CN108914088B - 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法 - Google Patents

一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108914088B
CN108914088B CN201811146959.0A CN201811146959A CN108914088B CN 108914088 B CN108914088 B CN 108914088B CN 201811146959 A CN201811146959 A CN 201811146959A CN 108914088 B CN108914088 B CN 108914088B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
hydrogen
direct current
tail gas
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811146959.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108914088A (zh
Inventor
李成明
安康
陈良贤
贾鑫
魏俊俊
张建军
刘金龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Science and Technology Beijing USTB
Original Assignee
University of Science and Technology Beijing USTB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Science and Technology Beijing USTB filed Critical University of Science and Technology Beijing USTB
Priority to CN201811146959.0A priority Critical patent/CN108914088B/zh
Publication of CN108914088A publication Critical patent/CN108914088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108914088B publication Critical patent/CN108914088B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/272—Diamond only using DC, AC or RF discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges

Abstract

一种制备高质量金刚石的气体循环***及使用方法，属于材料制备领域。气体循环***包括直流喷射等离子体化学气相沉积***、气体供给***、尾气循环***、气体纯化***。气体供给***为两台直流喷射等离子体化学气相沉积装置提供原料气。尾气循环***可将沉积***中的尾气抽出，并供给到由氢气提纯仪组成的气体纯化***，尾气经过提纯之后分离出高纯氢气和含氩、碳元素的混合气，其中高纯氢气供给回沉积装置，含氩、碳尾气作为原料气供给到其中一台沉积装置中沉积热沉级金刚石，另一台沉积装置可以实现高纯气体的供给，沉积光学级金刚石膜。通过上述过程，实现高纯氢气的循环使用，既可满足高质量金刚石膜的制备需求，也可降低制备成本。

Description

一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法
技术领域
本发明涉及一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法，尤其是直流电弧等离子体喷射化学气相沉积方法制备高质量金刚石膜的过程中，属于材料制备领域。
背景技术
目前，在众多沉积金刚石膜的技术中，直流电弧等离子体化学气相沉积金刚石技术以其沉积速率快的特点得到了广泛应用。但是，较大的气体消耗量导致金刚石膜的制备成本较高。
为了解决该问题，国内外科研工作者做了大量的工作。美国西屋电气的IvanMartorell和北京科技大学的Fanxiu Lu分别在1999年和2000年在《Diamond and RelatedMaterials》上报道了使用气体循环***降低金刚石膜的制备成本。但是，气体的循环使用难免会在沉积***中引入杂质，这些杂质将会影响金刚石膜的质量，尤其是光学质量。
以上所有气体循环***都存在使用循环气体时难免会在***中引入杂质，这些杂质会影响金刚石的质量，尤其是光学质量。
发明内容
