CN108597730B - 片式电子组件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种片式电子组件及其制造方法，该片式电子组件包括：磁性主体，具有嵌入其中的线圈导电图案部；氧化物绝缘膜，形成在线圈导电图案部的表面上。即使在该绝缘膜形成为比根据现有技术的绝缘膜薄的情况下，也可防止线圈导电图案部被暴露，由此磁性材料和线圈导电图案部可彼此不接触。因此，可防止在高频下的波形缺陷。
Description
本申请是申请日为2014年10月22日、申请号为201410566473.8、发明名称为“片式电子组件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种片式电子组件以及一种制造该片式电子组件的方法。
背景技术
作为片式电子组件的电感器是与电阻器和电容器一起构成电子电路以去除噪声的代表性无源元件。
通过由镀覆工艺形成线圈导电图案部并堆叠、压制和硬化由磁性粉末和树脂的混合物形成的磁性材料片来制造薄膜电感器。
这里，为了防止线圈导电图案部和磁性材料之间的接触，在线圈导电图案部的表面上形成绝缘膜。
发明内容
示例性实施例可提供包括比根据现有技术的绝缘膜薄并能够有效地防止与磁性材料的接触的绝缘膜的片式电子组件及其制造方法。
根据本公开的示例性实施例提供一种片式电子组件，所述片式电子组件包括：磁性主体，其中嵌入有线圈导电图案部；氧化物绝缘膜，设置在线圈导电图案部的表面上；以及聚合物绝缘膜，涂覆氧化物绝缘膜，其中，氧化物绝缘膜具有约0.6μm至约0.8μm的表面粗糙度Ra，并且其中，氧化物绝缘膜具有约0.5μm至约2.5μm的厚度。
根据本公开的示例性实施例提供一种片式电子组件，所述片式电子组件包括：磁性主体，包括绝缘基板；线圈导电图案部，设置在绝缘基板的至少一个表面上；第一绝缘膜，设置在线圈导电图案部的表面上；以及第二绝缘膜，涂覆第一绝缘膜，其中，第一绝缘膜具有约0.6μm至约0.8μm的表面粗糙度Ra，并且其中，第一绝缘膜具有约0.5μm至约2.5μm的厚度。
根据示例性实施例，可提供具有形成在线圈导电图案部的表面上的氧化物绝缘膜的片式电子组件，其中，氧化物绝缘膜由包含形成线圈导电图案部的至少一种金属的金属氧化物形成。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是根据示例性实施例的具有线圈导电图案部的片式电子组件的示意透视图；
图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图3是图2的部分A的示例的放大示意图；
图4是根据示例性实施例的片式电子组件在长度-厚度(L-T)方向上的剖视图；
图5是图4的部分B的示例的放大示意图；
图6是图5的部分C的示例的放大示意图；
图7是图2的部分A的示例的放大示意图；
图8是图4的部分B的示例的放大示意图；
图9是根据示例性实施例的片式电子组件中的其上形成有绝缘膜的线圈导电图案部的一部分的放大扫描电子显微镜(SEM)照片；以及
图10是示出根据示例性实施例的制造片式电子组件的方法的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细地描述示例性实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式来举例说明并且不应被解释为局限于在这里阐明的特定实施例。相反，这些实施例被提供使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的元件。
以下，将描述根据示例性实施例的片式电子组件，具体地，将描述薄膜电感器。然而，本发明不限于此。
图1是根据示例性实施例的具有线圈导电图案部的片式电子组件的示意透视图；图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，作为片式电子组件的示例，公开了在电源电路的电源线中使用的薄膜电感器100。
根据示例性实施例的薄膜电感器100可包括磁性主体50、嵌入磁性主体50中的线圈导电图案部42和44以及形成在磁性主体50的外表面上并连接到线圈导电图案部42和44的外电极80。
磁性主体50可形成薄膜电感器100的外观并可由展现出磁性的任何材料形成。例如，可通过填充铁氧体或金属基软磁材料来形成磁性主体50。
铁氧体可包含诸如Mn-Zn基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体、Ni-Zn-Cu基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Ba基铁氧体、Li基铁氧体等的本领域已知的铁氧体。
金属基软磁材料可为包含从由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中选择的至少一种的合金。例如，金属基软磁材料可包含Fe-Si-B-Cr基非晶金属颗粒，但不限于此。
金属基软磁材料可具有大约0.1μm至大约30μm的颗粒尺寸，且可分散在诸如环氧树脂、聚酰亚胺等的聚合物中。
磁性主体50可具有六面体形状。为了清楚地限定示例性实施例，将定义六面体的方向。在图1中示出的L、W和T分别指示长度方向、宽度方向和厚度方向。
形成在磁性主体50中的绝缘基板23可为例如聚丙二醇(PPG)基板、铁氧体基板、金属基软磁基板等。
绝缘基板23可具有形成在其中心部分中的通孔，其中，该孔可用诸如铁氧体、金属基软磁材料等的磁性材料填充以形成芯部55。用磁性材料填充的芯部55可增大电感L。
绝缘基板23可具有分别形成在其一个表面和另一表面上的线圈导电图案部42和44，其中，线圈导电图案部42和44具有线圈形状的图案。
线圈导电图案部42和44可包括具有螺旋形的线圈图案，分别形成在绝缘基板23的一个表面和另一表面上的线圈导电图案部42和44可通过形成在绝缘基板23中的通过电极46来彼此电连接。
线圈导电图案部42和44以及通过电极46可由具有优异导电率的金属形成，例如，可由银(Ag)、钯(pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金形成。
图3是图2的部分A的示例的放大示意图。
参照图3，线圈导电图案部42和44可具有形成在其表面上的氧化物绝缘膜31。
线圈导电图案部的表面可用聚合物材料涂覆以形成绝缘膜。然而，在减小如上所述地形成的绝缘膜的厚度方面会存在限制。例如，在减小绝缘膜的厚度以形成薄的绝缘膜的情况下，线圈导电图案部会被部分地暴露。当线圈导电图案部被暴露时，会产生漏电流。因此，尽管电感在1MHz下正常，但电感在高频下会快速减小，导致波形缺陷。
因此，在示例性实施例中，由金属氧化物形成的氧化物绝缘膜31可形成在线圈导电图案部42和44的表面上，从而均匀地形成了薄的绝缘膜而不存在没有形成绝缘膜的部分。
氧化物绝缘膜31可由具有包含在线圈导电图案部42和44中的至少一种金属的金属氧化物形成。可通过在高温或高湿环境下使线圈导电图案部42和44氧化或者通过化学蚀刻使线圈导电图案部42和44氧化来形成氧化物绝缘膜31。
氧化物绝缘膜31的表面粗糙度Ra可为大约0.6μm至大约0.8μm。
当通过化学蚀刻等形成氧化物绝缘膜31时，氧化物绝缘膜31的表面粗糙度Ra可增大至大约0.6μm至大约0.8μm。表面面积由于增大的表面粗糙度Ra而增大，由此可提高氧化物绝缘膜31与形成在氧化物绝缘膜31上的第二绝缘膜之间的界面粘结性并可保证可靠性。
氧化物绝缘膜31可具有诸如针状结构、藤状结构等的各种形状。
氧化物绝缘膜31可形成为具有大约0.5μm至大约2.5μm的厚度。
在氧化物绝缘膜31的厚度小于大约0.5μm的情况下，氧化物绝缘膜可能被损坏，导致漏电流的产生以及电感在高频下减小的波形缺陷的出现。在氧化物绝缘膜31的厚度超过大约2.5μm的情况下，电感特性可能劣化。
图4是根据示例性实施例的片式电子组件在长度-厚度(L-T)方向上的剖视图；图5是图4的部分B的示例的放大示意图。
参照图4和图5，其上形成有氧化物绝缘膜31的线圈导电图案部42和44的相邻图案之间的区域可用磁性材料填充。
由于氧化物绝缘膜31可在与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应的同时形成为明显薄，因此可在相邻图案之间的区域中形成空间。该空间可用磁性材料填充，从而可增大磁性材料的体积，因此，可通过增大磁性材料的体积来增大电感。
图6是图5的部分C的示例的放大示意图。
参照图6，形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的平均厚度可以比形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的平均厚度厚。
