CN108254955A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括下基板、位于下基板上的子像素以及位于子像素中至少之一中的精细对准标记。制造显示装置的方法包括：在目标基板外部形成对准标记并且在目标基板上的被限定为显示区域的有效区域内部形成精细对准标记；使用对准标记和精细对准标记来对准目标基板和掩模基板；以及使用目标基板和掩模基板执行曝光操作。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月29日提交的韩国专利申请第10-2016-0182537号的权益，该专利申请如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文用于所有目的。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息技术的发展，用作用户与信息之间的连接媒介的显示装置的市场正在增长。因此，诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的显示装置的使用正在上升。
显示装置中的一些(例如，液晶显示器或OLED显示器)包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动器，所述显示面板包括布置成矩阵的多个子像素。驱动器包括向显示面板提供栅极信号(或称为“扫描信号”)的栅极驱动器、向显示面板提供数据信号的数据驱动器等。
当栅极信号、数据信号等被提供至布置成矩阵的子像素时，显示装置的被选择的子像素发光并且可以显示图像。此外，除了子像素之外，显示面板包括诸如信号线和电源线的薄膜结构。
为了形成薄膜结构，必须执行用于对准掩模基板(mask substrate)和目标基板的工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺等。在相关技术中，当制造大尺寸显示装置时，可以基于设置在目标基板外部的对准标记(key)来对准掩模基板和目标基板。然而，当根据相关技术制造超大显示装置时，在对准掩模基板和目标基板、设计曝光等方面存在困难。因此，有必要解决这些困难。
发明内容
在一个实施方案中，本公开提供了一种显示装置，其包括下基板、子像素和精细对准标记。子像素位于下基板上。精细对准标记位于子像素中至少之一中。
在另一实施方案中，本公开提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：在目标基板外部形成对准标记并且在目标基板上的被限定为显示区域的有效区域内部形成精细对准标记；使用对准标记和精细对准标记来对准目标基板和掩模基板；以及使用目标基板和掩模基板执行曝光操作。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方案，并且附图与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是显示装置的示意性框图；
图2示出了图1所示的子像素的配置的一个示例；
图3示意性地示出了制造显示面板的方法；
图4示意性地示出了显示面板的截面；
图5示意性地示出了根据相关技术的对准掩模基板和目标基板的方法；
图6示意性地示出了根据本公开的第一实施方案的对准掩模基板和目标基板的方法；
图7至图12示出了根据本公开的第二实施方案的精细对准标记；
图13是根据本公开的第三实施方案的包括精细对准标记的子像素的平面图；
图14是沿图13的线A1-A2截取的截面图；
图15是根据本公开的第四实施方案的包括精细对准标记的子像素的平面图；
图16是沿图15的线B1-B2截取的截面图；
图17是根据本公开的第五实施方案的不包括精细对准标记的子像素的平面图；
图18是沿图17的线C1-C2截取的截面图；
图19是根据本公开的第六实施方案制造的显示面板的平面图；
图20示出了精细对准标记和精细虚拟图案中的每一者的层结构；以及
图21示出了精细对准标记和精细虚拟图案的尺寸。
具体实施方式
现在将具体参考本公开的实施方案，其示例在附图中示出。只要便于解释本文提供的实施方案，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在本公开中，如果确定对这些已知部件或功能的详细描述可能会误导或以其他方式使本公开的实施方案的描述模糊，则可以省略已知部件或功能的具体描述。
随着信息技术的发展，用作用户与信息之间的连接媒介的显示装置的市场正在增长。因此，诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器的显示装置的使用正在上升。
液晶显示器、OLED显示器和电泳显示器中的每一者均包括：显示面板，其包括布置成矩阵的多个子像素；以及用于驱动显示面板的驱动器。驱动器包括向显示面板提供栅极信号(或称为“扫描信号”)的栅极驱动器、向显示面板提供数据信号的数据驱动器等。当栅极信号、数据信号等被提供至显示装置的子像素时，被选择的子像素发光并且可以显示图像。
在以下描述中，将使用液晶显示器作为显示装置的示例来描述本公开的实施方案。然而，实施方案不限于此。例如，可以使用包括使用掩模基板形成的薄膜结构的所有显示装置(例如，OLED显示器和电泳显示器)。此外，将使用嵌入式栅极驱动器作为示例来描述本公开的实施方案。然而，实施方案不限于此。
图1是显示装置的示意性框图。图2示出了图1所示的子像素的配置的一个示例。图3示意性地示出了制造显示面板的方法。图4示意性地示出了显示面板的截面。
如图1和图2所示，显示装置包括显示面板100、时序控制器110、数据驱动器120以及嵌入式栅极驱动器130、140L和140R。
时序控制器110通过连接至图像板的低压差分信号(LVDS)接口接收电路或连接至图像板的最小化传输差分信号(TMDS)接口接收电路等接收诸如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和点时钟的时序信号。时序控制器110基于接收到的时序信号生成用于控制数据驱动器120和嵌入式栅极驱动器130、140L和140R的操作时序的时序控制信号。
数据驱动器120包括多个源极驱动器集成电路(IC)。源极驱动器IC从时序控制器110接收数据信号DATA和源极时序控制信号DDC。源极驱动器IC响应于源极时序控制信号DDC将数据信号DATA从数字信号转换为模拟信号，并且将模拟信号提供至显示面板100的数据线DL。源极驱动器IC可以通过玻璃上芯片(COG)工艺或带式自动接合(TAB)工艺连接至显示面板100的数据线DL。然而，实施方案不限于此。
嵌入式栅极驱动器130、140L和140R包括电平移位器(level shifter)130以及移位寄存器140L和140R。电平移位器130形成为IC并设置在连接至显示面板100的外部基板上。电平移位器130在时序控制器110的控制下使通过时钟信号线、起始信号线、高电位电源线和低电位电源线提供的信号clk和vst和电力的电平移位，并且然后将它们提供至移位寄存器140L和140R。
移位寄存器140L和140R通过板内栅极(GIP)方法嵌入在显示面板100中。移位寄存器140L和140R基于信号clk和vst以及电力生成栅极信号，并将栅极信号输出至显示面板100的栅极线GL。移位寄存器140L和140R包括在显示面板100的非显示区域LNA和RNA中的分级电路(stage circuit)，分级电路中的每一个均形成为薄膜晶体管。该分级电路分开地设置在显示面板100的左非显示区域LNA和右非显示区域RNA中。分级电路包括第一级电路至第n级电路，其中n为等于或大于10的整数。
显示面板100包括分开地连接至彼此交叉的数据线DL和栅极线GL的子像素。显示面板100包括其中形成有子像素的显示区域AA和位于显示区域AA外部的形成有各种信号线或焊盘的非显示区域LNA和RNA。
如图2所示，一个子像素SP包括连接至第一栅极线GL1和第一数据线DL1的薄膜晶体管TFT，以及通过薄膜晶体管TFT响应于数据信号DATA而操作的像素电路PC，数据信号DATA响应于所提供的栅极信号而被提供。像素电路PC包括存储数据电压的存储电容器等。
当显示面板100被配置成液晶显示面板时，显示面板100被实现为扭曲向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式、面内开关(IPS)模式、边缘场开关(FFS)模式或电控双折射(ECB)模式。当显示面板100被配置成OLED显示面板时，显示面板100被实现为顶发光型、底发光型或双发光型。
如图3和图4所示，显示面板100通过以每个单元为基础划分目标基板(或母基板)MLGS而制造。在对以每个单元为基础划分的目标基板执行切割工艺之后，每个单元用作单独的显示面板100。
以每个单元为基础切割的显示面板10大致划分为下基板GLS1和显示区域(或有效区域)AA。因为下基板GLS1上的显示区域AA易受水分或氧气影响，因此执行封装显示区域AA的封装工艺。显示区域AA可以是包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG和蓝色子像素SPB的像素组。
除了子像素之外，显示面板100包括诸如信号线和电源线的薄膜结构。为了形成薄膜结构，必须执行用于在目标基板上形成薄膜的工艺、用于层压干膜(或膜型光致抗蚀剂)或涂覆液体光致抗蚀剂的工艺、用于对准掩模基板和目标基板的工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺等。
<第一实施方案>
图5示意性地示出了根据相关技术的掩模基板和目标基板的对准方法。图6示意性地示出了根据本公开的第一实施方案的对准掩模基板和目标基板的方法。
如图5所示，在相关技术中，当制造大尺寸显示装置时，掩模基板MSK和目标基板MGLS可以基于设置在目标基板MGLS外部的对准标记AK而对准。然而，当根据相关技术制造超大显示装置时，在对准掩模基板MSK和目标基板MGLS、设计曝光等方面存在困难。
如图6所示，在本公开的第一实施方案中，当制造超大显示装置时，为了容易地对准掩模基板MSK和目标基板MGLS，在目标基板MGLS内部(即，显示面板的显示区域将占据的单元内部)形成精细对准标记PAK。
精细对准标记PAK与设置在目标基板MGLS外部的对准标记一起用于对准掩模基板MSK和目标基板MGLS。精细对准标记PAK不是被切割工艺切割并被去除的部分，而是被设置在显示面板的显示区域内。
本公开的第一实施方案可以基于精细对准标记PAK将掩模基板MSK向左侧、右侧、上侧和下侧移动的情况下使掩模基板MSK与在先前的镜头(shot)中使用的掩模基板交叠和露出。因此，如图6所示，精细对准标记PAK的位置不限于目标基板MGLS的任意一个位置，并且如果有必要或需要的话可以根据镜头(shot)的数目、交叠位置、单元的尺寸、曝光方法等进行各种改变。
根据本公开的第一实施方案的精细对准标记PAK可以由用于形成薄膜的材料形成。例如，精细对准标记PAK可以由金属材料、有机材料、无机材料和有机-无机混合材料中的一种或其组合形成。根据本公开第一实施方案的精细对准标记PAK可以与设置在目标基板MGLS外部的对准标记一起形成四点对准结构(或多点对准结构)。
下面将对根据本公开的第二实施方案的精细对准标记进行详细描述。
<第二实施方案>
图7至图12示出了根据本公开的第二实施方案的精细对准标记。
如图7所示，精细对准标记PAK可以仅形成在构成显示面板100的下基板GLS1上。精细对准标记PAK可以设置在位于显示区域AA内的任意一个位置处的子像素SP内部。
精细对准标记PAK可以在显示面板100的制造工艺中仅形成在目标基板上。然而，通过切割工艺对其上已经完成了薄膜工艺的目标基板以每个单元为基础进行切割。因此，如图7所示，精细对准标记PAK可以存在于位于特定显示面板100的显示区域AA内的任意一个位置处的子像素SP内。
如图8所示，可以在构成显示面板100的下基板GLS1上形成多个精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB。精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB可以分别设置在位于显示区域AA内部的红色子像素SPR、绿色子像素SPG和蓝色子像素SPB内部。
在显示面板100的制造工艺中，可以在目标基板上形成多个精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB。然而，通过切割工艺对其上已经完成了薄膜工艺的目标基板以每个单元为基础进行切割。因此，如图8所示，精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB可以分别存在于位于特定显示面板100的显示区域AA内部的任意一个位置处的红色子像素SPR、绿色子像素SPG和蓝色子像素SPB内部。
精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB可以被划分成红色精细对准标记PAKR、绿色精细对准标记PAKG和蓝色精细对准标记PAKB。当精细对准标记PAKR、PAKG和PAKB被如上所述划分设置时，红色精细对准标记PAKR、绿色精细对准标记PAKG和蓝色精细对准标记PAKB可以与根据待沉积的材料而划分成的红色掩模基板、绿色掩模基板和蓝色掩模基板选择性地对准。例如，为了在目标基板上形成红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层，可以使用红色掩模基板、绿色掩模基板和蓝色掩模基板来对准掩模基板和目标基板。然而，实施方案不限于此。
如图9所示，可以在构成显示面板100的下基板GLS1上形成多个精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW。精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW可以分别设置在位于显示区域AA内部的红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW内部。
在显示面板100的制造工艺中，可以在目标基板上形成多个精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW。然而，通过切割工艺对其上已经完成了薄膜工艺的目标基板以每个单元为基础进行切割。因此，如图9所示，精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW可以分别存在于位于特定显示面板100的显示区域AA内部的任意一个位置处的红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW内部。
精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW可以被划分成红色精细对准标记PAKR、绿色精细对准标记PAKG、蓝色精细对准标记PAKB和白色精细对准标记PAKW。当精细对准标记PAKR、PAKG、PAKB和PAKW被如上所述划分设置时，红色精细对准标记PAKR、绿精细对准标记PAKG、蓝色精细对准标记PAKB和白色精细对准标记PAKW可以与根据待沉积的材料而划分成的红色掩模基板、绿色掩模基板、蓝色掩模基板和白色掩模基板选择性地对准。
如图10所示，可以在构成显示面板100的下基板GLS1上形成多个精细对准标记PAK。多个精细对准标记PAK可以设置在位于显示区域AA内部的所有子像素SP内部。
在显示面板100的制造工艺中，可以在目标基板上形成多个精细对准标记PAK。因此，如图10所示，精细对准标记PAK可以存在于位于显示面板100的显示区域AA内部的所有子像素SP内部。
如图11所示，可以在构成显示面板100的下基板GLS1上形成多个精细对准标记PAK。多个精细对准标记PAK可以设置成仅位于显示区域AA的一侧(例如，左侧或右侧)上的子像素SP内部。
当如上所述使用根据本公开的实施方案的精细对准标记PAK时，掩模基板可以在水平方向(即，左右方向)上彼此交叠并且露出。因此，如图11所示，当掩模基板在水平方向上交叠并露出时，精细对准标记PAK可以存在于仅位于显示面板100的显示区域AA的一侧(例如，左侧或右侧)上的子像素SP内部。
如图12所示，可以在构成显示面板100的下基板GLS1上形成多个精细对准标记PAK。多个精细对准标记PAK可以设置在仅位于显示区域AA的一侧(例如上侧或上侧)上的子像素SP内部。
当如上所述使用根据本公开的实施方案的精细对准标记PAK时，掩模基板可以在垂直方向(即，上下方向)上彼此交叠并且露出。因此，如图12所示，当掩模基板在垂直方向上交叠并露出时，精细对准标记PAK可以存在于仅位于显示面板100的显示区域AA的一侧(例如，上侧或下侧)上的子像素SP内部。
<第三实施方案>
下面将对根据本公开的第三实施方案的包括精细对准标记的子像素进行详细描述。
图13是根据本公开的第三实施方案的包括精细对准标记的子像素的平面图。图14是沿图13的线A1-A2截取的截面图。
如图13所示，根据本公开的第三实施方案的精细对准标记PAK设置在子像素SP的非开口部中。像素电极层PXL和公共电极层VCOM设置在开口中，并且薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和标记孔HM设置在非开口部中。
精细对准标记PAK被设置成与子像素SP的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst相邻。精细对准标记PAK设置在由构成存储电容器Cst的电极围绕的标记孔HM内部。
如图13和图14所示，精细对准标记PAK设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。精细对准标记PAK与另一结构间隔开并形成为岛状(或浮置状)。图13通过示例的方式示出了交叉形的精细对准标记PAK。然而，实施方案不限于此，并且精细对准标记PAK可以形成为各种形状。
在下基板GLS1上以指定顺序沉积有栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL。栅极金属层GAT是构成薄膜晶体管TFT的栅电极的金属层，源极-漏极金属层SD是构成薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极的金属层。第一滤色器层RCF是具有第一颜色(例如红色)的滤色器层，并且第二滤色器层BCF是具有第二颜色(例如蓝色)的滤色器层。平坦化层PAC是用于使表面平坦化的绝缘层。像素电极层PXL是用于基于从薄膜晶体管TFT施加的像素电压形成电场的电极。
如上所述，精细对准标记PAK设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。然而，在精细对准标记PAK下方还可以设置有缓冲层。即，标记孔HM可以形成为露出下基板GLS1，或者可以被图案化(或蚀刻)使得露出缓冲层，从而形成比周边更凹陷的孔(或槽)。精细对准标记PAK可以使用构成栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL的材料之一或其组合形成为单层或多层。
图13和图14示意性地示出了包括上述精细对准标记PAK的子像素的结构的示例。然而，实施方案不限于此。例如，子像素的平面结构和构成子像素的层的结构可以根据显示面板的制造方法而改变。
<第四实施方案>
图15是根据本公开的第四实施方案的包括精细对准标记的子像素的平面图。图16是沿图15的线B1-B2截取的截面图。
如图15所示，根据本公开的第四实施方案的精细对准标记PAK设置在子像素SP的非开口部中。像素电极层PXL和公共电极层VCOM设置在开口中，并且薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和标记孔HM设置在非开口部中。
精细对准标记PAK被设置成与子像素SP的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst相邻。精细对准标记PAK设置在由构成存储电容器Cst的电极围绕的标记孔HM内部。
如图15和图16所示，精细对准标记PAK设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。精细对准标记PAK与另一结构间隔开并形成为岛状(或浮置状)。图15通过示例的方式示出了交叉形的精细对准标记PAK。然而，实施方案不限于此，并且精细对准标记PAK可以形成为各种形状。
在下基板GLS1上以指定顺序沉积有栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL。栅极金属层GAT是构成薄膜晶体管TFT的栅电极的金属层，源极-漏极金属层SD是构成薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极的金属层。第一滤色器层RCF是具有第一颜色(例如红色)的滤色器层，并且第二滤色器层BCF是具有第二颜色(例如蓝色)的滤色器层。平坦化层PAC是用于使表面平坦化的绝缘层。像素电极层PXL是用于基于从薄膜晶体管TFT施加的像素电压形成电场的电极。
如上所述，精细对准标记PAK设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。然而，在精细对准标记PAK下方还可以设置有缓冲层。精细对准标记PAK可以使用构成栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL的材料之一或其组合形成为单层或多层。
图15和图16示意性地示出了上述精细对准标记PAK和包括精细对准标记PAK的子像素的结构的一个示例。然而，实施方案不限于此。例如，构成子像素的层的结构可以根据显示面板的制造方法而改变。
在下基板GLS1上形成有滤色器层RCF和BCF的结构使由设置在显示面板下方的背光单元提供的光防止从非开口部发射的光的泄漏。
然而，由于设置标记孔HM以形成精细对准标记PAK，所以可能引起相对应区域的漏光。由于精细对准标记PAK的材料特性，精细对准标记PAK处于浮置状态，但是在相对应的区域中可以形成电场。因此，液晶层可能产生反应。
形成在上基板GLS2上的基于黑色的防漏光层BCS用于防止上述问题。防漏光层BCS可以形成为与标记孔HM相对应的四边形或多边形岛状。
防漏光层BCS可以具有与标记孔HM相对应的尺寸，或者可以形成为条状或网状以完全覆盖非开口部。上基板GLS2被定位成与下基板GLS1相对。下基板GLS1和上基板GLS2通过粘合构件被附接和密封。
<第五实施方案>
图17是根据本公开的第五实施方案的不包括精细对准标记的子像素的平面图。图18是沿图17的线C1-C2截取的截面图。
如图17所示，在根据本公开的第五实施方案的不包括精细对准标记的子像素SP的非开口部中设置有精细虚拟图案DMY。像素电极层PXL和公共电极层VCOM设置在开口中，并且薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和标记孔HM设置在非开口部中。
精细虚拟图案DMY被设置成与子像素SP的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst相邻。精细虚拟图案DMY设置在由构成存储电容器Cst的电极围绕的标记孔HM内部。
如图17和18所示，精确虚拟图案DMY设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。精细虚拟图案DMY与另一结构间隔开并形成为岛状(或浮置形状)。图17通过示例的方式示出了四边形精细虚拟图案DMY。然而，实施方案不限于此，并且精细虚拟图案DMY可以形成为各种形状。
在下基板GLS1上以指定顺序沉积有栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL。栅极金属层GAT是构成薄膜晶体管TFT的栅电极的金属层，源极-漏极金属层SD是构成薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极的金属层。第一滤色器层RCF是具有第一颜色(例如红色)的滤色器层，并且第二滤色器层BCF是具有第二颜色(例如蓝色)的滤色器层。平坦化层PAC是用于使表面平坦化的绝缘层。像素电极层PXL是用于基于从薄膜晶体管TFT施加的像素电压形成电场的电极。
如上所述，精细虚拟图案DMY设置在下基板GLS1上设置在标记孔HM内部。然而，在精细虚拟图案DMY下方还可以设置有缓冲层。精细虚拟图案DMY可以使用构成栅极金属层GAT、源极-漏极金属层SD、第一滤色器层RCF、第二滤色器层BCF、平坦化层PAC和像素电极层PXL的材料之一或其组合形成为单层或多层。
图17示意性地示出了上述精细虚拟图案DMY和包括精细虚拟图案DMY的子像素的结构的一个示例。然而，实施方案不限于此。例如，构成子像素的层的结构可以根据显示面板的制造方法而改变。
精细虚拟图案DMY防止产生在包括精细虚拟图案DMY的子像素和包括精细对准标记的子像素之间的高度差。例如，当制造包括液晶层的显示面板时，执行用于形成液晶的预倾角的摩擦操作。
然而，当其中存在不具有精细对准标记的标记孔HM或不存在标记孔HM的子像素和包括精细对准标记的子像素共存时，由于子像素之间的高度差而不能执行均匀的摩擦操作。例如，在摩擦操作中子像素之间的取向力可能是不同的。在这种情况下，在制造显示面板之后，显示质量的降低可能是由有缺陷的摩擦垂直线引起。
然而，本公开的实施方案被配置成使得在所有子像素的非开口部中的每个中形成标记孔HM，精细对准标记形成在需要对准标记的部分中，并且精细虚拟图案DMY形成在不需要对准标记的部分中。因此，本公开的实施方案可以防止可能由子像素之间的高度差引起的问题。
此外，可以在上基板GLS2上形成基于黑色的防漏光层BCS，使得由设置在显示面板下方的背光单元提供的光防止从非开口部发射的光的泄漏。
防漏光层BCS可以形成为与标记孔HM相对应的四边形或多边形岛状。防漏光层BCS可以具有与标记孔HM相对应的尺寸，或者可以形成为条状或网状以完全覆盖非开口部。
<第六实施方案>
图19是根据本公开的第六实施方案制造的显示面板的平面图。图20示出了精细对准标记和精细虚拟图案中的每个的层结构。图21示出了精细对准标记和精细虚拟图案的尺寸。
如图19所示，在本公开的第六实施方案中，在标记孔HM内部包括精细对准标记PAK的子像素SP和仅包括标记孔HM的子像素SP共存于显示面板100的显示区域AA中。
图19通过示例的方式示出了包括精细对准标记PAK的一个子像素SP。然而，实施方案不限于此。例如，包括精细对准标记PAK的子像素SP的数目可以被限定为M，其中M为等于或大于1的整数。此外，剩余子像素SP可以是仅包括标记孔HM的子像素SP。然而，实施方案不限于此。例如，剩余的子像素SP可以被配置成使得第一实施方案至第五实施方案中的一个或更多个被组合。即，至少一个子像素可以包括精细虚拟图案。
如图20所示，精细对准标记PAK和精细虚拟图案DMY可以基于用于制造显示面板100的材料形成，并且可以形成为单层或多层。例如，精细对准标记PAK可以包括第一精细对准标记层PAK1和第二精细对准标记层PAK2，并且精细虚拟图案DMY可以包括第一精细虚拟图案层DMY1和第二精细虚拟图案层DMY2。构成精细对准标记PAK和精细虚拟图案DMY的层可以根据显示面板100的制造工艺由相同材料或不同材料形成。
如图21所示，形成精细虚拟图案DMY以防止由子像素之间的高度差引起的问题。因此，精细虚拟图案DMY可以具有与精细对准标记PAK的尺寸相同的尺寸(例如，W1＝W2)、与精细对准标记PAK的形状相同的形状以及与精细对准标记PAK的高度相同的高度，并且可以由与精细对准标记PAK的材料相同的材料形成。
由于精细对准标记PAK和精细虚拟图案DMY具有相同的高度，所以可以防止由子像素之间的高度差引起的问题。因此，优选但不要求精细对准标记PAK和精细虚拟图案DMY具有相似或相同的高度或者相似或相同尺寸或者相似或相同形状。
如上所述，当制造超大显示装置时本公开的实施方案基于设置在目标基板外部的对准标记和设置在目标基板内部(即显示面板的显示区域所占据的单元内部)的精细对准标记来形成四点对准结构，由此实现掩模基板与目标基板之间的对准。此外，本公开的实施方案可以在基于精细对准标记将掩模基板向左侧、右侧、上侧和下侧移动的情况下交叠并且露出掩模基板。本公开的实施方案可以使用精细对准标记防止漏光。此外，本公开的实施方案可以基于精细对准标记和精细虚拟图案来防止由于子像素之间的高度差所引起的问题。
尽管已经参照多个示例性实施方案描述了实施方案，但是本领域技术人员可以设计出落入本公开的原理的范围内的许多其他修改和实施方案。具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，在主题组合布置的组成部分和/或布置方面可以进行各种变化和修改。除了组成部分和/或布置的变化和修改之外，对于本领域技术人员而言，替代性用途也将是显而易见的。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
下基板；
位于所述下基板上的子像素；以及
位于所述子像素中至少之一中的精细对准标记。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述精细对准标记位于所述子像素的至少一个非开口部中。
3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括位于所述非开口部中的至少一个标记孔，所述至少一个标记孔被图案化成比周边更凹陷，
其中所述精细对准标记设置在所述标记孔内部。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述精细对准标记以岛状设置在所述标记孔中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述精细对准标记由形成在所述下基板上的至少一种材料形成。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述子像素包括：
其中在所述标记孔内部设置有所述精细对准标记的子像素；以及
其中在所述标记孔内部设置有精细虚拟图案的子像素。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述精细对准标记和所述精细虚拟图案具有相同的高度。
8.根据权利要求3所述的显示装置，还包括与所述下基板相对设置的上基板，所述上基板包括在对应于所述标记孔的位置处的防漏光层。
9.一种制造显示装置的方法，包括：
在目标基板外部形成对准标记以及在所述目标基板上的被限定为显示区域的有效区域内部形成精细对准标记；
使用所述对准标记和所述精细对准标记来对准所述目标基板和掩模基板；以及
使用所述目标基板和所述掩模基板执行曝光操作。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述精细对准标记位于存在于所述显示区域中的子像素的至少一个非开口部中。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述非开口部中形成至少一个被图案化成比周边更凹陷的标记孔，
其中所述精细对准标记设置在所述标记孔内部。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述精细对准标记以岛状设置在所述标记孔内部。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述精细对准标记与精细虚拟图案具有相同的高度。
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