本发明目的是提供用于直流电弧喷射等离子体化学气相沉积制备金刚石的气体循环***和使用方法。本***中含有氢气提纯仪，可以实现了普通纯度原料氢气的高纯供给，故可以保证循环***中氢气的纯度，由此满足高质量金刚石膜的沉积条件；同时使用普通纯度的氢气可以降低沉积金刚石过程中的成本。此外，通过气体循环使用，也降低了制备高质量金刚石膜的成本。
一种制备高质量金刚石的气体循环***，气体循环***由直流喷射等离子体化学气相沉积***、气体供给***、尾气循环***、气体纯化***组成。直流喷射等离子体化学气相沉积***由两台直流电弧喷射等离子体装置组成，一台直流电弧喷射等离子体装置用于沉积光学级金刚石膜，一台直流电弧喷射等离子体装置用于沉积热沉级金刚石膜；气体供给***与纯化***以及直流喷射等离子体化学气相沉积***相连，负责沉积金刚石过程中的原料气供给；气体纯化***与气体供给***、尾气循环***以及直流喷射等离子体化学气相沉积***相连；通过气体循环可以提高沉积速率制备大面积金刚石膜，达到低成本制备高质量金刚石的目的。
进一步地，所述直流电弧喷射等离子体化学气相沉积***包括直流喷射等离子体电弧炬，直流喷射等离子体沉积腔体；使用的原料气包括普通氢气、高纯氩气和高纯甲烷，通入气体的数量由流量计控制。
进一步地、气体供给***，包括普通氢气、高纯氩气、高纯甲烷、流量计一、流量计二、流量计三、流量计四、流量计五、流量计六、流量计七、流量计八、流量计九；通过引入氢气提纯***，可将高纯氢气改为普通纯度的氢气，通过纯化之后再通入直流喷射等离子体化学气相沉积***，这样能有效降低原料气成本。
进一步地，尾气循环***，包括热交换器一和热交换器二、过滤器一和过滤器二、油水分离器一和油水分离器二、罗茨泵一和罗茨泵二、气体增压泵；其中，热交换器用于高温气体降温，过滤器用于去除尾气中的杂质和粉尘，油水分离器用于去除尾气中的油气和水汽，罗茨泵用于抽出真空腔体内的气体，增压泵用于罗茨泵抽出的尾气增加压力；气体循环***可以将直流喷射等离子体化学气相沉积***中离化后用于沉积金刚石的原料气抽出沉积***之外，将尾气降温后除去其中的油气、水汽以及其中的杂质，再次增压之后供入气体纯化***。
进一步地，所述气体纯化***与气体供给***、尾气循环***以及直流喷射等离子体化学气相沉积***相连，气体纯化装置含氢气提纯仪，提纯仪尾气中主要成分为氩气和甲烷，氢气提纯仪能将氢气体积分数大于50%的混合气纯化成大于99.9999%的高纯氢气，并将混合气中其他的气体过滤，以尾气的形式排出纯化***；经过氢气提纯仪纯化，高纯氢气由出口流出并重新供给到直流喷射等离子体化学气相沉积***中用于高质量光学膜沉积，可实现循环气的多次利用。
进一步地，原料气体通入直流喷射等离子体喷射装置解离用于沉积金刚石膜之后，尾气由真空泵吸入气体循环***，尾气经过降温，增压以及过滤除去水汽和油气之后，进入氢气提纯仪。
进一步地，直流喷射等离子体化学气相沉积***中的一台直流电弧喷射等离子体装置使用氢气提纯仪的尾气作为原料气，用于沉积热沉级金刚石膜；一台直流电弧喷射等离子体装置使高纯氩气作为原料气，用于沉积光学级金刚石膜。
进一步地，直流喷射等离子体化学气相沉积***中添加使用的氢气提纯仪根据实际情况将氢气流量控制在0-100 L/s 、即0-100 Slm。
一种如上所述制备高质量金刚石的气体循环***的使用方法，其特征在于：首先，普通氢气经过流量计二控制通入氢气提纯仪流量，经过提纯仪提纯后，氢气以高纯氢气形式和高纯甲烷以及高纯氩气一起通入一号直流电弧喷射等离子体炬中；在原料气用于金刚石膜的沉积之后，尾气由罗茨泵一抽出一号直流电弧喷射等离子体沉积腔体；之后尾气经过热交换器一降温，过滤器一和油水分离器一过滤油气、水汽以及杂质，并经过气体增压泵增压重新通入氢气提纯仪提纯分离，提纯出的高纯氢气重新通入一号直流电弧喷射等离子体炬用于金刚石膜的沉积；氢气提纯仪分离后的尾气由尾气出口排出，尾气的主要成分是氩气和含碳的基团，这些尾气作为二号直流电弧喷射等离子体炬制备金刚石膜的原料气，同时为了保证原料气的供应，部分氩气须由流量计六控制高纯氩气的供应量；原料气沉积金刚石膜之后尾气由罗茨泵二抽出二号直流电弧喷射等离子体沉积腔体；之后尾气经过热交换器二降温，过滤器二和油水分离器二过滤油气、水汽以及杂质，之后重新通入直流喷射等离子体化学气相沉积***，用于金刚石膜的沉积，实现气体循环利用。
更进一步地，只需要往第一台沉积***中供入高纯甲烷，第二台不再提供甲烷作为原料气，只需要将含有含碳基团的提纯仪尾气供入即可。可以提高甲烷的利用效率，有效降低制备成本。
本发明通过在直流电弧喷射等离子体化学气相沉积***的气体循环***中引入氢气提纯仪，可以实现高纯氢气的循环供给，有效的提高了循环气的纯度，保证高质量金刚石的沉积。同时，可以使用普通氢气作为原料气供给，在通过氢气提纯仪之后，提高氢气纯度，可以有效降低原料气成本。提纯仪中的尾气主要含有氩气以及含碳基团，可以用于另一台沉积设备制备金刚石，可以保证原料气体的使用效率。所以该气体循环***，可以有效的提高原料气纯度，并降低制备成本，值得在实际应用中推广。
附图说明
图1为一种制备高质量金刚石的气体循环***及使用方法的示意图；
图中标号名称：1、一号直流电弧喷射等离子体电弧炬，2、一号直流电弧喷射等离子体沉积腔体，3、热交换器一，4、过滤器一，5、罗茨泵一，6、普通氢气，7、气体增压泵，8、油水分离器一，9、流量计一，10、流量计二，11、流量计三，12、氢气提纯仪，13、氢气提纯仪尾气出口，14、氢气提纯仪纯氢出口，15、高纯甲烷，16、流量计四，17、流量计五，18、流量计六，19、高纯氩气，20、流量计七，21、流量计八，22、二号直流电弧喷射等离子体电弧炬，23、二号直流电弧喷射等离子体沉积腔体，24、热交换器二，25、过滤器二，26、罗茨泵二，27、尾气排气口，28、油水分离器二，29、流量计九。
具体实施方式
实施例
本发明为一种制备高质量金刚石的气体循环***及使用方法。该***主要包括直流喷射等离子体沉积***，热交换器，过滤器，罗茨泵，气体增压泵，油水分离器，流量计，氢气提纯仪，普通氢气，高纯甲烷，高纯氩气等。
首先，普通氢气6经过流量计二10控制通入氢气提纯仪12流量，经过提纯仪提纯后，氢气以高纯氢气形式和高纯甲烷15以及高纯氩气19一起通入一号直流电弧喷射等离子体炬1中。在原料气用于金刚石膜的沉积之后，尾气由罗茨泵一5抽出一号直流电弧喷射等离子体沉积腔体2。之后尾气经过热交换器一3降温，过滤器一4和油水分离器一8过滤油气、水汽以及杂质，并经过气体增压泵7增压重新通入氢气提纯仪12提纯分离，提纯出的高纯氢气重新通入一号直流电弧喷射等离子体炬1用于金刚石膜的沉积。
再次，氢气提纯仪12分离后的尾气由尾气出口13排出，尾气的主要成分是氩气和含碳的基团，这些尾气可以作为二号直流电弧喷射等离子体炬22制备金刚石膜的原料气，同时为了保证原料气的供应，部分氩气须由流量计六18控制高纯氩气19的供应量。原料气沉积金刚石膜之后尾气由罗茨泵二27抽出二号直流电弧喷射等离子体沉积腔体23。之后尾气经过热交换器二24降温，过滤器二25和油水分离器二28过滤油气、水汽以及杂质，之后重新通入直流电弧喷射等离子体***，用于金刚石膜的沉积，实现气体循环利用。
综上所述，本发明在直流电弧喷射等离子体化学气相沉积***的气体循环***可以有效的提高原料气的纯度，用于制备高质量的金刚石膜，同时也降低了制备成本。提纯仪的尾气主要含有氩气和含碳基团，可供给另一台直流电弧喷射等离子体化学气相沉积***沉积金刚石，即无需向这台设备提供甲烷。在提高气体使用效率的同时，可以使用普通氢气作为原料气较低制备的成本。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：气体循环***由直流喷射等离子体化学气相沉积***、气体供给***、尾气循环***、气体纯化***组成；直流喷射等离子体化学气相沉积***由两台直流电弧喷射等离子体装置组成，一台直流电弧喷射等离子体装置用于沉积光学级金刚石膜，一台直流电弧喷射等离子体装置用于沉积热沉级金刚石膜；气体供给***与纯化***以及直流喷射等离子体化学气相沉积***相连，负责沉积金刚石过程中的原料气供给；所述气体纯化***与气体供给***、尾气循环***以及直流喷射等离子体化学气相沉积***相连，气体纯化装置含氢气提纯仪，提纯仪尾气中主要成分为氩气和甲烷，氢气提纯仪能将氢气体积分数大于50%的混合气纯化成大于99.9999%的高纯氢气，并将混合气中其他的气体过滤，以尾气的形式排出纯化***；经过氢气提纯仪纯化，高纯氢气由出口流出并重新供给到直流喷射等离子体化学气相沉积***中用于高质量光学膜沉积，能实现循环气的多次利用；通过气体循环能够提高沉积速率制备大面积金刚石膜，达到低成本制备高质量金刚石的目的。
2.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：所述直流电弧喷射等离子体化学气相沉积***包括直流喷射等离子体电弧炬，直流喷射等离子体沉积腔体；使用的原料气包括普通氢气、高纯氩气和高纯甲烷，通入气体的数量由流量计控制。
3.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：气体供给***，包括普通氢气、高纯氩气、高纯甲烷、流量计一、流量计二、流量计三、流量计四、流量计五、流量计六、流量计七、流量计八、流量计九；通过引入氢气提纯***，能将高纯氢气改为普通纯度的氢气，通过纯化之后再通入直流喷射等离子体化学气相沉积***，这样能有效降低原料气成本。
4.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：尾气循环***，包括热交换器一和热交换器二、过滤器一和过滤器二、油水分离器一和油水分离器二、罗茨泵一和罗茨泵二、气体增压泵；其中，热交换器用于高温气体降温，过滤器用于去除尾气中的杂质和粉尘，油水分离器用于去除尾气中的油气和水汽，罗茨泵用于抽出真空腔体内的气体，增压泵用于罗茨泵抽出的尾气增加压力；气体循环***能够将直流喷射等离子体化学气相沉积***中离化后用于沉积金刚石的原料气抽出沉积***之外，将尾气降温后除去其中的油气、水汽以及其中的杂质，再次增压之后供入气体纯化***。
5.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：原料气体通入直流喷射等离子体喷射装置解离用于沉积金刚石膜之后，尾气由真空泵吸入气体循环***，尾气经过降温，增压以及过滤除去水汽和油气之后，进入氢气提纯仪。
6.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：直流喷射等离子体化学气相沉积***中的一台直流电弧喷射等离子体装置使用氢气提纯仪的尾气作为原料气，用于沉积热沉级金刚石膜；一台直流电弧喷射等离子体装置使高纯氩气作为原料气，用于沉积光学级金刚石膜。
7.根据权利要求1所述一种制备高质量金刚石的气体循环***，其特征在于：直流喷射等离子体化学气相沉积***中添加使用的氢气提纯仪根据实际情况将氢气流量控制在0-100 L/s 、即0-100 Slm。
8.一种如权利要求1-4所述制备高质量金刚石的气体循环***的使用方法，其特征在于：首先，普通氢气（6）经过流量计二（10）控制通入氢气提纯仪（12）流量，经过提纯仪提纯后，氢气以高纯氢气形式和高纯甲烷（15）以及高纯氩气（19）一起通入一号直流电弧喷射等离子体炬（1）中；在原料气用于金刚石膜的沉积之后，尾气由罗茨泵一（5）抽出一号直流电弧喷射等离子体沉积腔体（2）；之后尾气经过热交换器一（3）降温，过滤器一（4）和油水分离器一（8）过滤油气、水汽以及杂质，并经过气体增压泵（7）增压重新通入氢气提纯仪（12）提纯分离，提纯出的高纯氢气重新通入一号直流电弧喷射等离子体炬（1）用于金刚石膜的沉积；氢气提纯仪（12）分离后的尾气由尾气出口（13）排出，尾气的主要成分是氩气和含碳的基团，这些尾气作为二号直流电弧喷射等离子体炬（22）制备金刚石膜的原料气，同时为了保证原料气的供应，部分氩气须由流量计六（18）控制高纯氩气（19）的供应量；原料气沉积金刚石膜之后尾气由罗茨泵二（27）抽出二号直流电弧喷射等离子体沉积腔体（23）；之后尾气经过热交换器二（24）降温，过滤器二（25）和油水分离器二（28）过滤油气、水汽以及杂质，之后重新通入直流喷射等离子体化学气相沉积***，用于金刚石膜的沉积，实现气体循环利用。
CN201811146959.0A 2018-09-29 2018-09-29 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法 Active CN108914088B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811146959.0A CN108914088B (zh) 2018-09-29 2018-09-29 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811146959.0A CN108914088B (zh) 2018-09-29 2018-09-29 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108914088A CN108914088A (zh) 2018-11-30
CN108914088B true CN108914088B (zh) 2023-07-28

Family

ID=64408848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811146959.0A Active CN108914088B (zh) 2018-09-29 2018-09-29 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108914088B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109888128A (zh) * 2019-03-25 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板的封装方法及显示面板的制作方法
CN113667961B (zh) * 2021-07-31 2023-07-07 山西国脉金晶碳基半导体材料产业研究院有限公司 化学气相沉积高品质金刚石的制备装置及制备方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0418837A1 (en) * 1989-09-20 1991-03-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond synthesizing apparatus
CN1060316A (zh) * 1987-04-03 1992-04-15 富士通株式会社 汽相淀积金刚石的方法及装置
US5368897A (en) * 1987-04-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Method for arc discharge plasma vapor deposition of diamond
JPH0753298A (ja) * 1993-08-12 1995-02-28 Fujitsu Ltd ダイヤモンドの気相合成方法及び装置
US5560779A (en) * 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
CN101465399A (zh) * 2008-12-30 2009-06-24 吉林大学 用金刚石膜作热沉材料的led芯片基座及制作方法
CN101709457A (zh) * 2009-11-05 2010-05-19 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 一种化学气相沉积金刚石或其它物质的装置
CN102618846A (zh) * 2012-04-18 2012-08-01 南京航空航天大学 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的方法及装置
CN202519327U (zh) * 2012-04-18 2012-11-07 南京航空航天大学 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的装置
CN103114276A (zh) * 2013-03-08 2013-05-22 北京科技大学 一种快速沉积类金刚石薄膜的装置
CN103354946A (zh) * 2010-12-23 2013-10-16 六号元素有限公司 用于制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器
CN103911596A (zh) * 2014-02-27 2014-07-09 武汉工程大学 一种制备金刚石膜的装置及使用该装置制备金刚石膜的方法
WO2015112574A2 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
CN204898064U (zh) * 2015-07-07 2015-12-23 中国科学院金属研究所 气体外循环型热丝 cvd 金刚石膜生长装置
CN107873063A (zh) * 2015-04-16 2018-04-03 Ii-Vi有限公司 高长径比的光学精加工薄金刚石基材或窗及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7300684B2 (en) * 2004-07-15 2007-11-27 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces of prefabricated process piping in the field
US7541069B2 (en) * 2005-03-07 2009-06-02 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces using reverse-flow cycling

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1060316A (zh) * 1987-04-03 1992-04-15 富士通株式会社 汽相淀积金刚石的方法及装置
US5368897A (en) * 1987-04-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Method for arc discharge plasma vapor deposition of diamond
EP0418837A1 (en) * 1989-09-20 1991-03-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond synthesizing apparatus
US5560779A (en) * 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
JPH0753298A (ja) * 1993-08-12 1995-02-28 Fujitsu Ltd ダイヤモンドの気相合成方法及び装置
CN101465399A (zh) * 2008-12-30 2009-06-24 吉林大学 用金刚石膜作热沉材料的led芯片基座及制作方法
CN101709457A (zh) * 2009-11-05 2010-05-19 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 一种化学气相沉积金刚石或其它物质的装置
CN103354946A (zh) * 2010-12-23 2013-10-16 六号元素有限公司 用于制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器
CN102618846A (zh) * 2012-04-18 2012-08-01 南京航空航天大学 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的方法及装置
CN202519327U (zh) * 2012-04-18 2012-11-07 南京航空航天大学 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的装置
CN103114276A (zh) * 2013-03-08 2013-05-22 北京科技大学 一种快速沉积类金刚石薄膜的装置
WO2015112574A2 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
CN103911596A (zh) * 2014-02-27 2014-07-09 武汉工程大学 一种制备金刚石膜的装置及使用该装置制备金刚石膜的方法
CN107873063A (zh) * 2015-04-16 2018-04-03 Ii-Vi有限公司 高长径比的光学精加工薄金刚石基材或窗及其制造方法
CN204898064U (zh) * 2015-07-07 2015-12-23 中国科学院金属研究所 气体外循环型热丝 cvd 金刚石膜生长装置

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Deposition of diamond films with controlled nucleation and growth using hot filament CVD;Wei, J;《Thin solid films》;第212卷(第1-2期);全文 *
化学气相沉积(CVD)金刚石研究现状和发展趋势;李成明等;《人工晶体学报》;第51卷(第5期);全文 *
气体循环条件下等离子体喷射CVD金刚石膜的生长稳定性和品质;牛得草等;《北京科技大学学报》(第11期);全文 *
直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法制备金刚石膜过程中冷阱的设计及作用;陈良贤等;《金刚石与磨料磨具工程》;第42卷(第2期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108914088A (zh) 2018-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108914088B (zh) 一种制备高质量金刚石的气体循环***及其使用方法
CN102632249B (zh) 一种制备金属钼粉的方法
JP5518750B2 (ja) シラン（ＳｉＨ４）を再循環させる方法
KR20110097732A (ko) Ｃｖｄ-지멘스 반응기 공정 수소 재활용 시스템
CN105460891B (zh) 一种甲醇驰放气的回收利用方法及***
CN101787563A (zh) 感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置
CN102618846A (zh) 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的方法及装置
CN104961127A (zh) 一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法
CN202141345U (zh) 退火炉用尾气回收***
CN208869656U (zh) 一种制备高质量金刚石的气体循环***
CN103789827A (zh) 硅烷法生产区熔多晶硅棒的装置及方法
CN102963910B (zh) 压缩法回收led制造中废氨气再利用的方法
CN110894599B (zh) 等离子体化学气相沉积***及方法
CN203700194U (zh) 一种用于光纤生产的富氦尾气回收纯化在线循环***
CN203033766U (zh) 多晶硅生产中副产物的回收***
CN204824155U (zh) 高原工程车用小型制氧***
CN1872663A (zh) 一种焦炉气制合成气工艺
CN209093057U (zh) 一种从压缩空气中富集氧气的装置
CN202519327U (zh) 一种多炬等离子体喷射cvd法沉积超硬膜的装置
CN219950503U (zh) 高纯三氯氢硅分离控制***
CN205420501U (zh) 罩式炉内保护气体的循环使用***
CN217526802U (zh) 一种甲硅烷和乙硅烷混合气的纯化分离***
CN203715788U (zh) 一种硅烷法生产区熔多晶硅棒的装置
CN204589318U (zh) 电解水制高氧普氢装置
CN103361136B (zh) 一种天然气中杂质的去除方法及用于该方法的设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant