CN107977109B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区域和位于显示区域的至少一侧处的非显示区域；触摸感测器件，位于显示区域处；第一外线，电连接到焊盘，并且位于作为非显示区域的第一部分的第一非显示区域处；第二外线，连接第一外线和触摸感测器件；多个像素，位于显示区域处；驱动电路，位于第一非显示区域处并用于驱动像素；以及电源供应线，电连接到像素并位于作为非显示区域的第二部分的第二非显示区域处。

Description

显示装置
本申请要求于2016年10月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0137937号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一方面涉及一种显示装置。
背景技术
在显示装置中，有机发光显示装置被构造为使用发射由电子和空穴的复合产生的光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。有机发光显示装置具有高的响应速度，并且以低功耗驱动。
有机发光显示装置包括构造有OLED的像素，并且像素通过电源供应线而供应有电源。电源包括第一电源ELVDD和第二电源ELVSS。
显示装置也可以包括触摸传感器，所述触摸传感器包括感测电极和以行为单位连接到感测电极的外线。
电源供应线和外线可以设置在非显示区域中。
发明内容
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区域和位于显示区域的至少一侧处的非显示区域；触摸感测器件，位于显示区域处；第一外线，电连接到焊盘，并且位于作为非显示区域的第一部分的第一非显示区域处；第二外线，连接第一外线和触摸感测器件；多个像素，位于显示区域处；驱动电路，位于第一非显示区域处并用于驱动像素；以及电源供应线，电连接到像素并位于作为非显示区域的第二部分的第二非显示区域处。
第一外线可以不与电源供应线叠置。
第二外线可以通过从第一非显示区域穿过第二非显示区域而连接到触摸感测器件。
第二非显示区域可以位于第一非显示区域和显示区域之间。
电源供应线可以位于驱动电路和像素之间。
驱动电路可以包括用于将扫描信号供应到像素的扫描驱动器。
驱动电路还可以包括：数据驱动器，用于将数据信号供应到像素；以及时序控制器，用于控制扫描驱动器和数据驱动器。
像素中的每个可以包括：有源层，位于基底上；栅极绝缘层，位于有源层上方；栅电极，位于栅极绝缘层上；第一绝缘层，位于栅电极上方；源电极和漏电极，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于源电极和漏电极上方；阳电极，位于第二绝缘层上并连接到漏电极；有机层，位于阳电极上；以及阴电极，位于有机层上。
电源供应线可以电连接到像素的阴电极。
电源供应线可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料，并且可以与源电极和漏电极位于同一层中。
显示装置还可以包括位于第二绝缘层上的连接图案，并且连接图案具有：第一侧，连接到电源供应线；以及第二侧，连接到阴电极。
连接图案可以包括与阳电极的材料相同的材料，并且可以与阳电极位于同一层中。
连接图案和阳电极可以彼此分开。
像素的阴电极的与连接图案相邻的一部分可以延伸到第二非显示区域以电连接到连接图案。
显示装置还可以包括用于通过电源供应线向像素供电的电源。
显示装置还可以包括覆盖像素的包封层，其中，触摸感测器件以及第一外线和第二外线位于包封层上。
触摸感测器件可以包括：第一感测电极，布置在第一方向上；第一桥接图案，连接第一感测电极中相邻的第一感测电极；第二感测电极，布置在与第一方向交叉的第二方向上；以及第二桥接图案，连接第二感测电极中相邻的第二感测电极。
触摸感测器件可以呈具有多条导电线彼此交叉的结构的网格形式。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。然而，实施例可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的框图。
图2是图1中示出的像素的电路图。
图3A是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置中的显示面板的平面图。
图3B是示出与图3A的显示面板叠置的触摸传感器的实施例的平面图。
图4是沿图3A和图3B的线I-I’截取的剖视图。
具体实施例
通过参照实施例和附图的以下详细描述，可以更容易地理解发明构思的特征和实现发明构思的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此，可以不描述本领域普通技术人员对于完全理解本发明的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中同样的附图标记表示同样的元件，因此将不重复它们的描述。在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可以被夸大。
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的彻底理解。然而，明显的是，各种实施例可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践。在其它情况下，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于解释，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包括装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可包含上方和下方两种方位。装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并应该相应地解释这里使用的空间相对描述符。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者可以存在一个或更多个中间元件、中间层、中间区域或中间组件。此外，也将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或中间层。
为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，并非意在限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”也意在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和它们的变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，修饰的是整列元件而不是修饰该列中的单个元件。
如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语，而不用作程度术语，并意在考虑将被本领域普通技术人员认可的测量或计算的值中的固有偏差。另外，当描述本发明的实施例时使用“可以(可)”是指“本发明的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”、“使用……的”和“所使用的”可以被认为分别与术语“利用”、“利用……的”和“所利用的”同义。另外，术语“示例性”意在指示例或图例。
当可不同地实现特定的实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，连续地描述的两个工艺可基本上同时地执行，或者按照与所描述的顺序相反的顺序执行。
这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施例。如此，预计将出现由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状上的变化。因此，这里公开的实施例不应被解释为局限于区域的具体示出的形状，而是应包括因例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。类似地，由注入形成的埋区域可导致在埋区域和发生注入所通过的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在说明装置的区域的实际形状，并且不意在限制。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现根据这里描述的本发明的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者形成在单独的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者在一个基底上形成。此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，所述进程或线程执行计算机程序指令并与用于执行这里描述的各种功能的其它***组件交互。计算机程序指令存储在可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器件在计算装置中实现的存储器中。计算机程序指令也可以存储在诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。此外，本领域技术人员应该认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以与一个或更多个其它计算装置交叉分布。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的意思一致的意思，并且应该不以理想化或者过于形式化的含义来解释它们。
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的框图。
参照图1，根据本实施例的显示装置可以包括时序控制器110、数据驱动器120、扫描驱动器130、电源140和像素区域150。
时序控制器110接收图像数据，并且也接收用于控制其显示的同步信号、时钟信号等。时序控制器110将接收到的图像数据校正为适用于在像素区域150上显示图像，并将校正的数据信号(数据)供应到数据驱动器120。此外，时序控制器110输出用于控制数据驱动器120的时序操作的数据控制信号DCS，并且输出用于控制扫描驱动器130的时序操作的扫描控制信号SCS。
数据驱动器120连接到数据线D1至Dm，并且通过数据线D1至Dm将数据信号供应到像素区域150。数据驱动器120将从时序控制器110供应的数字数据信号(数据)转换为模拟数据信号(或电压)。具体地，数据驱动器120响应于来自时序控制器110的数据控制信号DCS而对数据信号(数据)进行采样和锁存，并将数据信号(数据)转换为伽马参考电压以输出。
扫描驱动器130连接到扫描线S1至Sn，并且通过扫描线S1至Sn将扫描信号供应到像素区域150。具体地，响应于来自时序控制器110的扫描控制信号SCS，扫描驱动器130在转变栅极电压的电平的同时输出扫描信号。在实施例中，扫描驱动器130可以构造有多个级电路，并且可以将扫描信号顺序地供应到扫描线S1至Sn。
电源140将高电位的第一电源ELVDD和低电位的第二电源ELVSS施加到像素区域150。电源140可以通过相应的电源供应线供应第一电源ELVDD和第二电源ELVSS。具体地，稍后将参照图3详细描述用于供应第二电源ELVSS的电源供应线。
像素区域150显示与从数据驱动器120供应的数据信号和从扫描驱动器130供应的扫描信号两者对应的图像。像素区域150连接到扫描线S1至Sn和数据线D1至Dm，并且包括以矩阵形式布置的多个像素Px。
具体地，根据供应到与像素Px连接的扫描线S1至Sn中的任意一条的扫描信号，以水平行为单位选择像素Px。此时，由扫描信号选择的行中的每个像素Px从与其连接的相应数据线(D1至Dm中的任意一条)接收数据信号。接收数据信号的每个像素Px发射与数据信号对应的光(例如，具有预定亮度的光)。
像素Px中的每个可以是包括有机层的有机发光元件。然而，本公开不限于此，并且像素Px可以以诸如液晶元件、电泳元件和电润湿元件的各种形式实现。
图2是图1中示出的像素的电路图。
参照图2，根据本公开的实施例的每个像素Px可以包括有机发光二极管OLED、扫描线Sn、数据线Dm、第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和连接到有机发光二极管OLED的像素电路152。
有机发光二极管OLED的阳电极连接到像素电路152，有机发光二极管OLED的阴电极连接到第二电源ELVSS。有机发光二极管OLED以与从像素电路152供应的电流的量对应的亮度发光。
像素电路152可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2和存储电容器Cst。
第一晶体管M1的第一电极连接到数据线Dm，第一晶体管M1的第二电极连接到第一节点N1。此外，第一晶体管M1的栅电极连接到扫描线Sn。当扫描信号供应到扫描线Sn时第一晶体管M1导通，以将从数据线Dm供应的数据信号传输到第一节点N1。
第二晶体管M2的第一电极连接到第一电源ELVDD，第二晶体管M2的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳电极。此外，第二晶体管M2的栅电极连接到第一节点N1。第二晶体管M2根据供应到其栅电极的电压来控制从第一电源ELVDD流向有机发光二极管OLED的阳电极的电流。
存储电容器Cst的一个端子连接到第一节点N1，存储电容器Cst的另一端子连接到第一电源ELVDD和第二晶体管M2的第一电极。当扫描信号供应到扫描线Sn时，存储电容器Cst存储与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并将存储电压维持一帧。
将详细描述像素Px的运行过程。首先，如果扫描信号被供应到扫描线Sn，则第一晶体管M1导通。如果第一晶体管M1导通，则供应到数据线Dm的数据信号经由第一晶体管M1传输到第一节点N1。如果数据信号被传输到第一节点N1，则与第一电源ELVDD的电压和数据信号之间的差值对应的电压被充入存储电容器Cst中。然后，第二晶体管M2根据供应到其栅电极的电压来控制从第一电源ELVDD到有机发光二极管OLED的电流。有机发光二极管OLED以与供应到其的电流量对应的亮度发光，从而显示图像。
图3A是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置中的显示面板的平面图。图3B是示出与图3A的显示面板叠置的触摸传感器的实施例的平面图。
参照图3A和图3B，根据本实施例的显示装置包括显示面板10和与显示面板10叠置的触摸传感器20。
显示面板10包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素Px、电连接到像素Px的电源供应线ELVSS_L以及用于驱动像素Px的驱动电路DRV。
基底SUB包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧处的非显示区域NA。基底SUB可以具有近似矩形的形状。在本实施例中，基底SUB可以包括在第一方向D1上彼此平行的一对短边和在与第一方向D1交叉的第二方向D2上彼此平行的一对长边。然而，基底SUB的形状不限于此，并且基底SUB可以具有各种形状，诸如以包括直边的闭合形状多边形、包括曲边的圆形、椭圆形等以及包括直边和曲边的半圆形、半椭圆形等为例。
当基底SUB具有直边时，每个形状的角部的至少一部分可以以曲线形成(例如，形状可以包括倒圆的角部)。例如，当基底SUB具有矩形形状时，相邻的直边彼此相交的部分可以用曲线(例如，具有预定曲率的曲线)代替。也就是说，矩形形状的顶点部分可以形成有具有分别与两条相邻的直边中的一条连接的相邻端部的曲边，所述曲边具有预定的曲率。曲率可以根据位置而不同地设定。例如，曲率可以根据曲线开始的位置、曲线的长度等而改变。
显示区域DA是设置有多个像素Px以显示图像的区域。显示区域DA可以以与基底SUB的形状对应的形状设置。例如，与基底SUB的形状相似，显示区域DA可以以各种形状设置，诸如包括直边的闭合形状多边形、包括曲边的圆形、椭圆形等以及包括直边和曲边的半圆形、半椭圆形等。当显示区域DA具有直边时，每个形状的角部的至少一部分可以以曲线形成(例如，形状可以包括倒圆的角部)。
像素Px设置在基底SUB的显示区域DA上。每个像素Px是用于显示图像的最小单位，并且像素Px可以以多个设置。像素Px可以发射白光和/或彩色光。每个像素Px可以发射红色、绿色和蓝色中的一种颜色的光，但本公开不限于此。例如，每个像素Px可以发射诸如青色、品红色或黄色的颜色的光。
每个像素Px可以是包括有机层的发光元件，但本公开不限于此。例如，每个像素Px可以以诸如液晶元件、电泳元件和电润湿元件的各种形式实现。
在本实施例中，像素Px可以沿着多个行以矩阵形式布置，以在第一方向D1上延伸，并且可以沿着多个列以矩阵形式布置，以在第二方向D2上延伸。然而，不特别地限制像素Px的布置形式，像素Px可以以各种其它形式布置。例如，像素Px可以被布置为使得一个方向变为行方向，或者可以被布置为使得相对于该一个方向倾斜的方向变为行方向。
