CN207058321U - 具有氧化物层的晶片的抛光*** - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及具有氧化物层的晶片的抛光***，该晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其包括：抛光垫，在抛光平板上进行旋转；光照射部，向晶片的抛光层照射光；调节器，一边对抛光垫进行加压，一边进行改性；光接收部，用于接收从抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；抛光头，调节对晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除第一光干涉信号和第二光干涉信号的偏差。由此，无需在抛光工序计算出晶片抛光层厚度，能够通过调节为从晶片抛光层所接收的反射光中消除光干涉信号的偏差的形态，进行具有可靠性且准确、简单的控制，使抛光结束时间点的晶片抛光层的厚度分布变得均匀。

Description

具有氧化物层的晶片的抛光***
技术领域
本实用新型涉及一种化学机械抛光***，更详细地，涉及一种在抛光工序中即使不完全计算出抛光层的厚度也准确地控制抛光层的厚度的化学机械抛光***。
背景技术
化学机械抛光(CMP)装置是用于对晶片的表面进行精密抛光加工的装置，以谋求在半导体元件的制作过程中去除在反复执行掩膜、蚀刻及配线工序等过程中生成的晶片表面的凹凸所导致的单元区域和周边回路区域之间的高度差的广域平坦化，以及基于回路形成用触点/配线膜分离及高集成元件化的晶片表面的粗糙度的提高等。
在这种化学机械抛光装置中，承载头以使晶片的抛光面在抛光工序前后与抛光垫对置的状态，对所述晶片进行加压来执行抛光工序，并且，若结束抛光工序，则以直接或间接的方式对晶片进行真空吸附，并以把持的状态向下一工序移动。
图1a为化学机械抛光装置1的简图。如图1所示，化学机械抛光装置1一边借助承载头20在进行旋转11d的抛光平板10的抛光垫11上加压晶片W，一边实现抛光，同时，在抛光垫11上，一边从浆料供给部(未图示)供给浆料，一边实现湿式抛光。而且，在这一过程中，调节器40一边进行旋转40d运动和回旋运动，一边使调节盘对抛光垫11进行表面改性，从而通过抛光垫11的微细槽向晶片W供给浆料。
另一方面，随着半导体元件的集成化，晶片W的抛光层需要精致地对厚度进行抛光。为此，如以往的韩国授权专利公报第10-542474号所公开，在执行抛光工序的步骤S10中，通过从发光部向晶片的抛光面照射光(步骤S20)，由受光部接收抛光层中的被反射的反射光(步骤S30)，并追踪所接收的反射光的光干涉信号来间接地掌握抛光层的厚度变化(步骤S40)的方式检测抛光层的厚度。在图1a中，发光部和受光部均被标为附图标记“50”，并且，既可以配置于贯通抛光垫和抛光平板的贯通孔，又可以配置于抛光平板上。
但是，在通过气相沉积(CVD)工序等来蒸镀于晶片W的透光性抛光层(例如，氧化物层)的厚度为常规厚度(例如，至左右)的情况下，虽然可以通过观察从抛光面反射的干涉光的数量或推移来掌握抛光结束时间点，但在蒸镀于晶片W的氧化物层的厚度为异常过厚的厚度(例如，至)的情况下，很难通过所述方式来掌握抛光层的厚度，并且，在准确地检测抛光结束时间点方面也存在困难。
更具体地，如图1b及图1c所示，从晶片W的氧化物层反射的干涉光变成按各不同的波长上下移动的形态，随着氧化物层的厚度根据氧化物层的抛光而变薄，各不同的波长的波形的间隔则会减少。而且，针对光谱的特定波长(例如，500nm的波长；λ1)的时间(sec)的波形如图1d所示。因此，在通常的情况下，就蒸镀于晶片W的氧化物层的厚度而言，例如，可以事先确认(compensation)第二个上侧峰点A2中的氧化物层的厚度达到目标厚度(约至)，并可以结束在氧化物层的目标厚度中的抛光。
但是，在蒸镀于晶片W的氧化物层的厚度大于常规厚度的情况(约)下，即使在达到预定的第二个上侧峰点A2为止对晶片W进行抛光，晶片W的氧化物层的厚度也成为未达到目标厚度的状态。即，在氧化物层的厚度通常更厚的情况下，即使进行抛光至达到时间大于预定次数的上侧峰点A2的上侧峰点A3，基于干涉波的峰值是否到达规定的次数来检测抛光结束时间点的方式也存在只能接受与蒸镀于晶片W的初始氧化物层的厚度的偏差相对应的误差的局限性。
而且，不同于如图1b及图1c所示，以往存在除了计算一个波长的干涉光的周期次数之外，没有可以检测氧化层膜的厚度的方法的问题(以往，不利用具有多个波长的光而利用具有一个波长的激光束来检测氧化物层的目标厚度，但在图1b及图1c中示出具有多个波长的光谱，并非使用以往具有多个波长的光，而是作为支持本实用新型的原理，用于说明从氧化物层反射的光的特性)。
