CN108857859A - 晶片的抛光控制方法及抛光*** - Google Patents

晶片的抛光控制方法及抛光*** Download PDF

Info

Publication number
CN108857859A
CN108857859A CN201710446753.9A CN201710446753A CN108857859A CN 108857859 A CN108857859 A CN 108857859A CN 201710446753 A CN201710446753 A CN 201710446753A CN 108857859 A CN108857859 A CN 108857859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
interference signals
optical interference
polishing
light
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710446753.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108857859B (zh
Inventor
金圣教
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Case Polytron Technologies Inc
KC Co Ltd
Original Assignee
Case Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Case Polytron Technologies Inc filed Critical Case Polytron Technologies Inc
Publication of CN108857859A publication Critical patent/CN108857859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108857859B publication Critical patent/CN108857859B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • B24B49/165—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load for grinding tyres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及晶片的抛光控制方法及抛光***，提供一种能够进行控制以便在抛光结束时间点使晶片抛光层的厚度分布均一的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光***，该方法包括：抛光步骤，针对晶片的所述抛光层进行抛光；光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位置和第2位置照射光；光接收步骤，接收所述晶片的所述第1位置的第1反射光和所述第2位置的第2反射光；压力调节步骤，按区域(zone)调节所述晶片的压力，以便消除来自所述第1反射光的第1光干涉信号与来自所述第2反射光的第2光干涉信号的偏差。

Description

晶片的抛光控制方法及抛光***
技术领域
本发明涉及借助于利用多波长光的相位差检测的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光***，详细而言，涉及一种在抛光工序中，即使不完全算出抛光层的厚度，借助于利用了多波长光的相位差控制，便能够实时准确地调节抛光层的厚度的抛光控制方法及利用其的***。
背景技术
化学机械式抛光(CMP)装置是，为了在半导体元件制造过程中，消除由于反复执行掩蔽、蚀刻及布线工序等而生成的晶片表面凹凸导致的cell区域与周边电路区域间发生高度差的全面平坦化，改善因电路形成用触点/布线膜分离及高集成元件化导致的晶片表面粗糙度等，而用于对晶片表面进行精密抛光加工的装置。
在这种CMP装置中，承载头在抛光工序前后，以晶片的抛光面与抛光垫相向的状态对所述晶片加压，使得进行抛光工序，同时，抛光工序结束后，以直接或间接真空吸附并把持晶片的状态，移送到下个工序。
图1a是化学机械式抛光装置1的概略图。如图1所示，化学机械式抛光装置1是在进行旋转11d的抛光板10的抛光垫11上，晶片W被抛光头20加压并实现抛光，同时，从浆料供应部(图中未示出)向抛光垫11上供应浆料并实现湿式抛光。而且，在此过程中，在调节器40进行旋转40d运动和回旋运动的同时，调节盘使抛光垫11表面改性，通过抛光垫11的微细槽，向晶片W供应浆料。
另一方面，随着半导体元件的集成化，晶片W的抛光层厚度需要精巧地得到抛光。为此，以往如大韩民国授权专利公报第10-542474号中公开的内容所示，要以如下方式检测抛光层厚度，即，在进行抛光工序的过程(S10)中，从发光部向晶片的抛光面照射光(S20)，光接收部接收从抛光层反射的反射光(S30)，跟踪接收的反射光的光干涉信号，间接地掌握抛光层的厚度变化(S40)。在图1a中，发光部与光接收部全部标记为附图标记“50”，既可以配置于贯通抛光垫和抛光板的贯通孔，也可以配置于抛光板上。
但是，在借助于CVD工序等沉积于晶片W的光透过性抛光层(例如，氧化物层)的厚度为通常的厚度(例如，左右)的情况下，借助于考查抛光面反射的干涉光的个数或变化趋势，可以掌握抛光结束时间点，但在沉积于晶片W的氧化物层的厚度为非正常过厚的厚度(例如， )的情况下，根据如上方式掌握抛光层的厚度则非常困难，准确检测抛光结束时间点也存在困难的问题。
更具体而言，从晶片W的氧化物层反射的干涉光如图1b及图1c所示，以按各波长而上下移动的形态变化，随着氧化物层的抛光，氧化物层的厚度越薄，各波长的波形的间隔越减小。而且，光谱的特定波长(例如，500nm的波长；λ1)的相对于时间轴(sec)的波形如图1d所示。因此，在沉积于晶片W的氧化物层的厚度为通常厚度的情况下，例如，在第2个上侧峰值点A2，可以事先预先确认(compensation)氧化物层的厚度达到目标厚度(大致)，可以在氧化物层的目标厚度下结束抛光。
但是，在沉积于晶片W的氧化物层的厚度比通常的厚度更厚的情况下(大致)，即使对晶片W进行抛光直至达到预定的第2个上侧峰值点A2，晶片W的氧化物层的厚度也成为无法达到目标厚度的状态。即，在氧化物层的厚度通常更厚的情况下，尽管需要抛光晶片W直至达到时间超过预定次数上侧峰值点A2的上侧峰值点A3，但以干涉波的峰值是否达到既定次数为基础检测抛光结束时间点却存在只能包含与沉积于晶片W的初期氧化物层的厚度偏差相应地误差的局限。
进一步而言，不同于图1b及图1c所示内容，以往存在的问题是除了计算达到对于一个波长的干涉光峰值(singular value，奇异点)的次数而算出干涉光周期之外，没有能够检测氧化层膜的厚度的方法。(以往，不利用具有多个波长的光，而是利用具有一个波长的激光束，感知氧化物层的目标厚度，但在图1b及图1c中图示具有多个波长的光谱，并非引用以往使用具有多重波长的光的情形，而是用于说明作为本发明基础的原理的氧化物层反射的光的特性。)
进一步而言，借助于CVD工序等而沉积于晶片W表面的氧化物层，往往形成得边缘薄而中央厚，因此，存在的问题是，从中央部的较厚部分反射的干涉光波形准确地检测抛光结束时间点极为困难。
另外，根据晶片面的图案而同时检测到较大、较小的厚度，因而难以掌握厚度，所以存在的问题是，在抛光工序中，实时测量晶片抛光层的厚度并均一地控制晶片的抛光层厚度则更加困难。
换句话说，在晶片的抛光工序中，即使晶片的抛光层厚度发生偏差，为了补偿晶片抛光层的厚度偏差，以往提出了按位置调节抛光头的压力的技术，但需要直至准确获得晶片抛光层厚度所需的时间，在实时控制方面存在局限，在为了获得抛光层厚度所需的时间期间，抛光层已经磨损，因而存在实时调节抛光层厚度偏差变得困难的局限。
另外，对一张晶片进行1次抛光工序所需的时间非常短，大致为30秒～60秒，在抛光工序中，氧化物层反射的光干涉信号只经过2～3次周期，因而在抛光工序中，在用于实时调节抛光层厚度的抛光头压力控制方面存在局限。
发明内容
解决的技术问题
本发明正是在前述技术背景下研发的，目的是在抛光工序中，即使不算出抛光层的厚度，也能够在抛光工序中，将抛光层的厚度准确调节为希望的分布。
另外，本发明的目的是，即使借助于晶片的CVD等而沉积的抛光层的厚度不均一，也能够在抛光工序中，按均一的厚度分布，抛光晶片抛光层。
与此同时，本发明的目的是，在抛光工序中，利用光干涉信号的偏差，连续、定性地实时感知抛光层的厚度偏差，实时持续地调节压力，以便晶片抛光层变得均一。
更重要的是，本发明的目的在于，在抛光工序中，每隔比以往更稠密的时间间隔，获得根据晶片位置的抛光层厚度偏差信息。
即，本发明的目的在于，利用多波长的光，在晶片抛光层的互不相同位置反射的反射光中，当关于某一波长的光干涉信号在时间(sec)轴上达到既定值(例如，峰值)时，感知由反射位置决定的光干涉信号间的相位差，在从此经过若干时间的状态下，感知关于不同波长的光干涉信号间的相位差，借助于此，通过在各位置的光干涉信号的相位差，每隔非常稠密的时间间隔，感知互不相同位置的抛光层厚度，事实上连续实时地感知抛光层厚度有无偏差。
由此，本发明的目的在于，可以与晶片抛光层的初期厚度偏差无关，在抛光工序中，连续实时调节晶片的各位置的压力，在抛光结束时间点，使晶片抛光层厚度可靠而确实地体现分布整体均一的抛光层厚度分布。
技术方案
为了达成所述目的，本发明一方面提供一种晶片的化学机械式抛光***，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，其在抛光板上旋转；光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；光接收部，其接收在所述抛光层的互不相同的第1位置反射的第1光干涉信号和在第2位置反射的第2光干涉信号；抛光头，其调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。
而且，提供一种化学机械式抛光控制方法，其特征在于，包括：抛光步骤，利用晶片的抛光***，针对所述晶片的所述抛光层进行抛光；光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位置和第2位置照射光；光接收步骤，接收所述晶片的所述第1位置的第1反射光和所述第2位置的第2反射光；压力调节步骤，调节对所述晶片施加的压力，以便消除来自所述第1反射光的第1光干涉信号与来自所述第2反射光的第2光干涉信号的偏差。
更具体而言，从光照射部照射的光，其在光透过性材质的抛光层的表面反射的反射光和穿过抛光层而在不透过层表面反射的反射光相互进行光干涉，并随着时间的经过而输出正弦形态的光干涉信号，在光干涉信号中反映了抛光层的厚度信息。
因此，本发明对要调节抛光层厚度的互不相同的第1位置的第1光干涉信号和第2位置的第2光干涉信号进行对比，虽然无法以准确的数值形式获知第1位置和第2位置的抛光层厚度，但可以准确获知第1位置的抛光层厚度和第2位置的抛光层厚度中哪个更大。
由此，在要整体上均一地调节晶片抛光层厚度的情况下，在第1位置和第2位置中的抛光层厚度更大的位置，借助于抛光头的压力腔，施加更高的压力，或针对与抛光层厚度更大的位置相应的抛光垫区域，进一步调低调节器的压力，借助于此，可以在抛光结束时间点，成为均一地完成抛光层厚度调节的状态。与此类似，在要将晶片的抛光层厚度分布调节得使第1位置的厚度比第2位置更大的情况下，也可以借助于使第1位置的第1光干涉信号与第2位置的第2光干涉信号相比成为与更厚的厚度相应的信号加以调节。
另一方面，所述偏差可以是在既定的第1时刻的光干涉信号的光强度(intensity)的偏差。即，对比在既定的第1时刻的第1位置的第1光干涉信号与在第1时刻的第2位置的第2光干涉信号，向缓和两者偏差的方向调节晶片的压力，借助于此，可以在抛光结束时间点，均一地调节晶片的抛光层厚度。
其中，所述偏差可以是随着时间而跟踪所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的信号相位差。即，晶片的抛光层由相同的材质形成，因此，与第1光干涉信号和第2光干涉信号的正弦波形的数值相比，调节施加于晶片的压力，以便消除随着时间而跟踪所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号的信号相位差，由此可以均一地调节晶片的抛光层厚度。
另一方面，抛光头具备分割为多个的包括第1压力腔和第2压力腔的多个压力腔，借助于所述抛光头，所述晶片可以在所述抛光工序中被加压。而且，所述第1位置和所述第2位置位于互不相同的压力腔的下侧，如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则提高借助于所述第1压力腔而向所述晶片导入的第1压力，使得比借助于所述第2压力腔而导入所述晶片的第2压力高，或将与第1位置对应的抛光垫接触的调节器的压力进一步降低，诱导进一步提高抛光垫高度，借助于此，可以相互同等地调节第1位置的晶片抛光层厚度与第2位置的晶片抛光层厚度。
所述方法只有在满足如下条件的情况下才能应用，即，向抛光层照射的光既在抛光层表面进行反射，也穿过抛光层而在不透过层进行反射，这些反射光相互干涉，输出随着时间而类似于正弦波形地进行增减的输出值(intensity)，因此，所述抛光层由透光的材质形成。例如，可以由氧化物层形成。
特别是优选所述第1压力腔和所述第2压力腔为所述压力腔中相邻配置的压力腔。由此，在第1压力腔下侧的第1位置和第2压力腔下侧的第2位置获得的光干涉信号不超过半周期，从第1光干涉信号和第2光干涉信号准确感知晶片抛光层的厚度偏差，可以可靠地体现按压力腔的区域(zone)减小抛光层厚度偏差的抛光工序。
另一方面，所述光照射部照射具有2个以上波长的光，所述光接收部接收具有2个以上波长的光；所述控制部在所述第1位置和所述第2位置接收的对于多波长光的光干涉信号中，选择至少一个具有既定相位值的波长值相对应的所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，对比所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，调节晶片的抛光层厚度。
即，晶片抛光层如果在互不相同位置的厚度相同，那么，在各位置反射的反射光的关于相同波长的光干涉信号不存在相位差和光强度偏差，但晶片抛光层在互不相同位置的厚度如果相异，那么，在各位置反射的反射光的对于相同波长的光干涉信号存在相位差和光强度偏差。因此，与从光干涉信号求出抛光层厚度并对比在互不相同位置求出的抛光层厚度值，从而按晶片的区域调节压力相比，借助基于在互不相同位置获得的光干涉信号的相位差和光强度偏差值而调节晶片各区域的压力，能够实现一种可以更简单、准确地消除晶片抛光层厚度偏差的控制方式。
因此，选择为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号并为控制所述抛光头压力所使用的光干涉信号的波长值，选择为具有经过“既定相位值”的波长值的光干涉信号，因而随着所述晶片抛光工序的进行而变动。即，所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号虽然是任意一个波长的光信号，但是，随着抛光工序的进行，为了控制抛光层厚度偏差而选择并用于对比第1位置和第2位置抛光层厚度偏差的光干涉信号的波长值则将发生变动。
所述既定的相位值可以确定为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中任意一个的光强度(intensity)相对于时间轴的峰值(peak)或由此而定的误差范围以内(例如5％以内)的值。通过此，感知用于抛光头等的压力调节的光干涉信号，极为容易而且准确，可以容易而准确地进行随着抛光工序的进行而达到时间轴峰值的第1光干涉信号与另一位置的第2光干涉信号的相位比较。
其中，在本说明书及专利权利要求书中，“峰值”及与之类似的术语定义为全部包括光干涉信号随着时间经过而在时间(sec)轴中的下侧峰值和上侧峰值，也可以指称奇异值(singular value)。
为了在抛光工序中连续实时获得晶片的第1位置和第2位置的抛光层厚度偏差，只有第1位置的第1光干涉信号和第2位置的第2光干涉信号中任意一个的光强度持续位于时间轴的峰值，才能准确而容易地对比针对任意一个光干涉信号的在不同位置获得的光干涉信号的偏差(主要为相位差)。但是，单一波长的光，其光强度随着抛光层厚度变化而以正弦波形态变化，因此，仅仅凭借2～3个左右波长值的光干涉信号，存在难以连续感知抛光层厚度偏差的局限。
相反，就本发明而言，所述光照射部照射白色光，光接收部接收白色光的反射光，接收与无数多的波长值相对应的光干涉信号，由此选择第1位置和第2位置的光干涉信号既定的相位值(光强度为时间轴中的峰值者)，在选择的波长值中，获得第1光干涉信号与第2光干涉信号的相位差或光强度差异，借助于此，可以获得能够在抛光工序的进行期间一直连续获得第1位置和第2位置的光干涉信号偏差的效果。
为此，还包括分光仪，所述分光仪针对所述光接收部接收的反射光，每隔既定波长间隔(1nm～5nm)提取并获得光干涉信号，所述分光仪提取的所述光干涉信号传送给所述控制部。
由此，本发明可以在抛光工序进行期间一直监视第1位置和第2位置的光干涉信号的偏差(强度差异或相位差)，借助于此，可以向减小第1光干涉信号与第2光干涉信号偏差(相位差或光强度差异)的方向，在抛光工序期间一直实时调节抛光头的多个压力腔的压力，因此，在短时间期间进行的抛光工序中，可以缓和晶片抛光层厚度偏差，更加准确、可靠地体现以整体上均一厚度的抛光层厚度完成抛光工序的效果。
其中，所述抛光头具备多个压力腔，所述压力腔包括第1压力腔和第2压力腔，并分割为多个，对晶片加压；可以独立地调节包括所述第1压力腔和所述第2压力腔并分割为多个的所述多个压力腔的压力，从而调节所述晶片的压力。因此，晶片的抛光层厚度调节是按以划分的压力腔边界为基准分开的区域(zone)进行调节。
