CN107958948A - 一种led发光二极管及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims abstract description 9
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
本发明提供一种LED发光二极管,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。本发明还提供一种LED发光二极管的制作方法。浅杯支架中设置的微型凹槽,使芯片表面与支架功能区表面持平,从而降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性;为了防止固晶胶固化过程中,对芯片电极产生污染的作用,设置微型凹槽,使固晶胶固化时往上挥发的程度会降低,让本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度;固晶胶层减小了LED的热阻。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,特别涉及一种LED发光二极管及其制作方法。
背景技术
发光二极管(LED)具有高光效、寿命长和无毒绿色等优点逐步进入主流照明市场,在植物照明、舞台彩光和车用照明等领域得到了越来越多的应用。LED灯珠热阻最大的环节是固晶胶,特别是采用绝缘胶材固晶的中小功率LED,其热阻远远大于其他环节产生的热阻,因此降低固晶胶热阻为提高LED灯珠可靠性的最有效的手段之一。目前降低固晶胶热阻的方法主要有以下两种途径:通过选择导热系数更高的固晶胶材;或者减小固晶胶的导热途径,例如减小固晶胶的厚度。
已有中国专利201320481444.2公开了一种将固晶胶覆盖在整个固晶区的固晶方法;专利号为201320754835.7的中国专利叙述了一种固晶方法为碗杯底部设置反射固晶胶层ED芯片底部反复反射造成的吸收,提高芯片的外量子效率;专利号为201220400298.1的中国专利叙述了晶片底面射出的光线反射固晶胶后,经折射珠折射会形成聚光效果。专利号为201510432060.5的中国专利所述点胶封装采用硅胶作为固晶胶,采用多种尺寸和形状的点胶头进行点胶封装,减少了固晶胶的胶量。本发明所述的凹型固晶区有降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性,还可以防止固晶胶固化过程中对芯片电极产生污染的作用。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足,提供一种LED发光二极管,其提高浅杯支架的可靠性。
本发明的另一个目的是为了提供一种LED发光二极管的制作方法。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种LED发光二极管,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。
作为优选,所述凹型固晶区为微型凹槽。
作为优选,所述凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍;所述凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍。
作为优选,在凹型固晶区的底部与所述芯片间设有一层固晶胶层。
作为优选,所述固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作所述固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min,喷涂速度为0.03~0.06um/min。
作为优选,所述固晶胶层的厚度为1-3μm。
一种LED发光二极管的制作方法,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架的功能区上冲压出微型凹槽;
S2、在微型凹槽的底部喷涂一层固晶胶;
S3、将芯片放置在固晶胶上,并对芯片施加预设压力,以将芯片固定于微型凹槽内;
S4、烘烤固晶胶并将其烤干,完成固晶。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成器件的制备。
作为优选,所述固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S。
作为优选,在所述的芯片上施加一定的预设压力于所述的固晶胶上,所述的预设压力为0.3-0.7N。
作为优选,所述微型凹槽由微型凸头冲压而成。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
浅杯支架中设置的微型凹槽,使芯片表面与支架功能区表面持平,从而降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性;为了防止固晶胶固化过程中,对芯片电极产生污染的作用,设置微型凹槽,使固晶胶固化时往上挥发的程度会降低,让本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度;固晶胶层减小了LED的热阻。
附图说明
图1是本发明所述的LED发光二极管的结构示意图;
图2是本发明所述的LED发光二极管的制作步骤。
图中:
100—LED发光二极管;101—浅杯支架;102—固晶胶层;103—芯片;104—金线;105—荧光胶层。
具体实施方式
现结合附图与具体实施例对本发明作进一步说明。
参阅图1所示,本发明所述的一种LED发光二极管,包括有浅杯支架101、固晶胶层102、LED芯片103、金线104、荧光胶层105。
在浅杯支架101的功能区上设置凹型固晶区,在固晶区内通过喷涂设置一层固晶胶层102,将芯片103放置在固晶胶层上,并对芯片103施加预设压力,使得芯片103固定于浅杯支架的凹型固晶区上,烘烤固晶胶层并将其烤干,完成固晶。
金线104的两端分别与芯片103相连,荧光胶层105以热固化形式将芯片103和金线104完全包覆,起到光转换的作用。
凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍,凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍;凹型底面积1.2倍是为了固晶时,凹型区域边缘不至于撞伤芯片;厚度是一倍,是限定凹型大小,只需要放进去一个芯片就行。固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min。固晶胶层的厚度为1-3μm。
微型凹槽的底部设置为凹凸不平的底面,固晶胶层设置在凹凸不平的底面上;浅杯支架101的侧壁与底面通过弧面相连,侧壁与弧面上皆设置有反光面。荧光胶层包括若干荧光胶分块,若干荧光胶分块沿横向分布。
参阅图2所示,本发明所述LED发光二极管的制作方法,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架101的功能区上通过微型凸头冲压出微型凹槽。
S2、在微型凹槽内喷涂固晶胶102,固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S;喷涂速度为0.03~0.06um/min,喷涂时间为1-2min。
S3、将芯片103放置在固晶胶102上,并对芯片103施加预设压力,以将芯片103固定于浅杯支架101的微型凹槽内;在芯片103上施加一定的预设压力于固晶胶102上,预设压力为0.3-0.7N;预设压力小,避免固晶时伤及芯片,增加预设压力有助于稳定芯片的固晶位置。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成LED发光二极管100的制备。
本发明所述的LED封装器件2的其他结构、其它制作方法与实施例1完全相同,在此不再赘述。
浅杯支架中设置的微型凹槽,降低了线弧高度,提高浅杯支架的可靠性。
本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度,防止了固晶胶固化过程中对芯片电极产生污染的作用。
固晶胶层减小了LED的热阻。
本发明并不局限于上述实施方式,如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围,倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变动。
Claims (10)
1.一种LED发光二极管,其特征在于,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。
2.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征在于,所述凹型固晶区为微型凹槽。
3.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征在于,所述凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍;所述凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍。
4.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征性在于,在凹型固晶区的底部与所述芯片间设有一层固晶胶层。
5.根据权利要求4所述的LED发光二极管,其特征在于,所述固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作所述固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min,喷涂速度为0.03~0.06um/min。
6.根据权利要求4所述的LED发光二极管,其特征性在于,所述固晶胶层的厚度为1-3μm。
7.一种LED发光二极管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架的功能区上冲压出微型凹槽;
S2、在微型凹槽的底部喷涂一层固晶胶;
S3、将芯片放置在固晶胶上,并对芯片施加预设压力,以将芯片固定于微型凹槽内;
S4、烘烤固晶胶并将其烤干,完成固晶。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成器件的制备。
8.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征在于,所述固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S。
9.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征性在于,在所述的芯片上施加一定的预设压力于所述的固晶胶上,所述的预设压力为0.3-0.7N。
10.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征性在于,所述微型凹槽由微型凸头冲压而成。
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CB02 | Change of applicant information | ||
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