而且，通过气相沉积工序等来蒸镀于晶片W的表面的氧化物层形成为边缘薄、中央部厚的情况诸多，因此，从中央部的厚的部分反射的干涉光的波形中准确地检测抛光结束时间点存在非常难的问题。
并且，因晶片表面的图案而同时检测出大大小小的厚度，导致很难掌握厚度，因此，在抛光工序中实时测定晶片抛光层的厚度，且均匀地控制晶片的抛光层的厚度则存在更加困难的问题。
实用新型内容
本实用新型是在上述的技术背景下提出的，本实用新型的目的在于，提供即使在抛光工序中不计算出晶片抛光层的厚度，也可以在抛光工序中准确地按所意图的分布调节抛光层的厚度的化学机械抛光***。
并且，本实用新型的目的在于，即使通过晶片的气相沉积等来蒸镀的抛光层的厚度不均匀，也可以在抛光工序中以均匀的厚度分布对晶片抛光层进行抛光。
由此，本实用新型的目的在于，与晶片抛光层的初始厚度偏差无关地在抛光结束时间点中使晶片抛光层的厚度分布成为所意图的分布。
为了实现上述目的，本实用新型提供晶片的抛光***，所述晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其包括：抛光垫，在抛光平板上进行旋转；光照射部，向所述晶片的抛光层照射光；调节器，一边对所述抛光垫进行加压，一边进行改性；光接收部，用于接收从所述抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；抛光头，用于调节对所述晶片进行加压的压力，以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的偏差。
更具体地，就从光照射部照射的光而言，在透光性材质的抛光层的表面反射的反射光和经过抛光层在不透光层的表面反射的反射光相互进行光干涉，并随着时间的经过来输出信号形态的光干涉信号，而在光干涉信号反映有抛光层的厚度信息。
因此，在本实用新型中，对所要调节抛光层的厚度的互不相同的第一位置中的第一光干涉信号和第二位置中的第二光干涉信号进行对比，虽然无法通过准确的数值掌握第一位置和第二位置中的抛光层的厚度，但可以准确地掌握第一位置的抛光层的厚度和第二位置的抛光层的厚度中哪个更大。
由此，在整体上对晶片的抛光层厚度进行均匀调节的情况下，在第一位置和第二位置中的抛光层的厚度更大的位置，借助抛光头的压力腔室来施加更高的压力，或针对与抛光层的厚度更大的位置相对应的抛光垫的区域，将调节器的压力调节得更低，由此，可以在抛光结束时间点中成为均匀地调节完抛光层的厚度的状态。与此类似地，要将晶片的抛光层的厚度分布调节为第一位置中的厚度大于第二位置中的厚度的情况下，也可通过使第一位置的第一光干涉信号持续成为相当于比第二位置的第二光干涉信号的厚度更大的信号的方式进行调节。
另一方面，所述偏差可以为在规定的第一时刻中的光干涉信号的偏差。即，对在规定的第一时刻的第一位置中的第一光干涉信号与在第一时刻的第二位置中的第二光干涉信号进行对比，并沿着缓解这些偏差的方向调节晶片的压力，由此可以均匀地调整抛光结束时间点中的晶片的抛光层的厚度。
在此，所述偏差可以为按照时间来追踪所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的信号相位差。即，由于晶片的抛光层由相同的材质形成，因此，相比于第一光干涉信号和第二光干涉信号的信号波形的数值，可以通过以消除根据时间追踪所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的信号的相位差的方式调节施加给晶片的压力来均匀地调节晶片的抛光层的厚度。
另一方面，在此，所述抛光头可以包括压力腔室，所述压力腔室被分割为包括第一压力腔室和第二压力腔室在内的多个，用于对晶片进行加压，所述抛光头可以独立调节被分割为包括所述第一压力腔室和所述第二压力腔室在内的多个的所述压力腔室的压力，从而调节所述晶片的压力。
而且，所述第一位置和所述第二位置位于互不相同的压力腔室的下侧，并可以通过若所述第一光干涉信号相比于所述第二光干涉信号滞后，则使通过所述第一压力腔室导入于所述晶片的第一压力大于通过所述第二压力腔室导入于所述晶片的第二压力，或者通过引导为进一步降低与对应于第一位置的抛光垫相接触的调节器的压力来进一步提高抛光垫的高度的方式，来相同地调节第一位置的晶片抛光层的厚度和第二位置的晶片抛光层的厚度。
而且，所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号被规定为相同波长的光信号。
就上述***而言，向抛光层照射的光既可以在抛光层的表面进行反射，又可以透射抛光层来在不透光层中进行反射，从而使这些反射光相互干涉，并只有在输出随着时间与信号波形类似地进行增减的输出值(intensity)的情况下才可以适用，因此，所述抛光层由透射光的材质形成。例如，可以由氧化物层形成。
