CN108375572A - 基于化学发光法的检测方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于化学发光法的检测方法,该方法包括:将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中;待二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原‑抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片;分离多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量;根据二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到待检测样品中的多种抗原。采用本发明能够同时检测一份待检测样品所包含的多种抗原,有效地提高了检测效率。

Description

基于化学发光法的检测方法及装置
技术领域
本发明属于生物检测技术领域,尤其涉及一种基于化学发光法的检测方法及装置。
背景技术
目前,基于化学发光法的检测方法通常用于医院中为病人检测各种疾病,如果病人所需要检查的项目种类繁多,往往需要病人提供多份待检测样品,例如血液样本,即临床上检测多种抗原需要多份待检测样品,费时费力,而导致检测效率低下。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种基于化学发光法的检测方法及装置,旨在解决现有技术中一份待检测样品仅用于检测一种抗原,而导致检测效率低下的问题。
本发明实施例所采用的技术方案如下:
一方面,一种基于化学发光法的检测方法,包括:将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同;待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片;分离所述多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一种二氧化硅片厚度;根据二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到所述待检测样品中的多种抗原。
优选地,所述二氧化硅片的厚度在40微米至60微米之间。
优选地,所述光源为激光器,中心波长为840纳米。
优选地,所述多组荧光的波长在400纳米至800纳米之间。
优选地,所述分离所述多个待检测二氧化硅片,包括:将所述多个待检测二氧化硅片铺设于一平面。
优选地,所述通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,包括:由所述光源发出相干光照射至透射镜;经由所述透射镜透射至分离后的多个待检测二氧化硅片;分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至所述光电倍增管。
优选地,所述待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片,包括:待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,针对反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,进行包含多余抗体的待检测样品清洗;向反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片通入荧光标记物,使得所述荧光标记物与该二氧化硅中抗原完全反应,进而结合至该二氧化硅片上;针对结合了荧光标记物的二氧化硅片,对过量的荧光标记物进行清洗,形成所述多个待检测二氧化硅片。
另一方面,一种基于化学发光法的检测装置,包括:放置模块,用于将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同;反应模块,用于待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片;激发模块,用于分离所述多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一个二氧化硅片;检测模块,用于根据二氧化硅片的厚度所对应发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到所述待检测样品中的多种抗原。
优选地,所述二氧化硅片的厚度在40微米至60微米之间。
另一方面,一种基于化学发光法的装置,包括处理器及存储器,所述存储器上存储有计算机可读指令,所述计算机可读指令被所述处理器执行时,实现如上所述的基于化学发光法的检测方法。
由上述本发明实施例所提供的技术方案可知,将吸附有抗体的多个二氧化硅片至于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同,以此得到每一种二氧化硅片厚度所对应的发光量,进而根据二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,便能够由多组发光量关联得到待检测样品中的多种抗原,有效地提高了检测效率。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的基于化学发光法的检测方法的流程示意图。
图2为本发明一实施例提供的待检测二氧化硅片形成过程的实现示意图。
图3为本发明一实施例提供的二氧化硅片中抗体结合抗原、荧光标记物后的分子结构示意图。
图4为本发明一实施例提供的荧光激发过程的实现示意图。
图5为本发明一实施例提供的基于化学发光法的检测装置的结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
请参阅图1,在一实施例中,一种基于化学发光法的检测方法,可以包括以下步骤:
步骤110,将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中。
其中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同。优选地,二氧化硅片的厚度在40微米至60微米之间。
具体而言,待检测样品被通入样品承载器皿,再将吸附有不同抗体且厚度不同的二氧化硅片放置在样品承载器皿中,以为后续进行待检测样品中多种抗原检测提供依据。
步骤120,待二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片。
在一实施例的具体实现中,如图2所示,待检测二氧化硅片形成过程可以包括以下步骤:
步骤210,待二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,针对反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,进行包含多余抗体的待检测样品清洗。
也就是说,由于待检测样品中抗原被完全反应,因此,被清洗的是待检测样品及二氧化硅携带的多余抗体,使得二氧化硅片仅被反应完全的抗原-抗体所包被。
包被,指的是二氧化硅片被反应完全的抗原-抗体所覆盖。
步骤220,向反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片通入荧光标记物,使得荧光标记物与该二氧化硅中抗原完全反应,进而结合至该二氧化硅片上。
荧光标记物,也可以理解为发光剂,在外部条件作用下可发光,以此形成可供采集的光信号。
外部条件,可以是反应试剂,例如双氧水,使得反应试剂与荧光标记物反应,进而使得荧光标记物发光;或者,还可以是光源,例如激光器发射的激光灯,使得荧光标记物在光源照射下发光,本实施例中并未对此进行限定。
由此,针对反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅,将荧光标记物通入该二氧化硅中,使得荧光标记物与该二氧化硅片中抗原完全反应,以便于后续二氧化硅能够因其所结合的荧光标记物而被激发出多组荧光。
步骤230,针对结合了荧光标记物的二氧化硅片,对过量的荧光标记物进行清洗,形成多个待检测二氧化硅片。
本实施例中,清洗是针对多余的荧光标记物,使得二氧化硅片仅被反应完全的抗原-抗体-荧光标记物所包被。
如图3所示,待检测二氧化硅片,即是二氧化硅中抗体分别与待检测样品中抗原、荧光标记物反应完全后所形成的。
步骤130,分离多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一种二氧化硅片厚度。
在一实施例的具体实现中,分离过程可以包括以下步骤:将多个待检测二氧化硅片铺设于一平面。
进一步地,基于铺设于一平面的多个待检测二氧化硅片,如图4所示,荧光激发过程可以包括以下步骤:
步骤310,由光源发出相干光照射至透射镜。
优选地,光源为激光器,中心波长为840纳米。
步骤320,经由透射镜透射至分离后的多个待检测二氧化硅片。
步骤330,分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管。
优选地,多组荧光的波长在400纳米至800纳米之间。
步骤140,根据二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到待检测样品中的多种抗原。
其中,二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,是预先构建并存储的,也就是说,同一种二氧化硅片厚度,如果对应不同发光量,则表示不同抗原,即二氧化硅片厚度所对应的发光量以数字量化的形式实现了对抗原的准确描述。
换而言之,不同二氧化硅厚度,即使对应相同发光量,也将表示出不同的抗原。
由此,在获得对应于多个二氧化硅片的发光量之后,便能够根据上述关联关系由发光量关联得到待检测样品中的抗原。
通过如上所述的过程,实现了对待检测样品中多种抗原的检测,有效地提高了检测效率。
请参阅图5,在一实施例中,一种基于化学发光法的检测装置400包括但不限于:放置模块410、反应模块420、激发模块430和检测模块440。
其中,放置模块410用于将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同。
反应模块420用于待二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片。
激发模块430用于分离多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一个二氧化硅片。
检测模块440用于根据二氧化硅片的厚度所对应发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到待检测样品中的多种抗原。
在一实施例中,一种基于化学发光法的装置,包括处理器及存储器,存储器上存储有计算机可读指令,计算机可读指令被处理器执行时,实现如上述实施例中的基于化学发光法的检测方法。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于化学发光法的检测方法,其特征在于,包括:
将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同;
待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片;
分离所述多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一种二氧化硅片厚度;
根据二氧化硅片厚度所对应的发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到所述待检测样品中的多种抗原。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅片的厚度在40微米至60微米之间。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光源为激光器,中心波长为840纳米。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多组荧光的波长在400纳米至800纳米之间。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分离所述多个待检测二氧化硅片,包括:
将所述多个待检测二氧化硅片铺设于一平面。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,包括:
由所述光源发出相干光照射至透射镜;
经由所述透射镜透射至分离后的多个待检测二氧化硅片;
分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至所述光电倍增管。
7.如权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片,包括:
待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,针对反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片,进行包含多余抗体的待检测样品清洗;
向反应完全的抗原-抗体所包被的二氧化硅片通入荧光标记物,使得所述荧光标记物与该二氧化硅中抗原完全反应,进而结合至该二氧化硅片上;
针对结合了荧光标记物的二氧化硅片,对过量的荧光标记物进行清洗,形成所述多个待检测二氧化硅片。
8.一种基于化学发光法的检测装置,其特征在于,包括:
放置模块,用于将吸附有抗体的多个二氧化硅片置于包含多种抗原的待检测样品中,每一个二氧化硅片的厚度不同且所吸附的抗体不同;
反应模块,用于待所述二氧化硅片所携带的抗体与待检测样品中的抗原反应完全,按照化学发光法处理由反应完全的抗原-抗体包被的二氧化硅片,得到多个待检测二氧化硅片;
激发模块,用于分离所述多个待检测二氧化硅片,通过光源照射使得分离后的多个待检测二氧化硅片被激发出多组荧光,并反射至光电倍增管采集处理得到对应于荧光的多组发光量,每一组发光量对应于一个二氧化硅片;
检测模块,用于根据二氧化硅片的厚度所对应发光量与抗原之间的关联关系,由多组发光量关联得到所述待检测样品中的多种抗原。
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述二氧化硅片的厚度在40微米至60微米之间。
10.一种基于化学发光法的装置,其特征在于,包括:
处理器;
存储器,所述存储器上存储有计算机可读指令,所述计算机可读指令被所述处理器执行时,实现如权利要求1至7中任一项所述的基于化学发光法的检测方法。
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