线圈导电图案部42和44的上表面可以指基于虚线A和B的线圈图案的上表面，线圈导电图案部42和44的侧表面可以指基于虚线A和B的线圈图案的侧表面，其中，虚线A和B从定义线圈图案的宽度w的线圈图案的边缘延伸出。
由于形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′在压制磁性材料片等的过程中相对易受外力的影响，因此氧化物绝缘膜31′的厚度可比形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的厚度厚，以由此保证绝缘性能。
此外，为了防止由于氧化物绝缘膜的厚度的增大而导致线圈图案的面积的减小和直流(DC)电阻(Rdc)的增大，形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的相对少地易受外力影响的氧化物绝缘膜31″可形成为比形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′薄。
即，形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的平均厚度比形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的平均厚度厚，因此，可保证优异的绝缘性能并且可减小DC电阻(Rdc)。
形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的厚度可为大约1.8μm至大约2.5μm。
在氧化物绝缘膜31′的厚度小于大约1.8μm的情况下，氧化物绝缘膜可能被损坏，导致漏电流的产生和电感在高频下减小的波形缺陷的出现。在氧化物绝缘膜31′的厚度超过大约2.5μm的情况下，电感特性可能劣化。
形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的厚度可为大约0.8μm至大约1.8μm。
在氧化物绝缘膜31″的厚度小于大约0.8μm的情况下，可能产生漏电流并且可能出现电感在高频下减小的波形缺陷。在氧化物绝缘膜31″的厚度超过大约1.8μm的情况下，线圈图案的面积会减小，导致DC电阻(Rdc)的增大。
另外，形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的表面粗糙度Ra可大于形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的表面粗糙度。
图7是图2的部分A的示例的放大示意图；图8是图4的部分B的示例的放大示意图。
参照图7，聚合物绝缘膜32可形成为涂覆氧化物绝缘膜31。
可通过诸如丝网印刷法、光致抗蚀剂(PR)的曝光和显影法、喷射法、浸渍法等的方法来形成聚合物绝缘膜32。
聚合物绝缘膜32可以由可在氧化物绝缘膜31上形成薄的绝缘膜的任何材料形成，例如，可由环氧类树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂等形成。
聚合物绝缘膜32可形成为具有大约1μm至大约3μm的厚度。
在聚合物绝缘膜32的厚度小于大约1μm的情况下，聚合物绝缘膜可能被损坏，从而可能产生漏电流并且可能出现电感在高频下减小的波形缺陷或线圈图案之间的短路缺陷。在聚合物绝缘膜32的厚度超过大约3μm的情况下，电感特性可能劣化。
氧化物绝缘膜31与聚合物绝缘膜32之间的平均厚度比可为大约1:1.2至大约1:3。
通过形成氧化物绝缘膜31与聚合物绝缘膜32的双绝缘膜结构来满足上述平均厚度比，可防止漏电流的产生且可减少波形缺陷和短路缺陷，并且通过将绝缘膜形成为薄的，可保证优异的电感特性。
参照图8，聚合物绝缘膜32的表面的形状可形成为与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应。
这意味着聚合物绝缘膜32薄薄地涂覆在线圈导电图案部42和44的表面上，如图8所示。
当聚合物绝缘膜32的表面在与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应的同时形成为薄的时，可在线圈图案之间的区域中形成空间。该空间可用磁性材料填充，从而可增大磁性材料的体积，因此，可通过增大磁性材料的体积来增大电感。
图9是根据示例性实施例的片式电子组件中的其上形成有绝缘膜的线圈导电图案部的一部分的放大扫描电子显微镜(SEM)照片。
参照图9，可以看到的是，作为第一绝缘膜的氧化物绝缘膜31通过使线圈导电图案部42的表面氧化而形成在线圈导电图案部42的表面上，作为第二绝缘膜的聚合物绝缘膜32形成在氧化物绝缘膜31上。
通过形成绝缘膜以具有如上所述的双层结构，即使在绝缘膜形成为薄的情况下，也可防止线圈导电图案部与磁性材料50′之间的接触且可减少波形缺陷和短路缺陷。
形成在绝缘基板23的一个表面上的线圈导电图案部42的端部可暴露至磁性主体50的在其长度方向上的一个端表面，形成在绝缘基板23的另一表面上的线圈导电图案部44的端部可暴露至磁性主体50的在其长度方向上的另一端表面。
外电极80可形成在磁性主体50的在其长度方向上的两个端表面上，以分别连接到暴露至磁性主体50的在其长度方向上的两个端表面的线圈导电图案部42和44。
外电极80可由具有优异导电率的金属形成，例如，可由镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)或它们的合金等形成。
图10是示出根据示例性实施例的制造片式电子组件的方法的流程图。
参照图10，可在绝缘基板23上形成线圈导电图案部42和44。
绝缘基板23不被具体限制，但可以是例如印刷电路板(PCB)、铁氧体基板、金属基软磁基板等，并且可具有大约40μm至大约100μm的厚度。
形成线圈导电图案部42和44的方法可以是例如电镀法，但不限于此。
线圈导电图案部42和44可由具有优异导电率的金属形成，例如，可由银(Ag)、钯(pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金形成。
可在绝缘基板23的一部分中形成孔，并可用导电材料填充该孔以形成通过电极46，可通过通过电极46来使分别形成在绝缘基板23的一个表面和另一表面上的线圈导电图案部42和44彼此电连接。
可对绝缘基板23的中心部分执行钻孔、激光加工、喷砂、冲孔等来形成穿透绝缘基板23的孔。
接着，可在线圈导电图案部42和44的表面上形成氧化物绝缘膜31。
可通过使包含在线圈导电图案部42和44中的至少一种金属氧化来形成氧化物绝缘膜31。
通过使线圈导电图案部42和44的表面氧化来形成氧化物绝缘膜31的方法不被具体限制。例如，可通过在高温或高湿环境下使线圈导电图案部42和44氧化或者通过化学蚀刻使线圈导电图案部42和44氧化来形成氧化物绝缘膜31。
在通过化学蚀刻来形成氧化物绝缘膜31的情况下，可提高氧化物绝缘膜31的表面粗糙度Ra。
氧化物绝缘膜31的表面粗糙度Ra可为大约0.6μm至大约0.8μm。
当通过化学蚀刻等形成氧化物绝缘膜31时，氧化物绝缘膜31的表面粗糙度Ra可增大至大约0.6μm至大约0.8μm。当表面面积由于增大的表面粗糙度Ra而增大时，由此可提高氧化物绝缘膜31和形成在氧化物绝缘膜31上的第二绝缘膜之间的界面粘结性并可保证可靠性。
氧化物绝缘膜31可具有诸如针状结构、藤状结构等的各种形状。
在通过在高温环境下使线圈导电图案部42和44氧化来形成氧化物绝缘膜31的情况下，线圈导电图案部42和44的线圈图案之间的清洁效果会极佳。
可将氧化物绝缘膜31形成为具有大约0.5μm至大约2.5μm的厚度。
在氧化物绝缘膜31的厚度小于大约0.5μm的情况下，氧化物绝缘膜可能被损坏，导致漏电流的产生和电感在高频下减小的波形缺陷的出现。在氧化物绝缘膜31的厚度超过大约2.5μm的情况下，电感特性可能劣化。
在形成氧化物绝缘膜31时，可控制氧化物层形成溶液的浓度、氧化温度、时间等来调节氧化物绝缘膜31的厚度。
形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的平均厚度可比形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的平均厚度厚。
形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的平均厚度比形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的平均厚度厚，从而可保证优异的绝缘性能且可减小DC电阻(Rdc)。
形成在线圈导电图案部42和44的上表面上的氧化物绝缘膜31′的厚度可为大约1.8μm至大约2.5μm。
在氧化物绝缘膜31′的厚度小于大约1.8μm的情况下，氧化物绝缘膜可能被损坏，导致漏电流的产生和电感在高频下减小的波形缺陷的出现。在氧化物绝缘膜31′的厚度超过大约2.5μm的情况下，电感特性可能劣化。
形成在线圈导电图案部42和44的侧表面上的氧化物绝缘膜31″的厚度可为大约0.8μm至大约1.8μm。
在氧化物绝缘膜31″的厚度小于大约0.8μm的情况下，可能产生漏电流并且可能出现电感在高频下减小的波形缺陷。在氧化物绝缘膜31″的厚度超过大约1.8μm的情况下，线圈图案的面积会减小，导致DC电阻(Rdc)的增大。
接着，可将聚合物绝缘膜32形成为涂覆氧化物绝缘膜31。
可通过诸如丝网印刷法、光致抗蚀剂(PR)的曝光和显影法、喷射法、浸渍法等的本领域公知的方法来形成聚合物绝缘膜32。
聚合物绝缘膜32可以由可在氧化物绝缘膜31上形成薄的绝缘膜的任何材料形成，例如，可以由光致抗蚀剂(PR)、环氧基树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂等形成。
可将聚合物绝缘膜32形成为具有大约1μm至大约3μm的厚度。
在聚合物绝缘膜32的厚度小于大约1μm的情况下，聚合物绝缘膜可能被损坏，从而可能产生漏电流并且可能出现电感在高频下减小的波形缺陷或线圈图案之间的短路缺陷。在聚合物绝缘膜32的厚度超过大约3μm的情况下，电感特性可能劣化。
可将聚合物绝缘膜32的表面的形状形成为与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应。
形成聚合物绝缘膜32的方法不被具体限制，只要可将聚合物绝缘膜32形成为薄膜同时与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应即可。例如，可通过化学气相沉积(CVD)法或使用低粘度聚合物涂覆溶液的浸渍法来形成聚合物绝缘膜32。
当聚合物绝缘膜32的表面在与线圈导电图案部42和44的表面的形状对应的同时形成为薄的时，可在线圈图案之间的区域中形成空间。可用磁性材料填充该空间，从而可增大磁性材料的体积，因此，可通过增大磁性材料的体积来增大电感。
通过形成绝缘膜以具有根据示例性实施例的双层结构，即使在将绝缘膜形成为薄的情况下，也可防止线圈导电图案部与磁性材料之间的接触且可减少波形缺陷和短路缺陷。
接着，可分别在其上形成有线圈导电图案部42和44的绝缘基板23的上面和下面堆叠磁性材料层来形成磁性主体50。
可在绝缘基板23的两个表面上堆叠磁性材料层，并通过层压法或等静压制法来压制磁性材料层来形成磁性主体50。这里，可用磁性材料填充孔以形成芯部55。
另外，可将外电极80形成为连接到暴露至磁性主体50的端表面的线圈导电图案部42和44。
外电极80可由包含具有优异导电率的金属的膏剂形成，例如，可由包含镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)或它们的合金的导电膏形成。可根据外电极80的形状通过印刷法、浸渍法等来形成外电极80。
将省略与根据先前的示例性实施例的片式电子组件的特征相同的特征的描述。
如上所述，在根据示例性实施例的片式电子组件及其制造方法中，即使在将比根据现有技术的绝缘膜薄的绝缘膜形成在线圈导电图案部上的情况下，也可防止线圈导电图案部被暴露，使得磁性材料和线圈导电图案部不会彼此接触。因此，可防止在高频下的波形缺陷。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但对本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可作出修改和变化。
Claims (18)
1.一种片式电子组件，包括：
磁性主体，其中嵌入有线圈导电图案部；
氧化物绝缘膜，设置在线圈导电图案部的表面上；以及
聚合物绝缘膜，涂覆氧化物绝缘膜，
其中，氧化物绝缘膜具有0.6μm至0.8μm的表面粗糙度Ra，
其中，氧化物绝缘膜具有0.5μm至2.5μm的厚度，并且
其中，形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜的表面粗糙度Ra大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜的表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，氧化物绝缘膜通过包含形成线圈导电图案部的至少一种金属的金属氧化物形成，
氧化物绝缘膜形成为与线圈导体图案部的表面的形状对应，氧化物绝缘膜在线圈导电图案部的相邻的线圈导体图案之间的区域中形成为一体的。
3.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜的平均厚度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜的平均厚度。
4.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜具有1.8μm至2.5μm的厚度。
5.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜具有0.8μm至1.8μm的厚度。
6.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，聚合物绝缘膜的表面的形状与线圈导电图案部的表面的形状对应，聚合物绝缘膜不形成在线圈导电图案部的相邻的线圈导电图案之间的区域中。
7.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，聚合物绝缘膜具有1μm至3μm的厚度。
8.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，氧化物绝缘膜与聚合物绝缘膜之间的平均厚度比为1:1.2至1:3。
9.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，线圈导电图案部的相邻图案之间的区域的至少部分用磁性材料填充。
10.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，通过包括如下步骤的方法来制造氧化物绝缘膜：
通过使线圈的外层氧化来形成氧化物绝缘膜。
11.如权利要求10所述的片式电子组件，其中，通过包括如下步骤的方法来制造氧化物绝缘膜：
通过在高温或高湿环境下暴露线圈或者通过化学蚀刻来形成氧化物绝缘膜。
12.一种片式电子组件，包括：
磁性主体，包括绝缘基板；
线圈导电图案部，设置在绝缘基板的至少一个表面上；
第一绝缘膜，设置在线圈导电图案部的表面上；以及
第二绝缘膜，涂覆第一绝缘膜，
其中，第一绝缘膜具有0.6μm至0.8μm的表面粗糙度Ra，
其中，第一绝缘膜具有0.5μm至2.5μm的厚度，并且
其中，形成在线圈导电图案部的上表面上的第一绝缘膜的表面粗糙度Ra大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的第一绝缘膜的表面粗糙度。
13.如权利要求12所述的片式电子组件，其中，第一绝缘膜通过具有包含在线圈导电图案部中的至少一种金属的金属氧化物形成，
第一绝缘膜形成为与线圈导体图案部的表面的形状对应，第一绝缘膜在线圈导电图案部的相邻的线圈导体图案之间的区域中形成为一体的。
14.如权利要求12所述的片式电子组件，其中，第二绝缘膜包含聚合物，第二绝缘膜的表面的形状与线圈导电图案部的表面的形状对应，第二绝缘膜不形成在线圈导电图案部的相邻的线圈导电图案之间的区域中。
15.如权利要求12所述的片式电子组件，其中，形成在线圈导电图案部的上表面上的第一绝缘膜的平均厚度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的第一绝缘膜的平均厚度。
16.如权利要求12所述的片式电子组件，其中，线圈导电图案部的相邻图案之间的区域的至少部分用磁性材料填充。
17.如权利要求12所述的片式电子组件，其中，通过包括如下步骤的方法来制造第一绝缘膜：
通过使线圈的外层氧化来形成第一绝缘膜。
18.如权利要求17所述的片式电子组件，其中，通过包括如下步骤的方法来制造第一绝缘膜：
通过在高温或高湿环境下暴露线圈或者通过化学蚀刻来形成第一绝缘膜。
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