尤其，所述抛光头在调节以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的相位差的方式对所述晶片进行加压的压力方面有效。
即，若所述第一光干涉信号相比于所述第二光干涉信号滞后，则可以调节通过所述第一压力腔室导入于所述晶片的第一压力大于通过所述第二压力腔室导入于所述晶片的第二压力。
所述第一位置和所述第二位置可以位于互不相同的压力腔室的下侧。
根据本实用新型，可以获得如下有益效果：在抛光工序中，即使不计算出抛光层的厚度，也可以通过控制向消除从互不相同的位置中获得的光干涉信号的偏差的方向对晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，按所意图的形态调节晶片的抛光层的厚度。
即，本实用新型可以获得如下有益效果：即使通过晶片的气相沉积等来蒸镀的抛光层的初始厚度分布并不均匀，也可以在无需准确地计算出晶片的抛光层的厚度的情况下，调节为在从晶片抛光层接收的反射光中以消除光干涉信号的偏差的形态，由此可以进行具有可靠性且准确、简单的控制，使得抛光结束时间点中的晶片抛光层的厚度分布变得均匀。
附图说明
图1a为示出普通的化学机械抛光装置的结构的图。
图1b为示出根据晶片抛光层的反射光波长的抛光初期的光干涉信号的曲线图。
图1c为示出根据晶片抛光层的反射光波长的抛光后期的光干涉信号的曲线图。
图1d为示出根据晶片抛光层的反射光的时间经过的特定波长的光干涉信号的曲线图。
图2为示出以往的检测抛光结束时间点的运行方法的流程图。
图3为示出根据本实用新型一实施例的化学机械抛光***的结构的图。
图4作为图3的“A”部分的放大图，是正在抛光中的抛光头的半剖视图。
图5为图4的“B”部分的放大图。
图6a作为图5的“C”部分的放大图，是用于说明发生根据晶片的氧化物层的厚度的光干涉信号的原理的图。
图6b为示出根据晶片抛光层的反射光波长的抛光初期的光干涉信号的曲线图。
图6c为示出根据晶片抛光层的反射光波长的抛光后期的光干涉信号的曲线图。
图6d为示出根据晶片氧化物层的厚度变化的光干涉信号的图。
图7a及图7b为用于说明本实用新型的作用原理的图。
图8为示出根据本实用新型一实施例的化学机械抛光装置的运行方法的流程图。
附图标记
W：晶片 f：氧化物层
Li：照射光 Lo：反射光
d：反射光的间隔 t：氧化物层的厚度
X：光干涉信号 20：抛光头
22：隔膜 40：调节器
100：化学机械抛光*** 110：抛光平板
111：抛光垫 111a：透明窗
120：光照射部 130：光接收部
140：厚度检测部
具体实施方式
以下，参照附图对本实用新型进行详细说明。只不过，在对本实用新型进行说明的过程中，为了使本实用新型的要旨更加明确而省略对公知的功能或结构的具体说明。
如图3所示，本实用新型一实施例的化学机械抛光***100用于对形成于晶片W的底面的抛光层f进行平坦抛光，所述化学机械抛光***100包括：抛光平板110，上部面被抛光垫111覆盖，且进行自转11d；浆料供给部(未图示)，用于向抛光垫111上供给浆料；抛光头20，在抛光工序中，以使晶片W位于下侧的状态对晶片W进行加压；调节器40，在抛光工序中一边进行旋转40d，一边对抛光垫111进行加压，并进行改性；光照射部120，为了测定晶片W的抛光层f的厚度而照射光Li；光接收部130，用于接收从晶片抛光层f反射的反射光Lo；控制部140，基于在光接收部130中测定的反射光Lo来调节抛光头20的压力和调节器40的压力Fc；以及压力调节部150，根据控制部140的控制信号向抛光头20的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5供给气动。
在所述抛光平板110和抛光垫111形成有透明窗111a，从而可以向从抛光平板110的下侧执行抛光工序的晶片W的抛光面照射来自光照射部120的光Li，并由光接收部130接收在晶片W的抛光面反射的反射光Lo。在附图中，虽然为了方便而例示出单独形成有光照射部120和光接收部130的结构，但也可以由光照射部120和光接收部130形成一个主体的光传感器而构成。
另一方面，可以与一同贯通抛光平板110和抛光垫111的方式并行，或者作为代替，也可以在抛光平板110的上部面形成凹入部，向晶片抛光层f照射光，并设置有用于接收在晶片抛光层f反射的反射光的光传感器220。以下，为了方便而对从光照射部120照射光Li，并由光接收部130接收反射光Lo的结构进行说明。
所述晶片W在制作半导体元件的过程中，抛光层f由透射光的材质形成。在此，“透射光的材质”并不是指透射从光照射部120照射的所有光Li的材质，而是透射从光照射部120照射的光Li的1％以上的材质也都包括。例如，抛光层f可以由氧化物层形成，由此，所照射的光Li的一部分在抛光层f的表面反射Loe，所照射的光Li的另一部分透射抛光层f来在不透光层wo的表面进行反射Loi。
