所述第一像素定义层相邻的第二像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二像素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在所述第一像素定义层和所述第二像素定义层之上形成第三像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;使得在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
可选地,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
形成平行于所述衬底的横截面积相等、且垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形的像素定义层的图案。
接下来,以像素定义层包括第一像素定义层、第二像素定义层和第三像素定义层、第一类子像素区包括红色子像素和绿色子像素、第二类子像素区包括蓝色子像素为例,对本申请实施例提供的显示面板制备方法进行举例说明。
如图6所示,本申请实施例提供的显示面板制备方法包括如下步骤:
步骤S101在衬底上形成相互间隔的阳极图案和像素定义层图案具体包括:
S201、在衬底1上沉积ITO,进行图形化工艺形成阳极2的图案;
S202、采用图形化工艺在衬底1上形成第一像素定义层13的图案;
其中,在衬底1指向像素定义层2的方向上,第一像层素定义层13的横截面逐渐减小;
S203、采用图形化工艺在衬底1上形成与第一像素定义层13相邻的第二像素定义层14的图案;
其中,在衬底1指向像素定义层2的方向上,第二像素定义层14的横截面逐渐减小;
S204、采用图形化工艺在第一像素定义层13和第二像素定义层14之上形成第三像素定义层15的图案;
其中,在衬底1指向像素定义层2的方向上,第三像素定义层15的横截面逐渐增大;使得在衬底1指向像素定义层2的方向上,红色子像素R和绿色子像素G的顶部的开口面积大于或等于所述红色子像素R和绿色子像素G的底部的开口面积,蓝色子像素B开口的顶部面积不大于蓝色子像素B开口的底部面积。
S205、采用喷墨打印工艺,在红色子像素R中沉积红色发光材料形成红色发光层21以及在绿色子像素G中沉积绿色发光材料形成绿色发光层22;
S206、采用热蒸镀或溅射等工艺沉积电极材料形成第一阴极层8的图案;
其中,第一阴极层8覆盖子像素区和像素定义层,第一阴极层8在第二类子像素区5和第二类子像素区5之外的区域断开,第二类子像素区5之外的第一阴极层8连续;第一阴极层组成材料例如可以包括下列材料之一或其组合:镁银合金、银、氧化铟锌(IZO)、ITO、铝掺杂的氧化锌(AZO);即第一阴极层可以是单层也可以是复合层;当第一阴极层为单层时,其厚度范围为10~100纳米;当第一阴极层为复合层时,可以是镁银合金或银等与IZO、ITO或AZO等材料组成的复合层,此种情况,镁银合金或银等材料组成薄层电极层,设置在红色发光层材料或绿色发光层材料的一侧,其厚度范围为2~20纳米,IZO、ITO或AZO等材料覆盖在上述薄层电极层上,厚度范围在10~100纳米。
S207、在所述第一阴极层8之上,采用open mask热蒸镀蓝色发光材料形成覆盖第一阴极层8的蓝色发光层9的图案。
S208、采用热蒸镀或者溅射工艺沉积电极材料形成覆盖蓝色发光层9的第二阴极层10的图案。
一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
本申请实施例提供的显示装置例如可以是手机、电脑、电视等装置。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,这样,第二类子像素区中,第一阴极层与阳极作为发光结构的阳极,第二阴极层作为发光结构的阴极,第二类子像素区可以单独点亮,从而可以对第二类子像素区的亮度单独进行调节,提高显示效果。并且第二类发光层不止设置于第二类子像素区中,因此,在蒸镀第二类发光层时,掩膜板的开口大于第二类子像素区的开口,第二类子像素区的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二类子像素区的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面包括位于衬底上的像素定义层,其中,所述像素定义层定义出多个子像素区,所述子像素区包括第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区的底部的开口面积;
所述第一类子像素区内至少包括依次位于衬底之上的阳极、第一类发光层和第一阴极层;
所述第二类子像素区内包括依次位于所述衬底之上的阳极、第一阴极层、第二类发光层和第二阴极层;所述第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层具体包括:在所述衬底上的第一像素定义层和第二像素定义层,以及位于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层之上的第三像素定义层;
其中,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一像层素定义层和所述第二像素定义层的横截面逐渐减小,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;
在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层平行于所述衬底的横截面积相等,且所述像素定义层垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一类子像素区包括红色子像素和绿色子像素,所述第二类子像素包括蓝色子像素;所述第一类发光层包括位于所述红色子像素中的红色发光层以及位于所述绿色子像素中的绿色发光层,所述第二类发光层为蓝色发光层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阴极层覆盖所述子像素区以及所述像素定义层,所述第二类发光层覆盖所述第一阴极层,所述第二阴极层覆盖所述第二类发光层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一阴极层为透明阴极层,且所述第二阴极层为不透明阴极层;或者,所述第一阴极层为不透明阴极层,且所述第二阴极层为透明阴极层。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,该方法包括:
在衬底上依次形成阳极和像素定义层的图案;其中,所述像素定义层限定出多个子像素区,所述子像素区分为第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区开口的顶部面积不大于所述第二类子像素区开口的底部面积;
采用喷墨打印工艺在所述第一类子像素区内形成第一类发光层的图案;
至少在所述第一类发光层和所述第二类子像素区内形成第一阴极层的图案;所述第二类子像素区内与所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,在所述第一类子像素区内所述阳极、第一类发光层以及第一阴极层构成发光结构;
采用完全开口掩膜板,在所述第一阴极层之上蒸镀发光材料形成第二类发光层的图案;
至少在所述第二类子像素区内形成第二阴极层的图案,在所述第二类子像素内所述第一阴极层、第二类发光层以及第二阴极层构成发光结构。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
采用图形化工艺在衬底上形成第一像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一像层素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在衬底上形成与所述第一像素定义层相邻的第二像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二像素定义层的横截面逐渐减小;
