CN108388057A - 阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板，其***电路区域包括由下至上依次设置的***区基板、***区TFT层、***区钝化层、色阻层、***区PFA层及连接线层，所述色阻层设有第一过孔，所述***区PFA层在第一过孔中对应设有第二过孔，所述第二过孔的孔壁属于所述***区PFA层，所述***区钝化层在所述第二过孔下方对应设有与第二过孔相贯通的第三过孔，相对应的第二过孔和第三过孔共同组成转接过孔，所述连接线层通过转接过孔与***区TFT层相接触，通过在***区钝化层和***区PFA层之间设置色阻层，并将***区PFA层的用于转接的过孔设于色阻层中，能提高***区PFA层的粘附性，降低***区PFA层发生剥落的风险，从而提高PFA产品的良率。

Description

阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种能够降低***PFA层剥落风险的阵列基板。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管基板(Thin Film Transistor，TFT)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封框胶(Sealant)组成。
COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色色阻层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率。
传统的COA型显示面板中，阵列基板通常包括衬底基板、形成于衬底基板上的TFT层、形成于TFT层上的第一钝化层(PV1)、设于第一钝化层上的彩色色阻层、设于彩色色阻层上的第二钝化层(PV2)及设于第二钝化层上的像素电极层，其中，所述TFT层具体包括设于所述衬底基板上的栅极金属层、设于栅极金属层上的栅极绝缘层(GI)、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层、及栅极绝缘层上的源漏极金属层；另外，第一钝化层(PV1)和第二钝化层(PV2)上需形成过孔，具体包括阵列基板的显示区域(Active Area，AA)中连接薄膜晶体管漏极和像素电极的过孔、以及***集成电路区域中的转接过孔；但是该彩色色阻层并不覆盖***区域，即该阵列基板在转接过孔处并不设置彩色色阻层。
如图1-2所示，所述阵列基板在***电路区域包括由下至上依次设置的衬底基板11、设于衬底基板11上的数据线(Date line)12、设于衬底基板11及数据线12上的栅极绝缘层13、设于栅极绝缘层13上的半导体层14、设于半导体层14及栅极绝缘层13上的栅极线(Gate line)15、设于栅极绝缘层13及栅极线15上的第一钝化层16、设于第一钝化层16上的第二钝化层17以及设于第二钝化层17上的像素电极层18，其中，所述栅极线15和数据线12上方对应设有转接孔19，所述像素电极层18通过所述转接孔19连接栅极线15和数据线12。
随着消费者对液晶显示装置要求越来越高，TFT-LCD正逐渐向大尺寸、高解析度、曲面显示等方向发展。随着液晶显示装置尺寸增大，由液晶盒盒厚(cell gap)的均一性不佳导致的显示亮度不均(Mura)等不良将会更加明显。因此，在大尺寸液晶显示面板的制作过程中，已经形成薄膜晶体管的基板上通常需要覆盖一层透明的PFA(Polymer Film onArray，阵列基板侧有机膜)层来代替第二钝化层，以改变下层膜表面的平整性，防止电场互相干扰，从而可有效改善由于地形因素造成的液晶显示装置的显示Mura，降低寄生电容，减少由电负载(RC loading)过大造成的闪烁等显示异常，提升显示装置的品质。如图3所示，在PFA产品的阵列基板的***电路区域PFA层20代替第二钝化层17设于第一钝化层16上。但在PFA制程中，很容易产生PFA层的剥落(Peeling)不良，特别是面外转接孔区域，PFA层剥落的发生率很高，而面内过孔区域PFA层剥落的发生率则很低。现有PFA产品的阵列基板上，PFA层在***电路区域易发生剥落不良，究其原因，一是其***电路区域中PFA层直接设于第一钝化层上，而在显示区域中PFA层是设置在彩色色阻层上，PFA层与彩色色阻层的黏附力比与第一钝化层的黏附力好，二是显示区域中PFA层的过孔设于彩色色阻层的过孔内，PFA层的过孔后方存在色阻，那么在阵列基板的制作过程中当风刀吹过的时候PFA层不容易剥落，而***显示区域中PFA层的过孔后方没有色阻，风刀吹的时候容易将***显示区域的PFA层吹起，造成PFA层在***的过孔处剥落，而PFA层剥落会导致导电层接触异常，最终造成点灯画面异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，其***区钝化层和***区PFA层之间设有色阻层，***区PFA层的过孔设于色阻层中，能提高***区PFA层的粘附性，降低***区PFA层发生剥落的风险，从而提高PFA产品的良率。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括显示区域及位于显示区域***的***电路区域；
所述***电路区域包括***区基板、设于***区基板的***区TFT层、设于***区TFT层上的***区钝化层、设于***区钝化层上的色阻层、设于色阻层上的***区PFA层及设于***区PFA层上的连接线层；
其中，所述色阻层设有第一过孔，所述***区PFA层在所述第一过孔中对应设有第二过孔，所述第二过孔的孔壁属于所述***区PFA层，所述***区钝化层在所述第二过孔下方对应设有与第二过孔相贯通的第三过孔，相对应的第二过孔和第三过孔共同组成转接过孔；所述连接线层通过转接过孔与***区TFT层相接触。
所述***区TFT层包括数据线和栅极线；所述转接过孔包括第一转接过孔和第二转接过孔，所述第一转接过孔对应设于所述数据线上方，所述第二转接过孔对应设于所述栅极线上方。
所述***区TFT层具体包括设于***区基板上的数据线、设于***区基板及数据线上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层以及设于栅极绝缘层及半导体层上的栅极线。
所述栅极绝缘层在所述第一转接过孔下方对应设有与第一转接过孔相贯通的第四过孔，所述连接线层通过所述第一转接过孔、第四过孔和第二转接过孔连接所述数据线和栅极线。
所述半导体层包括非晶硅层及设于非晶硅层上经N型掺杂的源漏极接触层；
所述栅极绝缘层的材料为氮化硅。
所述阵列基板为COA型阵列基板；所述显示区域包括显示区基板、设于显示区基板上的显示区TFT层、设于显示区TFT层上的显示区钝化层、设于显示区钝化层上的彩膜层、设于彩膜层上的显示区PFA层及设于显示区PFA层上的像素电极层。
所述***区基板与所述显示区基板相连并属于同一基板；所述***区TFT层与所述显示区TFT层同层设置；所述***区钝化层与所述显示区钝化层同层设置，并具有相同的材料；所述色阻层与所述彩膜层同层设置，并具有相同的材料；所述***区PFA层与所述显示区PFA层同层设置，并具有相同的材料；所述连接线层与所述像素电极层同层设置，并具有相同的材料。
所述连接线层与所述像素电极层的材料为氧化铟锡。
所述显示区TFT层包括TFT器件，所述TFT器件包括漏极，所述漏极上方设有连接过孔，所述像素电极层通过所述连接过孔和TFT器件的漏极相接触。
所述彩膜层在所述漏极上方设有第四过孔，所述显示区PFA层在所述第四过孔中对应设有第五过孔，所述第五过孔的孔壁属于所述显示区PFA层，所述显示区钝化层在所述第五过孔下方对应设有与第五过孔相贯通的第六过孔，相对应的第五过孔和第六过孔共同组成所述连接过孔。
本发明的有益效果：本发明提供的一种阵列基板，包括显示区域及位于显示区域***的***电路区域；所述***电路区域包括由下至上依次设置的***区基板、***区TFT层、***区钝化层、色阻层、***区PFA层及连接线层，所述色阻层设有第一过孔，所述***区PFA层在所述第一过孔中对应设有第二过孔，所述第二过孔的孔壁属于所述***区PFA层，所述***区钝化层在所述第二过孔下方对应设有与第二过孔相贯通的第三过孔，相对应的第二过孔和第三过孔共同组成转接过孔，所述连接线层通过转接过孔与***区TFT层相接触；本发明通过在***区钝化层和***区PFA层之间设置色阻层，并将***区PFA层的用于转接的过孔设于色阻层中，能提高***区PFA层的粘附性，降低***区PFA层发生剥落的风险，从而提高PFA产品的良率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有一种阵列基板在***电路区域的平面示意图；
图2为非PFA产品的阵列基板沿图1中A-A线的剖面结构示意图；
图3为PFA产品的阵列基板沿图1中A-A线的剖面结构示意图；
图4为本发明的阵列基板的***电路区域的平面示意图；
图5为本发明的阵列基板沿图4中B-B线的剖面结构示意图；
图6为本发明的阵列基板的显示区域在连接过孔处的剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4-6，本发明提供一种阵列基板，包括显示区域6及位于显示区域6***的***电路区域3。
所述***电路区域3包括***区基板31、设于***区基板31上的***区TFT层32、设于***区TFT层32上的***区钝化层33、设于***区钝化层33上的色阻层34、设于色阻层34上的***区PFA层35及设于***区PFA层35上的连接线层36；其中，所述色阻层34设有第一过孔51，所述***区PFA层35在所述第一过孔51中对应设有第二过孔52，所述第二过孔52的孔壁属于所述***区PFA层35，所述***区钝化层33在所述第二过孔52下方对应设有与第二过孔52相贯通的第三过孔53，相对应的第二过孔52和第三过孔53共同组成转接过孔55；所述连接线层36通过所述转接过孔55与所述***区TFT层32相接触。
本发明阵列基板在***区钝化层33和***区PFA层35之间设置色阻层34，所述色阻层34设有第一过孔51，并将***区PFA层35的用于转接的第三过孔53设于色阻层34的第一过孔51中，能提高***区PFA层35的粘附性，降低***区PFA层35发生剥落的风险，从而提高PFA产品的良率。
具体地，所述***区TFT层32包括数据线37和栅极线40；所述转接过孔55包括第一转接过孔56和第二转接过孔57，所述第一转接过孔56对应设于所述数据线37上方，所述第二转接过孔57对应设于所述栅极线40上方。
具体地，所述***区TFT层32具体包括设于***区基板31上的数据线37、设于***区基板31及数据线37上的栅极绝缘层38、设于栅极绝缘层38上的半导体层39以及设于栅极绝缘层38及半导体层39上的栅极线40。
具体地，所述栅极绝缘层38在所述第一转接过孔56下方对应设有与第一转接过孔56相贯通的第四过孔54，所述连接线层36通过所述第一转接过孔56、第四过孔54和第二转接过孔57连接所述数据线37和栅极线40。
具体地，所述半导体层39包括非晶硅层(a-Si)41及设于非晶硅层41上经N型掺杂的源漏极接触层(N+a-Si)42。
具体地，所述栅极绝缘层38的材料为氮化硅(SiNx)。
具体地，所述阵列基板为COA型阵列基板；如图6所示，所述显示区域6包括显示区基板61、设于显示区基板61上的显示区TFT层62、设于显示区TFT层62上的显示区钝化层63、设于显示区钝化层63上的彩膜层64、设于彩膜层64上的显示区PFA层65及设于显示区PFA层65上的像素电极层66。
具体地，所述***区基板31与所述显示区基板61相连并属于同一基板；所述***区TFT层32与所述显示区TFT层62同层设置；所述***区钝化层33与所述显示区钝化层63同层设置，并具有相同的材料；所述色阻层34与所述彩膜层64同层设置，并具有相同的材料；所述***区PFA层35与所述显示区PFA层65同层设置，并具有相同的材料；所述连接线层36与所述像素电极层66同层设置，并具有相同的材料。
具体地，所述连接线层36与所述像素电极层66的材料为氧化铟锡(ITO)。
具体地，所述显示区TFT层62包括TFT器件T，所述TFT器件T包括漏极67，所述漏极67上方设有连接过孔77，所述像素电极层66通过所述连接过孔77和TFT器件T的漏极67相接触。
具体地，所述彩膜层64在所述漏极67上方设有第四过孔74，所述显示区PFA层65在所述第四过孔74中对应设有第五过孔75，所述第五过孔75的孔壁属于所述显示区PFA层65，所述显示区钝化层63在所述第五过孔75下方对应设有与第五过孔75相贯通的第六过孔76，相对应的第五过孔75和第六过孔76共同组成所述连接过孔77。
综上所述，本发明提供的一种阵列基板，包括显示区域及位于显示区域***的***电路区域；所述***电路区域包括由下至上依次设置的***区基板31、***区TFT层32、***区钝化层33、色阻层34、***区PFA层35及连接线层36，所述色阻层34设有第一过孔51，所述***区PFA层35在所述第一过孔51中对应设有第二过孔52，所述第二过孔52的孔壁属于所述***区PFA层35，所述***区钝化层33在所述第二过孔52下方对应设有与第二过孔52相贯通的第三过孔53，相对应的第二过孔52和第三过孔53共同组成转接过孔55，所述连接线层36通过转接过孔55与***区TFT层32相接触；本发明通过在***区钝化层33和***区PFA层35之间设置色阻层34，并将***区PFA层35的用于转接的过孔设于色阻层中，能提高***区PFA层的粘附性，降低***区PFA层发生剥落的风险，从而提高PFA产品的良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域(6)及位于显示区域(6)***的***电路区域(3)；
所述***电路区域(3)包括***区基板(31)、设于***区基板(31)上的***区TFT层(32)、设于***区TFT层(32)上的***区钝化层(33)、设于***区钝化层(33)上的色阻层(34)、设于色阻层(34)上的***区PFA层(35)及设于***区PFA层(35)上的连接线层(36)；
其中，所述色阻层(34)设有第一过孔(51)，所述***区PFA层(35)在所述第一过孔(51)中对应设有第二过孔(52)，所述第二过孔(52)的孔壁属于所述***区PFA层(35)，所述***区钝化层(33)在所述第二过孔(52)下方对应设有与第二过孔(52)相贯通的第三过孔(53)，相对应的第二过孔(52)和第三过孔(53)共同组成转接过孔(55)；所述连接线层(36)通过所述转接过孔(55)与***区TFT层(32)相接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述***区TFT层(32)包括数据线(37)和栅极线(40)；所述转接过孔(55)包括第一转接过孔(56)和第二转接过孔(57)，所述第一转接过孔(56)对应设于所述数据线(37)上方，所述第二转接过孔(57)对应设于所述栅极线(40)上方。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述***区TFT层(32)具体包括设于***区基板(31)上的数据线(37)、设于***区基板(31)及数据线(37)上的栅极绝缘层(38)、设于栅极绝缘层(38)上的半导体层(39)以及设于栅极绝缘层(38)及半导体层(39)上的栅极线(40)。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(38)在所述第一转接过孔(56)下方对应设有与第一转接过孔(56)相贯通的第四过孔(54)，所述连接线层(36)通过所述第一转接过孔(56)、第四过孔(54)和第二转接过孔(57)连接所述数据线(37)和栅极线(40)。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层(39)包括非晶硅层(41)及设于非晶硅层(41)上经N型掺杂的源漏极接触层(42)；
所述栅极绝缘层(38)的材料为氮化硅。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为COA型阵列基板；所述显示区域(6)包括显示区基板(61)、设于显示区基板(61)上的显示区TFT层(62)、设于显示区TFT层(62)上的显示区钝化层(63)、设于显示区钝化层(63)上的彩膜层(64)、设于彩膜层(64)上的显示区PFA层(65)及设于显示区PFA层(65)上的像素电极层(66)。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述***区基板(31)与所述显示区基板(61)相连并属于同一基板；所述***区TFT层(32)与所述显示区TFT层(62)同层设置；所述***区钝化层(33)与所述显示区钝化层(63)同层设置，并具有相同的材料；所述色阻层(34)与所述彩膜层(64)同层设置，并具有相同的材料；所述***区PFA层(35)与所述显示区PFA层(65)同层设置，并具有相同的材料；所述连接线层(36)与所述像素电极层(66)同层设置，并具有相同的材料。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线层(36)与所述像素电极层(66)的材料为氧化铟锡。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区TFT层(62)包括TFT器件(T)，所述TFT器件(T)包括漏极(67)，所述漏极(67)上方设有连接过孔(77)，所述像素电极层(66)通过所述连接过孔(77)和TFT器件(T)的漏极(67)相接触。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜层(64)在所述漏极(67)上方设有第四过孔(74)，所述显示区PFA层(65)在所述第四过孔(74)中对应设有第五过孔(75)，所述第五过孔(75)的孔壁属于所述显示区PFA层(65)，所述显示区钝化层(63)在所述第五过孔(75)下方对应设有与第五过孔(75)相贯通的第六过孔(76)，相对应的第五过孔(75)和第六过孔(76)共同组成所述连接过孔(77)。
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