非显示区域NA是不显示图像的区域，并且是不设置像素Px的区域。非显示区域NA包括作为非显示区域NA的一部分的第一非显示区域NA1和作为非显示区域NA的剩余部分的第二非显示区域NA2。第二非显示区域NA2可以位于第一非显示区域NA1和显示区域DA之间。
在实施例中，非显示区域NA可以具有围绕显示区域DA的窗框架形状。此外，第一非显示区域NA1可以是与基底SUB的边缘接触或对齐的非显示区域NA的外部区域，并且第二非显示区域NA2可以是与显示区域DA接触的非显示区域NA的内部区域。然而，本公开不限于此，非显示区域NA、第一非显示区域NA1和第二非显示区域NA2的尺寸和形状可以被不同地修改。
用于驱动像素Px的驱动电路DRV可以设置在第一非显示区域NA1中。驱动电路DRV可以包括如上所述的时序控制器110、数据驱动器120和扫描驱动器130中的至少一个。驱动电路DRV可以包括用于向像素Px提供扫描信号的扫描驱动器130、用于向像素Px提供数据信号的数据驱动器120以及/或者用于控制扫描驱动器130和数据驱动器120的时序控制器110等。
驱动电路DRV可以直接安装在基底SUB上。当驱动电路DRV直接安装在基底SUB上时，驱动电路DRV可以在形成像素Px的工艺期间与像素Px一起形成。然而，驱动电路DRV的安装位置和形成方法不限于此。例如，驱动电路DRV可以形成在单独的芯片上，以按玻璃上芯片的形式设置在基底SUB上。可选择地，驱动电路DRV可以安装在单独的印刷电路板上，以通过连接构件连接到基底SUB。
用于向像素Px供应电源的电源供应线ELVSS_L设置在第二非显示区域NA2中。电源供应线ELVSS_L可以将从电源140施加的第二电源ELVSS供应到像素Px。电源供应线ELVSS_L可以以围绕显示区域DA的整体或一部分的形状设置。在实施例中，电源供应线ELVSS_L可以连接到像素Px的阴电极。
如图3B中所示，触摸传感器20可以包括设置在显示区域DA中以检测触摸位置的触摸感测器件TS、位于第一非显示区域NA1中并电连接到触摸感测器件TS的外线TL以及通过外线TL连接到触摸感测器件TS的触摸控制器25。
在本实施例中，触摸感测器件TS和外线TL直接形成在显示面板10的包封层上。在另一实施例中，触摸感测器件TS和外线TL可以以单独的面板或膜的形式粘附在显示面板10上。在又一实施例中，触摸感测器件TS和外线TL可以以内置型设置在显示面板10中。
触摸感测器件TS可以包括在第一方向D1上布置的第一感测电极Tx、连接相邻的第一感测电极Tx的第一桥接图案、在与第一方向D1交叉的第二方向D2上布置的第二感测电极Rx以及连接相邻的第二感测电极Rx的第二桥接图案。
在实施例中，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx是用于检测触摸输入的多个导电图案，并且可以被设置为均匀地分布在显示区域DA中。在第一感测电极Tx和第二感测电极Rx之间形成互电容。当触摸事件发生时，互电容改变。在另一实施例中，触摸感测器件TS可以构造有自电容感测电极。
第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以形成在同一层中或者可以形成在不同的层中。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可以以单层或多层形成。此外，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以以诸如包括条形、菱形等的多边形形状或者圆形形状的各种形状设置。
第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以由透明电极材料形成，使得光可以透射通过。例如，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锑锌(AZO)的透明导电材料制成。
在本实施例中，第一桥接图案具有与第一感测电极Tx分开的图案，并且可以在第一感测电极Tx的上方或下方电连接到第一感测电极Tx的同时，以行为单位连接相邻的第一感测电极Tx。第二桥接图案可以在同一层中与第二感测电极Rx一体地形成。
第二桥接图案可以与第二感测电极Rx一起由透明电极材料形成。当第二桥接图案由透明电极材料形成时，第二感测电极Rx和第二桥接图案通过使透明电极材料图案化的工艺而被一体地图案化，从而简化工艺。
在本实施例中，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx具有菱形形状。然而，本公开不限于此，并且第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以选自本领域已知的各种导电图案的形状、结构和材料。在实施例中，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以以具有多条导线彼此交叉的结构的网格形式设置。在这种情况下，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以由导电金属材料或者诸如银纳米线(AgNW)、碳纳米管或石墨烯的导电纳米化合物制成。
外线TL以行为单位连接到第一感测电极Tx和第二感测电极Rx，以通过焊盘(例如，电子焊盘或焊盘单元)PD电连接到触摸控制器25。焊盘PD用于将外线TL连接到触摸控制器25，并且可以设置在非显示区域NA的一侧处。外线TL可以使用可以设置在焊盘PD中的连接件、非导电粘合膜等连接到触摸控制器25。
外线TL可以包括位于第一非显示区域NA1中并沿着基底SUB的边缘延伸的第一外线TL1以及将第一外线TL1连接到触摸感测器件TS的第二外线TL2。
第一外线TL1的第一端连接到第二外线TL2，第一外线TL1的第二端连接到焊盘PD。当在平面上观察时，第一外线TL1可以在第一非显示区域NA1中弯曲两次或更多次。
第一外线TL1位于第一非显示区域NA1中。因此，第一外线TL1不与位于第二非显示区域NA2中的电源供应线ELVSS_L叠置。
第二外线TL2的第一端连接到第一感测电极Tx和第二感测电极Rx，第二外线TL2的第二端连接到第一外线TL1。
第二外线TL2通过从第一非显示区域NA1穿过第二非显示区域NA2而连接到第一感测电极Tx和第二感测电极Rx。因此，位于第二非显示区域NA2中的一些第二外线TL2可以与电源供应线ELVSS_L叠置。然而，由于第二外线TL2在与电源供应线ELVSS_L交叉的方向上延伸，所以叠置的区域非常小。
外线TL设置在非显示区域NA中。由于可以使用宽范围的材料作为外线TL的材料，所以外线TL不仅可以由透明电极材料形成，而且可以由诸如钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或它们的合金的低电阻金属材料形成。此外，外线TL可以以单层或以多层形成。在这种情况下，外线TL可以包括堆叠有金属材料中的两种或更多种的多层。
触摸控制器25检测第一感测电极Tx和第二感测电极Rx之间的电容变化，从而检测触摸位置。
图4是沿图3A和图3B的线I-I’截取的剖视图。
在下文中，参照图3A、图3B和图4，首先将描述显示区域DA，然后将描述非显示区域NA。
在本公开的实施例中，多个像素Px设置在显示区域DA中。每个像素Px包括连接到诸如扫描线或数据线的线的晶体管、连接到晶体管的有机发光元件以及存储电容器Cst。晶体管可以包括用于控制有机发光元件的驱动晶体管和用于开关驱动晶体管的开关晶体管。
上述像素Px可以以如参照图4所描述的堆叠结构来实现。在图4中，为了便于描述，对于一个像素Px已经示出了一个晶体管和一个电容器，但是本公开不限于此。例如，可以在一个像素Px中设置两个或更多个晶体管和至少一个电容器。可选择地，可以在一个像素Px中设置三个或更多个晶体管和两个或更多个电容器。
根据本实施例的像素Px设置在基底SUB上。基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以为可弯曲的或可折叠的。基底SUB可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，构成基底SUB的材料可以不同地改变，并且基底SUB也可以由纤维玻璃增强塑料(FRP)等制成。
缓冲层BF形成在基底SUB上。缓冲层BF减少或防止杂质扩散到开关晶体管和驱动晶体管中。缓冲层BF可以是由无机材料制成的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成。可以根据基底SUB的材料和工艺条件省略缓冲层BF。
有源图案ACT设置在缓冲层BF上。有源图案ACT由半导体材料形成。有源图案ACT可以包括源区、漏区以及设置在源区和漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅、半导体氧化物等制成的半导体图案。沟道区是不掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。源区和漏区可以是掺杂有杂质的半导体图案。所述杂质可以是诸如n型杂质、p型杂质和其它金属的杂质。
栅极绝缘层GI设置在有源图案ACT上方。栅极绝缘层GI可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
栅电极GE和电容器下电极LE设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE形成为覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
栅电极GE和电容器下电极LE可以由金属制成。例如，栅电极GE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金的一种或更多种金属制成。此外，栅电极GE可以以单层形成，但是本公开不限于此。例如，栅电极GE可以以堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层形成。
在本公开的另一实施例中，其它线(例如，扫描线)可以与栅电极GE和电容器下电极LE由相同的材料形成并且形成在同一层中。这里，诸如扫描线的其它线可以直接地或间接地连接到每个像素Px中的晶体管的一部分(例如，连接到栅电极GE)。
层间绝缘层IL设置在栅电极GE和电容器下电极LE上方。层间绝缘层IL可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
电容器上电极UE设置在层间绝缘层IL上。电容器上电极UE可以由金属制成。例如，电容器上电极UE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金的至少一种金属制成。此外，电容器上电极UE可以以单层形成，但是本公开不限于此。例如，电容器上电极UE可以以堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层形成。
电容器下电极LE和电容器上电极UE与置于它们之间的层间绝缘层IL构成存储电容器Cst。在本公开的实施例中，已经公开了存储电容器Cst构造为包括电容器下电极LE和电容器上电极UE。然而，本公开不限于此，并且存储电容器Cst可以以各种方式实现。
第一绝缘层INS1设置在电容器上电极UE的上方。第一绝缘层INS1可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
源电极SE和漏电极DE设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE分别通过形成在层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI中的接触孔而分别与有源图案ACT的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE中的每个可以由金属制成。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金的至少一种金属制成。此外，源电极SE和漏电极DE中的每个可以以单层形成，但是本公开不限于此。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可以以堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层形成。
钝化层PSV可以设置在源电极SE和漏电极DE上方。钝化层PSV可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
第二绝缘层INS2可以设置在钝化层PSV上。第二绝缘层INS2可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括包含聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟纶(Teflon)的氟类化合物、苯并环丁烯类化合物等的有机绝缘材料。
阳电极EL1可以设置在第二绝缘层INS2上。阳电极EL1通过穿过第二绝缘层INS2的接触孔连接到漏电极DE，从而连接到晶体管。
在本公开的实施例中，已经示出了钝化层PSV和第二绝缘层INS2设置在漏电极DE的上方，但是绝缘层的设置可以改变。例如，根据本公开的实施例，可以在漏电极DE的上方仅设置钝化层PSV，并且可以在钝化层PSV上设置阳电极EL1。
阳电极EL1可以由包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的合金的金属层以及/或者包括氧化锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层制成。
在本公开的实施例中，阳电极EL1可以由一种金属制成，但是本公开不限于此。例如，阳电极EL1可以由两种或更多种金属(例如，银(Ag)和镁(Mg))的合金制成。
当朝向基底SUB的下方向提供图像时，阳电极EL1可以由透明导电层形成。当朝向基底SUB的上方向提供图像时，阳电极EL1可以由金属反射层和/或透明导电层形成。
限定与每个像素Px对应的像素区域的像素限定层PDL设置在形成有阳电极EL1等的基底SUB上。像素限定层PDL可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括包含聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟纶的氟类化合物、苯并环丁烯类化合物等的有机绝缘材料。
像素限定层PDL通过其暴露阳电极EL1的顶表面，并沿着像素Px的圆周从基底SUB突出。
有机层OL可以设置在由像素限定层PDL围绕的像素区域中。有机层OL可以包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。这些材料可以通过真空沉积形成。高分子材料可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、聚(苯撑-乙烯撑)(PPV)、聚(氟)类材料。
有机层OL可以以单层形成，或者可以以包括各种功能层的多层形成。当有机层OL以多层形成时，有机层OL可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等以单一结构或复合结构堆叠的结构。有机层OL可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。然而，有机层OL不必限制于此，并且将明显的是，有机层OL可以具有各种结构。此外，有机层OL的至少一部分可以遍布多个阳电极EL1一体地形成，或者可以单独地设置成与多个阳电极EL1中的每个对应。
阴电极EL2设置在有机层OL上。可以为每个像素Px设置阴电极EL2。然而，阴电极EL2可以设置为覆盖显示区域DA的大部分，并且可以由多个像素Px共享。
阴电极EL2可以由包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、它们的合金的金属层以及/或者包括氧化锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层制成。在本公开的实施例中，阴电极EL2可以以包括金属薄膜的两层或更多层形成。例如，阴电极EL2可以形成为ITO/Ag/ITO的三层。
当在基底SUB的下方向上提供图像时，阴电极EL2可以由金属反射层和/或透明导电层形成。当在基底SUB的上方向上提供图像时，阴电极EL2可以由透明导电层形成。
包封层SL设置在阴电极EL2的上方。包封层SL可以以单层形成，或者可以形成为多层。在本公开的实施例中，包封层SL可以包括第一包封层SL1至第四包封层SL4。第一包封层SL1至第四包封层SL4可以由有机材料和/或无机材料制成。
在实施例中，第一包封层SL1可以由有机材料制成，第二包封层SL2可以由无机材料制成，第三包封层SL3可以由有机材料制成，第四包封层SL4可以由无机材料制成。与有机材料相比，无机材料的湿气或氧的渗透性低，但由于低的柔性而是脆弱的以导致裂纹。第二包封层SL2和第四包封层SL4由无机材料形成，并且第一包封层SL1和第三包封层SL3由有机材料形成，使得可以防止裂纹的传播。这里，由有机材料制成的层可以被由无机材料制成的层完全覆盖，使得由有机材料制成的层的端部不暴露于外部。有机材料可以包括包含聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟纶的氟类化合物、苯并环丁烯类化合物等的有机绝缘材料。无机材料可以包括诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
在实施例中，构成发光元件的有机层OL会容易地被来自外部的湿气或氧损坏。包封层SL通过覆盖有机层OL来保护发光元件。包封层SL覆盖显示区域DA，并且可以向上延伸到显示区域DA的外部。在绝缘层由有机材料制成的情况下，绝缘层在柔性、弹性等方面是有利的。然而，当绝缘层由无机材料制成时，湿气或氧更容易渗透到由有机材料制成的绝缘层中。在本公开的实施例中，为了防止湿气或氧渗透到由有机材料制成的绝缘层中，由有机材料制成的绝缘层的端部可以被由无机材料制成的绝缘层覆盖，以不暴露于外部。
构成包封层SL的层的数量或包封层SL的材料不限于此，并且可以不同地改变。例如，包封层SL可以包括交替地堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
构成触摸传感器20的触摸感测器件TS(例如，包括第二感测电极Rx)设置在包封层SL上。具体地，与显示区域DA对应的第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可以位于包封层SL上。
接下来，将描述非显示区域NA。在下文中，将省略或简要描述已经描述的部分或组件的重复描述以避免冗余。
非显示区域NA包括第一非显示区域NA1和第二非显示区域NA2。第二非显示区域NA2位于第一非显示区域NA1和显示区域DA之间。
用于驱动像素Px的驱动电路DRV设置在第一非显示区域NA1中。驱动电路DRV可以包括构成上述时序控制器110、数据驱动器120和扫描驱动器130的至少一个晶体管。为了便于描述，图4中已经示出了包括在驱动电路DRV中的一个晶体管。然而，本公开不限于此，驱动电路DRV可以包括多个晶体管和其它元件。包括在驱动电路DRV中的晶体管的截面结构与包括在像素Px中的晶体管的截面结构基本相同，因此将省略其描述。此外，构成触摸传感器20的外线TL设置在第一非显示区域NA1中。具体地，外线TL之中的第一外线TL1位于与第一非显示区域NA1对应的包封层SL上。
在实施例中，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以设置在第一非显示区域NA1的最外侧。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以设置在第二绝缘层INS2上。第二坝DAM2可以形成为高于第一坝DAM1。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以由与像素限定层PDL相同的材料形成。
用于将第二电源ELVSS供应到像素Px的电源供应线ELVSS_L设置在第二非显示区域NA2中。电源供应线ELVSS_L可以连接到每个像素Px的阴电极EL2。
在实施例中，电源供应线ELVSS_L可以设置在第一绝缘层INS1上。在这种情况下，电源供应线ELVSS_L可以与源电极SE和漏电极DE由相同的材料并在同一工艺中形成。在另一实施例中，电源供应线ELVSS_L可以形成在另一层中。
然而，在另一实施例中，当电源供应线ELVSS_L设置在第一绝缘层INS1上时，电源供应线ELVSS_L可以与位于同一层中的驱动电路DRV的信号线部分地叠置。在这样的实施例中，驱动电路DRV的信号线可以具有桥结构，以避免与电源供应线ELVSS_L接触。
电源供应线ELVSS_L可以由金属制成。例如，电源供应线ELVSS_L可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金的至少一种金属制成。此外，电源供应线ELVSS_L可以以单层形成，但是本公开不限于此。例如，电源供应线ELVSS_L可以以堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层形成。
钝化层PSV可以设置在电源供应线ELVSS_L上。钝化层PSV可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
第二绝缘层INS2可以设置在钝化层PSV上。第二绝缘层INS2可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括包含聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟纶的氟类化合物、苯并环丁烯类化合物等的有机绝缘材料。
连接图案CP可以设置在第二绝缘层INS2上。连接图案CP通过穿过第二绝缘层INS2并穿过钝化层PSV的接触孔连接到电源供应线ELVSS_L。这里，连接图案CP可以由与阳电极EL1相同的材料并在同一工艺中形成。
例如，连接图案CP可以由包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的合金的金属层以及/或者包括氧化锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层制成。
像素限定层PDL可以设置在连接图案CP上。像素Px的阴电极EL2的与连接图案CP相邻的一部分延伸到第二非显示区域NA2，并且电连接到连接图案CP。当在平面上观察时，如果电源供应线ELVSS_L和外线TL彼此叠置，则触摸传感器20的触摸性能会由于在电源供应线ELVSS_L和外线TL之间产生的耦合电容的影响引起的信号延迟而劣化。
如上所述，根据本公开，使电源供应线ELVSS_L和外线TL的叠置最小化，使得可以通过降低在电源供应线ELVSS_L和外线TL之间产生的耦合电容来减少或防止触摸传感器20的触摸性能的劣化。
如上所述，根据本公开，减小电源供应线和外线的叠置或使电源供应线和外线的叠置最小化，使得可以通过降低在电源供应线和外线之间产生的耦合电容来减少或防止触摸性能的劣化。
在这里已经公开了实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用和解释它们，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将清楚的，自提交本申请之时起，除非另外明确指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求和它们的功能等同物阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (17)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示图像的显示区域和位于所述显示区域的至少一侧处的非显示区域；
触摸感测器件，位于所述显示区域处；
第一外线，电连接到焊盘，并且仅位于作为所述非显示区域的第一部分的第一非显示区域处；
第二外线，连接所述第一外线和所述触摸感测器件；
多个像素，位于所述显示区域处；
驱动电路，位于所述第一非显示区域处并用于驱动所述像素；以及
电源供应线，电连接到所述像素并仅位于作为所述非显示区域的第二部分的第二非显示区域处，
其中，所述第二非显示区域位于所述第一非显示区域和所述显示区域之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一外线不与所述电源供应线叠置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二外线通过从所述第一非显示区域穿过所述第二非显示区域而连接到所述触摸感测器件。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源供应线位于所述驱动电路和所述像素之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动电路包括用于将扫描信号供应到所述像素的扫描驱动器。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述驱动电路还包括：
数据驱动器，用于将数据信号供应到所述像素；以及
时序控制器，用于控制所述扫描驱动器和所述数据驱动器。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素中的每个包括：
有源层，位于所述基底上；
栅极绝缘层，位于所述有源层上方；
栅电极，位于所述栅极绝缘层上；
第一绝缘层，位于所述栅电极上方；
源电极和漏电极，位于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，位于所述源电极和所述漏电极上方；
阳电极，位于所述第二绝缘层上并连接到所述漏电极；
有机层，位于所述阳电极上；以及
阴电极，位于所述有机层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述电源供应线电连接到所述像素的所述阴电极。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述电源供应线包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料，并且与所述源电极和所述漏电极位于同一层中。
10.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第二绝缘层上的连接图案，并且所述连接图案具有：
第一侧，连接到所述电源供应线；以及
第二侧，连接到所述阴电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述连接图案包括与所述阳电极的材料相同的材料，并且与所述阳电极位于同一层中。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述连接图案和所述阳电极彼此分开。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，像素的所述阴电极的与所述连接图案相邻的一部分延伸到所述第二非显示区域以电连接到所述连接图案。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括用于通过所述电源供应线向所述像素供电的电源。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述像素的包封层，
其中，所述触摸感测器件以及所述第一外线和所述第二外线位于所述包封层上。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸感测器件包括：
第一感测电极，布置在第一方向上；
第一桥接图案，连接所述第一感测电极中相邻的第一感测电极；
第二感测电极，布置在与所述第一方向交叉的第二方向上；以及
第二桥接图案，连接所述第二感测电极中相邻的第二感测电极。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸感测器件呈具有多条导电线彼此交叉的结构的网格形式。
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