CN108351595A - 对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法 - Google Patents

对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108351595A
CN108351595A CN201680007966.5A CN201680007966A CN108351595A CN 108351595 A CN108351595 A CN 108351595A CN 201680007966 A CN201680007966 A CN 201680007966A CN 108351595 A CN108351595 A CN 108351595A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bar
mentioned
alignment
alignment mark
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680007966.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108351595B (zh
Inventor
张贤镇
河昊澈
李吉洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ORANGE TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
ORANGE TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ORANGE TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical ORANGE TECHNOLOGY Co Ltd
Publication of CN108351595A publication Critical patent/CN108351595A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108351595B publication Critical patent/CN108351595B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及一种对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法。本发明提供一种对准标记，其确定两个连续的图案层或分别形成于一个层的两个以上的图案间的相对错位，包括：第一对准构造物，其包括一对第一杆及一对第二杆，上述一对第一杆彼此对置，且沿第一方向延伸，上述一对第二杆彼此对置，且沿与第一方向正交的第二方向延伸；以及第二对准构造物，其包括与上述第一杆平行的多对第三杆以及与上述第二杆平行的多对第四杆，且相邻的第三杆之间的间隔不同，相邻的第四杆之间的间隔不同。根据本发明的对准标记，通过使杆之间的间隔不同，最小化了在分析图像时发生的错误。

Description

对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法
技术领域
本发明是有关于一种对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法。
背景技术
在半导体基板上，依次形成多个图案层。并且，通过双重图案化等而分两个图案形成一个层的电路。只有将这种图案层或一个层的多个图案准确地形成至预先设定的位置，才能制造出所期望的半导体元件。
因此，为了确认图案层是否准确地排列，使用与图案层同时形成的对准标记。
利用对准标记测定对准的方法如下。首先，在前一工序(例如蚀刻工序)中形成的图案层作为图案层，与此同时形成作为对准标记的一部分的一个构造物。接着，在后续工序(例如光刻工序)中，在光阻上形成对准标记的剩余的构造物。接着，通过对准测定装置而获得在前一工序中形成的图案层的对准构造物(透过光阻层获取图像)与光阻层的对准构造物的图像，测量这些图像的中心之间的偏移值而测定对准值。若对准值脱离容许范围，则去除光阻层而重新作业。
作为众所周知的对准标记，有箱中箱(box in box，BIB)、进阶影像计量(AdvancedImaging Metrology，AIM)等。并且，如图1所示，还有如下标记：改良BIB而在上层形成正方形形态的箱1，在信号相对较弱的下层具备与箱的各个边平行的多个杆2。如图1所示的标记具有如下问题：由于等间隔地排列多个杆2，因此在信号的强度微弱的情形时，会如图2所示地发生在分析图像时向左侧偏移一个周期而读取的错误。在发生这种错误的情况时，会错误地识别杆的中心位置而错误地计算对准值。
在基于图像而测定对准时，使用利用透镜的折射光学***与向对准标记照射较广的波段的光的光源。在该情况下，还存在如下问题：根据因光源的各波长的折射率差异产生的色像差；以及光经过的透镜的位置的球面像差等而获得的对准标记图像必然应变。此种图像的应变成为降低对准测定的准确性的原因。距图像的中心越远，则对准标记图像的应变越大，这种图像应变还受到如对准标记的子杆的宽度的对准构造物的形状的影响。
＜现有技术文献＞
日本注册专利JP5180419
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种新的对准标记，其是为了确认在半导体制造工序中的图案层是否准确地排列而与图案层同时形成。并且，本发明的目的在于将在通过如上所述地等间隔地排列杆而在分析图像时发生的错误最小化。并且，本发明的目的在于提供一种可采用宽度不同的子杆获得更多的图像应变信息，从而可提高对准测定的准确度的对准标记。
解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明提供一种对准标记，其确定两个连续的图案层或分别形成于一个层的两个以上的图案间的相对错位，上述对准标记包括：第一对准构造物，其包括一对第一杆及一对第二杆，上述一对第一杆彼此对置，且沿第一方向延伸，上述一对第二杆彼此对置，且沿与第一方向正交的第二方向延伸；以及第二对准构造物，其包括与上述第一杆平行的多对第三杆以及与上述第二杆平行的多对第四杆，且相邻的第三杆之间的间隔不同，相邻的第四杆之间的间隔不同，且上述第三杆与上述第四杆分别沿长度方向分割成多个子杆，上述多个子杆形成在同一层，上述多个子杆包括宽度不同的至少两个子杆，上述子杆分别沿宽度方向分割成多个段杆，相邻的上述子杆分割成不同数量的段杆。
并且，本发明提供一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：在形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案时，同时形成对准标记的步骤；利用上述对准标记测定对准值的步骤；以及将所测定到的对准值利用于用以形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的工序控制中的步骤；且上述对准标记为如上所述的对准标记。
并且，提供一种对准测定方法，其特征在于包括如下步骤：获得与形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的同时形成的对准标记的图像的步骤；以及对上述对准标记的图像进行分析的步骤；且上述对准标记为如上所述的对准标记。
发明效果
本发明的对准标记可用作确认在半导体制造工序中图案层是否准确地排列的标记。并且，还可用作确认一个层的多个图案是否准确地排列的标记。
本发明的对准标记具有可通过使杆之间的间隔不同而将在分析图像时发生的错误最小化的优点。
并且，本发明的对准标记具有如下优点：可采用宽度不同的子杆获得更多的图像应变信息，从而可提高对准测定的准确度。即，在本发明中，因各子杆的宽度不同而各子杆的图像应变程度会存在差异。因此，可在子杆的图像中选择应变程度较小的子杆的图像而测定对准或利用宽度不同的多个子杆的图像补偿应变。
附图说明
图1是现有技术的对准标记的俯视图。
图2是说明图1所示的对准标记的图像分析步骤的图。
图3是本发明的对准标记的一实施例的俯视图。
图4是用以说明通过段杆增加信号数量的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地对本发明的一实施例进行说明。然而，本发明的实施例可变形为其他多种形态，本发明的范围不应解释为限定于上述实施例。本发明的实施例是为了向在本技术领域内具有常识者更完整地说明本发明而提供。因此，为了强调更明确的说明，夸张地表示图中要素的形状等，且于图中，以相同的符号表示的要素是指相同的要素。
图3是本发明的对准标记的一实施例的俯视图。
参照图3，本发明的对准标记100的一实施例包括第一对准构造物10及第二对准构造物20。对准标记100可形成在晶圆的划道而用以测定晶圆上的两个以上的图案层之间的对准或单层上的两个以上的图案间的对准。
在用于测定不同的图案层之间的对准的情况时，在不同的图案层形成第一对准构造物10与第二对准构造物20。另外，在用于测定同一层的不同的图案(例如于双重图案化工序中形成的两个图案之间的对准的情况)时，在同一层形成第一对准构造物10与第二对准构造物20。此时，第一对准构造物10与第二对准构造物20是通过不同的工序而形成至同一层。以下，方便起见，以测定不同的图案层之间的对准为基准而进行说明。
如图3所示，在本实施例中，第一对准构造物10包括第一杆12a、12b及第二杆14a、14b。彼此对置的一对第一杆12a、12b沿第一方向较长地形成。彼此对置的一对第二杆14a、14b沿与第一方向正交的第二方向较长地形成。第一方向与第二方向可分别为Y轴方向与X轴方向。第一对准构造物10在整体上大致呈正方形形态，相对于中心点而点对称。
第二对准构造物20具备配置在第一对准构造物10的左右的第一区域22a、22b以及分别配置在上述第一对准构造物的上下的第二区域24a、24b。在本实施例中，第一区域22a、22b包括配置在第一对准构造物10的左侧的三列的第三杆221a、222a、223a与配置在右侧的三列的第三杆221b、222b、223b而共由6个杆构成，第二区域24a、24b还包括上下各为三列的共6个第四杆241a、242a、243a、241b、242b、243b。第三杆221a、222a、223a、221b、222b、223b与第一杆12a、12b一并用于测定X轴方向上的对准，第四杆241a、242a、243a、241b、242b、243b与第二杆14a、14b一并用于测定Y轴方向上的对准。
第三杆221a、222a、223a、221b、222b、223b与第四杆241a、242a、243a、241b、242b、243b越向外侧配置，则长度越长。在本实施例中，由于越向外侧配置则长度越长，因此可在外侧杆221a、241a、221b、241b确保的信号增加。由于将沿杆的长度方向确保的信号相加而进行判断，因此若长度变长，则可获得的信号量增加。配置于外侧的杆221a、241a、221b、241b受损的可能性较高，但在本实施例中，较长地形成配置于外侧的杆221a、241a、221b、241b，因此即便杆的一部分受损，也能确保充分的信号。
从图3中可知，在本实施例中，相邻的杆之间的间隔不同。配置在最内侧的第三杆223a、223b与配置在中间的第三杆222a、222b之间的间隔窄于配置在中间的第三杆222a、222b与配置在最外侧的第三杆221a、221b之间的间隔。相同地，相邻的第四杆之间的间隔也不同。由于杆之间的间隔不同，因此在获得第二对准构造物20的一部分的图像而测定对准时，可以知道被捕获于图像中的杆是配置于哪个位置的杆。例如，在配置于最外侧的第三杆221a、221b受损而仅获得中间与内侧的两个第三杆222a、223a或222b、223b的图像的情况下，在等间隔配置的先前的对准标记中无法区分该图像是最外侧的两个杆221a、222a或221b、222b的图像或者是内侧的两个杆222a、223a或222b、223b的图像，从而在计算对准时，存在发生错误的情况。然而，在本发明中，可根据两个杆之间的间隔而立即确认为配置于最内侧的第三杆223a、223b与配置于中间的第三杆222a、222b的图像，因此不会发生这种错误。
第三杆与第四杆分别包括多个子杆。另外，子杆分别包括多个段杆。所有的杆相同地分割成子杆及段杆，因此以下以位于图中的最左侧的第三杆221a为基准而进行说明。
上述第三杆221a包括3个子杆311a、312a、313a。即，一个杆沿长度方向分割成3个子杆311a、312a、313a。上述子杆中的位于中间的子杆312a的宽度小于其他两个子杆311a、313a的宽度。
如上所述，子杆的宽度不同有助于解决因图像应变引起的问题。例如，在图3中，由于杆223a的子杆331a与子杆332a的宽度不同，故而对照射的光的反射率等反应存在差异，因此图像的应变程度会存在差异。根据情形，宽度更宽的子杆331a的图像的应变程度会小于宽度更窄的子杆332a的图像的应变程度，也可相反。即，在本发明中，各子杆的图像应变程度会存在差异。因此，具有如下优点：也可选择子杆的图像中的应变程度较小的子杆的图像而测定对准或利用宽度不同的多个子杆的图像补偿应变。
更具体而言，若宽度更窄的子杆的图像应变较少，则可利用杆223a的子杆332a与位于以对准标记的中心为基准呈点对称的杆223b的中心的子杆(无构件编号)测定X方向上的对准，在相反的情况下，可利用以对角线对置的杆223a的子杆331a与位于杆223b的下方的子杆(无构件编号)测定X方向上的对准。当然，也可同时利用杆221a或杆222a的子杆及与之呈点对称的子杆。
并且，在本实施例中，一个子杆包括两个或三个段杆。即，配置在中间的子杆312a包括两个段杆342a，剩余的两个子杆311a、313a分别包括三个段杆341a、343a。如图4所示，通常可从一个杆获得两个信号，若将一个子杆分割成两个段杆，则可获得4个信号，因此在再现性及精确度方面有利。并且，通过使各子杆的段杆数量不同，还可以在分别测定各子杆的对准后，对上述各子杆的对准进行比较而评估对准标记的可靠性。
第一对准构造物10与第二对准构造物20为90度旋转不变体，且第一对准构造物10与第二对准构造物20的旋转中心一致，因此本实施例的对准标记100整体为90度旋转不变体。
另一方面，还可相反地形成，但较佳为在前一工序中形成的图案层形成第二对准构造物20，在后续工序中形成的图案层形成第一对准构造物10。由于在前一工序中形成的图案层被在后续工序中形成的图案层遮挡，因此与在后续工序中形成的图案层相比，难以获得准确的图像。因此，其原因在于在前一工序中形成容易实现更准确的测定的第二对准构造物20较为有利。
以下，对利用图3所示的对准标记100的对准测量方法进行说明。对准测量方法包括如下步骤：获得对准标记100的图像的步骤；以及对对准标记100的图像进行分析的步骤。在形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案时，同时形成对准标记100。
获得对准标记100的图像的步骤可包括如下步骤：获得第一对准构造物10的图像的步骤；获得第二对准构造物20的图像的步骤；以及获得这些图像的结合图像的步骤。
在第一对准构造物10与第二对准构造物20形成于不同的层的情况下，可使用不同的光源获得图像。由于在前一工序中形成的第二对准构造物20被在后续工序中形成的图案层覆盖，因此较佳为利用可通过在后续工序中形成的图案层的波长的光获得图像。
对对准标记100的图像进行分析的步骤可为在所获得的结合图像中测定第一对准构造物10的中心与第二对准构造物20的中心的偏移的步骤。并且，也可以是测定与第二对准构造物20的中心及第一对准构造物10的内侧边缘对应的线之间的距离的步骤。
以下，对利用图3所示的对准标记100的半导体元件的制造方法进行说明。利用对准标记100的半导体元件的制造方法是自形成对准标记100的步骤开始。在形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案时，同时形成对准标记100。
其次，利用对准标记100测定对准值。测定对准值的步骤与上述对准测量方法相同。
最后，将所测定到的对准值利用于用以形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的工序控制中。即，将所导出的对准适用于工序控制而于设定的位置形成连续的图案层或两个图案。
以上所说明的实施例仅为本发明的较佳的实施例，本发明的权利范围并不限定于所说明的实施例，可由本技术领域的从业人员在本发明的技术思想与申请专利范围内实现各种变更、变形或替换，应理解为与此相同的实施例属于本发明的范围。

Claims (4)

1.一种对准标记，其确定两个连续的图案层或分别形成于一个层的两个以上的图案间的相对错位，上述对准标记包括：
第一对准构造物，其包括一对第一杆及一对第二杆，上述一对第一杆彼此对置，且沿第一方向延伸，上述一对第二杆彼此对置，且沿与第一方向正交的第二方向延伸；以及
第二对准构造物，其包括与上述第一杆平行的多对第三杆以及与上述第二杆平行的多对第四杆，且相邻的第三杆之间的间隔不同，相邻的第四杆之间的间隔不同，
且上述第三杆与上述第四杆分别沿长度方向分割成多个子杆，上述多个子杆形成在同一层，
上述多个子杆包括宽度不同的至少两个子杆，
上述子杆分别沿宽度方向分割成多个段杆，
相邻的上述子杆分割成不同数量的段杆。
2.根据权利要求1所述的对准标记，其特征在于，
上述第三杆与第四杆越配置在外侧长度越长。
3.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，
包括如下步骤：
在形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案时，同时形成对准标记的步骤；
利用上述对准标记测定对准值的步骤；以及
将所测定到的对准值利用于用以形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的工序控制中的步骤，
上述对准标记为权利要求1或2中所述的对准标记。
4.一种对准测定方法，是测定两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案间的对准的方法，其特征在于，
包括如下步骤：
获得与形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的同时形成的对准标记的图像的步骤；以及
对上述对准标记的图像进行分析的步骤，
上述对准标记为权利要求1或2中所述的对准标记。
CN201680007966.5A 2016-05-19 2016-10-14 对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法 Active CN108351595B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0061643 2016-05-19
KR1020160061643A KR101665569B1 (ko) 2016-05-19 2016-05-19 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법
PCT/KR2016/011584 WO2017200159A1 (ko) 2016-05-19 2016-10-14 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108351595A true CN108351595A (zh) 2018-07-31
CN108351595B CN108351595B (zh) 2019-02-19

Family

ID=57173304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680007966.5A Active CN108351595B (zh) 2016-05-19 2016-10-14 对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6063602B1 (zh)
KR (1) KR101665569B1 (zh)
CN (1) CN108351595B (zh)
TW (1) TWI600134B (zh)
WO (1) WO2017200159A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI803398B (zh) * 2021-08-17 2023-05-21 南韓商奧路絲科技有限公司 套刻標記、利用其的套刻測量方法及半導體器件製造方法
US11815348B2 (en) 2021-03-23 2023-11-14 Kioxia Corporation Template, workpiece, and alignment method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101906098B1 (ko) * 2018-01-12 2018-10-10 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법
CN114695087B (zh) * 2020-12-30 2024-05-24 科磊股份有限公司 一种制造集成电路的方法和***
KR102460132B1 (ko) * 2022-07-19 2022-10-31 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 반도체 소자의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1329357A (zh) * 2000-06-08 2002-01-02 株式会社东芝 对准方法、套刻检查方法和光掩模
US7180593B2 (en) * 2003-11-05 2007-02-20 Macronix International Co., Ltd. Overlay mark for aligning different layers on a semiconductor wafer
JP2007324371A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Ebara Corp オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク
CN101581889A (zh) * 2009-01-15 2009-11-18 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的对准标记、对准***及其对准方法
CN102782812A (zh) * 2009-10-19 2012-11-14 飞思卡尔半导体公司 具有用于减少裂痕扩展的划道对准标记的半导体晶片
CN104078446A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 键合对准标记及计算偏移量的方法
KR101564312B1 (ko) * 2015-07-07 2015-10-29 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189443A (ja) * 1996-11-07 1998-07-21 Nikon Corp 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置
JP3248580B2 (ja) * 1999-02-16 2002-01-21 日本電気株式会社 重ね合わせ精度測定マークおよび重ね合わせ精度測定方法
JP5180419B2 (ja) 2000-08-30 2013-04-10 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法
JP2003224049A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Sony Corp 位置ずれ検査マーク及びフォトマスク
JP2003234272A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2004134474A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Nikon Corp 位置検出装置の検査方法、位置検出装置、露光装置、および露光方法
KR20070038301A (ko) * 2005-10-05 2007-04-10 주식회사 하이닉스반도체 오버레이 측정마크
KR20070098029A (ko) * 2006-03-30 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로 장치
US7724370B2 (en) * 2007-03-01 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
KR101067860B1 (ko) * 2008-12-22 2011-09-27 주식회사 하이닉스반도체 멀티오버레이 측정마크 및 그 형성 방법
US8329360B2 (en) * 2009-12-04 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus of providing overlay
US9709903B2 (en) * 2011-11-01 2017-07-18 Kla-Tencor Corporation Overlay target geometry for measuring multiple pitches
US8736084B2 (en) * 2011-12-08 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for E-beam in-chip overlay mark

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1329357A (zh) * 2000-06-08 2002-01-02 株式会社东芝 对准方法、套刻检查方法和光掩模
US7180593B2 (en) * 2003-11-05 2007-02-20 Macronix International Co., Ltd. Overlay mark for aligning different layers on a semiconductor wafer
JP2007324371A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Ebara Corp オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク
CN101581889A (zh) * 2009-01-15 2009-11-18 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的对准标记、对准***及其对准方法
CN102782812A (zh) * 2009-10-19 2012-11-14 飞思卡尔半导体公司 具有用于减少裂痕扩展的划道对准标记的半导体晶片
CN104078446A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 键合对准标记及计算偏移量的方法
KR101564312B1 (ko) * 2015-07-07 2015-10-29 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11815348B2 (en) 2021-03-23 2023-11-14 Kioxia Corporation Template, workpiece, and alignment method
TWI823120B (zh) * 2021-03-23 2023-11-21 日商鎧俠股份有限公司 模板、被加工構件及對準方法
TWI803398B (zh) * 2021-08-17 2023-05-21 南韓商奧路絲科技有限公司 套刻標記、利用其的套刻測量方法及半導體器件製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017200159A1 (ko) 2017-11-23
TW201742230A (zh) 2017-12-01
KR101665569B1 (ko) 2016-10-12
TWI600134B (zh) 2017-09-21
CN108351595B (zh) 2019-02-19
JP6063602B1 (ja) 2017-01-18
JP2017207727A (ja) 2017-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108351595B (zh) 对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法
US9709903B2 (en) Overlay target geometry for measuring multiple pitches
US7006225B2 (en) Alignment mark, alignment apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US12001146B2 (en) Overlay measurment device
CN102655138B (zh) 包含具有整合式对准标记的晶粒密封的半导体装置
KR101564312B1 (ko) 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법
KR102461662B1 (ko) 오버레이 측정장치
CN105954985A (zh) 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版
US11604421B1 (en) Overlay mark, overlay measurement method and semiconductor device manufacturing method using the overlay mark
KR102496148B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사를 위한 방법 및 그 시스템
CN104375383B (zh) 用于光刻设备的调焦调平检测装置及方法
CN111007703B (zh) 光刻机对位方法
KR101962830B1 (ko) 사전 정렬 측정 장치 및 방법
KR20180033971A (ko) 웨이퍼 좌표계와 직교하지 않는 방향을 따라서 형성된 패턴 층용 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 반도체 디바이스 제조방법
TW546683B (en) Enhanced overlay measurement marks for overlay alignment and exposure tool condition control
CN107045268B (zh) 减缓晶圆边缘散焦的光刻方法
CN114063399B (zh) 光刻对准方法及***
KR102580204B1 (ko) 1차원 오버레이 오차 측정을 위한 오버레이 마크, 이를 이용한 광학 수차 평가 방법, 이를 이용한 오버레이 마크 품질 평가 방법, 오버레이 측정 장치, 오버레이 측정 방법 및 반도체 소자의 제조방법
CN114326337B (zh) 光刻对准方法
JP4455035B2 (ja) 位置特定方法
US20240096675A1 (en) Substrate for carrying wafer
KR20230003846A (ko) 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법
KR100611014B1 (ko) 오버레이 측정 방법
KR20070075982A (ko) 반도체 소자의 중첩 마크 형성 방법
KR20060069999A (ko) 오버레이 측정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant