CN108545770A - 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用 - Google Patents

表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用 Download PDF

Info

Publication number
CN108545770A
CN108545770A CN201810708423.7A CN201810708423A CN108545770A CN 108545770 A CN108545770 A CN 108545770A CN 201810708423 A CN201810708423 A CN 201810708423A CN 108545770 A CN108545770 A CN 108545770A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sno
microballoon
preparation
modified
butter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810708423.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108545770B (zh
Inventor
周姣
田陆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hebei radium Technology Co., Ltd
Original Assignee
Beijing Radiboron Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Radiboron Technology Co Ltd filed Critical Beijing Radiboron Technology Co Ltd
Priority to CN201810708423.7A priority Critical patent/CN108545770B/zh
Publication of CN108545770A publication Critical patent/CN108545770A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108545770B publication Critical patent/CN108545770B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00—Compounds of tin
    • C01G19/02—Oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/32—Spheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明提供一种表面改性的Pd‑SnO2微球的制备方法及应用。该表面改性的Pd‑SnO2微球的制备方法包括如下步骤：向四氯化锡溶液中依次加入氯钯酸溶液和CTAB溶液，在160～180℃下水热反应20～24h；所述四氯化锡与所述氯钯酸中钯的摩尔比为1:(0.01～0.0.09)；所述四氯化锡与所述CTAB的摩尔比为1:(1～10)。本发明使用CTAB表面改性剂对Pd负载SnO2纳米材料进行表面改性得到表面改性的Pd‑SnO2微球，方法简单，易于重复，得到的表面改性的Pd‑SnO2微球呈现三维纳米球状，且球体表面存在大量的Pd纳米粒子，增加了气体的催化位点，有助于气体的吸附脱附，从而提高气敏特性。

Description

表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用
技术领域
本发明涉及气体传感材料技术领域，更具体地，涉及一种表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用。
背景技术
氢气是一种无色、无嗅、无毒、易燃易爆的气体，比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留不易排出，遇火星会引起***，并且与氟气、氯气、氧气、一氧化碳以及空气混合也都会引起***。因此研制出各种类型的气体传感器在快速、准确检测易爆氢气，对人类的生活、生产等活动至关重要。金属氧化物半导体气体传感器具有结构简单、价格低廉、灵敏度高、响应迅速等优点，经过长期的研究发展，其被广泛应用于环境、食品、家装等各行各业。但单一半导体金属氧化物很难达到上述要求，因此需要复合氧化物敏感材料。
二氧化锡(SnO2)为N型半导体结构，是一种性能优良的气敏材料。因其具有良好的电导率、晶体结构和适用性等优点，使其在半导体气体传感器领域，一直是研究和应用的热点。然而，现有的二氧化锡基半导体气敏元件还存在以下问题：(1)稳定性差，工业上使用的二氧化锡基半导体气敏元件的平均寿命三年不到；(2)选择性差，在气体的探测中，现有的二氧化锡基半导体气敏元件的电子特性不仅受待探测气体分子本身的影响而且还受到其它气体的影响，特别是用在物理化学性质都相似的多种气体的混合气体中探测其中某一种气体时，比较难以区分；(3)工作温度过高，现有的二氧化锡基半导体气敏元件需要在200～350℃下才能正常工作，极大地限制了应用的范围和使用的场所。作为一种好的气敏材料应该具有灵敏度高，选择性强，气敏工作温度低，结构简单，成本低等优点，如何改善气敏材料的性能一直是本领域中亟需解决的问题。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种表面改性Pd-SnO2微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
向四氯化锡溶液中依次加入氯钯酸溶液和CTAB溶液，在160～180℃下水热反应20～24h；所述四氯化锡与所述氯钯酸中钯的摩尔比为1:(0.01～0.0.09)；所述四氯化锡与所述CTAB的摩尔比为1:(1～10)。
在本发明一个优选实施方式中，所述四氯化锡与所述氯钯酸中钯的摩尔比为1:(0.03～0.05)，优选为1:0.03；所述四氯化锡与所述CTAB的摩尔比为1:(5～10)，优选为1:5。
在本发明一个优选实施方式中，所述四氯化锡溶液中溶剂为水和乙醇的混合物，所述水和乙醇的体积比为1:(1～5)，进一步优选为1:1。
在本发明中，氯钯酸溶液是通过将氯化钯溶解于浓盐酸中制得。
在本发明中，水热反应通常置于反应釜中进行。具体可以为将混匀后的溶液转移至反应釜中，并置于恒温干燥箱内进行水热反应。
在本发明一个优选实施方式中，本发明的制备方法还包括将反应得到的沉淀进行洗涤和干燥。所述洗涤优选包括：使用水和无水乙醇分别对反应得到的沉淀进行离心洗涤，所述离心的转速为5000r/min～10000r/min，时间为6～10min。优选地是，离心的转速为6000r/min～8000r/min，时间为8～10min。
其中，所述干燥的温度为80～100℃，时间为18～24h。
本发明的另一个目的在于提供上述的制备方法得到的表面改性Pd-SnO2微球。
其中，得到的微球的平均直径为1～2μm，优选为1.2～1.3μm。
本发明的再一个目的在于提供上述制备方法或由上述制备方法得到的Pd-SnO2纳米复合材料在制备气敏元件中的应用。
在本发明中，可以使用本领域中常用的制备方法制备气敏元件，更优选的制备方法为：
将上述Pd-SnO2微球复合材料与水混合，得到均匀的悬浊液，将所述悬浊液旋涂在Au叉指电极上，于80℃下干燥4～6h，即得到气敏元件。
其中，所述气敏元件优选为检测氢气的气敏元件。进一步优选将其用于在温度为150℃、湿度为10％～40％的条件下检测空气中的H2。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)本发明采用CTAB表面改性剂对金属Pd负载SnO2纳米材料进行表面改性制备得到表面改性的Pd-SnO2微球制备过程中，利用表面活性剂分散，使材料成球状，部分Pd纳米颗粒分散于球体表面上，增加了气体的催化位点，有助于气体的吸附脱附，从而提高气敏特性；并且本发明直接水热高温高压制备，方法简单，易于重复；
(2)本发明的表面改性的Pd-SnO2微球呈现三维纳米球状结构，且在球体表面存在有大量的Pd纳米粒子，这些存在的Pd金属纳米颗粒，能够提高材料的催化性能，并且表面上存在的金属Pd作为催化剂能与通入的H2发生溢流效应，而部分的金属Pd在空气中时就会与氧气反应生成PdO，而PdO为P型半导体，从而与主体N型半导体SnO2生成P-N异质结；
(3)在室温下采用本发明CTAB表面改性剂对金属Pd负载SnO2纳米材料进行表面改性制备得到表面改性的Pd-SnO2微球，使用该微球制备的气敏元件对浓度为100ppm H2气体的灵敏度高达94％，优选为97.8％，并且材料吸附脱附具备可逆性；使用该微球制备的气敏元件对浓度为10ppm H2气体的灵敏度高达50％以上；
(4)本发明制备的表面改性的Pd-SnO2微球作为敏感材料制备的气敏元件用于检测空气中H2的检测时，最佳操作温度为150℃、湿度为10％～40％，使用方法简单；
(5)本发明制备的表面改性的Pd-SnO2微球结晶度较好，纯度较高。
附图说明
图1为实施例1中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球的SEM图；
图2为实施例1中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球的X射线衍射图；
图3为由实施例1中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测100ppm氢气的灵敏度曲线；
图4为由实施例1中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测10ppm氢气的灵敏度曲线图；
图5为实施例2中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球的SEM图；
图6为由实施例2中制备得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测100ppm氢气的灵敏度曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本发明提供了一种表面改性的Pd-SnO2微球，其制备方法具体按以下步骤进行：
(1)将25mL去离子水和25mL无水乙醇混合作为溶剂，称取一定量的SnCl4·5H2O作为原料，将称取的原料加入到溶剂中进行搅拌，使其完全溶解；
(2)称取一定量的PdCl2加入盐酸，超声溶解，之后加入步骤(1)的溶液中，得到的混合溶液在室温条件下搅拌，其中，四氯化锡与氯钯酸中钯的摩尔比为1：0.03；
(3)步骤二混合溶液搅拌均匀后，再加入0.1mL的CTAB溶液，室温下剧烈搅拌均匀得到前驱体溶液，其中，四氯化锡与CTAB的摩尔比为1：5；
(4)将步骤(3)制备得到的前驱体溶液转移至80mL的反应釜中，并置于恒温干燥箱内，在高温下进行水热反应；所述水热反应的方法为：在180℃下反应24h；
(5)将水热反应制备得到的沉淀进行离心洗涤；所述离心洗涤的方法为：转速为8000r/min,离心时间8min，离心时分别采用蒸馏水，无水乙醇分别清洗3次。
(6)将离心洗涤后所得产物置于干燥箱中在80℃下干燥20h，即得到表面改性的Pd-SnO2微球。
实施例2
本发明提供了一种表面改性的Pd-SnO2微球，其制备方法具体按以下步骤进行：
(1)将25mL去离子水和25mL无水乙醇混合作为溶剂，称取一定量的SnCl4·5H2O作为原料，将称取的原料加入到溶剂中进行搅拌，使其完全溶解；
(2)称取一定量的PdCl2加入盐酸，超声溶解使其钯所占质量百分数为5％，之后加入步骤(1)的溶液中，得到的混合溶液在室温条件下搅拌；其中，四氯化锡与氯钯酸中钯的摩尔比为1：0.05；
(3)步骤二混合溶液搅拌均匀后，再加入0.2mL的CTAB溶液，室温下剧烈搅拌均匀得到前驱体溶液；其中四氯化锡与CTAB的摩尔比为1：10；
(4)将步骤(3)制备得到的前驱体溶液转移至80mL的反应釜中，并置于恒温干燥箱内，在高温下进行水热反应；所述水热反应的方法为：在180℃下反应24h；
(5)将水热反应制备得到的沉淀进行离心洗涤；所述离心洗涤的方法为：转速为6000r/min,离心时间8min，离心时分别采用蒸馏水，无水乙醇分别清洗3次。
(6)将离心洗涤后所得产物置于干燥箱中在80℃下干燥20h，即得到表面改性的Pd-SnO2微球。
实验例1
上述实施例1中表面改性的Pd-SnO2微球的应用按以下步骤进行：
将表面改性的Pd-SnO2微球作为敏感材料制备气敏元件，将制备的气敏元件置于温度为150℃、湿度为20％的条件下对H2进行检测；
制备气敏元件的方法为：将表面改性的Pd-SnO2微球置于研钵中，加入适量蒸馏水，研磨得到均匀的悬浊液，然后将悬浊液旋涂在Au叉指电极上，并置于鼓风干燥箱中于80℃下干燥4h，即得到气敏元件。
图1是实施例1得到的表面改性的Pd-SnO2微球的扫描电镜图，从图中能看到材料在表面活性剂CTAB的作用下呈三维球状形貌结构，平均直径大约1.2μm，在球体表面存在有大量的Pd纳米粒子，这些存在的Pd金属纳米颗粒，能够提高材料的催化性能，并且表面上存在的金属Pd作为催化剂能与通入的H2发生溢流效应，而部分的金属Pd在空气中时就会与氧气反应生成PdO，而PdO为P型半导体，从而与主体N型半导体SnO2生成P-N异质结。
图2是实施例1得到的表面改性的Pd-SnO2微球的X射线衍射图，样品XRD对应的卡片为JCPDS No.99-0024，图中2θ角值为26.6°,33.9°,37.9°,51.8°和54.7°对应SnO2(110),(101),(200),(211)和(220)晶面，JCPDS No.99-0024卡片(110)为主峰，峰强100％，次峰(101)峰强为78.5％，但图中所示主峰弱于次主峰，可能是由于掺入Pd后影响材料晶相生长。
图3为实施例1得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测100ppm氢气的灵敏度曲线，通入8个循环100ppm氢气，材料仍能保证一个较好的重复性，气敏响应为97.8％，其中灵敏度S＝(Rg-Ra)/Ra×100％。
图4为实施例1得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测10ppm氢气的灵敏度曲线，通入4个循环10ppm氢气，材料气敏响应仍能高达56.4％，表明制备的表面改性的Pd-SnO2微球具有较高性能的响应，可应用于低浓度、高精度传感器仪器、仪表开发。
实验例2
上述实施例2中表面改性的Pd-SnO2微球的应用按以下步骤进行：
将表面改性的Pd-SnO2微球作为敏感材料制备气敏元件，将制备的气敏元件置于温度为150℃、湿度为40％的条件下对H2进行检测；
制备气敏元件的方法为：将表面改性的Pd-SnO2微球置于研钵中，加入适量蒸馏水，研磨得到均匀的悬浊液，然后将悬浊液旋涂在Au叉指电极上，并置于鼓风干燥箱中于80℃下干燥6h，即得到气敏元件。
图5为实施例2得到的表面改性的Pd-SnO2微球的扫描电镜图，从图中能看到材料在表面活性剂CTAB的作用下呈三维球状形貌结构，平均直径大约1.2μm，在球体表面存在有大量的Pd纳米粒子，这些存在的Pd金属纳米颗粒，能够提高材料的催化性能，并且表面上存在的金属Pd作为催化剂能与通入的H2发生溢流效应，而部分的金属Pd在空气中时就会与氧气反应生成PdO，而PdO为P型半导体，从而与主体N型半导体SnO2生成P-N异质结。
图6为实施例2得到的表面改性的Pd-SnO2微球制备的气敏元件检测100ppm氢气的灵敏度曲线，通入8个循环100ppm氢气，材料具有一个较高的灵敏度94％，其中灵敏度S＝(Rg-Ra)/Ra×100％。
最后，本发明的方法仅为较佳的实施方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
向四氯化锡溶液中依次加入氯钯酸溶液和CTAB溶液，在160～180℃下水热反应20～24h；所述四氯化锡与所述氯钯酸中钯的摩尔比为1:(0.01～0.0.09)；所述四氯化锡与所述CTAB的摩尔比为1:(1～10)。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述四氯化锡与所述氯钯酸中钯的摩尔比为1:(0.03～0.05)；所述四氯化锡与所述CTAB的摩尔比为1:(5～10)。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述四氯化锡溶液中溶剂为水和乙醇的混合物，所述水和乙醇的体积比为1:(1～5)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括将反应得到的沉淀进行洗涤和干燥；所述洗涤包括：使用水和无水乙醇分别对反应得到的沉淀进行离心洗涤，所述离心的转速为5000r/min～10000r/min，时间为6～10min。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为80～100℃，时间为18～24h。
6.权利要求1至5中任一项所述的制备方法得到的表面改性的Pd-SnO2微球。
7.权利要求1至5中任一项所述的制备方法或权利要求6所述的表面改性的Pd-SnO2微球在制备气敏元件中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述气敏元件用于检测温度为150℃、湿度为10％～40％下空气中的H2。
CN201810708423.7A 2018-07-02 2018-07-02 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用 Active CN108545770B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810708423.7A CN108545770B (zh) 2018-07-02 2018-07-02 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810708423.7A CN108545770B (zh) 2018-07-02 2018-07-02 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108545770A true CN108545770A (zh) 2018-09-18
CN108545770B CN108545770B (zh) 2020-06-16

Family

ID=63494267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810708423.7A Active CN108545770B (zh) 2018-07-02 2018-07-02 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108545770B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109270127A (zh) * 2018-09-27 2019-01-25 北京镭硼科技有限责任公司 一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法
CN109557138A (zh) * 2018-10-25 2019-04-02 北京镭硼科技有限责任公司 一种金属钯负载的石墨烯基气敏传感材料及制备与应用
CN110031514A (zh) * 2019-04-25 2019-07-19 吉林大学 基于Pd掺杂SnO2纳米敏感材料的H2S和NO2传感器、制备方法及其应用
CN110487855A (zh) * 2019-08-14 2019-11-22 南京工业大学 一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法
CN110554174A (zh) * 2019-08-19 2019-12-10 上海摇橹仪器设备有限公司 一种可用于呼出气体检测的传感器
CN112924498A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 华中科技大学 一种钯单原子修饰的氧化锡复合材料及其制备方法和应用

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1284474A (zh) * 1999-08-17 2001-02-21 惠春 二氧化锡基纳米晶气敏材料及其制造方法
CN101337688A (zh) * 2008-06-04 2009-01-07 中国检验检疫科学研究院 一种Zn－掺杂SnO2微孔纳米材料的制备方法
CN102838094A (zh) * 2012-09-21 2012-12-26 北京博电新力电气股份有限公司 一种银掺杂纳米二氧化锡粉体材料制备方法
CN103412008A (zh) * 2013-08-21 2013-11-27 东北大学 用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器及制备方法
CN104261462A (zh) * 2014-09-23 2015-01-07 浙江大学 一种微纳二氧化锡实心球的制备方法
CN104316566A (zh) * 2014-10-11 2015-01-28 武汉工程大学 一种气敏材料及其制备和应用
CN104880490A (zh) * 2015-05-20 2015-09-02 吉林大学 Pd-SnO2氧化物半导体一氧化碳传感器、制备与应用
CN105152202A (zh) * 2015-07-17 2015-12-16 济南大学 一种锑掺杂花球状二氧化锡气敏材料的制备方法
CN105259211A (zh) * 2015-10-13 2016-01-20 武汉工程大学 一种气体传感器纳米敏感材料、其浆料及其制备方法和应用
CN106053548A (zh) * 2016-05-25 2016-10-26 吉林大学 Pd掺杂SnO2氧化物半导体CO传感器制备与应用
CN106587134A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 上海第二工业大学 贵金属掺杂的花状CuO纳米材料的制备方法及其制备气敏元件的方法
CN106629824A (zh) * 2016-12-26 2017-05-10 吉林大学 一种分等级空心立方体状二氧化锡纳米颗粒的制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1284474A (zh) * 1999-08-17 2001-02-21 惠春 二氧化锡基纳米晶气敏材料及其制造方法
CN101337688A (zh) * 2008-06-04 2009-01-07 中国检验检疫科学研究院 一种Zn－掺杂SnO2微孔纳米材料的制备方法
CN102838094A (zh) * 2012-09-21 2012-12-26 北京博电新力电气股份有限公司 一种银掺杂纳米二氧化锡粉体材料制备方法
CN103412008A (zh) * 2013-08-21 2013-11-27 东北大学 用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器及制备方法
CN104261462A (zh) * 2014-09-23 2015-01-07 浙江大学 一种微纳二氧化锡实心球的制备方法
CN104316566A (zh) * 2014-10-11 2015-01-28 武汉工程大学 一种气敏材料及其制备和应用
CN104880490A (zh) * 2015-05-20 2015-09-02 吉林大学 Pd-SnO2氧化物半导体一氧化碳传感器、制备与应用
CN105152202A (zh) * 2015-07-17 2015-12-16 济南大学 一种锑掺杂花球状二氧化锡气敏材料的制备方法
CN105259211A (zh) * 2015-10-13 2016-01-20 武汉工程大学 一种气体传感器纳米敏感材料、其浆料及其制备方法和应用
CN106053548A (zh) * 2016-05-25 2016-10-26 吉林大学 Pd掺杂SnO2氧化物半导体CO传感器制备与应用
CN106587134A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 上海第二工业大学 贵金属掺杂的花状CuO纳米材料的制备方法及其制备气敏元件的方法
CN106629824A (zh) * 2016-12-26 2017-05-10 吉林大学 一种分等级空心立方体状二氧化锡纳米颗粒的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AZAM ANARAKI FIROOZ ET AL.: "Hihgly sensitive tin oxide hollow microspheres and nanosheets to ethanol gas prepared by hydrothermal method", 《JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY》 *
周继明等: "《传感技术与应用》", 31 January 2016 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109270127A (zh) * 2018-09-27 2019-01-25 北京镭硼科技有限责任公司 一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法
CN109557138A (zh) * 2018-10-25 2019-04-02 北京镭硼科技有限责任公司 一种金属钯负载的石墨烯基气敏传感材料及制备与应用
CN110031514A (zh) * 2019-04-25 2019-07-19 吉林大学 基于Pd掺杂SnO2纳米敏感材料的H2S和NO2传感器、制备方法及其应用
CN110487855A (zh) * 2019-08-14 2019-11-22 南京工业大学 一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法
CN110554174A (zh) * 2019-08-19 2019-12-10 上海摇橹仪器设备有限公司 一种可用于呼出气体检测的传感器
CN112924498A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 华中科技大学 一种钯单原子修饰的氧化锡复合材料及其制备方法和应用
CN112924498B (zh) * 2021-01-22 2022-04-01 华中科技大学 一种钯单原子修饰的氧化锡复合材料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108545770B (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108545770A (zh) 表面改性的Pd-SnO2微球的制备方法及应用
CN108663417B (zh) 一种针对低浓度NO2气体的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料
CN108918633B (zh) Pd-SnO2纳米复合材料制备及在氢气传感器的应用
CN108455659B (zh) 一种纳米棒状氧化铟气敏材料的制备方法
CN106541143A (zh) 一种多孔氧化锌纳米片负载高分散纳米贵金属复合气敏材料的合成方法
CN110396006B (zh) 一种ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用
CN108956715B (zh) 一种Au@WO3核壳结构纳米球及其制备方法和应用
CN108732207A (zh) 一种甲醛检测所用的敏感材料及制备方法和应用
TW201024722A (en) Gas sensing material and gas sensor employing the same
CN108872343A (zh) 一种基于氮掺杂石墨烯的多巴胺传感器及其制备与应用
CN107966479A (zh) 一种提高氢气传感器性能的Pd/W18O49复合材料的制备方法
CN105717168A (zh) 一种基于二氧化钛纳米片负载贵金属的硫化氢气体传感器的制备方法及应用
CN109557138A (zh) 一种金属钯负载的石墨烯基气敏传感材料及制备与应用
CN108918624A (zh) 一种检测多巴胺的酶生物传感器及其制备与应用
CN113740391A (zh) 一种MOF衍生的NiO-Co3O4丙酮气体传感器的制备方法
CN105136977A (zh) 一种二硫化钼基双金属纳米复合材料构建的气体传感器的制备方法
CN106395888B (zh) 一种有机污染物近室温气敏选择性检测的石墨烯相氮化碳氧化锡复合材料及制备方法与应用
CN109433225A (zh) 一种钯/镍合金负载的石墨烯材料的制备方法及应用
CN107449805B (zh) 一种对丙酮敏感的钴酸锌纳米多壳层yolk-shell膜
CN109085206A (zh) 一种Fe2O3-TiO2气敏传感器的制备方法
CN105021656B (zh) 一种氯仿气体传感器的制备方法
CN107867715B (zh) 用于低浓度二氧化氮检测的二氧化锡纳米材料的制备方法及其产品和应用
CN110887887A (zh) 基于电化学葡萄糖传感器的淀粉体外快速消化检测仪及其制备方法和应用
CN113670990B (zh) 一种Ag修饰的In2O3复合材料及其制备方法、气敏元件及其应用
CN114166901A (zh) 一种金纳米粒子负载的金属有机框架材料、以其为传感材料的低湿度传感器及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200514

Address after: 065201 Yanjiao Development Zone, Sanhe City, Langfang City, Hebei Province, on the west side of Yingbin North Road and on the north side of Gushan Road, Baishi Jingu Yanjiao International Industrial Base

Applicant after: Hebei radium Technology Co., Ltd

Address before: 100080 3A15 4, north 9 Ring Road, Haidian District, Beijing.

Applicant before: BEIJING RAMON SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant