CN107871821A - 一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N selanylideneantimony Chemical compound [Sb]=[Se] OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000011712 cell development Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/152—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising zinc oxide, e.g. ZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
本发明公开了一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底1、n型掺铝氧化锌薄膜2、钙钛矿活性层3、p型硒化锑薄膜4、金属电极5。本发明的优点在于,(1)掺铝氧化锌具有高电导率和高透光率,其致密多孔的特点能够防止钙钛矿活性层被空气中水氧分解;(2)硒化锑薄膜对紫外光有较强的吸收作用,能够有效阻止钙钛矿活性层被紫外光光解,提高了钙钛矿薄膜太阳能电池的稳定性,延长了其使用寿命。同时,由于硒化锑薄膜相对介电常数较大,对自由电子或空穴的虏获能力较低,有效降低了缺陷引起的载流子复合损失,提高了钙钛矿薄膜太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明属于新能源领域,具体涉及一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法。
背景技术
硒化锑作为一种具有潜在应用前景的低毒、廉价、原材料储备丰富的新型光电转换材料,具有一系列优异的光电特性,其禁带宽度为1.0~1.2eV,比较接近制作太阳能电池材料的最佳禁带宽度(~1.5eV);且硒化锑相对介电常数较大,达到15,对自由电子或空穴的虏获能力较低,能够降低缺陷引起的复合损失;同时,硒化锑属于直接带隙材料,吸光系数很高,能充分吸收紫外光和可见光,对二者的吸收系数均大于105cm-1。
基于有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3PbX3,X=Br,Cl,I)优异的光电和材料性质,人们逐渐将其应用于太阳能电池领域。近年来,钙钛矿太阳能电池取得了飞跃式的发展,其光电转换效率已由2009年的3.8%提高到了目前的22.1%。尽管如此,钙钛矿太阳能电池的研究仍然有很大的发展空间,据文献报道,钙钛矿薄膜太阳能电池的光电转换效率理论上可以达到50%,因而,钙钛矿太阳能电池具有巨大的研究价值和潜在的商业价值。目前,制约钙钛矿太阳能电池发展的主要因素是钙钛矿材料本身的缺陷。钙钛矿具有不稳定性,遇水容易发生水氧分解;在紫外光的照射下,还会发生光分解。因而,寻找稳定的、高光电转换效率的钙钛矿太阳能电池一直是科研工作者的追求目标。
发明内容
为了提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和光电转换效率,本发明提供了一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底、n型掺铝氧化锌薄膜、钙钛矿活性层、p型硒化锑薄膜、金属电极。所述透明导电衬底是FTO导电玻璃或ITO导电玻璃或有机柔性透明导电塑料或石墨烯;所述钙钛矿活性层是CH3NH3PbI3或CH3NH3PbCl3或CH3NH3PbBr3;所述金属电极是金属银电极或铝电极;所述以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池制备过程包括以下步骤:首先,在透明导电衬底上利用磁控溅射法或脉冲激光沉积法或分子束外延法制备n型掺铝氧化锌薄膜;然后,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用两步溶液旋涂法或气相共蒸发沉积法或气相辅助液相法制备钙钛矿活性层;接着,在钙钛矿活性层上利用肼溶液法或超声喷雾法或磁控溅射法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用蒸镀法或丝网印刷法制备金属电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。本发明的优点在于,一方面,掺铝氧化锌相比纯氧化锌而言,性质更稳定,电导率和透光率更高,并且,掺铝氧化锌致密多孔的特点能够有效阻隔钙钛矿活性层被空气中的水氧分解;另一方面,硒化锑薄膜对紫外光的高吸收率,能够有效阻止钙钛矿活性层被紫外光光解,提高了钙钛矿薄膜太阳能电池的稳定性,延长了其使用寿命。同时,由于硒化锑薄膜相对介电常数较大,对自由电子或空穴的虏获能力较低,有效降低了缺陷引起的载流子复合损失,提高了钙钛矿薄膜太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
附图1是本发明提供的一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池的层结构示意图。
附图1标号说明:
1—透明导电衬底;
2—n型掺铝氧化锌薄膜;
3—钙钛矿活性层;
4—p型硒化锑薄膜;
5—金属电极。
具体实施方式
下面结合附图1和具体实施例对本发明作进一步说明,但本发明内容不仅限于实施例中所涉及的内容。
本发明按附图1所示结构,它包括从下至上依次分布的透明导电衬底1、n型掺铝氧化锌薄膜2、钙钛矿活性层3、p型硒化锑薄膜4、金属电极5。
实施例一:一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法,按照以下步骤操作:
首先,在FTO导电玻璃上利用磁控溅射法制备n型掺铝氧化锌薄膜;然后,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用两步溶液旋涂法制备钙钛矿活性层;接着,在钙钛矿活性层上利用肼溶液法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用蒸镀法制备金属银电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
实施例二:
首先,在ITO导电玻璃上利用脉冲激光沉积法制备n型掺铝氧化锌薄膜;然后,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用两步溶液旋涂法制备钙钛矿活性层;接着,在钙钛矿活性层上利用超声喷雾法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用丝网印刷法制备金属铝电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
实施例三:
首先,在有机柔性透明导电塑料上利用磁控溅射法制备n型掺铝氧化锌薄膜;然后,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用气相共蒸发沉积法制备钙钛矿活性层;接着,在钙钛矿活性层上利用磁控溅射法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用丝网印刷法制备金属铝电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
实施例四:
首先,在石墨烯衬底上利用分子束外延法制备n型掺铝氧化锌薄膜;接着,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用气相共蒸发沉积法制备钙钛矿活性层;然后,在钙钛矿活性层上利用肼溶液法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用蒸镀法制备金属银电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
实施例五:
首先,在ITO导电玻璃上利用脉冲激光沉积法制备n型掺铝氧化锌薄膜;接着,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用气相辅助液相法制备钙钛矿活性层;然后,在钙钛矿活性层上利用超声喷雾法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用丝网印刷法制备金属铝电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
实施例六:
首先,在FTO导电玻璃上利用磁控溅射法制备n型掺铝氧化锌薄膜;接着,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用气相辅助液相法制备钙钛矿活性层;然后,在钙钛矿活性层上利用磁控溅射法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用蒸镀法制备金属银电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
Claims (4)
1.一种以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底、n型掺铝氧化锌薄膜、钙钛矿活性层、p型硒化锑薄膜、金属电极。
2.根据权利要求1所述的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底是FTO导电玻璃或ITO导电玻璃或有机柔性透明导电塑料或石墨烯。
3.根据权利要求1所述的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿活性层是CH3NH3PbI3或CH3NH3PbCl3或CH3NH3PbBr3。
4.一种如权利要求1所述的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,首先,在透明导电衬底上利用磁控溅射法或脉冲激光沉积法或分子束外延法制备n型掺铝氧化锌薄膜;然后,在n型掺铝氧化锌薄膜上利用两步溶液旋涂法或气相共蒸发沉积法或气相辅助液相法制备钙钛矿活性层;接着,在钙钛矿活性层上利用肼溶液法或超声喷雾法或磁控溅射法制备p型硒化锑薄膜;最后,在p型硒化锑薄膜上利用蒸镀法或丝网印刷法制备金属电极,即制得所需要的以硒化锑作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池。
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---|---|---|---|
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