CN108417568A - 一种led照明用面光源 - Google Patents

一种led照明用面光源 Download PDF

Info

Publication number
CN108417568A
CN108417568A CN201810179815.9A CN201810179815A CN108417568A CN 108417568 A CN108417568 A CN 108417568A CN 201810179815 A CN201810179815 A CN 201810179815A CN 108417568 A CN108417568 A CN 108417568A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
led
fluorescent glass
groove
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810179815.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108417568B (zh
Inventor
孙爱芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI WELLMAX LIGHTING INDUSTRY Co.,Ltd.
Original Assignee
孙爱芬
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 孙爱芬 filed Critical 孙爱芬
Priority to CN201810179815.9A priority Critical patent/CN108417568B/zh
Publication of CN108417568A publication Critical patent/CN108417568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108417568B publication Critical patent/CN108417568B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了一种LED照明用面光源，其利用上下两个荧光玻璃进行LED芯片的上下对位，且利用焊料实现上下LED芯片的互相串联，步骤简单，成本极低；含有金属络合物的树脂胶作为粘合胶使得上下荧光玻璃进行胶合，半球形凹孔实现了光的大角度发射光；在上下LED芯片的电极之间***电极片，在某一LED芯片断路时，利用激光活化该区域的金属络合物以实现修复整个串联的LED通路，方便可行。

Description

一种LED照明用面光源
技术领域
本发明涉及LED封装领域，具体涉及一种LED照明用面光源。
背景技术
LED封装往往需要很复杂的工序和材料，其成本和尺寸都相对较大，且如今实现LED封装的多面出光也是技术人员所追求的趋势。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃、第二荧光玻璃和介于所述第一荧光玻璃与所述第二荧光玻璃之间的绝缘粘合胶，所述第一荧光玻璃和所述第二荧光玻璃具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃叠置于所述第二荧光玻璃之上；所述第一荧光玻璃的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽，所述第二荧光玻璃的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽，所述多个第一凹槽内设置有多个第一LED芯片，所述多个第二凹槽内设置有多个第二LED芯片；所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极和一负电极，所述正电极与所述负电极均从所述多个第一凹槽或所述多个第二凹槽凸出，所述多个第一LED芯片与所述多个第二LED芯片上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片和第二LED芯片整体呈现S形排布，使得第一LED芯片的正电极与第二LED芯片的负电极通过焊料进行电连接、第一LED芯片的负电极与第二LED芯片的正电极通过焊料进行电连接，所述焊料被所述绝缘粘合胶包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片和第二LED芯片的电极部分；所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔。
本发明还提供了另一种LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃、第二荧光玻璃和介于所述第一荧光玻璃与所述第二荧光玻璃之间的包含有激光可活化金属络合物的树脂胶，所述第一荧光玻璃和所述第二荧光玻璃具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃叠置于所述第二荧光玻璃之上；所述第一荧光玻璃的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽，所述第二荧光玻璃的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽，所述多个第一凹槽内设置有多个第一LED芯片，所述多个第二凹槽内设置有多个第二LED芯片；所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极和一负电极，所述正电极与所述负电极均从所述多个第一凹槽或所述多个第二凹槽凸出，所述多个第一LED芯片与所述多个第二LED芯片上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片和第二LED芯片整体呈现S形排布，使得第一LED芯片的正电极与第二LED芯片的负电极通过电极片进行电连接、第一LED芯片的负电极与第二LED芯片的正电极通过电极片进行电连接，所述电极片被所述树脂胶包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片和第二LED芯片的电极部分；所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔。
根据本发明的实施例，所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的长宽尺寸与所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的长宽尺寸一致。
根据本发明的实施例，所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片通过透明粘合剂固定于所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上，所述透明粘合剂填充所述多个半球形凹孔。
根据本发明的实施例，还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的引出端子，所述引出端子为直线型，其一端***所述各向异性导电树脂层内，另一端伸出所述各项异性导电树脂层外。
根据本发明的实施例，还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的引出端子，所述引出端子为L型，其短边***所述各向异性导电树脂层内且与所述电极片相对，长边伸出所述各项异性导电树脂层外。
根据本发明的实施例，所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片中的一个LED芯片为损坏的LED芯片，该损坏的LED芯片对应位置的树脂胶内形成有电连接该损坏的LED芯片的正负电极上的两个电极片的导电路径，所述导电路径是通过激光束照射该损坏的LED芯片对应位置的树脂胶以活化其内部的激光可活化金属络合物而形成的金属导电路径。
本发明的优点如下：
(1)利用上下两个荧光玻璃进行LED芯片的上下对位，且利用焊料实现上下LED芯片的互相串联，步骤简单，成本极低；
(2)含有金属络合物的树脂胶作为粘合胶使得上下荧光玻璃进行胶合，半球形凹孔实现了光的大角度发射光；
(3)在上下LED芯片的电极之间***电极片，在某一LED芯片断路时，利用激光活化该区域的金属络合物以实现修复整个串联的LED通路，方便可行。
附图说明
图1为第一实施例的LED照明用面光源的剖视图；
图2为第一实施例的LED照明用面光源的俯视图；
图3为第二实施例的LED照明用面光源的剖视图；
图4为第二实施例的LED照明用面光源形成导电路径的示意图。
具体实施方式
第一实施例
参见图1-2，第一实施例的LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃1、第二荧光玻璃2和介于所述第一荧光玻璃1与所述第二荧光玻璃2之间的绝缘粘合胶7，所述第一荧光玻璃1和所述第二荧光玻璃2具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃1叠置于所述第二荧光玻璃2之上；所述第一荧光玻璃1的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽3a，所述第二荧光玻璃2的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽3b(参见附图2)，所述多个第一凹槽3a内设置有多个第一LED芯片5a，所述多个第二凹槽3b内设置有多个第二LED芯片5b；所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极9和一负电极10，所述正电极9与所述负电极10均从所述多个第一凹槽3a或所述多个第二凹槽3b凸出，所述多个第一LED芯片5a与所述多个第二LED芯片5b上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片5a和第二LED芯片5b整体呈现S形排布，使得第一LED芯片5a的正电极与第二LED芯片5b的负电极通过焊料8进行电连接、第一LED芯片5a的负电极与第二LED芯片5b的正电极通过所述焊料8进行电连接，所述焊料8被所述绝缘粘合胶7包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片5a和第二LED芯片5b的电极部分；所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔4。所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的长宽尺寸与所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的长宽尺寸一致。
所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b通过透明粘合剂6固定于所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的底面上，所述透明粘合剂6填充所述多个半球形凹孔4。
还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的引出端子11和12，所述引出端子11和12为直线型，其一端***所述各向异性导电树脂层7内，另一端伸出所述各项异性导电树脂层7外。
第二实施例
第一实施例的面光源在具有损坏的LED芯片时将导致整个LED灯串的不能使用，而第二实施例可以避免该弊端。具体参见图3-4，第二实施例的LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃1、第二荧光玻璃2和介于所述第一荧光玻璃1与所述第二荧光玻璃2之间的包含有激光可活化金属络合物的树脂胶17，所述第一荧光玻璃1和所述第二荧光玻璃2具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃1叠置于所述第二荧光玻璃2之上；所述第一荧光玻璃1的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽3a，所述第二荧光玻璃2的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽3b，所述多个第一凹槽3a内设置有多个第一LED芯片5a，所述多个第二凹槽3b内设置有多个第二LED芯片5b；所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极9和一负电极10，所述正电极9与所述负电极10均从所述多个第一凹槽3a或所述多个第二凹槽3b凸出，所述多个第一LED芯片5a与所述多个第二LED芯片5b上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片5a和第二LED芯片5b整体呈现S形排布，使得第一LED芯片5a的正电极与第二LED芯片5b的负电极通过电极片13进行电连接、第一LED芯片5a的负电极与第二LED芯片5b的正电极通过电极片13进行电连接，所述电极片13被所述树脂胶17包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片5a和第二LED芯片5b的电极部分；所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔4。所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的长宽尺寸与所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的长宽尺寸一致。
所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b通过透明粘合剂6固定于所述多个第一凹槽3a和多个第二凹槽3b的底面上，所述透明粘合剂6填充所述多个半球形凹孔4。
根据本发明的实施例，还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b的引出端子11a和12a，所述引出端子11a和12a为L型，其短边***所述各向异性导电树脂层7内且与所述电极片13相对，长边伸出所述各项异性导电树脂层7外。
参见图4，当所述多个第一LED芯片5a和多个第二LED芯片5b中的一个LED芯片14为损坏的LED芯片14，该损坏的LED芯片14对应位置的树脂胶17内形成有电连接该损坏的LED芯片的正负电极上的两个电极片13的导电路径16，所述导电路径16是通过激光束18照射该损坏的LED芯片14对应位置的树脂胶17以活化其内部的激光可活化金属络合物而形成的金属导电路径。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃、第二荧光玻璃和介于所述第一荧光玻璃与所述第二荧光玻璃之间的绝缘粘合胶，所述第一荧光玻璃和所述第二荧光玻璃具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃叠置于所述第二荧光玻璃之上；所述第一荧光玻璃的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽，所述第二荧光玻璃的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽，所述多个第一凹槽内设置有多个第一LED芯片，所述多个第二凹槽内设置有多个第二LED芯片；所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极和一负电极，所述正电极与所述负电极均从所述多个第一凹槽或所述多个第二凹槽凸出，所述多个第一LED芯片与所述多个第二LED芯片上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片和第二LED芯片整体呈现S形排布，使得第一LED芯片的正电极与第二LED芯片的负电极通过焊料进行电连接、第一LED芯片的负电极与第二LED芯片的正电极通过焊料进行电连接，所述焊料被所述绝缘粘合胶包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片和第二LED芯片的电极部分；所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔。
2.一种LED照明用面光源，其包括第一荧光玻璃、第二荧光玻璃和介于所述第一荧光玻璃与所述第二荧光玻璃之间的包含有激光可活化金属络合物的树脂胶，所述第一荧光玻璃和所述第二荧光玻璃具有相同的尺寸和形状，所述第一荧光玻璃叠置于所述第二荧光玻璃之上；所述第一荧光玻璃的第一面上设置有阵列式排布的多个第一凹槽，所述第二荧光玻璃的第二面上设置有阵列式排布的多个第二凹槽，所述多个第一凹槽内设置有多个第一LED芯片，所述多个第二凹槽内设置有多个第二LED芯片；所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的每一个均为倒装LED芯片，且均包括一正电极和一负电极，所述正电极与所述负电极均从所述多个第一凹槽或所述多个第二凹槽凸出，所述多个第一LED芯片与所述多个第二LED芯片上下彼此交错且部分重叠的排布且在俯视观察时，第一LED芯片和第二LED芯片整体呈现S形排布，使得第一LED芯片的正电极与第二LED芯片的负电极通过电极片进行电连接、第一LED芯片的负电极与第二LED芯片的正电极通过电极片进行电连接，所述电极片被所述树脂胶包覆，并且所述部分重叠的部分为第一LED芯片和第二LED芯片的电极部分；所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上设置有阵列式排布的多个半球形凹孔。
3.根据权利要求1或2所述的LED照明用面光源，其特征在于：所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的长宽尺寸与所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的长宽尺寸一致。
4.根据权利要求3所述的LED照明用面光源，其特征在于：所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片通过透明粘合剂固定于所述多个第一凹槽和多个第二凹槽的底面上，所述透明粘合剂填充所述多个半球形凹孔。
5.根据权利要求1所述的LED照明用面光源，其特征在于：还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的引出端子，所述引出端子为直线型，其一端***所述各向异性导电树脂层内，另一端伸出所述各项异性导电树脂层外。
6.根据权利要求2所述的LED照明用面光源，其特征在于：还包括电连接末端的所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的引出端子，所述引出端子为L型，其短边***所述各向异性导电树脂层内且与所述电极片相对，长边伸出所述各项异性导电树脂层外。
7.根据权利要求2所述的LED照明用面光源，其特征在于：所述多个第一LED芯片和多个第二LED芯片中的一个LED芯片为损坏的LED芯片，该损坏的LED芯片对应位置的树脂胶内形成有电连接该损坏的LED芯片的正负电极上的两个电极片的导电路径，所述导电路径是通过激光束照射该损坏的LED芯片对应位置的树脂胶以活化其内部的激光可活化金属络合物而形成的金属导电路径。
CN201810179815.9A 2018-03-05 2018-03-05 一种led照明用面光源 Active CN108417568B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810179815.9A CN108417568B (zh) 2018-03-05 2018-03-05 一种led照明用面光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810179815.9A CN108417568B (zh) 2018-03-05 2018-03-05 一种led照明用面光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108417568A true CN108417568A (zh) 2018-08-17
CN108417568B CN108417568B (zh) 2020-04-21

Family

ID=63130140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810179815.9A Active CN108417568B (zh) 2018-03-05 2018-03-05 一种led照明用面光源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108417568B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109461724A (zh) * 2018-11-14 2019-03-12 佛山市国星半导体技术有限公司 一种多晶串高压led芯片
CN111477659A (zh) * 2020-04-15 2020-07-31 山东傲晟智能科技有限公司 一种柔性显示面板及其修复方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077176A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 光学装置の製造方法及び光学装置
CN203800084U (zh) * 2014-03-06 2014-08-27 晶科电子（广州）有限公司 一种立体发光led器件
CN105161608A (zh) * 2015-07-03 2015-12-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led灯丝发光条及其制备方法
CN106298754A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 鸿利智汇集团股份有限公司 一种csp灯珠的制作方法及csp灯珠
CN106531731A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 鸿利智汇集团股份有限公司 一种无支架led封装结构及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077176A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 光学装置の製造方法及び光学装置
CN203800084U (zh) * 2014-03-06 2014-08-27 晶科电子（广州）有限公司 一种立体发光led器件
CN105161608A (zh) * 2015-07-03 2015-12-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led灯丝发光条及其制备方法
CN106298754A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 鸿利智汇集团股份有限公司 一种csp灯珠的制作方法及csp灯珠
CN106531731A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 鸿利智汇集团股份有限公司 一种无支架led封装结构及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109461724A (zh) * 2018-11-14 2019-03-12 佛山市国星半导体技术有限公司 一种多晶串高压led芯片
CN111477659A (zh) * 2020-04-15 2020-07-31 山东傲晟智能科技有限公司 一种柔性显示面板及其修复方法
CN111477659B (zh) * 2020-04-15 2022-12-16 东莞市兴展光电科技有限公司 一种柔性显示面板及其修复方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108417568B (zh) 2020-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3748512B2 (ja) ループアンテナを備えたチップカードと結合されるマイクロモジュール
US20150097040A1 (en) Booster antenna structure
US20150129665A1 (en) Connection bridges for dual interface transponder chip modules
BRPI0809495A2 (pt) Cartão com chip com interface de comunicação dual
BR102015010231A2 (pt) módulo de cartão inteligente, e, cartão inteligente
CN105051923A (zh) 发光装置及其制造方法
CN108417568A (zh) 一种led照明用面光源
CN103400831B (zh) 一种全压接igbt模块及其装配方法
US11630981B2 (en) Connection bridges for dual interface transponder chip modules
CN103000608A (zh) 一种多组件的芯片封装结构
CN109844699A (zh) 布线体、布线基板、以及接触式传感器
CN102185086B (zh) 一种led支架及具有该支架的led
CN103295670A (zh) 透明导电膜
CN107683534A (zh) 发光模块
CN108417700B (zh) 一种双面出光的led封装结构
CN110323319A (zh) 发光模块及发光模块的制造方法
CN207883684U (zh) 一种显示装置的绑定结构、各项异性导电膜、电极和显示装置
CN111162157A (zh) 一种led显示模组
US9996790B2 (en) Multilayer wiring coupling dual interface card carrier-band module
CN202034413U (zh) 一种led支架及具有该支架的led
US8888352B2 (en) Backlight structure and method for manufacturing the same
US8763912B1 (en) Dual interface module and dual interface card having a dual interface module
CN108764439B (zh) 一种双面板接触式ic卡条带及其制备方法
CN209046748U (zh) 封装结构、可调焦透镜及摄像模组
CN216957395U (zh) mini LED背光结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200325

Address after: 200030 building 26, No. 1000, Jinhai Road, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: SHANGHAI WELLMAX LIGHTING INDUSTRY Co.,Ltd.

Address before: 262500 Shandong city of Weifang province Qingzhou City Road No. 8979 Weifang yunmenshan engineering Career Academy

Applicant before: Sun Aifen

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant