CN108227325A - 液晶显示面板与显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板与显示装置，该液晶显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的像素，每个像素包括相邻设置的第一子像素与第二子像素，具体的，第一子像素包括第一像素电极与第一电极，第二子像素包括第二像素电极。其中，第二子像素的面积大于第一子像素的面积，第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积；阵列基板还包括辅助电极，至少部分辅助电极与第一电极重叠设置，形成第一子像素的第一辅助电容，且辅助电极与第一电极的重叠区域延伸至同一像素内的第二子像素内，从而可以利用第二子像素的部分区域增加第一子像素的存储电容，使得第一子像素与第二子像素的存储电容大致相等。

Description

液晶显示面板与显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，且特别涉及一种可实现低功耗下多色显示的液晶显示面板与显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，带有显示功能的显示装置的用途越来越广泛，其中，彩色显示能比黑白显示给使用者提供更多的信息和更好的视觉体验，以液晶显示器为例，一般的彩色显示都是利用彩色滤光片来形成彩色图像，就是利用空间混色原理进行三原色的混色。

具体的，传统液晶显示器的显像原理，是将液晶置于阵列基板和彩膜基板之间，靠其中两个电极间产生的电场的驱动，引起液晶分子的电场效应，以控制光源透射或遮蔽功能，从而将图像显示出来。彩色液晶显示器，相对于单色液晶显示器，增加了彩色滤色片，或者说色阻层，每一个像素单元通常都由三个子像素构成，分别对应于彩色滤色片上的红(R)、绿(G)、蓝(B)三个色阻区，由驱动集成电路提供的图像的红(R)、绿(G)、蓝(B)信号分别驱动相应的像素，白色光源通过彩色滤光片上不同颜色的色阻区时呈现不同颜色，实现彩色图像的显示。而且，传统红(R)、绿(G)、蓝(B)三色液晶显示器，通过驱动用集成电路设定不同驱动电压，驱动液晶显示器显示不同灰阶，针对红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色，通过不同灰阶显示不同颜色，从而达到多彩色显示的目的，而若要实现64色显示,至少需要提供4个灰阶电压，功耗较高，如果采用降低频率的方式降低功耗，则会出现像素漏电，引起中间灰阶的显示亮度异常，进而导致图像颜色异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以实现低功耗下的多色显示并可以改善低频驱动下图像闪烁问题的液晶显示面板与显示装置。

本发明提供一种液晶显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；数据线与扫描线，数据线与扫描线交叉设置形成多个呈阵列排布的像素，每个像素包括相邻设置的第一子像素与第二子像素，具体的，第一子像素包括第一像素电极与第一电极，第二子像素包括第二像素电极。其中，第二子像素的面积大于第一子像素的面积，第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积；阵列基板还包括辅助电极，至少部分辅助电极与第一电极重叠设置，形成第一子像素的第一辅助电容，且辅助电极与第一电极的重叠区域延伸至同一像素内的第二子像素内，从而可以利用第二子像素的部分区域增加第一子像素的存储电容，使得第一子像素与第二子像素的存储电容大致相等。

另外，本发明还提供一种显示装置，包括上述液晶显示面板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本申请实施例通过利用第二子像素的部分区域增加第一子像素的存储电容，使得第一子像素与第二子像素的存储电容大致相等。在实现低功耗下的多色显示的同时，可以可以改善由于第一子像素与第二子像素的存储电容或液晶电容差别太大导致的低频率下的图像闪烁问题，提升显示质量。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明一实施例提供的液晶显示面板的示意图；

图2是本发明一实施例提供的阵列基板中一个像素的结构示意图；

图3是沿着图2中A1-A1'位置处的截面图；

图4是沿着图2中A2-A2'位置处的截面图；

图5是本发明一实施例提供的的阵列基板中一个像素的结构示意图；

图6是沿着图5中A3-A3'位置处的截面图；

图7是本发明另一实施例提供的阵列基板中像素结构示意图；

图8是图7所示阵列基板的像素驱动电路示意图；

图9是本发明又一实施例提供的阵列基板中像素阵列示意图；

图10是本发明又一实施例提供的彩色滤光层的组成示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

首先，本申请提供一种液晶显示面板，具体请参考图1所示，图1是本发明一实施例提供的液晶显示面板的示意图，本实施例以反射式液晶显示面板为例进行介绍，也就是说，该液晶显示面板为反射式液晶显示面板，包括阵列基板10、彩膜基板20，以及位于阵列基板10与彩膜基板20之间的液晶层30，液晶层30被密封于由阵列基板10与彩膜基板20形成的盒状空间内。

其中，阵列基板10可以为图2、3、4所示阵列基板的结构，下面对该阵列基板的具体结构做示例性的介绍，具体请参考图2、3、4所示，图2是本发明一实施例提供的阵列基板中一个像素的结构示意图，图3是沿着图2中A1-A1'位置处的截面图，图4是沿着图2中A2-A2'位置处的截面图。

所述阵列基板包括衬底基板01与形成于衬底基板01上的多条平行排列的数据线DL与多条平行排列的扫描线GL，多条数据线DL与多条扫描线GL交叉设置形成多个呈阵列排布的像素P，即形成于衬底基板上的像素阵列。具体的，每个像素P包括相邻设置的第一子像素SP1与第二子像素SP2，在本实施例中，第一子像素SP1与第二子像素SP2沿着数据线DL的延伸方向排列，每个像素P内设置有两块相互绝缘的像素电极：第一像素电极Px1与第二像素电极Px2，分别对应设置于第一子像素SP1与第二子像素SP2内。其中，第二子像素SP2的面积大于第一子像素SP1的面积，或者说，第二子像素SP2的开口区的面积大于第一子像素SP1的开口区的面积，第二像素电极Px2的面积大于第一像素电极Px1的面积。例如，可以设置为，第二子像素SP2的面积大致为第一子像素SP1的面积的2倍，或者说，第二子像素SP2的开口区的面积大致为第一子像素SP1的开口区的面积的2倍，第二像素电极Px2的面积大致为第一像素电极Px1的面积的2倍。当该阵列基板为透射式结构时，此处的开口区可以理解为其所在的子像素的透光区域，当该阵列基板为反射式结构时，此处的开口区可以理解为其所在的子像素的反射区域，或者可以统称为可以根据显示图像的需要进行灰阶显示的区域。

在本实施例中，所述阵列基板为反射式，还包括反射金属层11，用于反射外部射入的自然光线，用于灰阶显示。

在本申请的一个实施例中，例如，可以将第一像素电极Px1与第二像素电极Px2复用为反射金属层11，此时，像素电极例如可以利用铝、银等反射金属材料通过蒸镀形成，或者以铝、银等金属材料作为一种成分的化合物、合金等形成，同时具有反射与导电能力，第一像素电极Px1与第二像素电极Px2所在的区域为反射区域，可以通过反射外界自然光线实现灰阶显示。而没有覆盖像素电极(第一像素电极Px1或第二像素电极Px2)的区域，相邻子像素例如第一子像素SP1与第二子像素SP2之间的间隙、或者相邻像素之间的间隔区域，其像素电极也要绝缘设置，具有一一定宽度的间隙，在该像素电极的间隙位置不具有反射功能，形成常暗区，可以充当相邻像素或者相邻子像素之间的遮光区，防止相邻像素或者相邻子像素之间的混色。在这种情况下，也可以认为，第一像素电极Px1与第二像素电极Px2覆盖的区域分别形成第一子像素SP1与第二子像素SP2的开口区，因为只有第一像素电极Px1与第二像素电极Px2覆盖的区域才能反射光线，并根据显示图像的需要进行灰阶显示。

当然，在其它实施例中，也可以通过另外设置反射金属层11来使得阵列基板具备反射的功能。例如，像素电极(第一像素电极或第二像素电极)为透明导电金属氧化物材料形成，如氧化铟锡等，然后再在像素电极层之上设置反射金属层11，所述反射金属层11例如可以利用铝、银等反射金属材料通过蒸镀形成，或者以铝、银等金属材料作为一种成分的化合物、合金等形成，反射金属层可以与像素电极直接接触，也可以不接触。此时，可以设置为，该反射金属层包括多个反射金属块，分别对应于每个子像素，相邻金属块之间具有一一定宽度的间隙，可以充当相邻像素或者相邻子像素之间的遮光区，防止相邻像素或者相邻子像素之间的混色，每个反射金属块覆盖的区域为反射区域，可以反射外界自然光线实现灰阶显示，分别形成每个子像素的开口区。

当然，在该反射金属层11与像素电极不接触的情况下，也可以设置为整面式的，本发明并不对此做限定。

在本实施例中，阵列基板还包括存储电极04，且像素电极层Px与存储电极04通过设置于其间的钝化层05绝缘间隔设置。存储电极04分别与第一像素电极Px1与第二像素电极Px2具有交叠部分，包括像素电极层Px与存储电极04之间的部分钝化层05一起构成电容元件。在本实施例中，存储电极04例如可选用金属材料，也可以为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层，也可以是由另外设置的透明导电层形成。在驱动过程中，存储电极04例如可以具有一公共电位，即通过一公共信号线与公共电极相连接。存储电极04可以为整面式的，当然并不以此为限，第一像素电极Px1与部分存储电极04重叠形成第一电容C1，第二像素电极Px2与部分存储电极04重叠形成第二电容C2。

在本实施例中，由于第二子像素SP2的面积大于第一子像素SP2的面积，第二像素电极Px2的面积大于第一像素电极Px1的面积，而像素电极层Px与存储电极04之间的钝化层05的厚度是相等的，导致第一电容C1与第二电容C2的电容差异较大，在低频驱动状态下的电容保持率低，容易导致由该阵列基板形成的液晶显示面板在显示时的闪烁问题，因此本实施例引入了第一辅助电容C1'，具体见图1-图3所示，阵列基板还包括设置于衬底基板01上的辅助电极C10与第一电极C11，第一电极C11与部分辅助电极C10重叠设置形成第一辅助电容C1'，且第一电极C11与部分辅助电极C10的重叠区域自第一子像素SP1延伸至与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2内。也就是说，由于第一子像素SP1的面积小于第二子像素SP2的面积，导致第一电容C1小于第二电容C2，本实施例在给第一子像素SP1增加了第一辅助电容C1'，且通过占用与其相邻的第二子像素SP2的部分区域来增大第一辅助电容C1'的面积，进而增大了第一辅助电容C1'的电容量。

例如，可以设置为，用S11表示第一像素电极Px1与存储电极04的重叠面积，用S21表示第二像素电极Px2与存储电极04的重叠面积，用S12表示第一电极C11与辅助电极C10的重叠面积,其中，S21大致等于S11与S12之和。此时，第一子像素SP1的存储电容包括第一电容C1与第一辅助电容C1'，第二子像素SP2的存储电容包括第二电容C2，可以通过第一辅助电容C1'补偿两个相邻子像素的电容差异较大的缺陷，使得第一子像素SP1的存储电容与第二子像素SP2的存储电容大致相等，使得第一子像素SP1与第二子像素SP2的存储电容可保持一致，当产生低频漏电时，两个子像素的漏电表现一致，对应的公共电压也一致，不会出现闪烁、残影等问题，提高了显示效果。

关于该阵列基板的具体层结构，可以有多种设置方式。

在本实施例中，阵列基板的具体层结构为：阵列基板包括设置于衬底基板01上的第一金属层M1、第二金属层M2与覆盖第一金属层M1、第二金属层M2的平坦化层03，第一金属层M1与第二金属层M2之间通过一栅极绝缘层02绝缘间隔设置，存储电极04例如可以位于平坦化层03的远离第一金属层M1、第二金属层M2的一侧，像素电极层Px位于存储电极04的远离平坦化层03的一侧，且像素电极层Px与存储电极04通过设置于其间的钝化层05绝缘间隔设置。像素电极层Px包括第一像素电极Px1与第二像素电极Px2。

阵列基板还包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管例如包括第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2，分别对应设置于第一子像素SP1与第二子像素SP2内。第一金属层M1包括多个薄膜晶体管(如第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2)的栅极G、扫描线GL与辅助电极C10，第二金属层M2包括数据线DL、第一电极C11与多个第一薄膜晶体管(如第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2)的源极E、漏极D。从图2中，可以看出，第一电极C11与第一薄膜晶体管T1的漏极D直接连接，第一像素电极PX1通过第一电极C11连接至对应的第一薄膜晶体管T1的漏极D，也就是说此时图3所示截图部分可以理解为对应于第一子像素SP1的部分的截面，第一像素电极PX1通过贯穿平坦化层03的过孔与对应的第一薄膜晶体管T1的漏极D直接连接，从而第一电极C11具有与第一像素电极PX1一样的数据电位，同时可以给存储电极04与辅助电极C10输送公共电压信号，使之具有公共电位，使得第一像素电极PX1与存储电极04之间形成第一电容C1，第一电极C11与辅助电极C10之间形成第一辅助电容C1'，且第一辅助电容C1'自第一子像素SP1所在的区域延伸至第二子像素SP2所在的区域，并在第二子像素SP2内占据一定的面积，以增加第一子像素SP1的存储电容，使之跟第二子像素SP2的存储电容大致相等。

进一步的，如图2和图4所示，还可以设置为，第二子像素SP2还包括第二电极C12，第二像素电极PX2通过第二电极C12连接至对应第二薄膜晶体管T2的漏极D，第二电极C12例如可以和第一电极C11同层形成，第二电极C12与辅助电极C10具有交叠部分形成第二辅助电容C2'。因为第一电极C11与辅助电极C10的重叠区域会延伸至第二子像素SP2内，因此会占用第二子像素SP2的部分区域，第二电极C12与辅助电极C10的重叠区域或者说第二电极C12位于第二子像素SP2的剩余部分区域内。例如，用S22表示第二电极C12与辅助电极C10的重叠面积，其中，S21与S22之和大致等于S11与S12之和，或者说，此时，第一子像素SP1的存储电容包括第一电容C1与第一辅助电容C1'，第二子像素SP2的存储电容包括第二电容C2与第二辅助电容C2'，其中，第一子像素SP1的存储电容与第二子像素SP2的存储电容大致相等。可以在实现第一子像素SP1的存储电容与第二子像素SP2的存储电容大致相等的目的下，同时增大第二子像素SP2的存储能力。

进一步的，还可以设置为，像素电极层PX(包括第一像素电极PX1与第二像素电极PX2)与存储电极为透明导电层，第二金属层M2复用为反射金属层。

进一步的，图5与图6示例性的示出了该阵列基板的像素中像素电极与漏极的连接方式，图5是本发明一实施例提供的的阵列基板中一个像素的结构示意图,图6是沿着图5中A3-A3'位置处的截面图，具体的，请同时参考图2-图6所示。

在本实施例中，上述多个薄膜晶体管至少包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，分别与第一子像素SP1和第二子像素SP2对应设置，其中，第一像素电极Px1通过第一电极C11连接至第一薄膜晶体管T1的漏极，第二像素电极Px2通过第二电极C12连接至第二薄膜晶体管T2的漏极。第一像素电极Px1通过贯穿平坦化层03的第一过孔H1与第一电极C11连接，第二像素电极Px2通过贯穿平坦化层03的第二过孔H2与第二电极C12连接。第一过孔H1与第二过孔H2相邻设置且位于第一子像素SP1与第二子像素SP2的交界处，因为第一过孔H1与第二过孔H2都要穿过存储电极04，且第一像素电极Px1和第二像素电极Px2都不能与存储电极04接触，因此也需要在存储电极04与钝化层05上设置开口K使得第一过孔H1与第二过孔H2穿过，且存储电极04与钝化层05上的开口K的直径一般要大于第一过孔H1与第二过孔H2的直径，因此，第一过孔H1与第二过孔H2相邻设置且位于第一子像素SP1与第二子像素SP2的交界处，可以使得第一过孔H1与第二过孔H2位于存储电极04与钝化层05上的同一个开口K内，有利于开口精度的控制，提高良率。

进一步的，图7与图8示例性的示出了该阵列基板的像素阵列的一种驱动连接方式，图7是本发明另一实施例提供的阵列基板中像素结构示意图，图8是图7所示阵列基板的像素驱动电路示意图，具体请同时参考图2-6所示。

在本实施例中，多个呈阵列排布的像素包括相邻设置的第一像素P1与第二像素P2，第一像素P1与第二像素P2沿数据线延伸方向排列，且每个像素的第一子像素SP1与第二子像素SP2沿数据线延伸方向排列，第一像素P1的第二子像素SP2与第二像素P2的第一子像素SP1相邻，位于两条相邻的数据线DL之间。具体的，扫描线GL包括依次位于第一像素P1与第二像素P2之间的第二扫描线GL2、主扫描线GL0与第一扫描线GL1。

阵列基板还包括主薄膜晶体管T0、第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2。具体的，主薄膜晶体管T0的栅极连接至主扫描线GL0，主薄膜晶体管T0的源极连接至同时与该第一像素P1的第二子像素SP2对应的数据线DL，主薄膜晶体管T0包括第一漏极与第二漏极，其中，主薄膜晶体管T0的第一漏极连接至第一薄膜晶体管T1的源极，主薄膜晶体管T0的第二漏极连接至第二薄膜晶体管T2的源极；第一薄膜晶体管T1的栅极连接至第一扫描线GL1，第一薄膜晶体管T1的源极连接至主薄膜晶体管T0的第一漏极，第一薄膜晶体管T1的漏极连接至与第二像素P2的第一子像素SP1对应的第一像素电极Px1；第二薄膜晶体管T2的栅极连接至第二扫描线GL2，第二薄膜晶体管T2的源极连接至主薄膜晶体管T0的第二漏极，第二薄膜晶体管T2的漏极连接至与第一像素P1的第二子像素SP2对应的第二像素电极Px2。也就是说，在本实施例中，所述阵列基板通过主薄膜晶体管T0与第一薄膜晶体管T1驱动第一子像素SP1,通过主薄膜晶体管T0与第二薄膜晶体管T2驱动第二子像素SP2，主薄膜晶体管T0为相邻的第一子像素SP1与第二子像素SP2共用的薄膜晶体管。

其中，主薄膜晶体管T0的源、漏极例如可以和第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2的源、漏极同层形成，主薄膜晶体管T0的栅极例如可以和第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2的栅极同层形成。

具体的，主薄膜晶体管T0、第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2可以为金属氧化物薄膜晶体管，例如铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管，

具体的，可以设置为：所述金属氧化物薄膜晶体管，包括：栅极G，形成在衬底基板01上；栅极绝缘层02，形成在所述栅极G上；氧化物有源层Y，形成在所述栅极绝缘层02上；源/漏电极(E、D)，与所述氧化物有源层Y的两端电连接；当然，所述源/漏电极与所述氧化物有源层之间还可以包括接触层，所述源/漏电极通过所述接触层与所述氧化物有源层电连接，所述接触层可以由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述接触层与所述氧化物有源层、的氧化物材料的含氧量不同，所述接触层表现为导体特性。所述氧化物有源层的材质可以包括IGZO(Indium Gallium Zinc oxide，铟镓锌氧化物)，栅极绝缘层例如可以包括由氧化硅。利用金属氧化物薄膜晶体管尤其是铟镓锌氧化物薄膜晶体管的开态电流大和关态电流小的优势，可以进一步提高液晶显示面板的像素充电率和低频驱动时的保持率，提高显示效果。

在本申请的一个实施例中，例如可以设置为，彩膜基板20包括位于上衬底基板上的彩色滤光层21与公共电极22，例如，公共电极22可以位于彩色滤光层21的远离上衬底基板的一侧，并覆盖所述彩色滤光层21，彩色滤光层21包括多个不同颜色的色阻，分别对应于不同的像素P，同一个像素P内的第二子像素SP2与第一子像素SP1对应于相同颜色的色阻。

图9与图10示出了本申请一个实施例中像素阵列与彩色滤光层的对应设置方式，图9是本发明又一实施例提供的阵列基板中像素阵列示意图，图10是本发明又一实施例提供的彩色滤光层的组成示意图，在本实施例中，多个呈阵列排布的像素至少包括相邻设置的第一颜色像素P11、第二颜色像素P12与第三颜色像素P13，第一颜色像素P11、第二颜色像素P12与第三颜色像素P13沿扫描线GL的延伸方向排列。彩色滤光层21包括第一色阻F1、第二色阻F2和第三色阻F3，分别与第一颜色像素P11、第二颜色像素P12和第三颜色像素P13对应设置。

第一色阻F1、第二色阻F2和第三色阻F3的颜色互不相同，且第一色阻F1、第二色阻F2和第三色阻F3的颜色可以根据需要进行设置，例如可以为：第一色阻F1、第二色阻F2和第三色阻F3的颜色分别设置为三原色，如红色、绿色与蓝色。

进一步的，可以设置为，第一颜色像素P11、第二颜色像素P12与第三颜色像素P13中的每一个都包括上述第一子像素与第二子像素，第一子像素与第二子像素沿着数据线DL的延伸方向排列，且多个第一颜色像素P11沿着数据线DL的延伸方向重复排列，多个第二颜色像素P12沿着数据线的延伸方向重复排列，多个第三颜色像素P13沿着数据线的延伸方向重复排列。

在本实施中，第一子像素与第二子像素对应相同颜色色阻，多个第一颜色像素P11沿着数据线DL的延伸方向重复排列，多个第二颜色像素P12沿着数据线的延伸方向重复排列，多个第三颜色像素P13沿着数据线的延伸方向重复排列，因此，彩色滤光层例如可以设置为包括多列色阻，每列色阻对应于同一列中的该多个第一颜色像素P11，或者每列色阻对应于同一列中的该多个第二颜色像素P12，或者每列色阻对应于同一列中的该多个第三颜色像素P13。特别的，在反射式液晶显示面板中，当对应于每个子像素的像素电极复用为反射金属层时，或者反射金属层为非整面设计时，相邻子像素之间的反射金属层具有一定宽度的间隙，为常暗区，可以防止相邻子像素之间的混色问题，无需再在彩色滤光层上的不同色阻之间的对应位置设置黑矩阵。对应于每一列像素的每列色阻可以为整条相同颜色色阻区。相邻列色阻间也可以直接接触。

当然，在其他实施例中，也可以通过黑矩阵来使得不同颜色的色阻间隔开，例如，可以设置为，该液晶显示面板还包括遮光的黑矩阵，所述黑矩阵例如可以位于彩膜基板上，也可以位于阵列基板上。黑矩阵呈阵列排布，用于将相邻像素或者同一像素内的不同子像素间隔开，防止混色现象的发生。

在本实施例中，彩色滤光层设置在彩膜基板上，当然，例如彩色滤光层也可以位于阵列基板上，本发明并不以此为限制。

根据来自第二扫描线与主扫描线的信号通过主薄膜晶体T0与第二薄膜晶体管T2驱动第一像素P1的第二子像素SP2内的第二像素电极Px2,或者根据来自第一扫描线与主扫描线的信号通过主薄膜晶体T0与第一薄膜晶体管T1驱动第二像素P2的第一子像素SP1内的第二像素电极Px1,并根据来自数据线的信号而在像素电极与公共电极之间形成一电位差，驱动液晶层内的液晶分子发生状态变化。在该状态下，从彩膜基板一侧入射的外部光线经由液晶层入射至阵列基板的反射金属层上，并经反射金属层反射至液晶层，由此，根据液晶层的液晶分子的角度设定作为图像而显示。对于像素内的每个子像素区域，在像素电极与公共电极之间电压差驱使下，液晶层的液晶分子发生旋转和/或扭曲等状态变化，并配合位于上衬底基板上的偏光装置，使得每个子像素对应区域分时的具有关态和开态两种状态，当该子像素处于关态时，自反射金属层反射的光线不能通过该子像素对应区域，此时该子像素对应区域显示黑色；当该子像素处于开态时，自反射金属层反射的光线通过该子像素对应区域，此时该子像素对应区域显示其对应的色阻的颜色，通过控制与各个子像素内像素电极电性连接的数据线提供的数据信号，使得每个像素对应呈现不同图像需要的黑色或彩色。

具体的，例如，可以通过控制像素电极与公共电极之间电压差使得某一像素内的第一子像素和第二子像素同时处于关态，此时第一子像素和第二子像素的对应区域同时显示黑色，也就是说此时该像素显示黑色；或者，可以通过控制像素电极与公共电极之间的电压差使得某一像素内的第一子像素和第二子像素同时处于开态，自反射金属层反射的光线通过第一子像素和第二子像素的对应区域，此时第一子像素和第二子像素的对应区域显示其对应色阻的颜色，即该第一子像素和第二子像素所在像素对应的色阻的颜色；或者，可以通过控制像素电极与公共电极之间电压差使得某一像素内的第一子像素处于开态，而第二子像素处于关态，第一子像素的对应区域显示与该第一子像素对应的色阻的颜色，第二子像素的对应区域为显示黑色；或者，可以通过控制像素电极与公共电极之间电压差使得某一像素内的第二子像素处于开态，而第一子像素处于关态，第二子像素的对应区域显示与该第二子像素对应的色阻的颜色，第一子像素的对应区域为显示黑色。

在后三种状态中，虽然第一子像素与第二子像素对应色阻的颜色相同，但是由于第一子像素与第二子像素的面积不同，或者说通过与第一子像素对应色阻的光线量与通过与第二子像素对应色阻的光线量不同，则亮度不同，人眼所能感受到的颜色就不同，因此，即使第一子像素与第二子像素对应色阻的颜色相同，该三种状态下第一子像素与第二子像素所在像素的显示颜色也不同。当第二子像素、第一子像素都处于开态时通过该像素对应色阻的光线量最大，当第二子像素处于关态、第一子像素处于开态时通过该像素对应色阻的光线量最小。令：第二子像素、第一子像素都处于开态时该像素显示的颜色为F10，第二子像素处于关态、第一子像素处于开态时该像素显示的颜色为F11，第一子像素处于关态、第二子像素处于开态时该像素显示的颜色为F12，F10其实是F11和F12的叠加色。每个像素其实可以分时的显示四种不同的颜色，分别为黑色、F10、F11与F12。

进一步的，当该阵列基板的像素阵列至少包括第一颜色像素、第二颜色像素与第三颜色像素，且第一颜色像素、第二颜色像素与第三颜色像素分别对应于不同颜色色阻时，第一颜色像素可以分时的显示四种不同的颜色，第二颜色像素可以分时的显示四种不同的颜色，第三颜色像素可以分时的显示四种不同的颜色，且第一颜色像素分时显示的四种颜色分别与第二颜色像素分时显示的四种颜色不相同，第二颜色像素分时显示的四种颜色分别与第三颜色像素分时显示的四种颜色不相同，第三颜色像素分时显示的四种颜色分别与第一颜色像素分时显示的四种颜色不相同。那么在由包括该像素阵列的阵列基板形成的液晶显示面板中，只要给像素电极提供开态、关态两种不同的驱动电压，就至少可以实现显示的颜色数量为：4*4*4＝64，无需如现有技术中的液晶显示面板般给出多个不同的灰阶电压，从而可以降低功耗，减少驱动部件的设计与制作成本。

在传统彩色液晶显示器中，通过驱动用集成电路设定不同驱动电压，驱动液晶显示不同灰阶，以红(R)、绿(G)、蓝(B)三色液晶显示器为例若要实现64显示,至少需要提供4个灰阶电压，如果采用降低频率的方式降低驱动功耗，则会导致像素漏电严重，引起中间灰阶的显示亮度异常，进而导致显示图像的颜色异常。本实施例提供的液晶显示面板采用像素内驱动区域面积分割的方式，只需提供提供一个高电压和一个低电压控制每个子像素使其处于亮态或暗态就可以实现多色显示，可降低该液晶显示面板中驱动电路的功耗，实现了超低功耗下的多色显示。同时，本实施例提供的液晶显示面板中两个子像素中的存储电容的大小趋近一致，故存储电容和液晶电容可保持一致，低频漏电时，两个子像素的漏电表现一致，对应的公共电压也一致，不会出现闪烁、残影等问题，提高了显示效果。而且，因为该液晶显示面板中最亮态和最暗态的电压对亮度的影响小，即亮度变化随电压变化不敏感，故即使漏电，亮度变化也较小，所以可以实现更低频率驱动，以进一步降低驱动功耗。

上述实施例以反射式液晶显示面板为例对本发明实施例提供的像素内驱动区域面积分割的技术方案进行了介绍，当然，所述液晶显示面板也可以为半反半透式液晶显示面板，本发明并不以此为限制。

液晶层30例如能够使用ECB、TN、VA模式等的各种模式。例如，该液晶层30为扭曲向列(TN)一常白(NW)模式。

另外，本发明还提供一种包括上述液晶显示面板的显示装置。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (25)

1.一种液晶显示面板，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

数据线与扫描线，所述数据线与所述扫描线交叉设置形成多个呈阵列排布的像素，每个所述像素包括相邻设置的第一子像素与第二子像素，所述第一子像素包括第一像素电极与第一电极，所述第二子像素包括第二像素电极，所述第二子像素的面积大于所述第一子像素的面积，所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积；

以及辅助电极，至少部分所述辅助电极与所述第一电极重叠设置，形成所述第一子像素的第一辅助电容，且所述辅助电极与所述第一电极的重叠区域延伸至同一像素内的所述第二子像素内。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电极，至少部分所述存储电极与所述第一像素电极重叠设置,其重叠面积用S11表示，至少部分所述存储电极与所述第二像素电极重叠设置,其重叠面积用S21表示，至少部分所述辅助电极与所述第一电极的重叠面积用S12表示，

其中，S21大致等于S11与S12之和。

3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，

至少部分所述存储电极与所述第一像素电极重叠设置形成第一电容；

至少部分所述存储电极与所述第二像素电极重叠设置形成第二电容；

所述第一子像素的存储电容包括第一电容与第一辅助电容，所述第二子像素的存储电容包括第二电容，其中，所述第一子像素的存储电容与所述第二子像素的存储电容大致相等。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一薄膜晶体管，所述第一像素电极通过所述第一电极连接至所述第一薄膜晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一金属层，位于所述衬底基板上，所述第一金属层包括所述辅助电极与所述扫描线；

第二金属层，位于所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层包括所述第一电极、所述数据线与所述第一薄膜晶体管的漏极；

栅极绝缘层，位于所述第一金属层与所述第二金属层之间。

6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二子像素还包括第二电极与第二薄膜晶体管，所述第二像素电极通过所述第二电极连接至所述第二薄膜晶体管的漏极；

至少部分所述辅助电极与所述第二电极重叠设置，形成第二辅助电容，所述辅助电极与所述第一电极的重叠面积大于所述辅助电极与所述第二电极的重叠面积。

7.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电极，至少部分所述存储电极与所述第一像素电极重叠设置,其重叠面积用S11表示，至少部分所述存储电极与所述第二像素电极重叠设置,其重叠面积用S21表示，至少部分所述辅助电极与所述第一电极的重叠面积用S12表示，至少部分所述辅助电极与所述第二电极的重叠面积用S22表示，

其中，S21与S22之和大致等于S11与S12之和。

8.如权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，

至少部分所述存储电极与所述第一像素电极重叠设置形成第一电容；

至少部分所述存储电极与所述第二像素电极重叠设置形成第二电容；

所述第一子像素的存储电容包括第一电容与第一辅助电容，所述第二子像素的存储电容包括第二电容与第二辅助电容，其中，所述第一子像素的存储电容与所述第二子像素的存储电容大致相等。

9.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二金属层还包括所述第二电极、与所述第二薄膜晶体管的漏极。

10.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素电极层，位于所述第二金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素电极层包括所述第一像素电极与所述第二像素电极；

平坦化层，位于所述像素电极层与所述第二金属层之间；

所述第一像素电极通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述第一电极连接，所述第二像素电极通过贯穿所述平坦化层的第二过孔与所述第二电极连接，所述第一过孔与所述第二过孔相邻设置且位于所述第一子像素与所述第二子像素的交界处。

11.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

存储电极，位于所述像素电极层与所述平坦化层之间，所述存储电极包括多个开口，相邻设置的所述第一过孔与所述第二过孔位于同一个所述开口内。

12.如权利要求4或6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述辅助电极接收公共电压信号。

13.如权利要求12所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电极，所述第二像素电极与所述存储电极的重叠面积大于所述第一像素电极与所述存储电极的重叠面积，所述存储电极接收公共电压信号。

14.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个呈阵列排布的像素包括相邻设置的第一像素与第二像素，所述第一像素与所述第二像素沿数据线延伸方向排列，且每个像素的第一子像素与第二子像素沿数据线延伸方向排列；

所述扫描线包括位于所述第一像素与所述第二像素之间的第二扫描线、主扫描线与第一扫描线；

所述阵列基板还包括主薄膜晶体管，所述主薄膜晶体管的源极连接至对应的数据线，所述主薄膜晶体管的第一漏极连接至所述第一薄膜晶体管的源极，所述主薄膜晶体管的第二漏极连接至所述第二薄膜晶体管的源极，所述主薄膜晶体管的栅极连接至所述主扫描线；

所述第一薄膜晶体管的栅极连接至所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的栅极连接至所述第二扫描线。

15.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管。

16.如权利要求15所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管为铟镓锌氧化物薄膜晶体管。

17.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

反射金属层，位于所述第二金属层的远离所述衬底基板的一侧。

18.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极为透明导电层，所述第二金属层复用为反射金属层。

19.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极复用为反射金属层。

20.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二子像素的面积大致为所述第一子像素的面积的2倍，所述第二像素电极的面积大致为所述第一像素电极的面积的2倍。

21.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个色阻，同一个像素内的所述第二子像素与所述第一子像素对应于相同颜色的色阻。

22.如权利要求21所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个呈阵列排布的像素还包括相邻设置的第一颜色像素、第二颜色像素与第三颜色像素，所述第一颜色像素、所述第二颜色像素与所述第三颜色像素沿所述扫描线的延伸方向排列，

所述彩色滤光层包括第一色阻、第二色阻与第三色阻，分别与所述第一颜色像素、所述第二颜色像素与所述第三颜色像素对应设置。

23.如权利要求22所述液晶显示面板，其特征在于，所述第一色阻、所述第二色阻与所述第三色阻的颜色分别为红色、绿色与蓝色。

24.如权利要求1所述液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括彩膜基板与液晶层，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述彩膜基板包括所述彩色滤光层与公共电极。

25.一种显示装置，包括如权利要求1-24任一项所述的液晶显示面板。