CN108666260A - 试样沟槽填埋方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供试样沟槽填埋方法，即使是在深度方向上具有深的高纵横比的沟槽的试样片，也能够均匀地填埋到沟槽内部而不会产生空洞。该试样沟槽填埋方法的特征在于，至少具有如下工序：切出工序，从具有从一面向深度方向延伸的沟槽的试样切出包含该沟槽在内的小区域的试样片；以及堆积工序，从所述试样片的沿所述深度方向展宽的侧面朝向所述沟槽内透过电子束，并且从所述沟槽的所述一面侧的开口向所述沟槽内喷射化合物气体，由此利用通过所述电子束的照射产生的二次电子对所述化合物气体进行分解，使所述化合物气体的结构物堆积到所述沟槽内。

Description

试样沟槽填埋方法
技术领域
本发明涉及能够填埋形成在试样上的沟槽(trench)而不会产生空洞的试样沟槽填埋方法。
背景技术
以往，公知有如下的装置：取出通过向试样照射由电子或离子构成的带电粒子束而制作出的试样片，并将试样片加工成适于扫描电子显微镜和透射电子显微镜等的观察、分析、以及计测等各种工序的形状(例如，参照专利文献1、2)。
在利用带电粒子束对这样的试样片中的、具有孔或槽(以下有时称为沟槽)的试样片进行加工时，在沟槽的内壁面及其至近处作为分析对象的情况下，为了防止由加工引起的损伤例如非晶质化或幕效应，通常在加工之前预先填埋沟槽。
作为沟槽的填埋手段，例如公知有通过涂覆树脂或墨来填埋沟槽的方法。
另外，也公知有如下的方法：通过使用了带电粒子束的化学蒸镀(CVD)，使化合物气体的分解物(以下有时称为填埋材料)堆积到沟槽内而填埋沟槽。
专利文献1：日本特开平5-052721号公报
专利文献2：日本特开2008-153239号公报
然而，基于上述的树脂或墨(ink)的涂覆的沟槽的填埋方法会花费在使具有流动性的树脂或墨浸透到微细的沟槽内之后进行干燥等人工和时间，因而很难有效地制成具有已填埋沟槽的试样片。另外，作为沟槽填埋材料的树脂或墨是性质与由单晶体或无机化合物等构成的试样自身完全不同的不同种材料，因而在亲和性和耐久性方面存在课题。
另一方面，关于通过化学蒸镀(CVD)来填埋沟槽的方法，在深度比开口直径大的高纵横比的沟槽中，很难通过填埋材料而无间隙地填埋沟槽内。即，在通过化学蒸镀(CVD)来填埋高纵横比的沟槽的情况下，在沟槽的底部侧被填埋材料填埋之前，先在开口部附近堆积填埋材料，从而容易成为悬突(overhang)形状。其结果是，以在沟槽的内部产生空洞的状态封闭开口部，因而很难用填埋材料均匀填埋沟槽内而不发生不均匀的现象。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种试样沟槽填埋方法，即使是在深度方向上具有深的高纵横比的沟槽的试样片，也能够均匀地填埋到沟槽内部而不会产生空洞。
为了解决上述课题，本实施方式的方式提供以下那样的试样沟槽填埋方法。
即，本发明的试样沟槽填埋方法的特征在于，至少具有如下工序：切出工序，从具有从一面向深度方向延伸的沟槽的试样切出包含该沟槽在内的小区域的试样片；以及堆积工序，从所述试样片的沿所述深度方向展宽的侧面朝向所述沟槽内透过电子束，并且从所述沟槽的所述一面侧的开口向所述沟槽内喷射化合物气体，由此利用通过所述电子束的照射产生的二次电子对所述化合物气体进行分解，使所述化合物气体的结构物堆积到所述沟槽内。
根据本发明的试样沟槽填埋方法，朝向沟槽内照射电子束而在沟槽内产生二次电子，利用该二次电子对喷射到沟槽内的化合物气体进行分解，由此能够使固体成分的结构物堆积到沟槽的内部。由此，能够防止以下现象的发生:即在沟槽的开口附近，比底部先附着结构物而开口附近被封闭，在内部产生空洞这样的、结构物的堆积不均。因此，不会在沟槽的内部产生空洞而能够用结构物均匀地填埋沟槽内。
另外，在本发明中，其特征在于，在所述堆积工序中，通过使所述电子束从所述沟槽的底部朝向所述开口扫描，使所述结构物从所述沟槽的底部朝向所述开口依次堆积。
另外，在本发明中，其特征在于，在所述堆积工序中，根据从所述试样片的所述侧面到所述沟槽的内壁面的距离而改变所述电子束的加速电压。
根据本发明，能够提供一种试样沟槽填埋方法，即使是在深度方向上具有深的高纵横比的沟槽的试样片，也能够均匀地填埋到沟槽内部而不会产生空洞。
附图说明
图1是示出带电粒子束装置的一例的结构图。
图2是示出试样和试样片的立体图，是放大剖视图。
图3是试样片支架的俯视图。
图4是试样片支架的侧视图。
图5是分阶段示出本发明的试样沟槽填埋方法的说明图。
图6是分阶段示出本发明的试样沟槽填埋方法的说明图。
图7是分阶段示出本发明的试样沟槽填埋方法的说明图。
图8是分阶段示出本发明的试样沟槽填埋方法的说明图。
图9是分阶段示出本发明的试样沟槽填埋方法的说明图。
标号说明
10：带电粒子束装置；11：试样室；12：载台(试样台)；13：载台驱动机构；14：会聚离子束照射光学***；15：电子束照射光学***；16：检测器；17：气体提供部；18：针；19：针驱动机构；20：显示装置；P：试样片支架；Q：试样片；R：二次电子；S：试样。
具体实施方式
以下，参照附图对作为本发明的一个实施方式的试样沟槽填埋方法进行说明。另外，以下所示的各实施方式是为了更好地理解发明的主旨而具体地进行说明的，只要没有特别指定，就不限定本发明。另外，为了易于理解本发明的特征，对于以下的说明中所使用的附图，有时为了方便将作为要部的部分放大示出，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际相同。
另外，在以下的说明中，沟槽包含形成在试样、试样片上的圆筒状、四角筒状、三角筒状的孔、向一方向延伸的长槽、从开口侧朝向底面呈研钵状变窄的圆锥孔、从开口侧朝向底面展宽的梯形孔等各种形状的孔、槽。
首先，对能够应用本发明的试样沟槽填埋方法的带电粒子束装置的结构进行说明。
图1是示出带电粒子束装置的一例的结构图。
带电粒子束装置10具有：试样室11，其能够将内部维持为真空状态；载台12，其能够将试样S和试样片支架P固定在试样室11的内部；以及载台驱动机构13，其驱动载台12。
带电粒子束装置10具有向试样室11的内部的规定的照射区域(即扫描范围)内的照射对象照射会聚离子束(FIB)的会聚离子束照射光学***14。
带电粒子束装置10具有向试样室11的内部的规定的照射区域内的照射对象照射电子束(EB)的电子束照射光学***15。
带电粒子束装置10具有检测通过会聚离子束或电子束的照射而从照射对象产生的二次电子R的二次电子检测器16。
带电粒子束装置10具有向照射对象的表面提供蚀刻用气体或化合物气体等气体G的气体提供部17。具体而言，气体提供部17是外径为200μm左右的喷嘴17a等。
带电粒子束装置10具有：针18，其从固定在载台12上的试样S取出微小的试样片Q，保持试样片Q并移置到试样片支架P上；以及针驱动机构19，其驱动针18输送试样片Q。有时将该针18和针驱动机构19统称为试样片移置单元。
带电粒子束装置10具有显示基于二次电子检测器16所检测的二次电子R的图像数据等的显示装置20、计算机21、输入设备22。
另外，会聚离子束照射光学***14和电子束照射光学***15的照射对象是固定在载台12上的试样S、试样片Q、以及存在于照射区域内的针18、试样片支架P等。
本实施方式的带电粒子束装置10能够通过向照射对象的表面一边扫描会聚离子束一边进行照射来执行被照射部的图像化、基于溅射的各种加工(挖掘、修整(trimming)加工等)、沉积膜(deposited film)的形成等。
带电粒子束装置10能够执行为了进行基于透射型电子显微镜的透射观察、基于电子束的观察而形成从试样S切出的作为试样S的小区域的试样片Q的加工。
带电粒子束装置10能够执行使移置在试样片支架P上的试样片Q为适于透射型电子显微镜的透射观察的期望的厚度(例如5～100nm等)的薄膜的加工。带电粒子束装置10能够通过向试样片Q和针18等照射对象的表面一边扫描会聚离子束或电子束一边进行照射而执行照射对象的表面的观察。
图2是示出在图1所示的带电粒子束装置中向试样S表面(斜线部)照射会聚离子束而形成的、从试样S取出的试样片Q的立体图(a)、以及沟槽部分的放大剖视图(b)。标号F表示会聚离子束的加工框即会聚离子束的扫描范围，其内侧表示通过会聚离子束照射进行飞溅加工而挖掘出的加工区域H。
在试样S上形成有从一面A2沿深度方向K延伸的多个沟槽T、在本实施方式中是三个圆筒形的孔。本实施方式的试样片Q是从试样S切出包含这样的沟槽T在内的小区域而成的。沟槽T例如以开口直径W与深度D的纵横比例如为1：3以上、在本实施方式中是1：10这样的高纵横比形成的。
在形成将这样的沟槽T的内壁面Tw及其至近处作为分析对象的试样片Q时，为了防止非晶质化或幕效应，通过填埋材料来填埋沟槽T。关于这样的沟槽T的填埋稍后详细说明。
试样片Q在长度方向上的尺寸例如为10μm、15μm、20μm左右，且宽度(厚度)例如为500nm、1μm、2μm、3μm左右。而且，沟槽T的开口直径W为10nm～200nm，深度D为100nm～40μm左右。
再次参照图1，试样室11构成为能够通过排气装置(省略图示)进行排气直到使内部为期望的真空状态为止并且能够维持期望的真空状态。
载台12保持试样S。载台12具有保持试样片支架P的支架固定台12a。该支架固定台12a可以采用能够搭载多个试样片支架P的结构。
图3是试样片支架P的俯视图，图4是侧视图。试样片支架P具有：半圆形板状的基部32，其具有切口部31；以及试样台33，其固定在切口部31上。基部32例如从由金属构成的直径为3mm以及厚度为50μm等圆形板状形成。
试样台33例如从硅晶片通过半导体制造工艺形成，通过导电性的粘接剂贴合在切口部31上。试样台33为梳齿形状，具有以分开配置的方式突出的多个(例如5根、10根、15根、20根等)移置有试样片Q的柱状部(也称为支柱(pillar))34。
通过使各柱状部34的宽度不同，将移置在各柱状部34上的试样片Q和柱状部34的图像对应起来，进而与对应的试样片支架P对应地存储在计算机21中，由此即使在从一个试样S制作出多个试样片Q的情况下，也能够识别而不会弄错，也可以进行后续的透射电子显微镜等的分析而不会弄错相应的试样片Q和试样S上的取出部位的对应。各柱状部34例如形成为前端部的厚度为10μm以下、5μm以下等，对安装在前端部上的试样片Q进行保持。
载台驱动机构13以与载台12连接的状态收纳在试样室11的内部，根据从计算机21输出的控制信号使载台12相对于规定的轴移位。载台驱动机构13至少具有使载台12沿与水平面平行且相互垂直的X轴和Y轴、以及与X轴和Y轴垂直的铅垂方向上的Z轴平行地移动的移动机构13a。载台驱动机构13具有使载台12绕X轴或Y轴倾斜的倾斜机构13b和使载台12绕Z轴旋转的旋转机构13c。
会聚离子束照射光学***14以如下方式固定在试样室11：在试样室11的内部，将射束射出部(省略图示)在照射区域内的载台12的铅垂方向上方的位置处面向载台12并且将光轴与铅垂方向平行。由此，能够向固定在载台12上的试样S、试样片Q、以及存在于照射区域内的针18等照射对象从铅垂方向上方朝向下方照射会聚离子束FIB。
会聚离子束照射光学***14具有产生离子的离子源14a和使从离子源14a引出的离子会聚以及偏转的离子光学***14b。离子源14a和离子光学***14b根据从计算机21输出的控制信号进行控制，会聚离子束FIB的照射位置和照射条件等由计算机21进行控制。离子源14a例如是使用了液体镓等的液体金属离子源、等离子体型离子源、气体电场电离型离子源等。离子光学***14b例如具有聚光透镜等第一静电透镜、静电偏转器、由物镜等构成的第二静电透镜等。
电子束照射光学***15以如下方式固定在试样室11：在试样室11的内部，将射束射出部(省略图示)在相对于照射区域内的载台12的铅垂方向倾斜了规定的角度(例如60°)的倾斜方向上面向载台12并且将光轴与倾斜方向平行。由此能够向固定在载台12上的试样S、试样片Q、以及存在于照射区域内的针18等照射对象从倾斜方向的上方朝向下方照射电子束EB。
电子束照射光学***15具有产生电子的电子源15a和使从电子源15a射出的电子会聚以及偏转的电子光学***15b。电子源15a和电子光学***15b根据从计算机21输出的控制信号进行控制、电子束的照射位置和照射条件等由计算机21进行控制。电子光学***15b例如具有电磁透镜、偏转器等。
另外，电子束照射光学***15和会聚离子束照射光学***14的配置并不限定于图1的结构。例如也可以对电子束照射光学***15和会聚离子束照射光学***14的配置进行调换，将电子束照射光学***15配置在铅垂方向上，将会聚离子束照射光学***14配置在相对于铅垂方向倾斜规定的角度的倾斜方向上。
在向试样S和针18等照射对象照射会聚离子束FIB或电子束EB时，二次电子检测器16检测从照射对象放射的二次电子(二次电子和二次离子)R的强度(即二次电子的量)，并输出二次电子R的检测量的信息。二次电子检测器16配置在试样室11的内部能够检测二次电子R的量的位置，例如相对于照射区域内的试样S等照射对象斜上方的位置等而固定在试样室11中。
气体提供部17固定在试样室11，在试样室11的内部配置成具有气体喷射部(也称为喷嘴)且面向载台12。气体提供部17能够提供用于根据试样S的材质而选择性地促进会聚离子束FIB对试样S的蚀刻的蚀刻用气体G、用于朝向试样S或试样片Q形成堆积物的化合物气体(沉积用气体)G。
例如，通过将针对Si类的试样S的氟化氙、针对有机类的试样S的水等蚀刻用气体与会聚离子束FIB的照射一起提供给试样S，选择性地促进蚀刻。
另外，例如通过将含有铂、碳、或钨等的化合物气体G与会聚离子束FIB的照射一起提供给试样S，能够将从化合物气体G分解的结构物(固体成分)堆积(沉积)在试样S的表面上。
另外，通过将化合物气体G与电子束EB的照射一起提供给试样片Q，能够利用在电子束EB入射到试样片Q时产生的二次电子对化合物气体G进行分解，使化合物气体G的结构物即固体成分堆积(沉积)在试样片Q上。
作为化合物气体G(沉积用气体)的具体例，存在作为包含碳的气体的菲、萘等、作为包含铂的气体的三甲基乙基环戊二烯合铂等、或作为包含钨的气体的六羰基钨等。
针驱动机构19以与针18连接的状态收纳在试样室11的内部，根据从计算机21输出的控制信号使针18移位。针驱动机构19与载台12一体设置，例如当载台12通过倾斜机构13b而绕倾斜轴(即X轴或Y轴)旋转时，与载台12一体移动。针驱动机构19具有使针18沿三维坐标轴分别平行地移动的移动机构(省略图示)和使针18绕针18的中心轴旋转的旋转机构(省略图示)。另外，该三维坐标轴与试样台的正交三轴坐标系是独立的，在作为与载台12的表面平行的二维坐标轴的正交三轴坐标系中，在载台12的表面处于倾斜状态、旋转状态的情况下，该坐标系倾斜、旋转。
计算机21配置在试样室11的外部，连接有显示装置20和输出与操作者的输入操作对应的信号的鼠标、键盘等输入设备22。
计算机21根据从输入设备22输出的信号或预先设定的自动运行控制处理所生成的信号等统一控制带电粒子束装置10的动作。
计算机21一边扫描带电粒子束的照射位置一边将二次电子检测器16所检测的二次电子R的检测量转换为与照射位置对应的亮度信号，根据二次电子R的检测量的二维位置分布生成表示照射对象的形状的图像数据。
接下来，对使用了上述的带电粒子束装置的包含本发明的试样沟槽填埋方法在内的TEM观察试样片的制成方法进行说明。
首先，进行用于制作试样片Q的准备。即，在试样室11的内部，将试样S载置于载台12的支架固定台12a上并进行固定，并且固定试样片支架P，该试样片支架P固定用于之后制作的试样片Q。然后，密闭试样室11并通过未图示的排气单元进行排气，由此使试样室11内部减压到规定的真空度。
接下来，如图5所示，在试样S中确定制作试样片Q并取出的位置即包含想要进行观察的对象截面A1的位置。在本实施方式中，将试样S的包含沿深度方向K延伸的沟槽T的小区域的一面作为对象截面A1。首先，控制部21根据操作者的操作使电子束照射光学***15进行工作，使电子束EB在载台12上的试样S的一面A2上扫描。通过向试样S照射电子束EB，从一面A2产生二次电子R，并由二次电子检测器16检测该二次电子R。
然后，控制部21根据二次电子检测器16的输出生成图像数据，并显示在显示装置20上，操作者确认该图像以确定包含对象截面A1的位置。
另外，也可以在试样S中预先确定了想要进行观察的对象截面A1的位置的情况下，将位置信息和图像信息存储在控制部21中，从而在控制部21的控制下，自动地确定包含对象截面A1的位置。
接下来，通过向包含对象截面A1的位置照射会聚离子束FIB而在试样S上形成包含沟槽T的薄片部A3。更具体而言，如图6所示，控制部21根据操作者的操作使会聚离子束照射光学***14进行工作，使会聚离子束FIB从一面A2侧照射到试样S。由此，在试样S上，对对象截面A1的周围进行蚀刻，由此形成包含对象截面A1并且具有制作的试样片Q的厚度、宽度的薄片部A3。
这里，在包含形成在薄片部A3上的对象截面A1的面上，通过会聚离子束FIB的照射而形成条纹。另外，根据需要而由电子束照射光学***15和二次电子检测器16获取图像，进行试样S的状态的确认。在以下的工序中也是同样的。另外，在本工序中，也可以根据预先设定的位置信息、制作的试样片Q的尺寸等，在控制部21的控制下自动地照射会聚离子束FIB而形成薄片部A3。
接下来，取出形成的薄片部A3作为试样片Q(切出工序)。更具体而言，如图7所示，首先，在操作者的操作下，控制部21驱动针驱动机构19，使针驱动机构19的针18移动到薄片部A3。然后，使针18以如下方式粘接在薄片部A3上，在试样S的一面A2侧，例如使轴线从斜上方相对于一面A2倾斜。
在使针18粘接在薄片部A3上时，例如照射会聚离子束FIB并且从气体提供部17向薄片部A3和针18的前端表面提供化合物气体G。由此，薄片部A3和针18通过化合物气体G的分解所产生的沉积膜连接。
接下来，再次使会聚离子束照射光学***14进行工作，向连接薄片部A3和试样S的主体部分的薄片部A3的缘端部分照射会聚离子束FIB，进行蚀刻。由此，薄片部A3与试样S的主体部分切离，通过针驱动机构19取出作为试样片Q。另外，在本工序中，也可以同样地在控制部21的控制下自动地使针驱动机构19和会聚离子束照射光学***14进行工作来取出试样片Q。
接下来，使针驱动机构19进行动作，使保持在针18上的试样片Q移动到沟槽T的填埋加工位置。该填埋加工位置例如为如下位置：能够使从会聚离子束照射光学***14照射的电子束EB相对于对象截面A1(试样片Q的沿深度方向K展宽的侧面)垂直入射并且能够使从气体提供部17的喷嘴17a喷射的化合物气体G从沟槽T的一面A2侧的开口To充满沟槽T的内部。
接下来，进行形成在试样片Q上的沟槽T的填埋加工(堆积工序)。在该堆积工序中，从电子束照射光学***15以与试样片Q的沿深度方向K展宽的侧面即对象截面A1成直角的方式照射电子束EB(参照图8)。此时，根据从试样片Q的对象截面(侧面)A1到沟槽T的内壁面Ta的距离α(参照图9)而调节电子束EB的加速电压，使电子束EB透过到沟槽T的内壁面Ta(即沟槽T的内部)。
而且，在使电子束EB透过到沟槽T的内部的同时，从试样片Q的一面A2侧的开口To朝向沟槽T的内部，从气体提供部17的喷嘴17a喷射化合物气体G。由此，沟槽T的内部被化合物气体G充满。
如图9所示，当电子束EB从对象截面(侧面)A1透过而入射到沟槽T的内壁面Ta时，产生二次电子R。当该二次电子R与充满沟槽T的内部的化合物气体G发生碰撞时，化合物气体G被分解，例如成为固体的结构物(固体成分)M1、气体(气体成分)M2。而且，结构物(固体成分)M1堆积到沟槽T的内部。另一方面，气体(气体成分)M2通过使试样室11为真空状态的排气装置(省略图示)而被排出到试样室11外。
这样，通过照射电子束EB而在沟槽T的内部产生的二次电子R对化合物气体G进行分解，使作为分解生成物的结构物(固体成分)M1堆积到沟槽T的内部，由此能够利用结构物(固体成分)M1填埋沟槽T。这里，虽未图示，通过电子束EB的照射而在壁面Ta内产生散射，从而通过散射电子也产生二次电子。该二次电子也有助于堆积。
在这样的堆积工序中，通过使电子束EB的照射位置从沟槽T的底部Tb朝向开口To扫描，结构物(固体成分)M1从沟槽T的底部Tb朝向开口To依次堆积。由此，例如在沟槽T的开口To附近，比底部Tb先附着结构物(固体成分)M1而开口To附近被封闭，从而能够防止在内部产生空洞这样的、结构物(固体成分)M1的堆积不均。能够用结构物(固体成分)M1均匀地填埋沟槽T，而不会在沟槽T的内部产生空洞。
另外，在这样的堆积工序中，电子束照射光学***15对电子束EB的加速电压只要根据从试样片Q的对象截面(侧面)A1到沟槽T的内壁面Ta的距离α可变即可。通过适当调节电子束EB的加速电压，例如即使在存在多个沟槽T的情况、从对象截面(侧面)A1到沟槽T的内壁面Ta的距离α即厚度较厚的情况下，也能够可靠地使电子束EB朝向目标的沟槽T的内部透过。
另外，在堆积工序中，除了利用结构物(固体成分)填埋从沟槽T的底部Tb到开口To的整个内侧以外，也可以调节从沟槽T的底部Tb到一定的高度范围例如沟槽T的深度的一半左右利用结构物(固体成分)填埋这样的填埋范围。
另外，在本实施方式中，使电子束EB以与试样片Q的对象截面(侧面)A1成直角的方式入射，但电子束EB相对于对象截面(侧面)A1的入射角度不限定于直角。只要电子束EB能够到达沟槽T的内壁面Ta，则也可以使电子束EB以任何入射角度入射到试样片Q的对象截面(侧面)A1。
接下来，将试样片Q载置于试样片支架P上，例如在试样片支架P与试样片Q的接触部分进行沉积，使试样片Q与试样片支架P接合。然后，将针18和试样片Q切断。
接下来，进行包含于试样片Q的对象截面A1的精加工。例如，使会聚离子束照射光学***14进行工作，向固定在试样片支架P上的试样片Q中的对象截面(侧面)A1照射会聚离子束FIB。由此，能够去除在形成薄片部A1(参照图6)时产生的条纹，从而制作出具有良好的对象截面(侧面)A1的试样片Q。
在这样的对象截面A1的精加工中，通过在前工序中预先用结构物(固体成分)填埋沟槽T，能够防止由精加工引起的损伤例如非晶质化或幕效应。由此，能够使对象截面A1为没有损伤的优良的观察面。
经过以上的工序获得的试样片Q在保持固定在试样片支架P上的状态下、或者通过蚀刻切断与试样片支架P的接合部分而重新固定在输送用支架(未图示)上之后，被输送到透射电子显微镜，进行截面观察。
对本发明的实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意味着对发明的范围进行限定。这些实施方式可以通过其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围和主旨内并且包含于权利要求书中所记载的发明及其均等的范围内。

Claims (3)

1.一种试样沟槽填埋方法，其特征在于，其至少具有如下工序：
切出工序，从具有从一面向深度方向延伸的沟槽的试样切出包含该沟槽在内的小区域的试样片；以及
堆积工序，从所述试样片的沿所述深度方向展宽的侧面朝向所述沟槽内透过电子束，并且从所述沟槽的所述一面侧的开口向所述沟槽内喷射化合物气体，由此利用通过所述电子束的照射产生的二次电子对所述化合物气体进行分解，使所述化合物气体的结构物堆积到所述沟槽内。
2.根据权利要求1所述的试样沟槽填埋方法，其特征在于，
在所述堆积工序中，通过使所述电子束从所述沟槽的底部朝向所述开口扫描，使所述结构物从所述沟槽的底部朝向所述开口依次堆积。
3.根据权利要求1或2所述的试样沟槽填埋方法，其特征在于，
在所述堆积工序中，根据从所述试样片的所述侧面到所述沟槽的内壁面的距离改变所述电子束的加速电压。
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