特别是所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的相位差，这是更具效果的。即，虽然对比在互不相同位置接收的光干涉信号，也可以获得光强度偏差，但由于互不相同位置的反射光的光干涉信号显示出像正弦波一样的周期函数，因而对比在互不相同位置获得的光干涉信号的相位差，可以更准确地获得晶片抛光层的厚度偏差。
基于此，所述第1光干涉信号如果比所述第2光干涉信号滞后，则调节借助于所述第1压力腔而向所述晶片导入的第1压力，使得比借助于所述第2压力腔而向所述晶片导入的第2压力高。
优选所述第1位置和所述第2位置位于互不相同压力腔的下侧，位于相互邻接的压力腔的下侧。
在本说明书及专利权利要求书通篇中记载的“连续地”感知，定义为不仅包括感知的时间间隔是完全连续的，而且意味着与检测出以在1ns～2秒以内具有2～3个以下波长的光相比，以远远更为稠密的时间间隔进行感知。
发明效果
根据本发明，在抛光工序中，即使不算出抛光层的厚度，也能够获得在抛光工序中准确控制晶片抛光层厚度分布的有利效果。
即，就本发明而言，如果晶片抛光层在互不相同位置的厚度相同，那么，在各位置反射的反射光的对于相同波长的光干涉信号不存在相位差和光强度偏差，但如果晶片抛光层在互不相同位置的厚度相异，那么，在各位置反射的反射光的对于相同波长的光干涉信号存在相位差和光强度偏差，立足于这种原理，基于在互不相同位置获得的光干涉信号的相位差和光强度偏差值，直接控制晶片各区域的压力，从而能够获得可以更容易、准确地消除晶片抛光层厚度偏差的有利效果。
由此，就本发明而言，即使借助于晶片的CVD等而沉积的抛光层初期厚度分布不均一，在不准确算出晶片抛光层厚度的情况下，以消除从晶片抛光层接收的反射光的光干涉信号偏差的形态，调节抛光头和调节器中任意一个以上，由此可以获得能够可靠而准确、简单地进行控制，以便在抛光结束时间点，使晶片抛光层的厚度分布变得均一的效果。
特别是本发明通过在抛光头的多个压力腔中相互邻接的压力腔下侧的第1位置及第2位置，分别对比第1光干涉信号和第2光干涉信号，从而不获得第1光干涉信号和第2光干涉信号的偏差展开半周期以上的不正确的抛光层厚度数据，因而可以获得提高抛光层厚度调节的可靠性的效果。
更重要的是，本发明向晶片抛光层照射包含全波长的白色光，将来自白色光的反射光的第1光干涉信号和第2光干涉信号，提取为对于互不相同波长的光干涉信号，获得抛光层厚度信息，从而在提取的第1光干涉信号为时间轴中的峰值的状态下，可以连续对比另一第2光干涉信号，因而在抛光工序中，每隔更稠密的时间间隔，连续获得成为压力控制基础的光干涉信号偏差，控制压力，即使在短时间的抛光工序中，也能够获得更均一地调节抛光层厚度的效果。
附图说明
图1a是图示普通的化学机械式抛光装置构成的图，
图1b是图示根据晶片抛光层的反射光波长的抛光初期光干涉信号的图表，
图1c是图示根据晶片抛光层的反射光波长的抛光后期光干涉信号的图表，
图1d是图示晶片抛光层的反射光随着时间经过的对于特定波长的光干涉信号的图表，
图2是图示以往感知抛光结束时间点的方法的顺序图，
图3是图示本发明第一实施例的化学机械式抛光***构成的图，
图4作为图3的“A”部分的放大图，是抛光中的抛光头的半剖面图，
图5a是图4的“B”部分的放大图，
图5b是以图示方式显示在多个压力腔中获得的光干涉信号的隔膜的横剖面图，
图6a作为图5的“C”部分的放大图，是用于说明根据晶片氧化物层厚度而发生光干涉信号的原理的图，
图6b是图示根据晶片抛光层的反射光波长的抛光初期光干涉信号的图表，
图6c是图示根据晶片抛光层的反射光波长的抛光后期光干涉信号的图表，
图6d是图示随着晶片氧化物层厚度变化(抛光时间变化)的光干涉信号的图，
图7a及图7b是用于说明本发明的作用原理的图，
图8是图示本发明第一实施例的化学机械式抛光控制方法的顺序图，
图9a是图示对于多样波长的随着晶片氧化物层厚度变化(抛光时间变化)的光干涉信号的图，
图9b是图示随着晶片氧化物层厚度变化的第1波长的光干涉信号的图，
图9c是图示随着晶片氧化物层厚度变化的第2波长的光干涉信号的图，
图10是图示本发明第2实施例的化学机械式抛光控制方法的顺序图。
[附图标记]
W：晶片 f：抛光层
Li：照射光 Lo：反射光
d：反射光的间隔 t：氧化物层厚度
X：光干涉信号 20：抛光头
22：隔膜 40：调节器
100：化学机械式抛光*** 110：抛光板
111：抛光垫 111a：透明窗
120：光照射部 130：光接收部
140：控制部 150：压力调节部
160：分光仪
具体实施方式
下面参照附图，对本发明进行详细说明。不过，在说明本发明方面，为了使本发明的要旨更明确，省略对公知功能或构成的具体说明。
如图3所示，本发明第一实施例的化学机械式抛光***100用于平坦抛光在晶片W的底面形成的抛光层f，包括：抛光板110，其上面覆盖抛光垫111并进行自转11d；浆料供应部(图中未示出)，其向抛光垫111上供应浆料；抛光头20，其在抛光工序中，以使晶片W位于下侧的状态对晶片W加压；调节器40，其在抛光工序中旋转40d，并对抛光垫111加压及改性；光照射部120，其为了测量晶片W的抛光层f厚度而照射光Li；光接收部130，其接收晶片抛光层f反射的反射光Lo；控制部140，其基于光接收部130测量的反射光Lo，调节抛光头20的压力和调节器40的压力Fc；压力调节部150，其根据控制部140的控制信号，向抛光头20的压力腔C1、C2、C3、C4、C5供应气动；分光仪(spectrometer)160，其将光接收部130测量的反射光Lo分类为不同波长的光干涉信号。
如图3所示，在所述抛光板110和抛光垫111中形成有透明窗111a，光照射部120从抛光板110下侧向正在进行抛光工序的晶片W的抛光面照射光Li，光接收部130接收晶片W的抛光面反射的反射光Lo。在图中，出于便利而示例性图示了光照射部120和光接收部130独立形成的构成，但光照射部120和光接收部130也可以由一体形成的光传感器构成。
也可以取代所述情形或与之并行而以如下形态构成，即，在抛光板110的上面形成凹陷部，安装具备光照射部和光接收部的光传感器220，在与抛光板110一同旋转的同时，在经过抛光层f期间，接收抛光层反射的反射光Lo。
本说明书及专利权利要求书中记载的“光照射部”和“光接收部”，定义为全部包括相互独立形成的构成、一体形成的构成、以一个光传感器形态形成的构成。
下面，出于便利，以光照射部120照射光Li、光接收部130接收反射光Lo的构成为中心，对本发明进行说明。
所述晶片W在制造半导体元件的过程中，抛光层f由光透过的材质形成。其中，“光透过的材质”不限定为从光照射部120照射的光Li全部透过，而是包括全部的供从光照射部120照射的光Li的1％以上透过的材质。例如，抛光层f可以由氧化物层形成。
因此，光照射部120照射的光Li的一部分在抛光层f的表面进行反射(Loe)，照射的光Li的另一部分穿过抛光层f，在不透过层Wo的表面进行反射(Loi)。
所述抛光头20如图4所示，包括：上侧主体21'，其从外部接受旋转驱动力的传递并旋转；底座21，其与上侧主体21'联动并一同旋转；隔膜22，其按晶片W的形状形成有圆盘形态的底板221，固定片222固定于底座21；挡圈24，其在抛光工序中与抛光垫111接触，配置于隔膜22的外周，防止晶片W脱离到抛光头20之外。
隔膜22的从底板221向上方延长的环形态的固定片222末端，借助于结合构件211固定于底座21，在隔膜底板221与底座21之间形成有多个压力腔C1、C2、C3、C4、C5。而且，抛光头20的各个压力腔C1、C2、....、C5从压力调节部150接受气动的传递，独立地调节压力，因此，位于隔膜底板221下侧的晶片W可以按压力腔C1、C2、...、C5而互不相同地调节压力。
在附图中图示了固定片222以环形态形成、多个压力腔C1、C2、...、C5以同心环形态配置、以旋转中心为基准沿半径方向划分的构成，但是，也可以具备沿圆周方向划分的固定片(图中未示出)，压力腔C1、C2、...、C5沿圆周方向划分。因此，本发明的压力腔全部包括按半径方向和圆周方向中任意一种以上划分的情形。因此，抛光头20按划分为多个的压力腔C1、C2、...、C5的区域(zone)调节压力，按区域(zone)控制位于压力腔下侧的晶片抛光层厚度。
所述调节器40以调节盘接触抛光垫111的状态横穿并进行往复摆动运动，以便具有抛光垫111的半径方向成分。此时，调节盘的压力借助于控制部140而调节，在调节盘进行往复摆动运动的路径上，借助于调节压力，将抛光垫111特定区域的高度调节得比其它区域更高或更低。
所述光照射部120向晶片W的抛光层f照射具有既定波长的光Li。其中，照射到抛光层f的光Li既可以为单一波长，也可以为2个以上的波长。在照射2个以上的波长的情况下，可以利用本申请人申请并获得专利权的大韩民国授权专利公报第10-1436557号的方法，获得能够更准确地检测抛光结束时间点的效果。
优选地，光照射部120照射的光Li可以为具有10个以上的多波长的多波长光，可以是全部波长的光线混合的白色光。
光照射部120照射晶片W抛光层f的至少2处以上的位置，优选地，照射抛光头20各个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的至少一个下侧位置S1、S2、S3、S4、S5。
所述光接收部130接收从光照射部120照射的光在晶片W的抛光层f反射的反射光Lo。如图5a及图5b所示，光Li照射到抛光头20的各个压力腔C1、C2、C3、C4、C5下侧的至少一个的位置S1、S2、S3、S4、S5，因而光接收部130在光Li照射的位置接收各个反射光Lo。
