CN108754435A - 一种铜铟镓硒废料的回收方法 - Google Patents

一种铜铟镓硒废料的回收方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108754435A
CN108754435A CN201810622869.8A CN201810622869A CN108754435A CN 108754435 A CN108754435 A CN 108754435A CN 201810622869 A CN201810622869 A CN 201810622869A CN 108754435 A CN108754435 A CN 108754435A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium gallium
copper
waste material
selenium
distillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810622869.8A
Other languages
English (en)
Inventor
谭明亮
李胜春
潘勇进
刘凯华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanergy New Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Hanergy New Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanergy New Material Technology Co Ltd filed Critical Hanergy New Material Technology Co Ltd
Priority to CN201810622869.8A priority Critical patent/CN108754435A/zh
Publication of CN108754435A publication Critical patent/CN108754435A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B7/00—Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种铜铟镓硒废料的回收方法，所述方法包括：将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料；对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料；采用真空蒸馏分离硒的工艺，硒的沸点只有685℃，比铜铟镓三种元素的沸点低很多，可采用真空蒸馏分离硒，剩余的蒸馏废料主要为铜铟镓还有少量的氧化物，用氢还原处理的方式可得到纯度较高的铜铟镓靶材原料。铜铟镓三元组分不需要再用化学方法分离提纯，氢还原处理后直接用作靶材原料，减少或避免使用化学试剂浸出物料，使生产工艺更环保，缩短工艺流程，提高了生产效率与回收率，解决了酸溶法及硫酸化焙烧法存在的产生废水量大，工艺流程长、回收效率低及回收成本高的问题。

Description

一种铜铟镓硒废料的回收方法
技术领域
本发明涉及金属及非金属废料回收技术领域，特别是涉及一种铜铟镓硒废料的回收方法。
背景技术
铜铟镓硒薄膜太阳能电池是一种高效、便捷的太阳能电池，它与当前市场上的晶硅太阳能电池相比具有柔性好、转化率高、适用范围广等优势，是未来光伏产业发展的主流。铜铟镓硒太阳能电池在制作过程中会产生大量的残料，这些残料中除了铜铟镓硒以外所含杂质较少，具有很大的回收价值。针对这种物料目前的回收方法有：硫酸化焙烧法、酸溶法等。
硫酸化焙烧是用硫酸焙烧铜铟镓硒废料，用碱液吸收回收硒，再用水浸出铜铟镓。酸溶法主要用硫酸加双氧水浸出铜铟镓硒废料，再用还原、化学沉淀、萃取等方法分离回收铜铟镓硒。
酸溶法及硫酸化焙烧法存在的问题是产生的废水多、对环境造成污染，萃取分离方法操作环境差、工艺流程长，上述的方法结合起来的回收工艺操作流程长、回收效率低、成本高。
发明内容
本发明实施例提供一种铜铟镓硒废料的回收方法，以解决酸溶法及硫酸化焙烧法结合的回收工艺操作流程长、回收效率低、成本高的上述问题。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种铜铟镓硒废料的回收方法，所述方法包括：
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料；
对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料。
优选地，所述将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料，包括：
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，获得硒蒸汽及蒸馏废料；
通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒。
优选地，所述对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料，包括：
将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料。
优选地，所述方法还包括：
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
优选地，所述将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料，包括：
按照预设蒸馏条件将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料。
优选地，所述预设蒸馏条件包括真空度为10Pa至20Pa；蒸馏温度为400℃至600℃；蒸馏时间为2小时至3小时。
优选地，所述通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒，包括：
按照预设冷凝条件通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒。
优选地，所述预设冷凝条件包括冷凝温度为50℃至150℃。
优选地，所述将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料，包括：
按照预设还原条件将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料。
优选地，所述预设还原条件包括还原温度为500℃至600℃；还原时间为2小时至3小时。
本发明实施例包括以下优点：
本发明实施例中，采用真空蒸馏分离硒的工艺，硒的沸点只有685℃，比铜铟镓三种元素的沸点低很多，可采用真空蒸馏分离硒，剩余的蒸馏废料主要为铜铟镓还有少量的氧化物，用氢还原处理的方式可得到纯度较高的铜铟镓靶材原料。铜铟镓三元组分不需要再用化学方法分离提纯，氢还原处理后直接用作靶材原料，减少或避免使用化学试剂浸出物料，使生产工艺更环保，缩短工艺流程，提高了生产效率与回收率，解决了酸溶法及硫酸化焙烧法存在的产生废水量大，萃取分离方法的操作环境差、工艺流程长、回收效率低及回收成本高的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
图1是本发明实施例的一种铜铟镓硒废料的回收方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参照图1，其示出了本发明实施例所述的一种铜铟镓硒废料的回收方法的流程图，所述方法包括：
步骤101，将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料；
本发明实施例中，硒的沸点只有685℃，比铜铟镓三种元素的沸点低很多，根据硒的低沸点特性，可采用真空蒸馏的方式分离硒，即将铜铟镓硒废料放入真空炉中进行蒸馏，首先获得硒蒸汽，而剩下的蒸馏废料主要为铜铟镓三元组分及少量的氧化物。
具体而言，按照预设蒸馏条件将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料；其中，所述预设蒸馏条件包括真空度为10Pa至20Pa；蒸馏温度为400℃至600℃；蒸馏时间为2小时至3小时，当然，上述预设蒸馏条件的仅仅是本发明实施例的举例之一，该预设蒸馏条件可以是本领域技术人员根据实际情况而设定的任何条件，本发明实施例对此不作限制。
进一步应用到本发明实施例中，将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒；具体地，通过冷凝装置，如冷凝器，将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒；需要说明的是，可以按照预设冷凝条件通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，其中，所述预设冷凝条件包括冷凝温度为50℃至150℃；当然，上述预设冷凝条件的仅仅是本发明实施例的举例之一，该预设冷凝条件可以是本领域技术人员根据实际情况而设定的任何条件，本发明实施例对此不作限制。
需要说明的是，用真空蒸馏法处理铜铟镓硒废料的工艺，硒回收率高，蒸馏得到的硒纯度高。
步骤102，对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料。
具体应用到本发明实施例中，可以对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料，因为铜铟镓硒废料中的硒已经通过真空蒸馏的方式分离出来，用氢还原的方式可得到纯度较高的铜铟镓靶材原料，不需要再用化学方法分离提纯，氢还原处理后直接用作靶材原料，减少或避免使用化学试剂浸出物料，使生产工艺更环保，缩短工艺流程。
在步骤102中，可以将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料；具体地，按照预设还原条件将蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，所述预设还原条件包括还原温度为500℃至600℃；还原时间为2小时至3小时。
需要说明的是，所述方法还包括：将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；将所述铜铟镓金属粉末在预设压力条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
即可以针对铜铟镓靶材原料作一步的处理，获得铜铟镓靶材，具体地，可以将铜铟镓靶材原料进行破碎，优选地，可以将铜铟镓靶材原料进行研磨，获得一定目数的铜铟镓金属粉末，如350目至450目的铜铟镓金属粉末，本发明实施例对此不作限制；进一步地，将该铜铟镓金属粉末加入预先制备好的靶标模型中以预设压力进行压制，获得铜铟镓靶材；需要说明的是，该铜铟镓靶材可以用于制作薄膜太阳能电池的光吸收层；可以采用液压机进行靶标的压制，预设压力可以是本领域技术人员根据实际情况而设定的任何数值，例如，预设压力可以为140吨至160吨。
本发明实施例中，采用真空蒸馏分离硒的工艺，硒的沸点只有685℃，比铜铟镓三种元素的沸点低很多，可采用真空蒸馏分离硒，剩余的蒸馏废料主要为铜铟镓还有少量的氧化物，用氢还原处理的方式可得到纯度较高的铜铟镓靶材原料。铜铟镓三元组分不需要再用化学方法分离提纯，氢还原处理后直接用作靶材原料，减少或避免使用化学试剂浸出物料，使生产工艺更环保，缩短工艺流程，提高了生产效率与回收率，解决了酸溶法及硫酸化焙烧法存在的产生废水量大，萃取分离方法的操作环境差、工艺流程长、回收效率低及回收成本高的问题。
为使本领域技术人员更好地理解本发明，以下通过多个具体的实施例来说明本发明实施例的铜铟镓硒废料的回收方法。
实施例1
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，真空炉的真空度为10Pa，蒸馏温度为400℃，蒸馏时间为2小时，得到硒蒸汽及蒸馏废料；
将硒蒸汽通过冷凝器冷凝得到硒，冷凝温度为50℃；所得硒纯度大于99.99％，回收率＞99％；
将上述蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，还原温度为500℃，还原时间为2小时，获得铜铟镓靶材原料；铜铟镓靶材原料中杂质含量＜0.001％；
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；所述铜铟镓金属粉末的目数为350目；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力为140吨条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
实施例2
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，真空炉的真空度为20Pa，蒸馏温度为600℃，蒸馏时间为3小时，得到硒蒸汽及蒸馏废料；
将硒蒸汽通过冷凝器冷凝得到硒，冷凝温度为150℃；所得硒纯度大于98％，回收率＞99％；
将上述蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，还原温度为600℃，还原时间为3小时，获得铜铟镓靶材原料；铜铟镓靶材原料中杂质含量＜0.001％；
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；所述铜铟镓金属粉末的目数为450目；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力为160吨条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
实施例3
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，真空炉的真空度为12Pa，蒸馏温度为450℃，蒸馏时间为2.3小时，得到硒蒸汽及蒸馏废料；
将硒蒸汽通过冷凝器冷凝得到硒，冷凝温度为70℃；蒸馏所得硒纯度大于99.99％，回收率＞96％；
将上述蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，还原温度为530℃，还原时间为2.3小时，获得铜铟镓靶材原料；铜铟镓靶材原料中杂质含量＜0.001％；
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；所述铜铟镓金属粉末的目数为380目；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力为143吨条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
实施例4
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，真空炉的真空度为15Pa，蒸馏温度为500℃，蒸馏时间为2.5小时，得到硒蒸汽及蒸馏废料；
将硒蒸汽通过冷凝器冷凝得到硒，冷凝温度为100℃；蒸馏所得硒纯度大于99.99％，回收率＞98％；
将上述蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，还原温度为550℃，还原时间为2.5小时，获得铜铟镓靶材原料；铜铟镓靶材原料中杂质含量＜0.001％；
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；所述铜铟镓金属粉末的目数为400目；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力为150吨条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
实施例5
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，真空炉的真空度为18Pa，蒸馏温度为550℃，蒸馏时间为2.8小时，得到硒蒸汽及蒸馏废料；
将硒蒸汽通过冷凝器冷凝得到硒，冷凝温度为120℃；蒸馏所得硒纯度大于99.99％，回收率＞97％；
将上述蒸馏废料放入氢还原炉中，通入氢气进行还原反应，还原温度为580℃，还原时间为2.8小时，获得铜铟镓靶材原料；铜铟镓靶材原料中杂质含量＜0.001％；
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；所述铜铟镓金属粉末的目数为430目；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力为155吨条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种铜铟镓硒废料的回收方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述方法包括：
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料；
对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料，包括：
将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，获得硒蒸汽及蒸馏废料；
通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒。
3.根据权利要求1或2所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述对所述蒸馏废料进行还原，获得铜铟镓靶材原料，包括：
将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料。
4.根据权利要求1或2所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述铜铟镓靶材原料进行破碎，获得铜铟镓金属粉末；
将所述铜铟镓金属粉末在预设压力条件下进行压制，获得铜铟镓靶材。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料，包括：
按照预设蒸馏条件将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒及蒸馏废料。
6.根据权利要求5所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述预设蒸馏条件包括真空度为10Pa至20Pa；蒸馏温度为400℃至600℃；蒸馏时间为2小时至3小时。
7.根据权利要求2所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒，包括：
按照预设冷凝条件通过冷凝装置将所述硒蒸汽进行冷凝，获得硒。
8.根据权利要求7所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述预设冷凝条件包括冷凝温度为50℃至150℃。
9.根据权利要求3所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料，包括：
按照预设还原条件将蒸馏废料通入氢气进行还原反应，获得铜铟镓靶材原料。
10.根据权利要求9所述的铜铟镓硒废料的回收方法，其特征在于，所述预设还原条件包括还原温度为500℃至600℃；还原时间为2小时至3小时。
CN201810622869.8A 2018-06-15 2018-06-15 一种铜铟镓硒废料的回收方法 Pending CN108754435A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810622869.8A CN108754435A (zh) 2018-06-15 2018-06-15 一种铜铟镓硒废料的回收方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810622869.8A CN108754435A (zh) 2018-06-15 2018-06-15 一种铜铟镓硒废料的回收方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108754435A true CN108754435A (zh) 2018-11-06

Family

ID=63978363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810622869.8A Pending CN108754435A (zh) 2018-06-15 2018-06-15 一种铜铟镓硒废料的回收方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108754435A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109777966A (zh) * 2019-03-04 2019-05-21 昆明理工大学 一种真空蒸馏分离铟铜合金的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109777966A (zh) * 2019-03-04 2019-05-21 昆明理工大学 一种真空蒸馏分离铟铜合金的方法
CN109777966B (zh) * 2019-03-04 2020-11-17 昆明理工大学 一种真空蒸馏分离铟铜合金的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Huang et al. Strategy and technology to recycle wafer-silicon solar modules
Dias et al. Recycling WEEE: Extraction and concentration of silver from waste crystalline silicon photovoltaic modules
CN109193062B (zh) 一种废旧电池电解液回收利用方法
JP4602872B2 (ja) Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュールの構成部材回収方法
TWI496896B (zh) Recovery method of copper - free indium gallium selenium residue by heat treatment
JP2019502828A (ja) 銅・インジウム・ガリウム・セレン材料の回収方法
CN106916956A (zh) 一种溶析结晶法回收磷酸铁锂废料中有价金属并再利用的方法
CN111039265B (zh) 一种高纯硒的制备方法
TWI458834B (zh) Recovery method of copper indium gallium selenium residual target
CN106319222B (zh) 一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法
Zhang et al. Application of multi-stage vacuum distillation for secondary resource recovery: potential recovery method of cadmium telluride photovoltaic waste
JP2019218622A (ja) 銅インジウム・ガリウム・セレン廃棄物の回収方法
CN109502559A (zh) 一种碲化镉废料回收碲的方法
CN104201248B (zh) 薄膜太阳能电池的回收方法
CN108754435A (zh) 一种铜铟镓硒废料的回收方法
EP2997169B1 (en) Process for treating spent photovoltaic panels
KR101383280B1 (ko) 인듐갈륨아연산화물 타겟으로부터 갈륨 회수방법
CN106032553A (zh) 一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法
CN108339831B (zh) 硅太阳电池的处置方法
CN108913902A (zh) 一种薄膜太阳能电池组件的激光蒸发回收处理方法
CN109082527A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池的机械磨蚀回收处理方法
CN108866340B (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池的微波照射回收处理方法
CN102586611A (zh) 铅锑水渣电炉分段控温回收铅、锑、锌、锡、铟
TWI792037B (zh) 薄膜太陽能電池的回收方法
JP4663053B2 (ja) インジウムの回収方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181106