CN108878448A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示装置及其制备方法,显示装置包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。本申请通过隔离层和层间介质层将源/漏极层包裹,从而使得源/漏极层在其后续工艺中不受刻蚀液的腐蚀,能够提高膜层的覆盖性,避免出现负载效应,提高可靠度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
随着面板行业的发展,手机屏幕LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)制程工艺逐渐取代a-Si。其载流子迁移率较高,可将驱动电路制作于TFT基板。另外,因其迁移率较高,TFT尺寸相比于a-Si产品更小,屏幕开口率更高。随着人们对LTPS制程的开发,In Cell Touch Panel(内嵌式触摸屏)技术被业内更多使用,相较于传统工艺Touch被制作于TFT基板上更有利于手机轻薄化。针对In cell touch panel工艺开发趋向于减小制程数量。
目前的技术中,源/漏极的侧面会在制备后续膜层时被刻蚀,造成膜层覆盖性不佳,出现负载效应,可靠度降低。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种显示装置及其制备方法,能够提高膜层的覆盖性,避免出现负载效应,提高可靠度。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示装置,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。
其中,源/漏极层的截面形状为梯形,隔离层包覆梯形的上底和两腰,层间介质层与梯形的下底贴合。
其中,隔离层的材料为钛或氮化钛中的任一种。
其中,源/漏极层包括依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,第一金属层与层间介质层贴合,第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钼、铝以及钼;或第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛。
其中,显示装置包括显示区域和边缘区域,隔离层位于显示装置的边缘区域。
其中,层间介质层远离源/漏极层的一侧依次设有栅极绝缘层、缓冲层以及基板,隔离层远离源/漏极层的一侧依次设有第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,层间介质层与第一介质层之间还包括平坦层,第一介质层包括向层间介质层突出的凸起部,凸起部在沿平行于层间介质层表面的方向上将平坦层与源/漏极层间隔开。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置的制备方法,包括:准备层间介质层;在层间介质层上制备源/漏极层;在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。
其中,在层间介质层上制备源/漏极层的步骤具体包括:在层间介质层上通过光罩曝光依次制备第一金属层、第二金属层以及第三金属层,以形成具有梯形截面源/漏极层,其中,第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛,第一金属层的宽度为梯形的下底长度;在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层的步骤具体包括:增加光罩曝光的宽度,在源/漏极层上通过光罩曝光制备隔离层,其中,隔离层的材料为钛,增加后的光罩曝光的宽度不小于梯形下底的宽度,以使隔离层包覆梯形的上底和两腰。
其中,在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层的步骤具体包括:在显示装置的边缘区域上的源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。
其中,准备层间介质层的步骤具体包括:准备基板;在基板上一侧制备缓冲层、栅极绝缘层以及以及层间介质层;在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层的步骤之后包括:依次制备平坦层、第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,第一介质层包括向层间介质层突出的凸起部,凸起部在沿平行于层间介质层表面的方向上将平坦层与源/漏极层间隔开。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请提供一种显示装置,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。本申请通过隔离层和层间介质层将源/漏极层包裹,从而使得源/漏极层在其后续工艺中不受刻蚀液的腐蚀,能够提高膜层的覆盖性,避免出现负载效应,提高可靠度。
附图说明
图1是本申请显示装置一实施方式的平面示意图;
图2是图1显示装置AB处的剖面示意图;
图3是本申请显示装置的制备方法一实施方式的流程示意图;
图3a是图3步骤201中显示装置的剖面示意图;
图3b是图3步骤202中显示装置的剖面示意图;
图3c是图3步骤203中显示装置的剖面示意图;
图3d是图3步骤203后显示装置的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示装置,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。
为了清楚的说明本申请显示装置的具体结构,请参阅图1,图1是本申请显示装置一实施方式的平面示意图;图2是图1显示装置AB处的剖面示意图。
结合图1和图2,本实施方式中,显示装置1包括依次设置的层间介质层113、源/漏极层114以及隔离层115,其中,隔离层115与层间介质层113形成隔离部,以包裹源/漏极层114。
本实施方式中,层间绝缘层113为源极和漏极之间的电绝缘层。层间绝缘层113的材料可以为二氧化硅、氮化硅、气凝胶、以及硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG)等介质,本申请对此不作限定。
本实施方式中,显示装置1包括边缘区域11和显示区域12。显示区域12的形状可以为矩形、正方形、圆形或者其他形状,边缘区域11包围显示区域12。
本实施方式中,隔离层115位于显示装置1的边缘区域11上的源/漏极层114。在其他实施方式中,隔离层115也可以设置在显示区域12上的源/漏极层上,本申请对此不作限定。
本实施方式中,源/漏极层114的截面形状为梯形,隔离层115包覆梯形的上底和两腰,层间介质层113与梯形的下底贴合。由于隔离层115防止了包覆梯形的上底和两腰,在进行源/漏极层114后续的工艺时,刻蚀液不会对源/漏极层114的两侧和顶面腐蚀。在其他实施方式中,源/漏极层114的截面也可以是矩形或弧形等其他形状,隔离层115只需相应调整与层间介质层113一同形成一隔离部,以包裹源/漏极层114,从而使得源/漏极层114免受刻蚀液的腐蚀。
本实施方式中,源/漏极层114包括依次设置的第一金属层1141、第二金属层1142以及第三金属层1143。其中,第一金属层1141与层间介质层113贴合,第一金属层1141位于源/漏极层114梯形截面的下底处,第三金属层1143位于源/漏极层114梯形截面的上底处,第二金属层1142位于第一金属层1141和第三金属层1143之间。第一金属层1141、第二金属层1142以及第三金属层1143的材料分别为钛、铝以及钛。在另一个具体的实施方式中,第一金属层1141、第二金属层1142以及第三金属层1143的材料分别为钼、铝以及钼。在其他实施方式中,第一金属层1141、第二金属层1142以及第三金属层1143也可以为其他材料,本申请对此不作限定。
本实施方式中,隔离层115的材料为钛。钛具有较强抗腐蚀性,能够保护源/漏极层114中的各个金属层不受腐蚀。隔离层115尤其保护材料为铝的第二金属层1142两侧不受腐蚀,从而避免第一金属层1141和第三金属层1143之间出现凹坑,出现负载效应,造成源/漏极层114损坏。另外,在制程方面,隔离层115是在第三金属层1143之后进行,隔离层115和第三金属层1143均为金属层,且为钛,只需调宽光罩的曝光宽度即可,无需额外增加一道光罩,即在不增加光罩的情况下制备隔离层115,实现了对源/漏极层114的保护。在其他实施方式中,隔离层115也可以为氮化钛或其他具有较强抗腐蚀性的材料,氮化钛可以抵抗氢氟酸和溴化氢等刻蚀液的腐蚀,对源/漏极层114具有较好的保护作用。
本实施方式中,层间介质层113远离源/漏极层114的一侧依次设有栅极绝缘层112、缓冲层111以及基板110。基板110可以是玻璃基板或塑料基板。基板110的材料可以为PI(Polyimide,聚酰亚胺),也可以是PET(polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二酯)等,本申请对此不作限定。缓冲层111制备于基板110的表面,栅极绝缘层112制备于缓冲层111的表面。
本实施方式中,隔离层115远离源/漏极层114的一侧依次设有第一介质层117、第二介质层118以及钝化层119。其中,层间介质层113与第一介质层117之间还包括平坦层116,第一介质层117包括向层间介质层113突出的凸起部(未标识),凸起部在沿平行于层间介质层113表面的方向上将平坦层116与源/漏极层114间隔开。
区别于现有技术的情况,本申请提供一种显示装置,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。本申请通过隔离层和层间介质层将源/漏极层包裹,从而使得源/漏极层在其后续工艺中不受刻蚀液的腐蚀,能够提高膜层的覆盖性,避免出现负载效应,提高可靠度。
参阅图3、3a、3b、3c以及3d。图3是本申请显示装置的制备方法一实施方式的流程示意图;图3a是图3步骤201中显示装置的剖面示意图;图3b是图3步骤202中显示装置的剖面示意图;图3c是图3步骤203中显示装置的剖面示意图;图3d是图3步骤203后显示装置的剖面示意图。
结合图3、3a、3b、3c以及3d,本实施方式中,显示装置的制备方法包括以下步骤:
步骤201:准备层间介质层。
本实施方式中,准备基板210,然后在基板210上一侧制备缓冲层211、栅极绝缘层212以及以及层间介质层213。具体的,首先准备基板210,基板210可以是玻璃基板或塑料基板。基板210的材料可以为PI(Polyimide,聚酰亚胺),也可以是PET(polyethyleneterephthalate,聚对苯二甲酸乙二酯)等,本申请对此不作限定。在基板210的一侧表面制备缓冲层211,在缓冲层211的表面制备栅极绝缘层212,在栅极绝缘层212的表面制备层间介质层213。
步骤202:在层间介质层制备源/漏极层。
本实施方式中,在层间介质层213上通过光罩曝光依次制备第一金属层2141、第二金属层2142以及第三金属层2143,以形成具有梯形截面源/漏极层214。其中,第一金属层2141与层间介质层213贴合,第一金属层2141位于源/漏极层214梯形截面的下底处,第一金属层2141的宽度为梯形的下底长度相等。第三金属层2143位于源/漏极层214梯形截面的上底处,第二金属层2142位于第一金属层2141和第三金属层2143之间。第一金属层2141、第二金属层2142以及第三金属层2143的材料分别为钛、铝以及钛。在另一个具体的实施方式中,第一金属层2141、第二金属层2142以及第三金属层2143的材料分别为钼、铝以及钼。在其他实施方式中,第一金属层2141、第二金属层2142以及第三金属层2143也可以为其他材料,本申请对此不作限定。在其他实施方式中,源/漏极层214的截面也可以是矩形或弧形等其他形状,隔离层215只需相应调整与层间介质层213一同形成一隔离部,以包裹源/漏极层214,从而使得源/漏极层214免受刻蚀液的腐蚀。
步骤203:在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。
本实施方式中,在显示装置的边缘区域上的源/漏极层214上制备隔离层215。显示装置包括边缘区域和显示区域,边缘区域和显示区域的划分参阅图1,本申请在此不再赘述。在其他实施方式中,也可以在显示装置的显示区域上的源/漏极层上制备隔离层,本申请对此不作限定。
本实施方式中,在制备第三金属层2143之后,增加光罩曝光的宽度,在源/漏极层214上通过光罩曝光制备隔离层215。其中,隔离层215的材料为钛,增加后的光罩曝光的宽度不小于梯形下底的宽度,以使隔离层215包覆梯形的上底和两腰。在其他实施方式中,光罩曝光的宽度也可以小于梯形下底的宽度,但需保证隔离层215能够覆盖源/漏极层214中容易受到腐蚀的金属层即可。由于光罩曝光的宽度不小于梯形下底的宽度,制备处的隔离层215能够完全覆盖源/漏极层214的上底和两侧,从而避免源/漏极层214的上底和两侧受到腐蚀钛具有较强抗腐蚀性,能够保护源/漏极层214中的各个金属层不受腐蚀。
本实施方式中,隔离层215的材料为钛。隔离层215尤其保护材料为铝的第二金属层2142两侧不受腐蚀,从而避免第一金属层2141和第三金属层2143之间出现凹坑,出现负载效应,造成源/漏极层214损坏。另外,在制程方面,隔离层215是在第三金属层2143之后进行,隔离层215和第三金属层2143均为金属层,且为钛,只需调宽光罩的曝光宽度即可,无需额外增加一道光罩,即在不增加光罩的情况下实现了对源/漏极层214的保护。在其他实施方式中,隔离层215也可以为氮化钛或其他具有较强抗腐蚀性的材料,氮化钛可以抵抗氢氟酸和溴化氢等刻蚀液的腐蚀,对源/漏极层214具有较好的保护作用。
进一步的,在制备完隔离层215后,在隔离层215的表面依次制备平坦层216、第一介质层217、第二介质层218以及钝化层219。其中,第一介质层217包括向层间介质层214突出的凸起部,凸起部在沿平行于层间介质层213表面的方向上将平坦层216与源/漏极层214间隔开。
区别于现有技术的情况,本申请提供一种显示装置的制备方法,包括准备层间介质层;在层间介质层上制备源/漏极层;在源/漏极层上制备隔离层,其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层其中,隔离层与层间介质层形成隔离部,以包裹源/漏极层。本申请通过隔离层和层间介质层将源/漏极层包裹,从而使得源/漏极层在其后续工艺中不受刻蚀液的腐蚀,能够提高膜层的覆盖性,避免出现负载效应,提高可靠度。
以上仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述源/漏极层的截面形状为梯形,所述隔离层包覆所述梯形的上底和两腰,所述层间介质层与所述梯形的下底贴合。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述隔离层的材料为钛或氮化钛中的任一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述源/漏极层包括依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,所述第一金属层与所述层间介质层贴合,所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钼、铝以及钼;或所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括显示区域和边缘区域,所述隔离层位于所述显示装置的边缘区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述层间介质层远离所述源/漏极层的一侧依次设有栅极绝缘层、缓冲层以及基板,所述隔离层远离所述源/漏极层的一侧依次设有第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,所述层间介质层与所述第一介质层之间还包括平坦层,所述第一介质层包括向所述层间介质层突出的凸起部,所述凸起部在沿平行于所述层间介质层表面的方向上将所述平坦层与所述源/漏极层间隔开。
7.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
准备层间介质层;
在所述层间介质层上制备源/漏极层;
在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,
所述在所述层间介质层上制备源/漏极层的步骤具体包括:
在所述层间介质层上通过光罩曝光依次制备第一金属层、第二金属层以及第三金属层,以形成具有梯形截面所述源/漏极层,其中,所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛,所述第一金属层的宽度为所述梯形的下底长度;
所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤具体包括:
增加光罩曝光的宽度,在所述源/漏极层上通过光罩曝光制备所述隔离层,其中,所述隔离层的材料为钛,增加后的所述光罩曝光的宽度不小于所述梯形下底的宽度,以使所述隔离层包覆所述梯形的上底和两腰。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤具体包括:
在所述显示装置的边缘区域上的所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,
所述准备层间介质层的步骤具体包括:
准备基板;
在所述基板上一侧制备缓冲层、栅极绝缘层以及以及所述层间介质层;
所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤之后包括:
依次制备平坦层、第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,所述第一介质层包括向所述层间介质层突出的凸起部,所述凸起部在沿平行于所述层间介质层表面的方向上将所述平坦层与所述源/漏极层间隔开。
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CN112542086A (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-23 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102645807A (zh) * | 2012-04-10 | 2012-08-22 | 深超光电(深圳)有限公司 | 液晶显示面板阵列基板及其制造方法 |
JP2016046404A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 欣永立企業有限公司 | タッチパネル用導電電極の製造方法及びその構造 |
CN106158728A (zh) * | 2015-04-03 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 接触孔栓塞的形成方法 |
CN107507868A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
-
2018
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102645807A (zh) * | 2012-04-10 | 2012-08-22 | 深超光电(深圳)有限公司 | 液晶显示面板阵列基板及其制造方法 |
JP2016046404A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 欣永立企業有限公司 | タッチパネル用導電電極の製造方法及びその構造 |
CN106158728A (zh) * | 2015-04-03 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 接触孔栓塞的形成方法 |
CN107507868A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112542086A (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-23 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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