CN108051980B - 掩模板及其制备方法、掩模板曝光***、拼接曝光方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种掩模板及其制备方法、掩模板曝光***、以及拼接曝光方法，涉及半导体技术领域。所述掩模板包括掩模板本体以及位于掩模板本体的拼接曝光区域的紫外光吸收层；所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过该拼接曝光区域的紫外光透过率沿预设方向递变；其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。本公开可避免拼接断裂缝的现象并提升拼接处的容错能力。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩模板及其制备方法、掩模板曝光***、以及拼接曝光方法。
背景技术
随着光学技术和半导体技术的发展，以液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)为代表的平板显示器具有轻薄、能耗低、反应速度快、色纯度佳、以及对比度高等特点，在显示领域占据了主导地位。
在现有的工艺制程中，阵列基板或者彩膜基板受到掩模板尺寸及基板尺寸的限定，使得部分产品的单个面板需要经过至少2次的拼接曝光。基于这种曝光方式，如图1所示，受限于曝光精度，使得掩模板01和掩模板02在拼接曝光区域03难以保证拼接曝光方向(图中箭头所指方向)例如横向/纵向图形的严格对接。此外，在每个掩模板均为100％能量曝光的条件下，如图2所示，两次曝光过程的感光物质04均会完全感光，这样可能造成拼接缝05的断裂而导致显示异常，其对于黑矩阵(Black Matrix，BM)层而言所造成的则是漏光。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种掩模板及其制备方法、掩模板曝光***、以及拼接曝光方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面，提供一种掩模板，包括掩模板本体以及位于所述掩模板本体的拼接曝光区域的紫外光吸收层；
所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在所述拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过所述拼接曝光区域的紫外光透过率沿所述预设方向递变；
其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。
本公开的一种示例性实施例中，所述紫外光吸收层包括氧化铬涂层，所述紫外光吸收材料包括氧化铬。
本公开的一种示例性实施例中，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量根据所述拼接曝光区域中与拼接缝的距离呈线性变化。
本公开的一种示例性实施例中，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度沿所述预设方向递变。
本公开的一种示例性实施例中，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度连续变化，以使所述紫外光透过率由0连续变化至100％。
本公开的一种示例性实施例中，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度离散变化；
其中，所述拼接曝光区域包括多个吸收区，各个吸收区的所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度分别对应递变的多个浓度值，以使所述紫外光透过率分别对应0～100％中的多个透过率。
本公开的一种示例性实施例中，所述氧化铬涂层的厚度沿所述预设方向递变。
本公开的一种示例性实施例中，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层的厚度连续变化，以使所述紫外光透过率由0连续变化至100％。
本公开的一种示例性实施例中，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层的厚度离散变化；
其中，所述拼接曝光区域包括多个吸收区，各个吸收区的所述氧化铬涂层的厚度分别对应递增的多个厚度值，以使所述紫外光透过率分别对应0～100％中的多个透过率。
本公开的一种示例性实施例中，所述紫外光吸收材料用于吸收波长为350～450nm的近紫外光。
根据本公开的一个方面，提供一种掩模板的制备方法，包括：
在掩模板本体的拼接曝光区域形成紫外光吸收层，所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在所述拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过所述拼接曝光区域的紫外光透过率沿所述预设方向递变；
其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。
本公开的一种示例性实施例中，所述形成紫外光吸收层包括：
采用氯化铬水解法生成水合氧化铬并通过喷涂工艺形成氧化铬涂层。
根据本公开的一个方面，提供一种掩模板曝光***，包括上述的掩模板。
根据本公开的一个方面，提供一种拼接曝光方法，包括：
提供一组上述的掩模板，该组掩模板具有共同的拼接曝光区域；
采用该组掩模板对待曝光基板进行曝光，以使一所述掩模板在所述拼接曝光区域的紫外光透过量按照参考方向递增、另一所述掩模板在所述拼接曝光区域的紫外光透过率按照参考方向递减；
其中，所述参考方向为该组掩模板的拼接曝光方向且对应其中一所述掩模板的预设方向。
本公开示例性实施方式所提供的掩模板及其制备方法、掩模板曝光***、以及拼接曝光方法，通过在掩模板本体的拼接曝光区域形成紫外光吸收层并控制该紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量渐变，便可以针对该拼接曝光区域进行紫外光透过率的光强调制。基于此，在拼接曝光的过程中，采用成组的多个掩模板对待曝光基板进行曝光，以使该多个掩模板的拼接曝光区域经过多次曝光之后可以达到光强的100％，即经过多次不完全曝光而实现100％光强的完全曝光，这样即可有效的避免在拼接曝光区域的边界处因多次完全曝光而造成的拼接缝断裂，从而改善各个方向包括横向和纵向的拼接效果，同时还能保证在轻微偏移的情况下拼接部分的相互接连，从而提高拼接处的容错能力。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出现有技术中掩模板拼接曝光的示意图；
图2示意性示出现有技术中拼接缝断裂的示意图；
图3示意性示出本公开示例性实施例中掩模板的结构示意图；
图4示意性示出本公开示例性实施例中掩模板拼接曝光的示意图
图5示意性示出本公开示例性实施例中氧化铬的紫外光吸收光谱；
图6示意性示出本公开示例性实施例中拼接曝光区域的紫外光能量变化曲线；
图7示意性示出本公开示例性实施例中氧化铬涂层的制备装置的示意图；
图8示意性示出本公开示例性实施例中拼接曝光方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免使本公开的各方面变得模糊。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。附图中各层的厚度和形状不反映真实比例，仅是为了便于说明本公开的内容。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
本示例实施方式提供了一种掩模板10，包括拼接曝光区域10a和独立曝光区域10b，用于对待曝光基板进行拼接曝光。如图3所示，所述掩模板10可以包括掩模板本体101以及覆盖于掩模板本体101表面且对应拼接曝光区域10a的紫外光吸收层102，该紫外光吸收层102中紫外光吸收材料的含量可以在拼接曝光区域10a中沿预设方向递变例如递增或者递减，以使穿过该拼接曝光区域10a的紫外光透过率能够沿预设方向递变例如递增或者递减。
其中，所述紫外光吸收材料可用于吸收波长为350～450nm的近紫外光，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。
需要说明的是：所述预设方向是指不同掩模板10在进行拼接曝光时的拼接曝光方向例如掩模板本体101的横向和/或纵向，其具体可以由独立曝光区域10b指向拼接曝光区域10a，此时紫外光吸收材料的含量可沿预设方向递减，或者也可以由拼接曝光区域10a指向独立曝光区域10b，此时紫外光吸收材料的含量可沿预设方向递增。
本公开示例性实施方式所提供的掩模板10，通过在掩模板本体101的拼接曝光区域10a形成紫外光吸收层102并控制该紫外光吸收层102中紫外光吸收材料的含量渐变，便可以针对该拼接曝光区域10a进行紫外光透过率的光强调制。基于此，如图4可知，在拼接曝光的过程中，采用成组的多个掩模板10对待曝光基板40进行曝光，以使该多个掩模板10的拼接曝光区域10a经过多次曝光之后可以达到光强的100％，即经过多次不完全曝光而实现100％光强的完全曝光，这样即可有效的避免在拼接曝光区域10a的边界处因多次完全曝光而造成的拼接缝断裂，从而改善各个方向包括横向和纵向的拼接效果，同时还能保证在轻微偏移的情况下拼接部分的相互接连，从而提高拼接处的容错能力。
在本示例实施方式中，所述紫外光吸收层102可以包括氧化铬涂层，所述紫外光吸收材料可以包括氧化铬。如图5所示，由于氧化铬具体为碱性环境下的六价铬离子对于近紫外光具有良好的吸收效果，因此通过调节氧化铬的含量即可控制近紫外光的透过率，从而实现近紫外光的光强调制。
其中，如图6所示，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量可以根据拼接曝光区域10a中与拼接缝的距离呈线性变化，以使透过掩模板10的紫外光能量也可以随着与拼接缝的距离呈线性变换，其具体可沿预设方向自拼接曝光区域10a的一端至另一端呈线性变化，以在采用多个掩模板10进行拼接曝光时能够方便的进行光强的控制，使得经过多个掩模板10的多次曝光之后能够达到完全曝光强度即紫外光光强的100％。
当然，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量也可以根据拼接曝光区域10a中与拼接缝的距离呈非线性变化，只要能够保证经过多个掩模板10的多次曝光之后可以达到完全曝光强度即可，其它不作强制性限定。
在实际生产中，目前使用的汞灯可使光刻胶产生感光作用，其光谱中主要起感光作用的为g、h、i三种波长的光谱。由于光刻胶对于特定波长的光线敏感，因此利用这一特性制得对g、h、i三种光波具有吸收作用的膜层即氧化铬涂层，即可达到改变透过光波能量的目的。其中，g、h、i分别对应的波长为436nm、405nm、365nm。根据图5可知，利用氧化铬即铬离子的吸收光谱能够覆盖该范围的波长，从而实现改变透过光强的目的。
在本示例的一种实施方式中，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量可以通过氧化铬的浓度进行控制，即：所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度可以沿预设方向递变。
其中，沿该预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度可以连续变化，以使紫外光透过率能够由0连续变化至100％。在此情况下，当采用多个例如两个掩模板10进行拼接曝光时，只需使该两个掩模板10的预设方向相反，以使沿同一方向通过其中一个掩模板10的紫外光透过率可以由0连续变化至100％，而通过另一个掩模板10的紫外光透过率可以由100％连续变化至0，这样便可以通过两次不完全曝光而实现一次完全曝光。
或者，沿该预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度也可以离散变化，以使紫外光透过率能够由0非连续变化至100％；其中，所述拼接曝光区域10a可以包括多个吸收区，且各个吸收区的氧化铬涂层中氧化铬的浓度分别对应递变的多个浓度值，以使紫外光透过率分别对应0～100％中递变的多个透过率。在此情况下，当采用多个例如两个掩模板10进行拼接曝光时，只需使该两个掩模板10的预设方向相反，以使沿同一方向通过其中一个掩模板10的紫外光透过率可以由0间断变化至100％，例如各个吸收区对应的紫外光透过率分别为0、30％、60％和100％，而通过另一个掩模板10的紫外光透过率可以由100％间断变化至0，例如各个吸收区对应的紫外光透过率分别为100％、70％、40％和0，且该两个掩模板10的各个吸收区的位置相对应，这样便可以通过两次不完全曝光而实现一次完全曝光。
但是，考虑到连续变化的氧化铬浓度能够获得连续变化的紫外光透过率，这样有利于保证拼接曝光区域10a的均匀过度，从而可以有效的降低拼接mura的产生，因此本示例实施方式优选采用前者的方案。
在本示例的另一实施方式中，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量可以通过氧化铬涂层的厚度进行控制，即：所述氧化铬涂层的厚度可以沿预设方向递变。
其中，沿该预设方向，所述氧化铬涂层的厚度可以连续变化，以使紫外光透过率能够由0连续变化至100％。在此情况下，当采用多个例如两个掩模板10进行拼接曝光时，只需使该两个掩模板10的预设方向相反，以使沿同一方向通过其中一个掩模板10的紫外光透过率可以由0连续变化至100％，而通过另一个掩模板10的紫外光透过率可以由100％连续变化至0，这样便可以通过两次不完全曝光而实现一次完全曝光。
或者，沿该预设方向，所述氧化铬涂层的厚度也可以离散变化，以使紫外光透过率能够由0非连续变化至100％；其中，所述拼接曝光区域10a可以包括多个吸收区，且各个吸收区的氧化铬涂层的厚度分别对应递变的多个厚度值，以使紫外光透过率分别对应0～100％中递变的多个透过率。在此情况下，当采用多个例如两个掩模板10进行拼接曝光时，只需使该两个掩模板10的预设方向相反，以使沿同一方向通过其中一个掩模板10的紫外光透过率可以由0间断变化至100％，例如各个吸收区对应的紫外光透过率分别为0、30％、60％和100％，而通过另一个掩模板10的紫外光透过率可以由100％间断变化至0，例如各个吸收区对应的紫外光透过率分别为100％、70％、40％和0，且该两个掩模板10的各个吸收区的位置相对应，这样便可以通过两次不完全曝光而实现一次完全曝光。
但是，考虑到连续变化的氧化铬涂层厚度能够获得连续变化的紫外光透过率，这样有利于保证拼接曝光区域10a的均匀过度，从而可以有效的降低拼接mura的产生，因此本示例实施方式优选采用前者的方案。
基于上述的掩模板10，本示例实施方式还提供了一种掩模板的制备方法，该掩模板的制备方法可以包括：
在掩模板本体101的拼接曝光区域10a形成紫外光吸收层102，所述紫外光吸收层102中紫外光吸收材料的含量在拼接曝光区域10a中沿预设方向递变例如递增或者递减，以使穿过该拼接曝光区域10a的紫外光透过率沿预设方向递变例如递增或者递减。
其中，所述紫外光吸收材料可用于吸收波长为350～450nm的近紫外光，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。
本公开示例性实施方式所提供的掩模板10的制备方法，通过在掩模板本体101的拼接曝光区域10a形成紫外光吸收层102并控制该紫外光吸收层102中紫外光吸收材料的含量渐变，便可以针对该拼接曝光区域10a进行紫外光透过率的光强调制。基于此，在拼接曝光的过程中，采用成组的多个掩模板10对待曝光基板进行曝光，以使该多个掩模板10的拼接曝光区域10a经过多次曝光之后可以达到光强的100％，即经过多次不完全曝光而实现100％光强的完全曝光，这样即可有效的避免在拼接曝光区域10a的边界处因多次完全曝光而造成的拼接缝断裂，从而改善各个方向包括横向和纵向的拼接效果，同时还能保证在轻微偏移的情况下拼接部分的相互接连，从而提高拼接处的容错能力。
本示例实施方式，所述紫外光吸收层103的形成方法例如可以包括：采用氯化铬水解法生成水合氧化铬并通过喷涂工艺形成氧化铬涂层。
其中，在采用氯化铬水解法生成水合氧化铬时，可以通过氯化铬溶液的PH值来控制水解速率；在沉积表面的包覆速率与铬离子的水解速率相当时，所沉积的氧化铬涂层即可实现平整光滑的连续膜层。此外，通过控制成膜溶剂的搅拌速率，还能控制晶核的生长速度。在此基础上，成膜基板可采用石英玻璃，其具有玻璃本身的特性，因此只需控制反应时间即可控制成膜厚度以及膜层的均匀过度。
具体而言，如图7所示，该氧化铬涂层的形成设备如下：采用喷嘴式喷涂的工艺流程，一方面通过控制喷嘴700的喷涂速度，另一方面通过控制掩模板10的斜向滑动速度例如采用“迈克尔逊干涉仪”实现几百纳米级的移动精度控制，即可实现水解反应时间的控制，从而达到成膜厚度的精确控制。
本示例实施方式还提供了一种掩模板曝光***，包括上述的掩模板10。其中，在采用多个例如两个掩模板10进行拼接曝光时，同一组掩模板10的预设方向应当相反，以使不同掩模板10对于紫外光的吸收作用呈相反方向的梯度变化。例如，一个掩模板10的第一预设方向是自上而下，其紫外光透过率在该第一预设方向是由0向100％变化，而另一掩模板10的第二预设方向是自下而上，其紫外光透过率在该第二预设方向也是由0向100％变化，但在第一预设方向则是由100％向0变化。
这样一来，在拼接曝光的过程中，采用成组的多个掩模板10对待曝光基板40进行曝光，以使该多个掩模板10的拼接曝光区域10a经过多次曝光之后可以达到光强的100％，即经过多次不完全曝光而实现100％光强的完全曝光，这样即可有效的避免在拼接曝光区域10a的边界处因多次完全曝光而造成的拼接缝断裂，从而改善各个方向包括横向和纵向的拼接效果，同时还能保证在轻微偏移的情况下拼接部分的相互接连，从而提高拼接处的容错能力。
本示例实施方式还提供了一种拼接曝光方法，如图8所示，该拼接曝光方法可以包括：
S1、提供一组上述的掩模板10，该组掩模板具有共同的拼接曝光区域；
S2、采用该组掩模板对待曝光基板40进行曝光，以使一掩模板10在拼接曝光区域的紫外光透过量按照参考方向递增、另一掩模板10在拼接曝光区域的紫外光透过率按照参考方向递减。
其中，所述参考方向为该组掩模板的拼接曝光方向且对应其中一掩模板10的预设方向，该组掩模板在拼接曝光区域经过多次曝光的曝光强度达到完全曝光强度。
本公开示例性实施方式所提供的拼接曝光方法，采用成组的多个上述掩模板10对待曝光基板进行曝光，以使该多个掩模板10的拼接曝光区域10a经过多次曝光之后可以达到光强的100％，即经过多次不完全曝光而实现100％光强的完全曝光，这样即可有效的避免在拼接曝光区域10a的边界处因多次完全曝光而造成的拼接缝断裂，从而改善各个方向包括横向和纵向的拼接效果，同时还能保证在轻微偏移的情况下拼接部分的相互接连，从而提高拼接处的容错能力。
本示例实施方式还提供了一种拼接曝光产品，采用上述的拼接曝光方法制备而得。在本示例实施方式中，该拼接曝光产品例如可以为阵列基板或者彩膜基板，且该阵列基板和该彩膜基板可用于组成显示装置。其中，所述显示装置例如可以包括手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (12)
1.一种掩模板，具有拼接曝光区域和独立曝光区域，其特征在于，所述掩模板包括掩模板本体以及覆盖于所述掩模板本体表面且对应所述拼接曝光区域的紫外光吸收层；
所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在所述拼接曝光区域中沿由所述独立曝光区域指向所述拼接曝光区域的预设方向递变，以使穿过所述拼接曝光区域的紫外光透过率沿所述预设方向递变；
其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率；
所述紫外光吸收层包括氧化铬涂层，所述紫外光吸收材料包括氧化铬；
所述氧化铬涂层中氧化铬的含量在拼接曝光区域中沿所述预设方向递减，以使所述紫外光透过率由0变化至100％。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述氧化铬涂层中氧化铬的含量根据所述拼接曝光区域中与拼接缝的距离呈线性变化。
3.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度连续变化。
4.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度离散变化；
其中，所述拼接曝光区域包括多个吸收区，各个吸收区的所述氧化铬涂层中氧化铬的浓度分别对应递变的多个浓度值，以使所述紫外光透过率分别对应0～100％中的多个透过率。
5.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述氧化铬涂层的厚度沿所述预设方向递变。
6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层的厚度连续变化，以使所述紫外光透过率由0连续变化至100％。
7.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，沿所述预设方向，所述氧化铬涂层的厚度离散变化；
其中，所述拼接曝光区域包括多个吸收区，各个吸收区的所述氧化铬涂层的厚度分别对应递变的多个厚度值，以使所述紫外光透过率分别对应0～100％中的多个透过率。
8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述紫外光吸收材料用于吸收波长为350～450nm的近紫外光。
9.一种掩模板的制备方法，所述掩模板具有拼接曝光区域和独立曝光区域，其特征在于，所述制备方法包括：
在掩模板本体的所述拼接曝光区域形成紫外光吸收层，所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在所述拼接曝光区域中沿由所述独立曝光区域指向所述拼接曝光区域的预设方向递变，以使穿过所述拼接曝光区域的紫外光透过率沿所述预设方向递变；
其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率；
所述紫外光吸收层包括氧化铬涂层，所述紫外光吸收材料包括氧化铬；
所述氧化铬涂层中氧化铬的含量在拼接曝光区域中沿所述预设方向递减，以使所述紫外光透过率由0变化至100％。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成紫外光吸收层包括：
采用氯化铬水解法生成水合氧化铬并通过喷涂工艺形成氧化铬涂层。
11.一种掩模板曝光***，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的掩模板。
12.一种拼接曝光方法，其特征在于，包括：
提供一组权利要求1-8任一项所述的掩模板，该组掩模板具有共同的拼接曝光区域；
采用该组掩模板对待曝光基板进行曝光，以使一所述掩模板在所述拼接曝光区域的紫外光透过率按照参考方向递增、另一所述掩模板在所述拼接曝光区域的紫外光透过率按照参考方向递减；
其中，所述参考方向为该组掩模板的拼接曝光方向且对应其中一所述掩模板的预设方向。
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