如图4所示，所述抛光头20包括：上侧本体21’，从外部接收旋转驱动力来进行旋转；底座21，与上侧本体21’相联动而一同进行旋转；隔膜22，按晶片W的形状形成圆盘形态的底板221，并在底座21固定有固定片222；以及挡圈24，在抛光工序中与抛光垫111相接触，并配置于隔膜22的周围，以防止晶片W向抛光头20的外部脱离。
在隔膜22中，从底板221向上延伸的环形态的固定片222的末端借助结合部件211来固定于底座21，并在隔膜的底板221和底座21之间形成有多个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5。而且，随着抛光头20的各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5从压力调节部150接收气动并独立地调节压力，位于隔膜的底板221的下侧的晶片W可以按不同的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5以互不相同的方式调节压力。
在附图中，虽然示出了固定片222呈环形态，且多个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5以同心环形态配置，并以旋转中心为准向半径方向划分的结构，但也可以具有向圆周方向划分的固定片(未图示)，使得压力腔室C1、C2、C3、C4、C5还可以向圆周方向进行划分。因此，根据本实用新型的压力腔室将半径方向和圆周方向中的任意一种以上而划分的结构都包括在内。
所述调节器40以使调节盘与抛光垫111相接触的状态具有抛光垫111的半径方向成分的方式横穿并执行往返横扫运动。此时，调节盘的压力被控制部140调节，在调节盘进行往返横扫运动的路径上通过调节压力来调节抛光垫111的特定区域中的高度大于或小于其他区域。
所述光照射部120向晶片W的抛光层f照射具有规定波长的光Li。在此，向抛光层f照射的光Li既可以为单一波长，也可以为2个以上的波长。在照射2个以上的波长时，可以获得利用由本申请人申请并获得专利权的韩国授权专利公报第10-1436557号所公开的***来更加准确地检测抛光结束时间点的效果。
光照射部120向晶片W的抛光层f照射至少两处以上位置，优选地，分别照射抛光头20的各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的下侧位置S1、S2、S3、S4、S5的至少一个。
所述光接收部130由从光照射部120照射的光接收从晶片W的抛光层f反射的反射光Lo。如图4及图5所示，由于分别向抛光头20的各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的下侧的至少一个位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li，因此，光接收部130分别在照射光Li的位置接收反射光Lo。
如图6a所示，晶片W的抛光面包括可以透射光的氧化物层f和无法透射光的不透光层wo，从光照射部120照射的光Li的一部分在氧化物层f的表面进行反射Loe，从光照射部120照射的光Li的一部分经过氧化物层f并在不透光层wo进行反射Loi。因此，光接收部130所接收的反射光Lo包括在氧化物层f的表面反射的反射光Loe和经过氧化物层f在不透光层wo反射的反射光Loi，而这些反射光Loe、Loi留有微细的间隔d并以与氧化物层f的厚度成正比的方式具有光路差异，因此，一边相互进行干涉，一边生成与信号波形态类似的光干涉信号X。
所述控制部140从光接收部130所接收的各位置S1、S2、S3、S4、S5的反射光Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5中抽取各个光干涉信号X(……X2、X3、……)，从而如图7a所示，与相同的时间轴上相匹配，并以与相同的时间轴上相匹配的各个光干涉信号X向使不一致变为一致的方向，通过抛光头20的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5，按不同的区域调节对晶片W进行加压的压力p1、p2、p3、p4、p5的方式来控制压力调节部150和调节器40。
