CN108564983A - 一种用于nand flash的ldpc测试平台 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于NAND FLASH的LDPC测试平台,该测试平台先产生一定长度的随机数,把随机数和校验信息写入FLASH,再读取FLASH送入译码器译码,最后统计错误信息。
Description
技术领域
本发明属于集成电路设计领域,具体说是一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台。
背景技术
随着NAND FLASH工艺的进步,越来越多的NAND FLASH需要LDPC来进行纠错。然而用于NAND FLASH的LDPC没有标准的校验矩阵和其相对应的生成矩阵,而且校验矩阵的的构造方法有很多种,如何验证出每种矩阵的性能,就需要一个测试平台。
发明内容
本发明的目的是解决用于NAND FLASH的LDPC的测试问题,提供一种用于NANDFLASH的LDPC的测试平台。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,包括
随机数产生模块,根据需要的信息长度产生随机数、
编码模块,根据输入的信息长度和矩阵产生校验信息、
NAND FLASH控制模块,用于和NAND FLASH进行数据交换,NAND FLASH控制器把信息位和校验位写入FLASH、
译码模块,把从FLASH读出的hard information和soft information数据送入译码器进行译码,输入的是hard information和soft information,输出的结果是hardinformation、和
误码检测模块,用于统计错误信息,比较译码后的数据和随机发生器的数据,统计误码率。
所述随机数产生模块采用LFSR结构,包括若干寄存器,所述寄存器的初始值为0或1。
所述随机数产生模块得到周期为128的随机数。
所述编码模块采用SARR结构包括位移寄存器和累加电路。
所述NAND FLASH控制模块包括把FLASH的hard information和soft information读出来送入译码模块进行译码的读控制部分、把编码模块送入的信息位和校验位写入NAND FLASH的写控制部分和实现对NAND FLASH的块擦除的擦除控制部分。
所述译码模块采用NMS解码包括输入模块、输出模块、存储单元、变量节点计算单元和校验节点计算单元,变量节点计算单元负责变量节点的更新,校验节点计算单元负责校验节点的更新,每次迭代的中间结果保存在存贮单元中。
误码检测模块包括比较器和UART模块,该比较器负责比较随机数发生器的数据和解码后的数据,并统计出错误个数,UART负责把错误个数的信息发送到PC端。
附图说明
图1为本发明的模块图;
图2为LFSR结构图;
图3为SARR结构图;
图4为NAND FLASH控制器示意图;
图5为译码器结构图;
图6为误码检测结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
本发明提供了一种用于NAND FLASH的LDPC测试平台,该测试平台先产生一定长度的随机数,把随机数和校验信息写入FLASH,再读取FLASH送入译码器译码,最后统计错误信息。
该发明的实施具体包括以下步骤:
步骤1,随机数的产生。随机数产生采用图2所示的LFSR结构,根据需要的信息长度产生随机数,每个寄存器的初始值可以是0或者1,得到周期为128的随机数。
步骤2,编码。编码器采用图3所示的SARR(shift-register-adder-accumulator)结构,SARR电路利用移位寄存器和累加电路为核心实现向量与矩阵的乘法,极大地减少了运算量和资源消耗,有利于编码器的硬件实现。根据输入的信息长度和矩阵产生校验信息。
步骤3,和NAND FLASH的数据交换。NAND FLASH控制器把信息位和校验位写入FLASH,NAND FLASH的控制器如图4所示,分为读控制部分、写控制部分和擦除控制部分。NAND FLASH的特性决定了在写之前必须进行擦除操作。读控制部分就是把FLASH 的hardinformation和soft information读出来送入译码器进行译码。擦除控制部分实现对NANDFLASH的块擦除。写控制部分就是把编码器送入的信息位和校验位写入NAND FLASH。
步骤4,译码。把从FLASH读出的hard information和soft information数据送入译码器进行译码。译码器采用NMS的解码方法。译码的结构图如图5所示,包括输入模块,输出模块,存储单元,变量节点计算单元和校验节点计算单元。变量节点计算单元负责变量节点的更新,校验节点计算单元负责校验节点的更新。每次迭代的中间结果保存在存贮单元中。输入的是hard information和soft information,输出的结果是 hard information。
步骤5,统计错误。比较译码后的数据和随机发生器的数据,统计误码率,可以通过UART把数据送到PC端。结构图如图6所示,包括一个比较器和一个UART模块。比较器负责比较随机数发生器的数据和解码后的数据,并且统计出错误个数。UART负责把错误个数的信息发送到PC端。
Claims (7)
1.一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:包括
随机数产生模块,根据需要的信息长度产生随机数、
编码模块,根据输入的信息长度和矩阵产生校验信息、
NAND FLASH控制模块,用于和NAND FLASH进行数据交换,NAND FLASH控制器把信息位和校验位写入FLASH、
译码模块,把从FLASH读出的hard information和soft information数据送入译码器进行译码,输入的是hard information和soft information,输出的结果是hardinformation、和
误码检测模块,用于统计错误信息,比较译码后的数据和随机发生器的数据,统计误码率。
2.根据权利要求1所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:所述随机数产生模块采用LFSR结构,包括若干寄存器,所述寄存器的初始值为0或1。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:所述随机数产生模块得到周期为128的随机数。
4.根据权利要求1所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:所述编码模块采用SARR结构包括位移寄存器和累加电路。
5.根据权利要求1所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:所述NAND FLASH控制模块包括把FLASH的hard information和soft information读出来送入译码模块进行译码的读控制部分、把编码模块送入的信息位和校验位写入NAND FLASH的写控制部分和实现对NAND FLASH的块擦除的擦除控制部分。
6.根据权利要求1所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:所述译码模块采用NMS解码包括输入模块、输出模块、存储单元、变量节点计算单元和校验节点计算单元,变量节点计算单元负责变量节点的更新,校验节点计算单元负责校验节点的更新,每次迭代的中间结果保存在存贮单元中。
7.根据权利要求1所述的一种用于NAND FLASH的LDPC的测试平台,其特征在于:误码检测模块包括比较器和UART模块,该比较器负责比较随机数发生器的数据和解码后的数据,并统计出错误个数,UART负责把错误个数的信息发送到PC端。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810315076.1A CN108564983A (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 一种用于nand flash的ldpc测试平台 |
PCT/CN2018/103043 WO2019196316A1 (zh) | 2018-04-10 | 2018-08-29 | 一种用于nand flash的ldpc测试平台 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810315076.1A CN108564983A (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 一种用于nand flash的ldpc测试平台 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108564983A true CN108564983A (zh) | 2018-09-21 |
Family
ID=63534548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810315076.1A Pending CN108564983A (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 一种用于nand flash的ldpc测试平台 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108564983A (zh) |
WO (1) | WO2019196316A1 (zh) |
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- 2018-08-29 WO PCT/CN2018/103043 patent/WO2019196316A1/zh active Application Filing
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