CN108215422B - 一种具有高防水性的电子元器件密封用tpu薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种具有高防水性的电子元器件密封用TPU薄膜及其制备方法。所述TPU薄膜包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;所述内表层包括聚醚型聚氨酯弹性体、聚烯烃弹性体和聚酰胺;所述中间层包括聚酯型聚氨酯弹性体、乙烯‑乙烯醇共聚物和聚碳酸酯;所述外表层包括聚醚型聚氨酯弹性体和聚四氟乙烯。所述TPU薄膜是先通过三层共挤流延机熔融、流延后形成基膜,然后双向拉伸、定型的方法制备得到。本发明提供的TPU薄膜具有较高的防水隔氧性能和抗穿刺性能,尤其是其防水性能较为突出,可用作电子元器件的密封膜。
Description
技术领域
本发明属于聚合物薄膜材料技术领域,具体涉及一种电子元器件密封用TPU薄膜及其制备方法,尤其涉及一种具有高防水性的电子元器件密封用TPU薄膜及其制备方法。
背景技术
热塑性聚氨酯弹性体(TPU)是一类由低聚物多元醇、多异氰酸酯和扩链剂为主要原料制备的高聚物,可分为聚醚型TPU和聚酯型TPU,前者耐水性更强,但强度较低,后者强度高,但不耐水解。TPU具有极好的耐磨性、高的拉伸强度和伸长率,同时具有低压缩永久变形、高撕裂强度、耐环境和化学品腐蚀、低温柔韧以及硬度范围广、承载能力大的优点,广泛应用于汽车车体外部配件、电缆护套、胶带、滑雪鞋、齿轮、胶管、包装袋、密封膜等领域。
TPU由于分子链中含有大量氨基甲酸酯基团,具有一定的吸湿性,当其用于服装面料、纺织品和食品包装等对防水阻水性能要求不高的场合时,具有良好的实用性。但当其用于电子元器件的密封时,则会由于阻水不充分,难以抑制电子元件的劣化;而且电子元器件往往具有不规则的形状,可能刺破密封膜发生气体渗漏,因此对于TPU薄膜的抗穿刺性能也具有更高的要求。现有的TPU薄膜有通过添加层状无机材料的方法提高薄膜的阻隔性能,但也会导致薄膜的抗穿刺性能和密封性能大幅下降。
因此,在本领域期望得到一种具有良好防水、抗穿刺性能的TPU薄膜,以满足电子元器件密封的需要。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种电子元器件密封用TPU薄膜及其制备方法,尤其是提供一种具有高防水性的电子元器件密封用TPU薄膜及其制备方法。该TPU薄膜具有较高的防水隔氧性能和抗穿刺性能,尤其是其防水性能较为突出,可用于电子元器件的密封。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一方面,本发明提供一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
所述内表层包括聚醚型聚氨酯弹性体、聚烯烃弹性体和聚酰胺(PA);
所述中间层包括聚酯型聚氨酯弹性体、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)和聚碳酸酯(PC);
所述外表层包括聚醚型聚氨酯弹性体和聚四氟乙烯(PTFE)。
本发明中内表层采用聚醚型聚氨酯弹性体、聚烯烃弹性体和聚酰胺配合,以获得良好的粘合密封性能和抗穿刺性能,防止出现漏气现象;中间层采用聚酯型聚氨酯弹性体、EVOH和PC相配合,主要提供良好的硬挺度和防水隔氧性能;外表层直接与外界环境接触,采用聚醚型聚氨酯弹性体和PTFE配合,主要提供良好的防水和耐磨性能。本发明通过上述三层之间相互配合,从而使得到的TPU薄膜具有较高的防水隔氧性能和抗穿刺性能。
作为本发明的优选技术方案,所述内表层由40-60wt%(例如40wt%、41wt%、42wt%、43wt%、44wt%、45wt%、46wt%、47wt%、48wt%、49wt%、50wt%、51wt%、52wt%、53wt%、54wt%、55wt%、56wt%、57wt%、58wt%、59wt%或60wt%等)的聚醚型聚氨酯弹性体、15-40wt%(例如15wt%、16wt%、18wt%、20wt%、22wt%、23wt%、25wt%、26wt%、28wt%、30wt%、32wt%、33wt%、35wt%、36wt%、38wt%或40wt%等)的聚烯烃弹性体和20-30wt%(例如20wt%、21wt%、22wt%、23wt%、24wt%、25wt%、26wt%、27wt%、28wt%、29wt%或30wt%等)的聚酰胺组成。
优选地,所述内表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、30wt%的聚烯烃弹性体和20wt%的聚酰胺组成。
作为本发明的优选技术方案,所述中间层由20-40wt%(例如20wt%、21wt%、22wt%、23wt%、24wt%、25wt%、26wt%、27wt%、28wt%、29wt%、30wt%、31wt%、32wt%、33wt%、34wt%、35wt%、36wt%、37wt%、38wt%、39wt%或40wt%等)的聚酯型聚氨酯弹性体、20-30wt%(例如20wt%、21wt%、22wt%、23wt%、24wt%、25wt%、26wt%、27wt%、28wt%、29wt%或30wt%等)的乙烯-乙烯醇共聚物和35-50wt%(例如35wt%、36wt%、37wt%、38wt%、39wt%、40wt%、41wt%、42wt%、43wt%、44wt%、45wt%、46wt%、47wt%、48wt%、49wt%或50wt%等)的聚碳酸酯组成。
优选地,所述中间层由30wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的乙烯-乙烯醇共聚物和40wt%的聚碳酸酯组成。
作为本发明的优选技术方案,所述外表层由40-60wt%(例如40wt%、41wt%、42wt%、43wt%、44wt%、45wt%、46wt%、47wt%、48wt%、49wt%、50wt%、51wt%、52wt%、53wt%、54wt%、55wt%、56wt%、57wt%、58wt%、59wt%或60wt%等)的聚醚型聚氨酯弹性体和40-60wt%(例如40wt%、41wt%、42wt%、43wt%、44wt%、45wt%、46wt%、47wt%、48wt%、49wt%、50wt%、51wt%、52wt%、53wt%、54wt%、55wt%、56wt%、57wt%、58wt%、59wt%或60wt%等)的聚四氟乙烯组成。
优选地,所述外表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和50wt%的聚四氟乙烯组成。
作为本发明的优选技术方案,所述内表层、中间层和外表层之间的厚度比为(1-3):(4-8):(1-3);例如可以是1:8:1、1:7:2、1:6:3、2:7:1、2:6:2、2:5:3、3:6:1、3:5:2或3:4:3等。
优选地,所述TPU薄膜的厚度为20-100μm;例如可以是20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm或100μm等。
作为本发明的优选技术方案,所述聚烯烃弹性体为乙烯辛烯弹性体(POE)。
优选地,所述聚酰胺选自聚己内酰胺(PA6)、聚癸二酰癸二胺(PA1010)或聚已二酰间二甲基胺(MKD6)中的一种或至少两种的组合;所述组合典型但非限制性实例有:PA6与PA1010的组合、PA6与MKD6的组合、PA1010与MKD6的组合等。本发明中聚酰胺更优选为MKD6。
作为本发明的优选技术方案,所述乙烯-乙烯醇共聚物中乙烯醇单元的摩尔含量为50-60%;例如可以是50%、51%、52%、53%、54%、55%、56%、57%、58%、59%或60%等。
另一方面,本发明提供一种上述TPU薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
(2)将步骤(1)得到的基膜双向拉伸,然后加热定型,得到所述电子元器件密封用TPU薄膜。
作为本发明的优选技术方案,步骤(1)中所述熔融挤出的温度为:内表层160-200℃,例如可以是160℃、162℃、165℃、168℃、170℃、172℃、175℃、178℃、180℃、182℃、185℃、188℃、190℃、192℃、195℃、198℃或200℃等;中间层180-220℃,例如可以是180℃、182℃、185℃、188℃、190℃、192℃、195℃、198℃、200℃、202℃、205℃、208℃、210℃、212℃、215℃、218℃或220℃等;外表层250-300℃,例如可以是250℃、252℃、255℃、258℃、260℃、262℃、265℃、268℃、270℃、272℃、275℃、278℃、280℃、282℃、285℃、288℃、290℃、292℃、295℃、298℃或300℃等。
优选地,步骤(2)中所述双向拉伸的加工温度为85-100℃;85℃、86℃、87℃、88℃、89℃、90℃、91℃、92℃、93℃、94℃、95℃、96℃、97℃、98℃、99℃或100℃等。
优选地,步骤(2)中所述双向拉伸的拉伸速率为5-10m/min;例如可以是5m/min、6m/min、7m/min、8m/min、9m/min或10m/min等。
优选地,步骤(2)中所述双向拉伸的横纵向拉伸倍数相同,为3-8倍;例如可以是3倍、3.5倍、4倍、4.5倍、5倍、5.5倍、6倍、6.5倍、7倍、7.5倍或8倍等。
优选地,步骤(2)中所述加热定型的温度为180-200℃,例如可以是180℃、182℃、185℃、188℃、190℃、192℃、195℃、198℃或200℃等;定型时间为5-10min,例如可以是5min、5.5min、6min、6.5min、7min、7.5min、8min、8.5min、9min、9.5min或10min等。
作为本发明的优选技术方案,所述制备方法包括如下步骤:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,所述熔融挤出的温度为:内表层160-200℃,中间层180-220℃,外表层250-300℃,然后流延形成基膜;
(2)将步骤(1)得到的基膜在85-100℃,5-10m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为3-8倍,然后在180-200℃下加热定型5-10min,得到所述电子元器件密封用TPU薄膜。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明通过内表层、中间层和外表层的组成进行合理搭配,使得到的TPU薄膜具有较高的防水隔氧性能和抗穿刺性能。其水蒸气透过率为0.008-0.02g/m2·24h,氧气透过率为15-33cm3/m2·24h,抗穿刺强度为23-30N,可作为电子元器件的密封膜。
具体实施方式
下面通过具体实施例来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
下述实施例和对比例中所用的EVOH中乙烯醇单元的摩尔含量均为60%。
实施例1
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由40wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、40wt%的POE和20wt%的PA6组成,厚度为2μm;
中间层由40wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、25wt%的EVOH和35wt%的PC组成,厚度为16μm;
外表层由60wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和40wt%的PTFE组成,厚度为2μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层160℃,中间层180℃,外表层250℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在85℃,10m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为8倍,然后在180℃下加热定型10min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
实施例2
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由45wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、30wt%的POE和25wt%的PA1010组成,厚度为6μm;
中间层由35wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、20wt%的EVOH和45wt%的PC组成,厚度为18μm;
外表层由55wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和45wt%的PTFE组成,厚度为6μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层200℃,中间层220℃,外表层280℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在100℃,5m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为7倍,然后在200℃下加热定型5min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
实施例3
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、20wt%的POE和30wt%的PA6组成,厚度为12μm;
中间层由30wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、20wt%的EVOH和50wt%的PC组成,厚度为16μm;
外表层由45wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和55wt%的PTFE组成,厚度为12μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层180℃,中间层200℃,外表层290℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在90℃,8m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为6倍,然后在190℃下加热定型8min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
实施例4
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由55wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、15wt%的POE和30wt%的MKD6组成,厚度为6μm;
中间层由25wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的EVOH和45wt%的PC组成,厚度为42μm;
外表层由40wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和60wt%的PTFE组成,厚度为12μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层170℃,中间层210℃,外表层270℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在95℃,6m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为5倍,然后在180℃下加热定型6min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
实施例5
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由60wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、20wt%的POE和20wt%的MKD6组成,厚度为16μm;
中间层由20wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的EVOH和50wt%的PC组成,厚度为56μm;
外表层由42wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和58wt%的PTFE组成,厚度为8μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层185℃,中间层210℃,外表层280℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在90℃,7m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为4倍,然后在200℃下加热定型5min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
实施例6
一种电子元器件密封用TPU薄膜,包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
其中,内表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、30wt%的POE和20wt%的MKD6组成,厚度为25μm;
中间层由30wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的EVOH和40wt%的PC组成,厚度为50μm;
外表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和50wt%的PTFE组成,厚度为25μm。
上述TPU薄膜的制备方法如下:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
其中,熔融挤出的温度为:内表层180℃,中间层200℃,外表层260℃;
(2)将步骤(1)得到的基膜在100℃,8m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为3倍,然后在180℃下加热定型10min,得到上述电子元器件密封用TPU薄膜。
对比例1
与实施例1的区别在于,内表层由60wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、10wt%的POE和30wt%的PA6组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对比例2
与实施例1的区别在于,内表层由45wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、40wt%的POE和15wt%的PA6组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对比例3
与实施例1的区别在于,中间层由40wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、15wt%的EVOH和45wt%的PC组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对比例4
与实施例1的区别在于,中间层由40wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的EVOH和30wt%的PC组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对比例5
与实施例1的区别在于,外表层由70wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和30wt%的PTFE组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对比例6
与实施例1的区别在于,外表层由30wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和70wt%的PTFE组成,其他各层组成和制备方法与实施例1相同。
对上述实施例1-6和对比例1-6提供的TPU薄膜的性能进行测试,测试标准如下:
水蒸气透过率:按GB/T 1037-1998的方法进行测试;
氧气透过率:按GB/T 1038-2000的方法进行测试;
抗穿刺强度:按GB/T 10004-2008的方法,测定在针头直径1mm、推进速度50mm/min的条件下,TPU薄膜被刺穿所需的力作为抗穿刺强度。
上述测试的结果如下表1所示:
表1
由表1的结果可知,本发明通过内表层、中间层和外表层的组成进行合理搭配,使得到的TPU薄膜具有较高的防水隔氧性能和抗穿刺性能,可用于电子元器件的密封。当破坏各层组成之间的配合关系时,则会导致防水、隔氧和耐穿刺性能的下降。
申请人声明,以上所述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,所属技术领域的技术人员应该明了,任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (16)
1.一种水蒸气透过率为0.008-0.02g/m2·24h的电子元器件密封用TPU薄膜,其特征在于,所述TPU薄膜包括依次层叠的内表层、中间层和外表层;
所述内表层由40-60wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、15-40wt%的聚烯烃弹性体和20-30wt%的聚酰胺组成;
所述中间层由20-40wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、20-30wt%的乙烯-乙烯醇共聚物和35-50wt%的聚碳酸酯组成;
所述外表层由40-60wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和40-60wt%的聚四氟乙烯组成。
2.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述内表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体、30wt%的聚烯烃弹性体和20wt%的聚酰胺组成。
3.根据权利要求1或2所述的TPU薄膜,其特征在于,所述中间层由30wt%的聚酯型聚氨酯弹性体、30wt%的乙烯-乙烯醇共聚物和40wt%的聚碳酸酯组成。
4.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述外表层由50wt%的聚醚型聚氨酯弹性体和50wt%的聚四氟乙烯组成。
5.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述内表层、中间层和外表层之间的厚度比为(1-3):(4-8):(1-3)。
6.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述TPU薄膜的厚度为20-100μm。
7.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述聚烯烃弹性体为乙烯辛烯弹性体。
8.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述聚酰胺选自聚己内酰胺、聚癸二酰癸二胺或聚已二酰间二甲基胺中的一种或至少两种的组合。
9.根据权利要求1所述的TPU薄膜,其特征在于,所述乙烯-乙烯醇共聚物中乙烯醇单元的摩尔含量为50-60%。
10.根据权利要求1-9任一项所述的TPU薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,然后流延形成基膜;
(2)将步骤(1)得到的基膜双向拉伸,然后加热定型,得到所述电子元器件密封用TPU薄膜。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述熔融挤出的温度为:内表层160-200℃,中间层180-220℃,外表层250-300℃。
12.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述双向拉伸的加工温度为85-100℃。
13.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述双向拉伸的拉伸速率为5-10m/min。
14.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述双向拉伸的横纵向拉伸倍数相同,为3-8倍。
15.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述加热定型的温度为180-200℃,定型时间为5-10min。
16.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)按配方,分别将内表层、中间层和外表层的组分通过三层共挤流延机的三个通道熔融挤出,所述熔融挤出的温度为:内表层160-200℃,中间层180-220℃,外表层250-300℃,然后流延形成基膜;
(2)将步骤(1)得到的基膜在85-100℃,5-10m/min的拉伸速率下双向拉伸,横纵向拉伸倍数均为3-8倍,然后在180-200℃下加热定型5-10min,得到所述水蒸气透过率为0.008-0.02g/m2·24h的电子元器件密封用TPU薄膜。
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