CN108735723A - 一种光源模组 - Google Patents
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Abstract
一种光源模组，本发明涉及发光装置技术领域；它包含基板、至少一个第一发光二极管封装结构以及至少一个第二发光二极管封装结构；第一发光二极管封装结构和第二发光二极管封装结构均设置于基板上；所述的第一发光二极管封装结构包含至少一颗第一发光二极管芯片以及由至少一种发射波长组成的第一荧光粉；所述的第二发光二极管封装结构包含至少一颗第二发光二极管芯片以及由至少两种发射波长荧光粉组成的第二混合型荧光粉。可有效解决高光效、高显色指数不可同时兼得的技术难题，能够达到更高的颜色还原效果，适用范围更广，实用性更强。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置技术领域，具体涉及一种光源模组。
背景技术
近年来，由于环保要求，节能减碳依然成为产业发展的主要趋势。为了达到节能的目的，具有低耗电、高效率的发光二极管灯具逐渐取代传统的钨丝灯泡。同时，随着人们对光品质的要求越来越高，颜色显示的真实性被推到风口浪尖上，为了达到更高的颜色还原效果，发光二极管的显色指数要求达到80%以上。但由于高光效的发光二极管其显色指数普遍不高，高显色指数的发光二极管其光效普遍不高的矛盾问题无法给用户带来高品质的发光二极管。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、使用方便的光源模组，可有效解决高光效、高显色指数不可同时兼得的技术难题，能够达到更高的颜色还原效果，适用范围更广，实用性更强。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：它包含基板、至少一个第一发光二极管封装结构以及至少一个第二发光二极管封装结构；第一发光二极管封装结构和第二发光二极管封装结构均设置于基板上；所述的第一发光二极管封装结构包含至少一颗第一发光二极管芯片以及由至少一种第一发射波长组成的第一荧光粉；所述的第一发射波长荧光粉的波长介于470-570纳米范围之间；所述的第二发光二极管封装结构包含至少一颗第二发光二极管芯片以及由至少两种发射波长组成的第二混合型荧光粉；所述的第二混合型荧光粉主要含有590-670纳米范围的荧光粉，并掺合其它470-670纳米范围的荧光粉。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构发出绿色或黄绿色的光线，所述的第一荧光粉中不同荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第一色度坐标点，所述的第一色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的上方，所述的这些第一色度坐标点会连成一条第一线段，所述第一线段大致上为直线，直线斜率大于0.95；所述的第二发光二极管封装结构发出红色或橙色或粉红色的光线；所述的第二混合型荧光粉中不同荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第二色度坐标点，所述的第二色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的下方，所述的这些第二色度坐标点会连成一条第二线段，所述第二线段大致上为直线。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构的光通量大于第二发光二极管封装结构的光通量。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构与第二发光二极管封装结构混合贴装在所述基板后发出光线的色度坐标落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图的框内。
进一步地，所述的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的波长范围介于265-470纳米之间。
进一步地，所述第一荧光粉由至少一个第一发射波长荧光粉组成，所述的第一发射波长荧光粉的波长介于470-570纳米范围之间。
进一步地，所述第二混合型荧光粉由至少一个第二发射波长荧光粉及至少一个第三发射波长荧光粉组成，所述的第二发射波长荧光粉的波长介于590-670纳米范围之间，所述的第三发射波长荧光粉的波长介于470-670纳米范围之间。
进一步地，所述第一发光二极管芯片的波长与第二发光二极管芯片的波长不完全相同。
进一步地，所述的第一发光二极管芯片的波长与第二发光二极管芯片的波长完全相同。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构和第二发光二极管的数量完全相等时，所述第一发光二极管封装结构和所述第二发光二极管封装结构在封装成型过程中可以合为一体，但所述第一混合型荧光粉和所述第二荧光粉不互相混合
进一步地，所述的第一线段的斜率大于第二线段的斜率。
采用上述结构后，本发明有益效果为：本发明所述的一种光源模组，可有效解决高光效、高显色指数不可同时兼得的技术难题，能够达到更高的颜色还原效果，适用范围更广，实用性更强，本发明具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中第一发光二极管封装结构剖视图。
图3是本发明中第二发光二极管封装结构剖视图。
图4是本发明中第一发光二极管封装结构色度坐标点与ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图。
图5是本发明中第二发光二极管封装结构色度坐标点与ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图。
图6是本发明中第一发光二极管封装结构和第二发光二极管封装结构混合贴装的光源模组色度坐标点色度坐标点与ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图。
附图标记说明：
10、基板；20、第一发光二极管封装结构；21、第一发光二极管芯片；22、第一荧光粉；221、第一发射波长荧光粉；30、第二发光二极管封装结构；31、第二发光二极管芯片；32、第二混合型荧光粉；321、第二发射波长荧光粉；322、第三发射波长荧光粉；401、第一色度坐标点；402、第一线段；501、第二色度坐标点；502、第二线段；60、第一、第二发光二极管封装结构混合贴装的光源模组色度坐标点；70、ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008 所提供的色度坐标图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
参看如图1-图6所示，本具体实施方式采用的技术方案是：它包含基板10、至少一个第一发光二极管封装结构20以及至少一个第二发光二极管封装结构30；第一发光二极管封装结构20和第二发光二极管封装30均设置于基板10上；其中第一发光二极管封装结构20发出绿色或黄绿色的光线，第二发光二极管封装结构30发出红色或橙色或粉红色的光线；所述的第一发光二极管封装结构20包含至少一颗第一发光二极管芯片21以及由至少一种发射波长组成的第一荧光粉22，该第一荧光粉22用以转换第一发光二极管芯片21的部分光线的波长，而第一发光二极管芯片21的剩余光线的波长在265-470纳米的波长范围内；所述的第二发光二极管封装结构30包含至少一颗第二发光二极管芯片31以及由至少两种发射波长组成的第二混合型荧光粉32，该第二混合型荧光粉32用以转换第二发光二极管芯片31的部分光线的波长，而第二发光二极管芯片31的剩余光线的波长在265-470纳米的波长范围内；所述的第一荧光粉22主要含有470-570纳米范围的荧光粉；所述的第二混合型荧光粉32主要含有590-670纳米范围的荧光粉，并掺合其它470-670纳米范围的荧光粉。
进一步地，所述的第一荧光粉22中不同荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第一色度坐标点401，所述的第一色度坐标点401落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图70范围外的上方，所述的这些第一色度坐标点会连成一条第一线段402，所述第一线段402大致上为直线，直线斜率大于0.95；所述的第二混合型荧光粉32中不同荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第二色度坐标点501，所述的第二色度坐标点501落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图70范围外的下方，所述的这些第二色度坐标点会连成一条第二线段502，所述第二线段502大致上为直线。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构20的光通量大于第二发光二极管封装结构30的光通量。
进一步地，所述的第一发光二极管封装结构20与第二发光二极管封装结构30混合贴装在所述基板10后发出光线的色度坐标落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图70的框内。
进一步地，所述的第一发光二极管芯片21和第二发光二极管芯片31的波长范围介于265-470纳米之间。
进一步地，所述第一荧光粉22由至少一个第一发射波长荧光粉221组成，所述的第一发射波长荧光粉221的波长介于470-570纳米范围之间。
进一步地，所述第二混合型荧光粉32由至少一个第二发射波长荧光粉321及至少一个第三发射波长荧光粉322组成，所述的第二发射波长荧光粉321的波长介于590-670纳米范围之间，所述的第三发射波长荧光粉322的波长介于470-670纳米范围之间。
进一步地，所述第一发光二极管芯片21的波长与第二发光二极管芯片31的波长不完全相同。
进一步地，所述的第一发光二极管芯片21的波长与第二发光二极管芯片31的波长完全相同。
进一步地，所述的第一线段402的斜率大于第二线段502的斜率。
采用上述结构后，本具体实施方式有益效果为：本具体实施方式所述的一种光源模组，可有效解决高光效、高显色指数不可同时兼得的技术难题，能够达到更高的颜色还原效果，适用范围更广，实用性更强，本发明具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。
以上所述，仅用以说明本发明的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本发明的技术方案所做的其它修改或者等同替换，只要不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (11)
1.一种光源模组，其特征在于：它包含基板、至少一个第一发光二极管封装结构以及至少一个第二发光二极管封装结构；第一发光二极管封装结构和第二发光二极管封装结构均设置于基板上；所述的第一发光二极管封装结构包含至少一颗第一发光二极管芯片以及由至少一种发射波长的第一荧光粉；所述的第一荧光粉发射波长介于470-570纳米范围之间；所述的第二发光二极管封装结构包含至少一颗第二发光二极管芯片以及由至少两种发射波长组成的第二混合型荧光粉；所述的第二混合型荧光粉主要含有590-670纳米范围的荧光粉，并掺合其它470-670纳米范围的荧光粉。
2.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构发出绿色或黄绿色的光线，所述的第一荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第一色度坐标点，所述的第一色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的上方，所述的这些第一色度坐标点会连成一条第一线段，所述第一线段大致上为直线，直线斜率大于0.95；所述的第二发光二极管封装结构发出红色或橙色或粉红色的光线；所述的第二混合型荧光粉的比例不同而产生多个不同的多个第二色度坐标点，所述的第二色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的下方，所述的这些第二色度坐标点会连成一条第二线段，所述第二线段大致上为直线。
3.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构的光通量大于第二发光二极管封装结构的光通量。
4.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构与第二发光二极管封装结构混合贴装在所述基板后发出光线的色度坐标落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐标图的框内。
5.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的波长范围介于265-470纳米之间。
6.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述第一荧光粉至少由一种第一发射波长荧光粉组成，第一发射荧光粉的波长介于470-570纳米范围之间。
7.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述第二混合型荧光粉由至少一个第二发射波长荧光粉及至少一个第三发射波长荧光粉组成，所述的第二发射波长荧光粉的波长介于590-670纳米范围之间，所述的第三发射波长荧光粉的波长介于470-670纳米范围之间。
8.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述第一发光二极管芯片的波长与第二发光二极管芯片的波长不完全相同。
9.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管芯片的波长与第二发光二极管芯片的波长完全相同。
10.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构和第二发光二极管的数量完全相等时，所述第一发光二极管封装结构和所述第二发光二极管封装结构在封装成型过程中可以合为一体，但所述第一荧光粉和所述第二混合型荧光粉不互相混合。
11.根据权利要求2所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一线段的斜率大于第二线段的斜率。
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