CN108054111A - 一种集成电路硅片的分割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路硅片的分割方法,包括以下步骤:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中,检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片,厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割,倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置。本发明方便调整加工参数,有利于提高工作效率,更加方便生产作业,有利于提高产品合格率,避免频繁调整加工参数,减少机器磨损,有利于提高设备使用寿命,节约使用成本。
Description
技术领域
本发明涉及硅片的分割技术领域,尤其涉及一种集成电路硅片的分割方法。
背景技术
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路或称微电路、微芯片、芯片在电子学中是一种把电路(主要包括半导体装置,也包括被动元件等)小型化的方式,并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜混成集成电路是由独立半导体设备和被动元件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路,集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。集成电路硅片的分割方法效率不高,产品质量不稳定,不利于高效生产,所以现提出一种集成电路硅片的分割方法。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种集成电路硅片的分割方法。
本发明提出的一种集成电路硅片的分割方法,包括以下步骤:
S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;
S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;
S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;
S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;
S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;
S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;
S9:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。
优选地,所述S2中将不合格的硅片放置在废料框中,并进行标记记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
优选地,所述S3中将不同厚度的硅片,按照不同的厚度区间分类放置到不同的物料周转筐中,并在周转筐上作出标记。
优选地,所述S4中倒角处理厚度的硅片,进行外观筛分,将外观有明显瑕疵的硅片放置到倒角工段不合格品放置框中,进行记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
优选地,所述S7先对硅片划片槽内的介质材料进行蚀刻,再将硅片划片槽内的硅材料蚀刻掉,将腐蚀完成的硅片放置到周转筐中,输送到清洗工段,记录好批次。
优选地,所述S7中针对硅片上的杂质依次进行去分子、去离子、去原子清洗,最后通过去离子水进行冲洗,对于有氧化层的硅片,通过稀氢氟酸浸泡去除氧化层。
优选地,所述S8将不同厚度分类的硅片分批次进行抛光作业,并调节不同的抛光量,记录批次和抛光量。
本发明中的有益效果为:
1.通过厚度分类,可以对物料进行分批次处理,方便进行记录,方便调整加工参数,有利于提高工作效率,更加方便生产作业,有利于提高产品合格率,避免频繁调整加工参数,减少机器磨损,有利于提高设备使用寿命,节约使用成本。
2.通过进行的检测筛选、检测裂纹和裂纹复检,可以提高产品合格率,避免对有裂纹的硅片进行后续加工,降低无效作用,避免人力和资源浪费,提高工作效率。
3.通过对硅片不合格品的分类记录,方便计算每个工段的不合格品产出量,方便及时对加工工艺进行调节。
附图说明
图1为本发明提出的一种集成电路硅片的分割方法的流程示意图;
图2为本发明提出的一种集成电路硅片的分割方法的清洗示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种集成电路硅片的分割方法,包括以下步骤:
S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;
S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;
S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;
S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;
S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;
S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;
S8:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。
本发明中,所述S2中将不合格的硅片放置在废料框中,并进行标记记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间,所述S3中将不同厚度的硅片,按照不同的厚度区间分类放置到不同的物料周转筐中,并在周转筐上作出标记,所述S4中倒角处理厚度的硅片,进行外观筛分,将外观有明显瑕疵的硅片放置到倒角工段不合格品放置框中,进行记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间,所述S7先对硅片划片槽内的介质材料进行蚀刻,再将硅片划片槽内的硅材料蚀刻掉,将腐蚀完成的硅片放置到周转筐中,输送到清洗工段,记录好批次,所述S7中针对硅片上的杂质依次进行去分子、去离子、去原子清洗,最后通过去离子水进行冲洗,对于有氧化层的硅片,通过稀氢氟酸浸泡去除氧化层,所述S8将不同厚度分类的硅片分批次进行抛光作业,并调节不同的抛光量,记录批次和抛光量。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:切片,通过多线切割机对硅柱进行切割,并将硅片放置到周转筐中;
S2:检测筛选,对硅片进行外观筛选,筛除不合格品,对外观筛选的合格品进行超声波裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S3:厚度分类,对通过超声波裂纹检测的产品进行厚度检测,进行分类,并对不同厚度区间的硅片进行分类放置,对于厚度过大的进行二次切割;
S4:倒角,通过硅片倒角机对经过厚度分类的硅片进行倒角处理,并按照不同厚度分类放置;
S5:检测裂纹,通过超声波裂纹检测装置对倒角处理后的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片;
S6:腐蚀,对通过检测裂纹的硅片进行腐蚀处理,并按照不同厚度分类放置;
S7:清洗,对腐蚀后的硅片进行清洗,并按照厚度分类放置;
S8:抛光,通过硅片抛光机对完成清洗的硅片进行抛光,并根据不同厚度调整抛光量;
S9:裂纹复检,通过超声波裂纹检测装置对经过抛光的硅片进行裂纹检测,并筛除有裂纹的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S2中将不合格的硅片放置在废料框中,并进行标记记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S3中将不同厚度的硅片,按照不同的厚度区间分类放置到不同的物料周转筐中,并在周转筐上作出标记。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S4中倒角处理厚度的硅片,进行外观筛分,将外观有明显瑕疵的硅片放置到倒角工段不合格品放置框中,进行记录,定时运输到废料处理工段,并记录运输时间。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S6先对硅片划片槽内的介质材料进行蚀刻,再将硅片划片槽内的硅材料蚀刻掉,将腐蚀完成的硅片放置到周转筐中,输送到清洗工段,记录好批次。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S7中针对硅片上的杂质依次进行去分子、去离子、去原子清洗,最后通过去离子水进行冲洗,对于有氧化层的硅片,通过稀氢氟酸浸泡去除氧化层。
7.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片的分割方法,其特征在于,所述S8将不同厚度分类的硅片分批次进行抛光作业,并调节不同的抛光量,记录批次和抛光量。
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CN109671650A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-23 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 一种循环液体式吸头,及其用于去除晶圆中微粒的方法 |
CN115070973A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-20 | 济南科盛电子有限公司 | 一种单晶硅片的生产工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101256955A (zh) * | 2007-03-01 | 2008-09-03 | 胜高股份有限公司 | 晶片的单片式蚀刻装置 |
CN101656193A (zh) * | 2008-08-21 | 2010-02-24 | 北京有色金属研究总院 | 一种硅片加工工艺 |
US20100330786A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Siltronic Ag | Method For Producing An Epitaxially Coated Semiconductor Wafer |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101256955A (zh) * | 2007-03-01 | 2008-09-03 | 胜高股份有限公司 | 晶片的单片式蚀刻装置 |
CN101656193A (zh) * | 2008-08-21 | 2010-02-24 | 北京有色金属研究总院 | 一种硅片加工工艺 |
US20100330786A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Siltronic Ag | Method For Producing An Epitaxially Coated Semiconductor Wafer |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109671650A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-23 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 一种循环液体式吸头,及其用于去除晶圆中微粒的方法 |
CN115070973A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-20 | 济南科盛电子有限公司 | 一种单晶硅片的生产工艺 |
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