采用图形化工艺在所述第一像素定义层和所述第二像素定义层之上形成第三像素定义层的图案;在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;使得在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底上形成像素定义层的图案,具体包括:
形成平行于所述衬底的横截面积相等、且垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形的像素定义层的图案。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的显示面板。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110085126A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 组合式显示面板 |
CN110767703A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN111092111A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置 |
CN111384095A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种终端 |
CN113299697A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN113629205A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN117135963A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-11-28 | 惠科股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1353464A (zh) * | 2000-11-10 | 2002-06-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
US20020110940A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for producing a light emitting device |
CN102969333A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示背板及其像素界定层的制备方法、显示装置 |
CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
CN206293473U (zh) * | 2016-10-31 | 2017-06-30 | 昆山国显光电有限公司 | 一种oled器件 |
-
2018
- 2018-08-01 CN CN201810865386.0A patent/CN108962964B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1353464A (zh) * | 2000-11-10 | 2002-06-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
US20020110940A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for producing a light emitting device |
US20050197034A1 (en) * | 2001-01-18 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for producing a light emitting device |
CN102969333A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示背板及其像素界定层的制备方法、显示装置 |
CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
CN206293473U (zh) * | 2016-10-31 | 2017-06-30 | 昆山国显光电有限公司 | 一种oled器件 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110767703A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN110767703B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-09-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
US11387281B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-07-12 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device, enabling full screen display with transparent and non-transparent display areas |
CN111384095A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种终端 |
US11308850B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-04-19 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Combined display panel |
CN110085126A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 组合式显示面板 |
CN111092111A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置 |
CN113299697B (zh) * | 2021-05-07 | 2022-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN113299697A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN113629205A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113629205B (zh) * | 2021-07-19 | 2023-02-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN117135963A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-11-28 | 惠科股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN117135963B (zh) * | 2023-09-20 | 2024-07-19 | 惠科股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108962964B (zh) | 2020-06-30 |
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