CN108390671A - 一种电压转换的方法及电压转换电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电压转换的方法，该方法包括第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；根据所述第一电压，所述金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断所述源极与闸极之间的通道；根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，所述金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压。该方法通过金属氧化物半导体场效晶体管进行电压转换，可以有效降低电压转换的设计成本以及空间占用。本发明还公开了一种电压转换电路，同样具有上述有益效果。

Description

一种电压转换的方法及电压转换电路

技术领域

本发明涉及计算机领域，特别涉及一种电压转换的方法；还涉及一种电压转换电路。

背景技术

随着计算机技术的发展，芯片设计越来越多样。目前，不同芯片，其电压大多设计为不同的电压值，许多新兴芯片均设计为低电压芯片。此时，便需要考虑两组不同电压的芯片如何进行讯号传输，从而，不会因为芯片电压值的不同而导致***工作异常，例如，高电压的芯片与低电压芯片进行讯号传输时，使低电压芯片的脚位遭到损坏。

为了保障各芯片可以正常进行讯号传输，目前采用电压转换芯片进行电压转换。但是，电压转换芯片往往价格昂贵，并且利用电压转换芯片进行电压转换时，其转换线路需占用印刷电路板的较大空间。

因此，如何提供一种价格便宜、电路简单的电压转换方法是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种电压转换的方法，该方法可以有效降低电压转换的设计成本以及空间占用。本发明的另一个目的是提供一种电压转换电路，同样具有上述有益效果。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种电压转换的方法，所述方法包括：

第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

根据所述第一电压，所述金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断所述源极与闸极之间的通道；

根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，所述金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压。

其中，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压包括：

所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压。

其中，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压还包括：

所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种电压转换电路，所述电路包括：

第一芯片，用于向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

金属氧化物半导体场效晶体管，用于根据所述第一电压，导通或关断所述源极与闸极之间的通道；并根据根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压；

第二芯片，用于接收所述第二电压。

其中，所述第一芯片具体用于：

向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压或向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。

其中，所述金属氧化物半导体场效晶体管具体为双金属氧化物半导体场效晶体管。

本发明所提供的电压转换的方法，包括第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；根据所述第一电压，所述金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断所述源极与闸极之间的通道；根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，所述金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压。

相比较于传统利用电压转换芯片进行电压转换的方法，本发明所提供的电压转换方法，通过金属氧化物半导体场效晶体管来执行不同芯片间的电压转换的操作，在实现各芯片之间讯号传输的同时，有效降低了电压转换的设计成本以及空间占用，满足了成本管控需求。

本发明所提供的电压转换电路，同样具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的电压转换的方法的流程示意图；

图2为本发明实施例所提供的电压转换电路的示意图；

图3为本发明实施例所提供的多芯片的电压转换的示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种电压转换的方法，该方法可以有效降低电压转换的设计成本以及空间占用。本发明的另一个核心是提供一种电压转换电路，同样具有上述有益效果。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1，图1为本发明实施例所提供的电压转换的方法的流程示意图；参考图1可知，该方法可以包括以下步骤：

S100：第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

具体的，第一芯片的讯号引脚，即用于传输讯号的引脚与金属氧化物半导体场效晶体管的源极引脚相连接，从而通过该讯号引脚向金属氧化物半导体场效晶体管的源极引脚传送第一电压。

其中，上述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压包括：第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送高凖位电压。

具体的，当第一芯片的电压为高电压时，第一芯片需向第二芯片传递高凖位，此时，其会向与之相连接的金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送一个高凖位电压，从而实现通知第二芯片该第一芯片为高电压芯片的目的，进而完成第一芯片与第二芯片之间讯号的传输。

其中，上述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极发送第一电压还包括：第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送低凖位电压。

具体的，当第一芯片的电压为低电压时，其会向与之相连接的金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送一个低凖位电压，从而通知第二芯片此时该第一芯片为低电压芯片，进而完成第一芯片与第二芯片之间讯号的传输。

S200：根据第一电压，金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断源极与闸极之间的通道；

S300：根据源极与闸极之间的通道的导通或关断情况，金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与第一电压相对应的第二电压。

具体的，由于第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极所传送的电压可能为高凖位电压还可能为低凖位电压，与之相对应的金属氧化物半导体场效晶体管的源极与闸极之间的通道会存在关断于导通两种状态，进一步，金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出的第二电压会对应于高凖位电压与低凖位电压，即第二电压可能为高凖位电压，也可能为低凖位电压。当第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送高凖位电压，例如5V电压时，该金属氧化物半导体场效晶体管的源极与闸极之间的通道便处于关断状态，即不导通的状态。此时第二芯片与金属氧化物半导体场效晶体管的基极相连的引脚的电压会上拉为该引脚自身的电压，如3.3V，此时第二芯片接收到高凖位通知；相反，当第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送低凖位电压，例如0V电压时，该金属氧化物半导体场效晶体管源极与闸极之间的通道便会导通，对应的，第二芯片与金属氧化物半导体场效晶体管的基极相连的引脚的电压会由于源极电压而被拉至低凖位电压0V，于是，第二芯片接收到低凖位通知。

重要的是，上述第一芯片、第二芯片以及第一电压、第二电压的描述仅仅用来将不同的两个芯片以及两个电压区分开来，而不用以表示该芯片、电压或操作之间存在任何实际的关系或者顺序。此外，上述高凖位电压、低凖位电压是相对的，例如，第一芯片的电压相对于第二芯片的电压为高凖位电压，第二芯片的电压则相对于第一芯片的电压为低凖位电压。

综上所述，本发明所提供的电压转换方法，通过金属氧化物半导体场效晶体管来执行不同电压的芯片间的电压转换的操作，在实现各芯片之间讯号传输的同时，有效降低了电压转换的设计成本以及空间占用，满足了成本管控需求。

本发明还提供了一种电压转换电路，下文描述的该电压转换电路可以与上文描述的电压转换的方法相互对应参照。请参考图2，图2为本发明实施例所提供的电压转换电路的示意图；通过图2可知，该电压转换电路可以包括：

第一芯片10，用于向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

金属氧化物半导体场效晶体管20，用于根据第一电压，导通或关断源极与闸极之间的通道；并根据源极与闸极之间的通道的导通或关断情况，通过基极向第二芯片30输出与第一电压相对应的第二电压；

第二芯片30，用于接收第二电压。

具体的，第一芯片10中用于传输讯号的引脚与金属氧化物半导体场效晶体管20的源极引脚相连接，第二芯片30的用于传输讯号的引脚与金属氧化物半导体场效晶体管的基极引脚相连接。在此基础上，第一芯片10向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；金属氧化物半导体场效晶体管20，导通或关断源极与闸极之间的通道；并根据源极与闸极之间的通道的导通或关断情况，通过基极向第二芯片30输出与第一电压相对应的第二电压。

其中，第一芯片10具体用于：向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送高凖位电压或向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送低凖位电压。

具体地，当第一芯片10为高电压芯片，该第一芯片10会向金属氧化物半导体场效晶体管20的源极传送一个高凖位电压；当第一芯片10为低电压芯片时，该第一芯片10会向金属氧化物半导体场效晶体管20的源极发送一个低凖位电压。

其中，金属氧化物半导体场效晶体管20具体为双金属氧化物半导体场效晶体管。

具体的，由于在实际应用中，需要进行电压转换的芯片的个数可能不止两个，还可能为四个。所以，可以将两个金属氧化物半导体场效晶体管封装在一起，通过该双金属氧化物半导体场效晶体管实现四个芯片的电压转换。如图3所示，图3为本发明实施例所提供的多芯片的电压转换的示意图；其中，芯片1与芯片2通过金属氧化物半导体场效晶体管1进行电压转换，芯片3与芯片4通过金属氧化物半导体场效晶体管2进行电压转换。当然，还可以根据实际情况扩充金属氧化物半导体场效晶体管的数量，以满足多芯片电压转换的需求。

说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置、设备以及计算机可读存储介质而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

以上对本发明所提供的电压转换的方法以及电压转换电路进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种电压转换的方法，其特征在于，包括：

第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

根据所述第一电压，所述金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断所述源极与闸极之间的通道；

根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，所述金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压包括：

所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压还包括：

所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。

4.一种电压转换电路，其特征在于，所述电路包括：

第一芯片，用于向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；

金属氧化物半导体场效晶体管，用于根据所述第一电压，导通或关断所述源极与闸极之间的通道；并根据根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压；

第二芯片，用于接收所述第二电压。

5.根据权利要求4所述的电压转换电路，其特征在于，所述第一芯片具体用于：

向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压或向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。

6.根据权利要求5所述的电压转化电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管具体为双金属氧化物半导体场效晶体管。