CN108093515A - 一种高压启动电路结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高压启动电路结构,其电路结构设计简单合理,可以自关断,启动和关断速度超快速,可大大降低功耗,有效防止MOS管损坏问题的出现,其包括电阻R1、R2,电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV,电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN,三极管Q1的集电极分别连接电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极,三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极分别连接NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC,电容C1的另一端与NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
Description
技术领域
本发明涉及电路启动装置技术领域,具体为一种高压启动电路结构。
背景技术
目前, LED灯的开关电源常需要采用高压作为启动电源,常见的LED灯开关电源芯片的高压启动电路主要采用外置启动电阻的方法。采用外置启动电阻的方式启动LED的开关电源后,启动电路不能自关断,需要增加额外的关断装置来实现电路的关断,这种方式不仅关断速度慢 ,使***待机时间拉长,而且线路及电子元件的增加,不仅使整个电路结构复杂化,而且使整个启动电路的功耗偏大。由于启动电压高、启动电流大,电路不能迅速关断,产生的高热量极易使MOS管损坏。如果要降低这部分功耗,就需要增加额外的电阻来降低功耗,这样又会使整个电路***的启动时间大大延长,因此,发明一种可自关断、超快速、低功耗的高压启动电路成为我们亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的关断速度慢、功耗大、电路结构复杂、MOS管易损坏、启动时间长等问题,本发明提供了一种高压启动电路结构,其电路结构设计简单合理,可以自关断,启动和关断速度超快速,可大大降低功耗,有效防止MOS管损坏问题的出现。
一种高压启动电路结构,其包括电阻R1、R2,所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV,其特征在于,所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN,所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极,所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC,所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
将本发明应用于LED灯的开关电源启动,电阻R1、R2的作用为限流,***上电之初,电容C1两端电压为0V,这时LED驱动芯片不工作,随着时间的推移,高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电,并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大,当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时,三极管Q1,Q2关断。启动电路完成了启动工作,并自动进入低功耗状态,NMOS场效应管Q3的功耗为HV2/R1。可见,该启动电路结构简单,可以实现自关断,并且启动速度快,功耗主要由NMOS场效应管Q3产生,在有效防止NMOS场效应管Q3损坏的同时,大大降低了整个开关电源***的功耗。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,一种高压启动电路结构,其包括电阻R1、R2,所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV,其特征在于,所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN,所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极,所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC,所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
其具体工作原理如下所述:***上电之初,电容C1两端电压为0V,这时LED驱动芯片不工作,随着时间的推移,高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电,并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大,当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时,三极管Q1,Q2关断。启动电路完成了启动工作,并自动进入低功耗状态。
Claims (1)
1.一种高压启动电路结构,其包括电阻R1、R2,所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV,其特征在于,所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN,所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极,所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC,所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
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