尤其，光接收部130所接收的反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)可以通过存在于晶片抛光层f和光接收部130之间的抛光粒子、浆料等来使振幅失真，但基于抛光层厚度的变动的相位差几乎不会失真，因此，控制部140可基于各反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)的相位差来控制压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力和调节器40的压力，从而可以更加准确地控制晶片的抛光层f的厚度分布。
例如，在对晶片抛光层f的厚度整体上且均匀地进行调节的情况下，可通过相同地控制从各压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的下侧位置S1、S2、S3、S4、S5所接收的反射光Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5获得的光干涉信号X的所有相位差，即使不直接计算出抛光层的厚度，也可以均匀地控制晶片的抛光层f的厚度。
所述压力调节部150根据从控制部140传输的控制指令，通过气动供给管155向各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5供给气动，从而借助压力腔室C1、C2、C3、C4、C5中的压力p1、p2、p3、p4、p5来以互不相同的方式控制对晶片W进行加压的压力。
以下，对以如上所述的方式构成的本实用新型一实施例的化学机械抛光***100的运行方法S100进行详述。
如图8所示，本实用新型一实施例的化学机械抛光方法S100为在晶片的抛光面执行精密抛光，以仅保留规定厚度的氧化物层的方法，所述化学机械抛光方法S100包括：抛光步骤S110，针对晶片W执行化学机械抛光工序；光照射步骤S120，在进行抛光步骤S110的期间内，向晶片W的抛光面中，向晶片W的互不相同的2个以上的位置S1、S2、S3、S4、S5照射具有规定波长的光Li；光接收步骤S130，通过受光部130接收在晶片W的抛光面的各位置S1、S2、S3、S4、S5反射的反射光Lo(Lo1、Lo2、Lo3、Lo4、Lo5)；压力调节步骤S140，从光接收步骤S130所接收的各个反射光Lo中抽取光干涉信号X，并以使光干涉信号X相一致的方式从压力调节部150控制压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5。
如图3所示，在所述抛光步骤S110中，覆盖于所旋转的抛光平板110的上侧的抛光垫111与抛光平板110一同进行旋转，并借助在晶片W的抛光面与抛光垫111相接触的状态下进行旋转20d的承载头20来得到加压，从在附图中未图示的浆料供给部向抛光垫111上供给浆料，并向晶片W供给，从而执行晶片W的湿式抛光工序。为了进行浆料的顺畅的供给而使抛光垫111发生改性的调节器40一边进行旋转40d，一边并行着对抛光垫111的加压。
所述光照射步骤S120向晶片抛光层f的互不相同的2个以上的位置S1、S2、S3、S4、S5照射规定波长的光Li。此时，为了控制抛光层f的厚度而向抛光层f照射的光Li均被规定为相同的波长，而在各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的下侧区域，向至少一个以上位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li。在图5中，虽然举例说明了在每一个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5，向一个位置S1、S2、S3、S4、S5照射光Li的结构，但每一个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5，可向2个以上的位置照射光Li。
在所述光接收步骤S130中，接收在光照射步骤S120中向晶片W的抛光面照射的光Li的反射光Lo。反射光Lo作为由从氧化物层f的表面反射的反射光Loe和经过氧化物层f从金属等不透光层wo中反射的反射光Loi合并而成的形态，发生光路差异，并且，以微细的间隔d行进的反射光Loe、Loi一边相互进行干涉，一边生成干涉光X。光接收步骤S130在光接收部130中将这些全部接收。
在所述压力调节步骤S140中，从光接收步骤S130中从互不相同的抛光层f的位置S1、S2、S3、S4、S5接收的反射光Lo抽取各个光干涉信号X(……X2、X3、……)，并使这些在相同时间轴上相匹配来进行相互对比，而基于所对比的光干涉信号X(……X2、X3、……)控制抛光头20的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5。
更具体地，如图6a所示，虽然从晶片W的氧化物层f的表面Sx反射的反射光Loe和经过晶片W的氧化物层f而在不透光层wo中反射的反射光Loi从相同的光源照射，但相互留有微细的间隔d，并具有与氧化物层f的厚度t成正比的光路差异，因此，反射光Loe、Loi一边进行相互干涉，一边生成与信号波形类似的光干涉信号(即，干涉光)X。
如图6a所示，在氧化物层f的初始厚度to厚的化学机械抛光的初始状态中，在氧化物层f的表面So反射的反射光Loi'和经过氧化物层f而从不透光层wo反射的反射光Loe'之间的间隔do相对较大，但随着持续进行抛光工序，氧化物层f的厚度t逐渐变薄，并随着接近目标厚度(例如，至)，在氧化物层f的表面Sx散射的反射光Loi和经过氧化物层f而从不透光层wo反射的反射光Loe之间的间隔d逐渐变小，因此，随着氧化物层f的厚度变薄，干涉光X的波形具有针对波长发生变动的倾向。由此，如图6b及图6c所示，起初，针对整个波长的光的光谱X呈现出对波长的强度(intensity)的波形间隔Y窄的形态，而随着时间的经过，变更为间隔Y'逐渐变宽的波形。
另一方面，由于在本实用新型中向晶片W的抛光面照射具有规定波长的光Li，因此，从晶片W的抛光面反射的反射光Lo及由此生成的光干涉信号X为针对规定波长的多个光干涉信号X合并而成的形态。例如，在1nm至1050nm中，在以具有均匀强度的光作为照射光来向晶片W的氧化物层f进行照射的情况下，作为由光接收部130接收的多个光干涉信号X的组合的反射光Lo如图6b及图6c所示。
在化学机械抛光的初始状态中，如图6b所示，光接收部130所接收的反射光Lo在多个波长中，干涉光X的强度(intensity)作为根据波长λ而与信号波形类似的形态，以狭窄的间隔Y反复形成。而且，随着持续进行抛光工序，且氧化物层的厚度逐渐变薄，如图6b所示，虽然根据波长λ而使干涉光X的强度以与信号波形类似的方式得到维持，但其间的间隔Y’逐渐变宽。
为此，对以一个波长(例如，作为第一波长的469nm)为中心，随着时间(或氧化物层的厚度)的经过发生变动的倾向进行观察，如图6d所示，一个波长λ1的干涉光X的强度具有与信号波形类似地向上下进行反复的倾向。换言之，若晶片抛光层f的厚度随着抛光工序逐渐变薄，则如图6b所示，随着抛光工序的时间的经过，光干涉信号(intensity输出)变动为信号波形。
即，在进行抛光工序而使氧化物层的厚度变薄的过程中，一个波长的光干涉信号X生成周期性的波形，从而无法通过光干涉信号的值V1来准确地掌握抛光层f的厚度t，因此，以往依赖一个波长的光干涉信号(或者干涉光)的循环变化或周期经过次数(例如，若在开始进行抛光后，经过3次周期，则达到最终的目标厚度)来检测抛光结束时间点。而且，也试图从循环的变化、周期经过的次数及光干涉信号的值中计算出晶片抛光层f的厚度。
但是，光干涉信号的值因光接收部130和抛光层f之间的异物而略发生失真，从而在准确计算出厚度方面存在局限性，而光干涉信号X的任意一个值V1的抛光层的厚度在抛光工序中既进行多次t1、t2、……反复，又包括根据信号失真进行补偿，使得从光干涉信号的值中计算出抛光层的厚度的方式需要非常复杂的计算，因此，在实际的抛光工序中，排除了获得晶片抛光层的厚度值的实际适用。
相反，在本实用新型中，并非直接计算出晶片抛光层f的厚度，而是如图7a所示，在抛光工序中的任意一个时间点tx中，对在互不相同的位置S1、S2、S3、S4、S5中获得的光干涉信号X进行相互对比，从而向去除光干涉信号X的偏差的方向进行控制。
以从位于第二压力腔室C2和第三压力腔室C3的下侧的第二位置S2和第三位置S3接收的反射光Lo2、Lo3为例，从第二位置S2所接收的反射光Lo2中获得的基于时间经过的光干涉信号X2的值Q2可以在规定的第一时刻tx中，与从第三位置S3所接收的反射光Lo3中获得的基于时间经过的光干涉信号X3的值Q3发生相位差phx。即，第二位置S2中的光干涉信号X2相比于第三位置S3中的光干涉信号X3，与phx的相位差相对应地滞后，而这意味着第二位置S2中的抛光层的厚度大于第三位置S3中的抛光层的厚度(少抛光)。
因此，控制部140以与从光接收部130接收的反射光……、Lo2、Lo3、……、Lo相一致的方式控制压力调节部150和调节器40的压力。即，控制部140控制第二压力腔室C2的压力p2大于第三压力腔室C3的压力p3，从而进一步增加位于第二压力腔室C2的下侧的晶片W的区域的每单位时间的抛光率，以消除第二位置S2和第三位置S3的厚度偏差。与此同时或单独地，控制部140针对与第二压力腔室C2的底面相对应的抛光垫111的区域，更低地控制执行横扫运动的调节器40的压力，并引导与第二压力腔室C2的底面相对应的区域中的抛光垫111的高度大于与第三压力腔室C3的底面相对应的区域中的抛光垫111的高度，从而可以进一步增加位于第二压力腔室C2的下侧的晶片W的区域的每单位时间的抛光率。
由此，通过调节对晶片W进行加压的抛光头20的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力p1、p2、p3、p4、p5，或者调节调节器40的压力Fc，使得第一时刻tx之后的第二位置S2中的每单位时间的抛光层的抛光率更大于第三位置S3中的每单位时间的抛光层的抛光率，因此，如图7b所示，第二位置S2中的光干涉信号X2'的变化率进一步发生骤变，并在经过一定程度的时间的第二时刻ty中，可以去除随着时间来追踪第二位置S2中的光干涉信号X2和第三位置S3中的光干涉信号X3的信号偏差(相位差及光干涉输出值)。即，这意味着第二位置S2中的抛光层的厚度和第三位置S3中的抛光层的厚度变得相互均匀。
压力调节步骤S140可以在晶片W的抛光工序中，在规定的第一时刻tx仅执行一次，也可以留有规定的时间间隔而针对多个次数执行，还可以进行连续的测定而反复执行。
如上所述，本实用新型可以获得如下有益效果：在抛光工序中，在不直接计算出抛光层f的厚度的情况下也可以持续执行修改，从而可以在晶片抛光层f达到目标厚度的状态下，可以对晶片W的抛光层的厚度分布在整体上均匀地进行控制。
在上述的实施例中，虽然以对晶片的抛光层的厚度分布在整体上均匀地进行调节的结构为例进行了说明，但在调节晶片的抛光层的一部分(例如，边缘)大于或小于其他抛光层区域的情况下，最外侧压力腔室C5的第五位置S5中的光干涉信号相比于其他位置中的光干涉信号……、X2、X3、……滞后或先行所规定的程度，从而可以准确地调节抛光层的厚度分布为所意图的分布。
由此，本实用新型可以获得如下有益效果：在抛光工序中，即使不直接计算出抛光层f的厚度，也可以通过控制向消除随着时间来追踪从互不相同的位置S1、S2、S3、S4、S5中获得的光干涉信号X的信号偏差(光干涉信号的输出值和相位差中的至少一种)的方向对晶片W进行加压的压力和调节器40的压力Fc中的任意一种以上，来调节晶片的抛光层的厚度成为所意图的分布。
以上，虽然通过优选的实施例以例示性的方式对本实用新型进行了说明，但本实用新型并不局限于这种特定实施例，可以在本实用新型中所提供的技术思想，具体地，可以在实用新型权利要求书上所记载的范畴内以多种形态进行修改、变更或改善。

Claims (10)

1.一种具有氧化物层的晶片的抛光***，所述晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其特征在于，包括：
抛光垫，在抛光平板上进行旋转；
光照射部，向所述晶片的抛光层照射光；
调节器，一边对所述抛光垫进行加压，一边进行改性；
光接收部，用于接收从所述抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；
抛光头，用于调节对所述晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的偏差。
2.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述抛光头包括压力腔室，所述压力腔室被分割为包括第一压力腔室和第二压力腔室在内的多个，用于对晶片进行加压，所述抛光头独立调节被分割为包括所述第一压力腔室和所述第二压力腔室在内的多个的所述压力腔室的压力，从而调节所述晶片的压力。
3.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述偏差为在规定的第一时刻中的光干涉信号的偏差。
4.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述偏差为按照时间来追踪所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的信号相位差。
5.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述抛光头以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的相位差的方式来调节对所述晶片进行加压的压力。
6.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述第一位置和所述第二位置位于互不相同的压力腔室的下侧。
7.根据权利要求6所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，若所述第一光干涉信号相比于所述第二光干涉信号滞后，则使通过所述第一压力腔室导入于所述晶片的第一压力大于通过所述第二压力腔室导入于所述晶片的第二压力。
8.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述光接收部在所有所述压力腔室的下侧分别接收至少一个位置中的光干涉信号。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号为相同波长的光信号。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的具有氧化物层的晶片的抛光***，其特征在于，所述抛光层为氧化物层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110126106B (zh) * 2019-06-17 2021-09-24 浙江晶特光学科技有限公司 晶圆加工方法
CN111515864B (zh) * 2020-04-30 2022-04-05 华虹半导体(无锡)有限公司 金刚石盘的监控方法及***
KR102192518B1 (ko) * 2020-07-14 2020-12-17 에스케이씨 주식회사 웨이퍼 및 웨이퍼의 제조방법
US11931853B2 (en) 2021-03-05 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Control of processing parameters for substrate polishing with angularly distributed zones using cost function

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08216016A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
JP3594357B2 (ja) * 1995-04-10 2004-11-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法及び装置
JPH10112449A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置
CN1381707A (zh) * 2000-07-26 2002-11-27 日本马克西斯株式会社 被测物的厚度测定方法及其装置
JP2004047876A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置及び研磨方法
CN101530983B (zh) * 2002-10-17 2011-03-16 株式会社荏原制作所 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法
KR100532553B1 (ko) * 2003-03-25 2005-12-01 두산디앤디 주식회사 반도체 웨이퍼 표면연마공정의 엔드포인트 검출방법 및 그장치
KR20050070760A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 광학방식을 이용한 연마종점 검출장치
EP1758711B1 (en) * 2004-06-21 2013-08-07 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US8554356B2 (en) * 2006-10-06 2013-10-08 Ebara Corporation Processing end point detection method, polishing method, and polishing apparatus
JP2009130078A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Covalent Materials Corp Ｓｏｉ層の厚さ測定方法および測定装置
KR100988454B1 (ko) * 2008-01-31 2010-10-18 에스엔유 프리시젼 주식회사 두께 측정방법
JP5410806B2 (ja) * 2009-03-27 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 膜厚測定装置及び測定方法
TWI486550B (zh) * 2014-01-20 2015-06-01 Nat Univ Tsing Hua 厚度線上即時檢測之光學干涉裝置及其方法
KR102412776B1 (ko) * 2015-10-27 2022-06-24 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께 검출 정확성이 향상된 화학 기계적 연마 장치

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