如图6a所示，晶片W的抛光面由光可以透过的抛光层和光无法透过的不透过层Wo构成，因而从光照射部120照射的光Li的一部分在抛光层f的表面反射(Loe)，从光照射部120照射的光Li的一部分透过抛光层f，在不透过层Wo反射(Loi)。因此，光接收部130接收的反射光Lo包括在抛光层f的表面反射的反射光Loe和穿过抛光层f而在不透过层Wo反射的反射光Loi，这些反射光Loe、Loi设置细微间隔d，与抛光层f厚度成比例地存在光路径差异，因而相互干涉并生成类似于正弦波形态的光干涉信号X。
所述控制部140从光接收部130接收的来自于各位置S1、S2、S3、S4、S5的反射光Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5，提取各个光干涉信号X(...X2、X3、...)，如图7a所示，映射到相同的时间轴上，并控制压力调节部150和调节器40，以便向使相同时间轴上映射的各个光干涉信号X从相互不一致向相互一致的方向，调节通过抛光头20的压力腔C1、C2、C3、C4、C5，按区域对晶片W施加的压力p1、p2、...p5。
特别是光接收部130接收的反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)，虽然振幅会因晶片抛光层f与光接收部130之间存在的抛光颗粒、浆料等而畸变，但因抛光层厚度变动导致的相位差几乎不畸变，因此，控制部140以因各反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)而发生的光干涉信号X(X1、X2、X3、X4、X5)的相位差或光强度(intensity)偏差为基础，控制压力腔C1、C2、C3、C4、C5的压力和调节器40的压力，从而能够更准确地控制晶片抛光层f的厚度分布。
例如，在要整体上均一地控制晶片抛光层f的厚度的情况下，控制使得从在各压力腔C1、C2、C3、C4、C5下侧位置S1、S2、S3、S4、S5接收的反射光Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5获得的光干涉信号X的相位差全部相同，由此，即使不直接算出抛光层厚度，也能够均一地控制晶片的抛光层f厚度。
为此，虽然也可以一次对比从既定的所有位置S1、S2、S3、S4、S5获得的光干涉信号X1、X2、X3、X4、X5，但在位于第1腔C1下侧的第1位置S1和位于第5腔C5下侧的第5位置S5的晶片抛光层f厚度偏差大，超过光干涉信号X1、X5的半周期(half period)的情况下，压力的控制会出错，因此，如图5b所示，优选相互对比晶片抛光层f厚度偏差较小的邻接压力腔的下侧位置S1、S2；S2、S3；...的光干涉信号。
所述压力调节部150根据从控制部140传送的控制命令，通过气动供应管155，向各个压力腔C1、C2、C3、C4、C5供应气动，互不相同地控制借助于压力腔C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5而对晶片W施加的压力。
其中，如果晶片抛光层f在互不相同位置S1、S2、..厚度相同，那么，在各位置S1、S2、....反射的反射光的对于相同波长的光干涉信号X1、X2、...不存在相位差和光强度偏差，但是，如果晶片抛光层f在互不相同位置的厚度不同，那么，在各位置S1、S2、...反射的反射光的对于相同波长的光干涉信号X1、X2、....存在相位差phx、...和光强度偏差。
因此，从光干涉信号求出抛光层厚度，并对比在互不相同位置求出的抛光层厚度值后，才由控制部140生成用于调节晶片各区域的压力的控制命令，从而向压力调节部150传送控制命令，代替此，生成用于直接消除在互不相同位置S1、S2、...获得的光干涉信号X1、X2、..的相位差和光强度偏差值的控制命令，并传送给压力调节部150，从而能够进一步提前调节晶片各区域的压力的时间点，能够借助于抛光头20，按晶片的区域(zone)，更精巧、精密地调节压力，因而既使是短时间的抛光工序时间期间，也能够获得以更简单的控制原理，更准确地消除晶片抛光层厚度偏差的效果。
因此，借助于压力调节部150而施加的压力p1、p2、p3、p4、p5，可以根据用于在抛光工序中的任意一时间点tx消除光干涉信号偏差的一个控制信号而确定，直至抛光工序结束，但也可以在抛光工序中，随着时间经过而在稠密间隔的多个时间点t1、t2、...，根据用于消除光干涉信号偏差的变动的多个控制命令而变动并消除晶片抛光层的厚度偏差，直至抛光工序结束。
在从光照射部120照射白色光(Li)的情况下，光接收部130接收的反射光Lo是所有波长的光混合的状态，因此，所述分光仪160用于从光接收部130接收的反射光Lo，提取需要的光干涉信号X。不过，本发明不限于照射白色光(Li)的构成，还包括照射多波长光的构成，以能够按1秒～2秒间隔获得光干涉信号相对于时间轴的峰值的程度，照射具有10个以上波长值的多波长光。
因此，光接收部130针对接收的反射光Lo，每隔既定波长间隔(例如，图6b及图6c中为1nm～10nm)提取光干涉信号，获得关于各波长的根据时间(抛光层厚度)的光干涉信号。如此获得的光干涉信号传送给控制部140。
例如，在图9a中，图示了针对在第1位置S1接收的反射光Lo1，重叠关于(例如每5nm)...、105nm、110nm、115nm、....、670nm、675nm、....的波长值的光干涉信号而图示的光干涉信号X1、X1'、X1"、X1"'、X""、...的光强度图表。
如上所述，如果将包含所有波长值的光的白色光用作照射光Li，那么在从分光仪160提取的光干涉信号X1、X1'、...中，一部分通过相对于时间轴的峰值Q，因此，控制部140在从在第1位置S1接收的反射光Lo1提取的大量光干涉信号中，提取达到峰值Q的第1光干涉信号X1，提取具有与所提取的第1光干涉信号X1相同波长值的第2位置的第2光干涉信号X2，对比第1光干涉信号X1和第2光干涉信号X2，与其相位差phx相应地，在抛光工序中始终连续(即，每稠密的时间间隔)监视第1位置S1和第2位置S2的抛光层厚度偏差。
于是，随着将白色光用作照射光Li，可以将具有抛光层厚度信息的光干涉信号X，随着时间的经过而实时连续地与达到时间轴中峰值Q的值进行对比，因而可以获得进一步提高算出相位差的准确性的效果。
下面详细叙述利用如上所述构成的本发明的晶片的抛光***100的第一实施例的晶片的抛光控制方法(S100)。
如图8所示，本发明第一实施例的化学机械式抛光控制方法S100用于在晶片的抛光面精密抛光氧化物层，以便只留下既定的厚度，包括：抛光步骤S110，针对晶片W进行化学机械式抛光工序；光照射步骤S120，在进行抛光步骤S110期间，向晶片W的抛光面，在晶片W的互不相同的2个以上位置S1、S2、S3、S4、S5照射具有既定波长的光Li；光接收步骤S130，光接收部130接收在晶片W的抛光面的各位置S1、S2、S3、S4、S5反射的反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)；压力调节步骤S140，从光接收步骤S130中接收的各个反射光Lo提取光干涉信号X，压力调节部150控制压力腔C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5，以便光干涉信号X相互一致。
步骤1：所述抛光步骤S110如图3所示，在进行旋转的抛光板110上侧覆盖的抛光垫111与抛光板110一同旋转，晶片W在抛光面接触抛光垫111的状态下，被进行旋转20d的抛光头20加压，浆料从图中未示出的浆料供应部供应到抛光垫111上，在供应给晶片W的同时进行晶片W的湿式抛光工序。为了浆料的顺畅供应，使抛光垫111改性的调节器40在旋转40d的同时，并行对抛光垫111加压。
步骤2：所述光照射步骤S120向晶片抛光层f的互不相同的2个以上位置S1、S2、S3、S4、S5照射既定波长的光Li。此时，为了抛光层f的厚度控制，照射抛光层f的光Li确定为全部相同的波长，向各个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的每个下侧区域至少1个以上的位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li。在图5中是以向每个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的一个位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li的构成为例，但也可以向每个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的2个以上位置照射光Li。
步骤3：所述光接收步骤S130接收光照射步骤S120中向晶片W抛光面照射的光Li的反射光Lo。反射光Lo作为在抛光层f表面反射的反射光Loe与穿过抛光层f而在金属等不透过层Wo反射的反射光Loi合并的形态，发生光路径差异，以微细间隔d行进的反射光Loe、Loi相互干涉，生成光干涉信号X。在光接收步骤S130中，由光接收部130全部接收它们。
步骤4：所述压力调节步骤S140是从光接收步骤S130中在互不相同的抛光层f位置S1、S2、S3、S4、S5接收的反射光Lo，提取各个光干涉信号X(...X2、X3、...)，将它们映射于同一时间轴上并相互对比，基于经过对比的光干涉信号X(...X2、X3、...)，控制抛光头20的压力腔C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5。
更具体而言，如图6a所示，在晶片W的抛光层f的表面Sx反射的反射光Loe与穿过晶片W的抛光层f而在不透过层Wo反射的反射光Loi，虽然从相同的光源照射，但相互之间设置微细的间隔d，存在与抛光层f的厚度t成比例的光路径差异，因此，反射光Loe、Loi在相互干涉的同时，生成类似于正弦波形的光干涉信号X(即，干涉光)。
如图6a所示，在抛光层f的初期厚度to较厚的CMP初期状态下，在抛光层f的表面So反射的反射光Loi'与穿过抛光层f而在不透过层Wo反射的反射光Loe'之间的间隔do虽然相对较大，但随着抛光工序的继续，抛光层f的厚度t逐渐变薄，越接近目标厚度(例如，)，在抛光层f的表面Sx散射的反射光Loi与穿过抛光层f而在不透过层Wo反射的反射光Loe之间的间隔d逐渐减小，因此，光干涉信号X的波形具有随着抛光层f厚度变薄而相对于波长进行变动的倾向性。因此，如图6b及图6c所示，对于全体波长的白色光光谱中的光干涉信号X在初期呈现波长强度(intensity)的波形间隔Y较窄的形态，随着时间的经过，变更为间隔Y'逐渐加宽的波形。
另一方面，本发明是向晶片W的抛光面照射具有既定波长的光Li，因此，在晶片W的抛光面反射的反射光Lo及由此生成的光干涉信号X是对于既定波长的光干涉信号X合并的形态。例如，在将在1nm～1050nm区间具有均一强度的白色光用作照射光并向晶片W的抛光层f照射的情况下，光接收部130接收的作为光干涉信号X组合的反射光Lo如图6b及图6c所示。
在CMP初期状态下，如图6b所示，光接收部130接收的反射光Lo涵盖多个波长，光干涉信号X的强度(intensity)根据波长λ而呈现类似于正弦波形的形态，以较窄间隔Y反复形成。而且，随着抛光工序的持续，氧化物层的厚度逐渐变薄，如图6b所示，根据波长λ，光干涉信号X的强度保持类似于正弦波形，但它们之间的间隔Y'逐渐加宽。
如果以一个波长(例如，第1波长为469nm)为中心，考查其随着时间(或氧化物层的厚度)的经过而变动的倾向，则如图6d所示，对于一个波长λ1的光干涉信号X的强度类似于正弦波形，具有上下反复的倾向。换句话说，如果晶片抛光层f的厚度随着抛光工序而逐渐变薄，则如图6b所示，随着抛光工序时间的经过，光干涉信号(intensity输出)将变动为正弦波形。
即，在氧化物层厚度随着抛光工序的进行而变薄的过程中，关于一个波长的光干涉信号X生成周期性波形，因而根据光干涉信号的值V1，无法准确获知抛光层f的厚度t，因此，以往一直依赖对于一个波长的光干涉信号(或干涉光)的循环变化或周期经过次数(例如，在抛光开始之后，经过3次周期，则达到最终目标厚度)，检测抛光结束时间点。而且，一直尝试要从循环的变化和周期经过次数及光干涉信号的值算出晶片抛光层f的厚度。
但是，光干涉信号的值因光接收部130与抛光层f之间的异物质而稍稍畸变，在准确算出厚度方面存在局限，就关于光干涉信号X任意一个值V1的抛光层厚度而言，不仅在抛光工序中反复多次t1、t2、..，而且包括对信号畸变导致的误差进行补偿，因而从光干涉信号的值算出抛光层厚度，需要非常复杂的演算，因而在实际抛光工序中获得晶片抛光层的厚度值是一直被排除在实际适用之外的。
与此相反，本发明不是直接算出晶片抛光层f的厚度，而是如图7a所示，相互对比在抛光工序中任意一个时间点tx、在互不相同的位置S1、S2、S3、S4、S5获得的光干涉信号X，向消除光干涉信号X偏差的方向进行控制。
如果以从相邻位于第2压力腔C2和第3压力腔C3下侧的第2位置S2和第3位置S3接收的反射光Lo2、Lo3为例，从在第2位置S2接收的反射光Lo2获得的随着时间经过的光干涉信号X2值Q2，会与从在既定的第1时刻tx、在第3位置S3接收的反射光Lo3获得的随着时间经过的光干涉信号X3的值Q3发生相位差phx。即，第2位置S2的光干涉信号X2，比第3位置S3的光干涉信号X3滞后phx的相位差，这意味着，第2位置S2的抛光层厚度比第3位置S3的抛光层厚度更厚(欠抛光)。
因此，控制部140控制压力调节部150和调节器40的压力，以便使从光接收部130接收的反射光Lo(...、Lo2、Lo3、...)一致。即，控制部140控制使得第2压力腔C2的压力p2比第3压力腔C3的压力p3进一步提高，使位于第2压力腔C2下侧的晶片W区域的单位时间的抛光率进一步增大，消除第2位置S2与第3位置S3的厚度偏差。与此同时或独立于此，控制部140针对与第2压力腔C2的底面相应的抛光垫111的区域，控制使得进一步降低进行摆动运动的调节器40的压力，诱导使得与第2压力腔C2的底面相应区域的抛光垫111高度，比与第3压力腔C3的底面相应区域的抛光垫111高度更高，从而能够进一步增大位于第2压力腔C2下侧的晶片W区域的单位时间的抛光率。
由此，调节对晶片W加压的抛光头20的压力腔C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5，或调节调节器40的压力Fc，借助于此，在第1时刻tx之后，第2位置S2的单位时间的抛光层抛光率高于第3位置S3的单位时间的抛光层抛光率，因此，如图7b所示，第2位置S2的光干涉信号X2'的变化率更大，在经过某种程度的时间的第2时刻ty，随着时间而跟踪第2位置S2的光干涉信号X2与第3位置S3的光干涉信号X3的信号的偏差(相位差及光干涉输出值)可以被消除。即，这意味着第2位置S2的抛光层厚度与第3位置S3的抛光层厚度变得相互均一。
压力调节步骤S140在晶片W的抛光工序中，既可以在既定的第1时刻tx只进行一次，也可以设置既定的时间间隔而执行多次。
下面详细叙述利用了如上所述构成的晶片的抛光***100的本发明第2实施例的晶片的抛光控制方法S200。
前述第1实施例的抛光控制方法S100是对比根据一个波长值的光干涉信号X，因而将对比第2光干涉信号X2与第3光干涉信号X3的位置确定为既定的时刻tx，在第2光干涉信号X2和第3光干涉信号X3中任意一个并非峰值Q的情况下，在计算它们的相位差或光强度差异方面会发生错误。而且，在第2光干涉信号X2和第3光干涉信号X3中任意一个为峰值Q的情况下，这些光干涉信号X2、X3在处于时间轴的峰值与峰值之间区域(半周期)期间，无法获得相位差或光强度差异，因而无法连续调节压力，存在止于在抛光工序中生成2次～3次的压力控制信号的局限。
因此，本发明第2实施例的晶片的抛光控制方法S200与第1实施例的差异在于，光照射部120例如将在全波长上具有均一强度的白色光或具有至少10个以上波长值的多波长光当作照射光，向晶片抛光层f照射，从光接收部130接收的反射光Lo的光谱，提取达到峰值(图9a的Q)的光干涉信号，对比位于邻接的压力腔下侧的2个位置的光干涉信号，在抛光工序期间，随着抛光工序的进行，大致每隔1000纳秒～2秒以下的稠密的时间间隔，一直连续生成控制调节器40或抛光头20的各压力腔C1、C2、...压力的压力控制信号，持续调节晶片各区域的压力。
步骤1：与前述第1实施例一样，如图3所示，在进行旋转的抛光板110上侧覆盖的抛光垫111与抛光板110一同旋转，晶片W在抛光面接触抛光垫111的状态下，被进行旋转20d的抛光头20加压，浆料从图中未示出的浆料供应部供应到抛光垫111上，在供应给晶片W的同时进行晶片W的湿式抛光工序。为了浆料的顺畅供应，使抛光垫111改性的调节器40在旋转40d的同时对抛光垫111加压，并可以并行调节抛光垫表面高度，调节晶片各区域的单位时间的抛光量。
步骤2：所述光照射步骤S120以白色光为照射光Li，照射抛光头20的各压力腔C1、C2、C3、C4、C5下侧的至少一个位置。即，在图5中是以向每个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的一个位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li的构成为例，但也可以向每个压力腔C1、C2、C3、C4、C5的2个以上位置照射光Li。
步骤3：接收光照射步骤S120向晶片W抛光面照射的光Li的反射光Lo，将接收的反射光Lo按各波长分为光干涉信号X1、X1'、X1"、...，传送给控制部140。
其中，分光仪160可以从在任意一个位置接收的反射光Lo，每隔1nm～10nm左右的间隔(优选为3nm～5nm的间隔)提取光干涉信号，将提取的光干涉信号传送给控制部140。例如，针对在第1位置S1接收的反射光Lo1，以5nm间隔提取光干涉信号，将对于...、105nm、110nm、115nm、....、670nm、675nm、....的波长值的光干涉信号传送给控制部140。
步骤4：步骤3中传送给控制部140的多个光干涉信号，是在各位置S1、S2、...按5nm间隔提取的光干涉信号(参照图9a)。
其中，控制部140从大量的光干涉信号(光谱)中，选择光强度(intensity)随着抛光工序的进行而达到时间轴上的峰值Q的波长值的光干涉信号。例如，在第1位置S1接收的图9a所示的大量光干涉信号X1、X1'、X1"、...中，如图9b所示，将达到第1峰值Q1的第1波长(例如，465nm)的光干涉信号选择为第1位置S1的第1光干涉信号X1。
而且，控制部140在第2位置S2接收的大量光干涉信号中，将具有与在第1位置S1选择的第1光干涉信号X1的第1波长值(例如，465nm)相同的第1波长值(例如，465nm)的光干涉信号选择为第2光干涉信号X2(S230)。
然后，如图9b所示，对比作为随着抛光工序的进行而在时间轴中的峰值的第1光干涉信号X1与第2光干涉信号X2，在第1时刻t1获得它们X1、X2的相位差phx或光强度(intensity)的差异值。
此时，如果同时检测到多个相位差，则可以使用各相位差的平均值、最大值、最小值中的任意一个。
而且，在作为第1时刻t1之前和之后时间点的第2时刻t2，第1波长值(例如，465nm)的第1光干涉信号X1成为在时间轴中不具有峰值的状态。因此，如图9c所示，控制部140在大量的光干涉信号中，重新选择光强度(intensity)达到峰值Q的波长值的光干涉信号。例如，在第1位置S1接收的图9a所示的大量光干涉信号X1、X1'、X1"、...中，将达到第2峰值Q1'的第2波长(例如，430nm)的光干涉信号选择为第1位置S1的第1光干涉信号X1'。
而且，控制部140在第2位置S2接收的大量光干涉信号中，将具有与在第1位置S1选择的第1光干涉信号X1'的第2波长值(例如，430nm)相同的第2波长值(例如，430nm)的光干涉信号选择为第2光干涉信号X2'(S230)。
如上所述，在本发明第2实施例中，用于获得抛光层厚度信息的光干涉信号的波长值持续地变动。
然后，如图9c所示，对比作为随着抛光工序的进行而在时间轴中的峰值的第1光干涉信号X1'与第2光干涉信号X2'，在第2时刻t2获得它们X1'、X2'的相位差phx'或光强度(intensity)的差异值。
如上所述，控制部140在从在任意一个位置S1、S2、...接收的反射光Lo1、Lo2、...提取的大量波长值的光干涉信号中，将具有峰值Q的光干涉信号，与邻接位置的光干涉信号对比，获得抛光层厚度信息，从而能够在进行抛光工序期间一直连续获得抛光层厚度偏差信息。
特别是如图5b所示，借助于对比邻接位置S1、S2；S2、S3；...的光干涉信号X1、X2、X3、X4、X5，可以防止在光干涉信号的偏差具有半周期以上偏差的情况下发生厚度信息错误。
其中，为了获得第1位置S1与第2位置S2的厚度偏差信息，在第1位置S1确定具有时间轴峰值的第1波长值的第1光干涉信号X1，在用于与之对比的第2位置S2确定具有第1波长值的第2光干涉信号X2后，对它们X1、X2进行对比。而且，为了获得第2位置S2和第3位置S3的厚度偏差信息，不直接利用第1波长值的第2光干涉信号X2，而是将在第2位置S2具有峰值的第2波长值的光干涉信号，选择为用于与第3位置S3的光干涉信号对比的第2'光干涉信号，在第3位置S3，将第2波长值的光干涉信号选择为第3光干涉信号后，对比第2'光干涉信号与第3光干涉信号。与此类似，分别选择用于获得第3位置S3与第4位置S4的厚度偏差的光干涉信号、用于获得第4位置S4与第5位置S5的厚度偏差的光干涉信号。
以这种方式，控制部140针对任意一个位置，选择随着抛光工序的进行而具有时间轴中的“峰值”的光干涉信号，与该位置的邻接位置的光干涉信号对比，获得2个位置的抛光层厚度偏差的相关信息，因而可以获得光干涉信号的对比更加容易和准确的效果。
其中，“峰值”优选为准确的峰值，但根据情况，也可以包括相对于时间轴中的峰值而在5％左右的允许误差范围内的值。
进一步而言，在对比具有预先确定的波长值的光干涉信号的情况下，只有在光干涉信号在时间轴中具有峰值的位置(图9b的As)才能获得2个位置的抛光层厚度偏差的相关信息，但是，随着如上所述利用白色光，选择在时间轴具有峰值的光干涉信号，即使在图9b的标识为Ax的区域，也可以获得抛光层厚度偏差的相关信息。即，本发明在抛光工序持续期间，可以一直连续地获得2个位置的抛光层厚度偏差。
其中，获得抛光层厚度偏差信息的时间间隔根据从白色光提取的波长值的间隔(优选为1nm～10nm)确定，在提取的波长值的间隔为10nm的情况下，可以至少每0.1秒间隔以内获得抛光层厚度偏差信息，因此，本说明书及专利权利要求书中记载的“连续的”含义定义为每0.1秒以内获得抛光层厚度偏差信息。
如上所述，控制部140可以在抛光工序期间一直连续、准确地监视各相邻位置间的抛光层f的厚度偏差。
步骤5：而且，向消除含有步骤4中由控制部140获得的抛光层厚度偏差数据的光干涉信号的相位差或光强度差异的方向，与前述第1实施例类似地算出各压力腔施加的压力并生成为控制信号，控制压力调节部150及调节器40。
不过，在第2实施例中，借助于控制部140而连续地获得抛光层f的厚度偏差信息，因而立足于连续获得的抛光层厚度偏差信息，控制部140使控制压力调节部150和调节器40的控制信号实时地连续变动，控制使得消除晶片W的抛光层厚度偏差。
如上所述，使用于消除晶片抛光层的厚度偏差的控制信号连续变动并控制压力调节部150等，从而特别是即使在抛光工序所需的时间很短的情况下，可以获得能够在抛光结束时间点更完全地消除各位置S1、S2、...的晶片抛光层厚度偏差的有利效果。
如上所述，本发明在抛光工序中，即使不直接算出抛光层f的厚度，通过在抛光工序进行期间一直连续获得抛光层厚度偏差相关信息，持续生成对其进行补正的控制信号并进行控制，从而可以获得的有利效果是，在晶片抛光层f达到目标厚度的状态下，能够整体上均一地控制晶片W的抛光层厚度分布。
在前述实施例中，以整体上均一地调节晶片抛光层厚度分布的构成为例，但在要将晶片抛光层的一部分(例如，边缘)调节得比其他抛光层区域更厚或更薄的情况下，调节得使最外侧压力腔C5的第5位置S5的光干涉信号比其他位置的光干涉信号...、X2、X3、..滞后或提前既定量，借助于此，也可以将抛光层的厚度分布准确地调节为希望的分布。
由此，本发明即使在抛光工序中不直接算出抛光层f的厚度，针对在互不相同位置S1、S2、S3、S4、S5获得的光干涉信号X，向消除随着时间而跟踪的信号的偏差(光干涉信号的输出值与相位差中任意一个以上)的方向，控制对晶片W施加的压力和调节器40的压力Fc中任意一个以上，借助于此，也可以获得将晶片抛光层厚度调节成希望的分布的有利效果。
以上通过优选实施例，示例性地说明了本发明，但本发明并非限定于这种特定实施例，可以在本发明提示的技术思想的范畴内，具体而言，可以在专利权利要求书记载的范畴内，修改、变更或改善为多样的形态。

Claims (26)

1.一种晶片的抛光***，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：
抛光垫，其在抛光板上旋转；
光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；
调节器，其对所述抛光垫加压并改性；
光接收部，其接收在所述抛光层的第1位置反射的第1光干涉信号以及在不同于所述第1位置的第2位置反射的第2光干涉信号；
控制部，其调节对所述晶片加压的抛光头的压力，以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。
2.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
还包括对所述抛光垫的表面进行改性的调节器，
所述控制部以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号偏差的控制形态，调节所述调节器对所述抛光垫的压力。
3.根据权利要求2所述的抛光抛光控制方法，其特征在于，
如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则将与所述第1位置对应的区域中的调节器的压力降低为，低于与所述第2位置对应的区域中的调节器的压力。
4.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述抛光头具备分割成多个的压力腔，所述压力腔包括第1压力腔和第2压力腔，用于对晶片加压；
所述第1位置及所述第2位置是互不相同的所述第1压力腔及所述第2压力腔的下侧位置。
5.根据权利要求4所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述抛光头独立地调节被分割为多个的所述压力腔的压力，调节所述晶片的压力。
6.根据权利要求5所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述第1压力腔和所述第2压力腔是所述多个压力腔中相邻配置的压力腔。
7.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的相位差。
8.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的光强度(intensity)的偏差。
9.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述抛光层为氧化物层。
10.根据权利要求1所述的晶片的抛光***，其特征在于，
如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，所述控制部则使通过所述第1压力腔向所述晶片导入的第1压力高于通过所述第2压力腔向所述晶片导入的第2压力。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述光接收部在所有所述多个压力腔的下侧分别接收至少一个位置的光干涉信号。
12.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述光照射部照射具有2个以上波长的光，所述光接收部接收具有2个以上波长的光；
所述控制部在所述第1位置和所述第2位置接收的对于多波长光的光干涉信号中，选择对于至少一个具有既定相位值的波长值的所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，并对比所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号。
13.根据权利要求12所述的晶片的抛光***，其特征在于，
被选择为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号并为控制所述抛光头的压力所使用的光干涉信号的波长值，随着所述晶片的抛光工序的进行而变动。
14.根据权利要求12所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述既定相位值是所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中任意一个的光强度(intensity)在时间轴中的峰值(peak)或由此而定的误差范围以内的值。
15.根据权利要求12所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述光照射部照射白色光，所述光接收部接收所述白色光在所述晶片中反射的反射光。
16.根据权利要求14所述的晶片的抛光***，其特征在于，
所述控制部在所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中，选择任意一个在时间轴中具有峰值的波长值的光干涉信号，实时连续地调节所述抛光头的压力。
17.根据权利要求14所述的晶片的抛光***，其特征在于，
还包括分光仪，所述分光仪针对所述光接收部接收的反射光，每隔既定波长间隔提取并获得光干涉信号，从所述分光仪提取的所述光干涉信号传送给所述控制部。
18.一种晶片的抛光控制方法，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：
抛光步骤，针对所述晶片的所述抛光层进行抛光；
光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位置和第2位置照射光；
光接收步骤，接收所述晶片的所述第1位置的第1反射光和所述第2位置的第2反射光；
压力调节步骤，调节对所述晶片施加的压力，以便消除来自所述第1反射光的第1光干涉信号与来自所述第2反射光的第2光干涉信号的偏差。
19.根据权利要求18所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述抛光头具备分割成多个的压力腔，所述压力腔包括第1压力腔和第2压力腔，所述第1位置和所述第2位置位于互不相同的压力腔的下侧，
如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则使通过所述第1压力腔向所述晶片导入的第1压力高于通过所述第2压力腔向所述晶片导入的第2压力。
20.根据权利要求18所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述压力调节步骤还包括：
调节器控制步骤，如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则将与所述第1位置对应的区域中的调节器的压力降低为，低于与所述第2位置对应的区域中的调节器的压力。
21.根据权利要求18～20中任意一项所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述光照射部照射具有2个以上波长的光，所述光接收部接收具有2个以上波长的光；
所述控制部在所述第1位置和所述第2位置接收的对于多个波长的光干涉信号中，选择对于至少一个具有既定相位值的波长值的所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，并对比所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号。
22.根据权利要求21所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
被选择为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号并为控制所述抛光头的压力所使用的光干涉信号的波长值，随着所述晶片的抛光工序的进行而变动。
23.根据权利要求21所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述既定的相位值是所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中任意一个以上在时间轴中的峰值(peak)。
24.根据权利要求21所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述光照射部照射白色光，所述光接收部接收所述白色光在所述晶片中反射的反射光。
25.根据权利要求24所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
所述控制部在所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中，选择任意一个随着抛光工序的进行而在时间轴中具有峰值的波长值相对应的光干涉信号，并实时调节所述抛光头的压力。
26.根据权利要求25所述的晶片的抛光控制方法，其特征在于，
针对所述光接收部接收的反射光，提取每1nm～10nm的光干涉信号，在提取的光干涉信号中，针对在第1时刻随着抛光工序的进行而在时间轴上具有峰值的波长值，选择所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，并调节所述抛光头的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。
CN201710446753.9A 2016-05-11 2017-06-14 晶片的抛光控制方法及抛光*** Active CN108857859B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160057308 2016-05-11
KR1020170058505A KR102368789B1 (ko) 2016-05-11 2017-05-11 다중 파장광을 이용한 위상차 검출에 의한 웨이퍼의 연마 시스템
KR10-2017-0058505 2017-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108857859A true CN108857859A (zh) 2018-11-23
CN108857859B CN108857859B (zh) 2020-03-10

Family

ID=60808904

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621162037.5U Active CN207058321U (zh) 2016-05-11 2016-10-25 具有氧化物层的晶片的抛光***
CN201710446753.9A Active CN108857859B (zh) 2016-05-11 2017-06-14 晶片的抛光控制方法及抛光***

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621162037.5U Active CN207058321U (zh) 2016-05-11 2016-10-25 具有氧化物层的晶片的抛光***

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102368789B1 (zh)
CN (2) CN207058321U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110126106A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 浙江晶特光学科技有限公司 晶圆加工方法
CN111515864A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 华虹半导体(无锡)有限公司 金刚石盘的监控方法及***
CN115026715A (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 应用材料公司 具有基板进动的基板抛光的工艺参数的控制

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102192518B1 (ko) 2020-07-14 2020-12-17 에스케이씨 주식회사 웨이퍼 및 웨이퍼의 제조방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08216016A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
JPH08281551A (ja) * 1995-04-10 1996-10-29 Ebara Corp ポリッシング方法及び装置
CN1381707A (zh) * 2000-07-26 2002-11-27 日本马克西斯株式会社 被测物的厚度测定方法及其装置
KR20050070760A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 광학방식을 이용한 연마종점 검출장치
CN1726116A (zh) * 2002-10-17 2006-01-25 株式会社荏原制作所 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法
JP2009130078A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Covalent Materials Corp Ｓｏｉ層の厚さ測定方法および測定装置
CN102027315A (zh) * 2008-01-31 2011-04-20 株式会社Snu精密 厚度测定方法
CN102341670A (zh) * 2009-03-27 2012-02-01 浜松光子学株式会社 膜厚测量装置以及测量方法
CN104792272A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 王伟中 厚度在线实时检测的光学干涉装置
KR20170048810A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께 검출 정확성이 향상된 화학 기계적 연마 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112449A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置
JP2004047876A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置及び研磨方法
KR100532553B1 (ko) * 2003-03-25 2005-12-01 두산디앤디 주식회사 반도체 웨이퍼 표면연마공정의 엔드포인트 검출방법 및 그장치
EP1758711B1 (en) * 2004-06-21 2013-08-07 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
CN101523565B (zh) * 2006-10-06 2012-02-29 株式会社荏原制作所 加工终点检测方法、研磨方法及研磨装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08216016A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
JPH08281551A (ja) * 1995-04-10 1996-10-29 Ebara Corp ポリッシング方法及び装置
CN1381707A (zh) * 2000-07-26 2002-11-27 日本马克西斯株式会社 被测物的厚度测定方法及其装置
CN1726116A (zh) * 2002-10-17 2006-01-25 株式会社荏原制作所 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法
KR20050070760A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 광학방식을 이용한 연마종점 검출장치
JP2009130078A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Covalent Materials Corp Ｓｏｉ層の厚さ測定方法および測定装置
CN102027315A (zh) * 2008-01-31 2011-04-20 株式会社Snu精密 厚度测定方法
CN102341670A (zh) * 2009-03-27 2012-02-01 浜松光子学株式会社 膜厚测量装置以及测量方法
CN104792272A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 王伟中 厚度在线实时检测的光学干涉装置
KR20170048810A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께 검출 정확성이 향상된 화학 기계적 연마 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110126106A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 浙江晶特光学科技有限公司 晶圆加工方法
CN111515864A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 华虹半导体(无锡)有限公司 金刚石盘的监控方法及***
CN115026715A (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 应用材料公司 具有基板进动的基板抛光的工艺参数的控制
US11931853B2 (en) 2021-03-05 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Control of processing parameters for substrate polishing with angularly distributed zones using cost function
CN115026715B (zh) * 2021-03-05 2024-06-21 应用材料公司 抛光***、生成用于控制其配方的计算机程序产品和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN207058321U (zh) 2018-03-02
CN108857859B (zh) 2020-03-10
KR102368789B1 (ko) 2022-03-02
KR20170127377A (ko) 2017-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108857859A (zh) 晶片的抛光控制方法及抛光***
KR102025784B1 (ko) 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법
CN103072072B (zh) 研磨方法及研磨装置
US8554356B2 (en) Processing end point detection method, polishing method, and polishing apparatus
KR101669554B1 (ko) 기판 폴리싱의 진행을 감시하는 방법 및 폴리싱장치
KR101918803B1 (ko) 푸리에 변환을 이용한 막 두께의 측정
KR101459269B1 (ko) 화학 기계적 연마 방법 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 시스템
CN205380555U (zh) 化学机械抛光装置
KR102283692B1 (ko) 막 두께 측정 방법, 막 두께 측정 장치, 연마 방법 및 연마 장치
CN109382755B (zh) 基板研磨装置及方法
JP6470366B2 (ja) ポリッシング装置
CN109968190B (zh) 晶片研磨***
CN109773647B (zh) 晶片研磨***
KR102091419B1 (ko) 광투과성 연마층을 갖는 기판 연마 시스템
CN209319538U (zh) 基板处理装置
KR101655070B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치 및 방법
CN109719613A (zh) 基板处理装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant