CN107863355B - 一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法，属于显示技术领域，其中，显示基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上的至少一个第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；有源层包括第一区域和第二区域；其中，第一区域中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域中的有源层的材料包括多晶硅。相对于现有技术，可以提升显示基板的性能，有利于显示基板的高度集成化设计。

Description

一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor)广泛应用于显示技术领域。
请参考图1，现有技术提供的一种薄膜晶体管的基本结构，包括栅极01、有源层02、源极03和漏极04。需要说明的是，为了清楚的示意薄膜晶体管的基本结构，有源层02中没有设置填充图案。
根据有源层02材料的不同，薄膜晶体管的类型可以分为多晶硅晶体管和非晶硅晶体管。由于制作非晶硅晶体管的技术较为成熟、成本较低，因此现有技术提供的显示装置中，薄膜晶体管的类型为非晶硅晶体管。
已知的，薄膜晶体管在工作时包括开态和关态。开态的大电流承相着充放电的功能，电流越大，充放电越快越充分，所以，开态电流Ion也叫工作电流，开态电流Ion越大越好。关态的小电流影响着漏电的快慢程度，理想的薄膜晶体管应该在关态没有电流，所以，关态电流Ioff也叫漏电流，关态电流Ioff越小越好。
现有技术中，非晶硅晶体管的制程简单，但由于其低下的电子迁移率，使其开态电流Ion和关态电流Ioff都较小。关态电流Ioff较小对于降低漏电流是有效的，但低下的开态电流Ion造成非晶硅晶体管的工作性能较差。
除此之外，已知的，多晶硅的电子迁移率远大于非晶硅的电子迁移率。现有技术中，为了提高非晶硅晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，将非晶硅晶体管的有源层的面积设置的较大，因而晶硅晶体管在显示装置中占用的空间较大，不利于显示装置的高度集成化设计。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法。
本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板；设置在衬底基板上的至少一个第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；有源层包括第一区域和第二区域；其中，第一区域中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域中的有源层的材料包括多晶硅。
在一些可选的实施例中，源极和漏极在有源层上的正投影为第一区域。
在一些可选的实施例中，栅极在有源层上的正投影为第一区域。
在一些可选的实施例中，第二区域中的有源层的电子迁移率为P1，第一区域中的有源层的电子迁移率为P2，其中，P1/P2≥10。
在一些可选的实施例中，10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒)；0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。
在一些可选的实施例中，显示基板还包括多条沿第一方向延伸、且沿第二方向排列的栅极线，以及多条沿第二方向延伸、且沿第一方向排列的数据线；栅极与栅极线电连接，源极与数据线电连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括本发明任一实施例提供的显示基板。
本发明还提供了一种显示基板的制造方法，包括：提供衬底基板；形成栅极材料层，图案化栅极材料层形成栅极；形成有源层材料层，图案化有源层材料层形成有源层，有源层材料层的材料包括非晶硅；有源层包括第一区域和第二区域；形成源漏极材料层，图案化源漏极材料层形成源极和漏极；使用激光束照射第二区域，使第二区域中的有源层的材料由非晶硅转化为多晶硅。
在一些可选的实施例中，复用源极和漏极作为阻挡层；源极和漏极在有源层上的正投影为第一区域；源极和漏极阻挡激光束，使第一区域中的有源层的材料不被晶化。
在一些可选的实施例中，复用栅极作为阻挡层；栅极在有源层上的正投影为第一区域；栅极阻挡激光束，使第一区域中的有源层的材料不被晶化。
在一些可选的实施例中，使用激光束照射第二区域包括：使用能量密度为J1的激光束照射第二区域中的有源层，使第二区域中的有源层脱氢，得到脱氢有源层；使用能量密度为J2的激光束照射脱氢有源层，使脱氢有源层的材料转化为多晶硅；其中，J2＞J1。
在一些可选的实施例中，350mJ/m2≤J1≤450mJ/m2，450mJ/m2≤J2≤650mJ/m2。
与现有技术相比，本发明提供的显示基板、显示装置和显示基板的制造方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示基板中，第一薄膜晶体管包括有源层，有源层包括第一区域和第二区域；其中，第一区域中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域中的有源层的材料包括多晶硅。由于第一薄膜晶体管的有源层包括多晶硅，相对于现有技术，可以提高第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管的有源层的面积，从而减小第一薄膜晶体管在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
本发明提供的显示装置，具有本发明提供的显示基板的有益效果，在此不再赘述。
本发明提供的显示基板的制造方法，使用非晶硅材料制作有源层，而后使用激光束照射有源层的第二区域，使第二区域中的有源层的材料由非晶硅转化为多晶硅。相对于现有技术，可以提高第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管的有源层的面积，从而减小第一薄膜晶体管在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；
图3是沿图2中AA’线的一种剖面结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示基板的剖面结构示意图；
图5是图4提供的显示基板中第一薄膜晶体管的有源层的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种显示基板的剖面结构示意图；
图7是图6提供的显示基板中第一薄膜晶体管的有源层的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程示意图；
图11a-图11h是图10提供的制造方法对应的结构示意图；
图12是图10提供的制造方法制造的显示基板的平面结构示意图；
图13是图12中BB’线的一种剖面结构示意图；
图14是图10提供的制造方法制造的显示基板的平面结构示意图；
图15是图14中CC’线的一种剖面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请参考图2和图3，图2是本发明实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图，图3是沿图2中AA’线的一种剖面结构示意图。本实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板10；设置在衬底基板10上的至少一个第一薄膜晶体管20；第一薄膜晶体管20包括栅极21、有源层22、源极23和漏极24；有源层22包括第一区域S1和第二区域S2；其中，第一区域S1中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域S2中的有源层的材料包括多晶硅。
需要说明的是，为了清楚的示意薄膜晶体管的基本结构，图2中，衬底基板10、有源层22均没有设置填充图案，仅以线框示意。
本实施例提供的显示基板具有显示功能，可以用于显示图像。本实施例提供的显示基板可以应用于液晶显示技术，也可以应用于有机发光显示技术，本实施例对显示基板的具体应用场景不作具体限制。
显示基板包括衬底基板10，衬底基板10的可以为硬质的，例如使用玻璃材料制作而成；也可以为柔性的，例如使用树脂材料制作而成。本实施例对于衬底基板10的材料不作具体限制。
衬底基板10上设置有至少一个第一薄膜晶体管20，可选的，衬底基板10上可以设置多个第一薄膜晶体管20，本实施例对于第一薄膜晶体管20的数量不作具体限制。
本实施例提供的显示基板中，有源层22的材料包括非晶硅和多晶硅；具体的，第一区域S1中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域S2中的有源层的材料包括多晶硅。使用非晶硅材料和多晶硅材料制作一个有源层22，相对于现有技术提供的非晶硅晶体管，可以提高第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。
并且，由于第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管20的有源层22的面积，从而减小第一薄膜晶体管20在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
在一些可选的实施例中，请参考图4和图5，图4是本发明实施例提供的另一种显示基板的剖面结构示意图，图5是图4提供的显示基板中第一薄膜晶体管的有源层的结构示意图。本实施例提供的显示基板中，源极23和漏极24在有源层22上的正投影为第一区域S1。本实施例中，有源层22上被源极23和漏极24所覆盖的区域为第一区域S1，第一区域S1中的有源层的材料包括非晶硅；有源层22上没有被源极23和漏极24所覆盖的区域为第二区域S2，第二区域S2中的有源层的材料包括多晶硅。相对于现有技术提供的非晶硅晶体管，可以提高第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管20的有源层22的面积，从而减小第一薄膜晶体管20在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
需要说明的是，本实施例中，仅以有源层22为矩形为例进行说明，可选的，有源层22的形状可以为五边形、六边形等任意形状，本实施例对于有源层22的形状不作具体限制。可以理解的是，本实施例对于源极23和漏极24的形状均不作具体限制，并且本实施例对于源极23和漏极24在有源层22上的正投影的形状不作具体限制。
在一些可选的实施例中，请参考图6和图7，图6是本发明实施例提供的又一种显示基板的剖面结构示意图，图7是图6提供的显示基板中第一薄膜晶体管的有源层的结构示意图。本实施例中，栅极21在有源层22上的正投影为第一区域S1。本实施例中，在垂直于有源层22的方向上，有源层22上被栅极21所覆盖的区域为第一区域S1，第一区域S1中的有源层的材料包括非晶硅；有源层22上没有被栅极21所覆盖的区域为第二区域S2，第二区域S2中的有源层的材料包括多晶硅。相对于现有技术提供的非晶硅晶体管，可以提高第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管20的有源层22的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管20的有源层22的面积，从而减小第一薄膜晶体管20在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
需要说明的是，本实施例中，仅以有源层22为矩形为例进行说明，可选的，有源层22的形状可以为五边形、六边形等任意形状，本实施例对于有源层22的形状不作具体限制。可以理解的是，本实施例对于栅极21的形状不作具体限制。
在一些可选的实施例中，在本发明任一实施例提供的显示基板的基础上，第二区域S2中的有源层的电子迁移率为P1，第一区域S1中的有源层的电子迁移率为P2，其中，P1/P2≥10。本实施例中，第二区域S2中的有源层的电子迁移率远大于第一区域S1中的有源层的电子迁移率，P1至少是P2的十倍，可以有效的提高第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，可以有效的减小第一薄膜晶体管所占的面积。可选的，10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒)，0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。
在一些可选的实施例中，请参考图8，图8是本发明实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图。本实施例中，显示基板还包括多条沿第一方向x延伸、且沿第二方向y排列的栅极线30，以及多条沿第二方向y延伸、且沿第一方向x排列的数据线40；栅极21与栅极线30电连接，源极23与数据线40电连接。本实施例中，第一薄膜晶体管20与栅极线30和数据线40电连接。栅极线30向第一薄膜晶体管20传输电信号，用于控制第一薄膜晶体管20的打开与关闭，数据线40用于向第一薄膜晶体管20传输数据信号。源极23接收的数据信号可以通过有源层22传输至漏极24。
可选的，请继续参考图8，显示基板还包括多个第一薄膜晶体管20，多个第一薄膜晶体管20沿第一方向x和第二方向y成阵列式排布。本实施中，显示基板包括显示区和非显示区(图中未示意)，第一薄膜晶体管20可以设置在显示区中。
本发明还提供了一种显示装置，包括本发明任一实施例提供的显示基板。请参考图9，图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图9提供的显示装置100包括本发明上述任一实施例提供的显示基板100A。图9实施例仅以手机为例，对显示装置100进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明提供的显示装置还可以是液晶显示面板、有机发光显示面板等显示面板，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
本发明还提供了一种显示基板的制造方法，请结合参考图10、图11a至图11h。本实施例提供的制造方法包括：
步骤110：提供衬底基板。
请参考图11a，衬底基板10的可以为硬质的，例如使用玻璃材料制作而成；也可以为柔性的，例如使用树脂材料制作而成。本实施例对于衬底基板10的材料不作具体限制。
步骤120：形成栅极材料层，图案化栅极材料层形成栅极。
请参考图11b，形成栅极材料层210；请结合参考图11c，图案化栅极材料层210形成栅极21。可选的，栅极材料层使用金属材料。
步骤130：形成有源层材料层，图案化有源层材料层形成有源层，有源层材料层的材料包括非晶硅；有源层包括第一区域S1和第二区域S2。
请参考图11d，形成有源层材料层220；请结合参考图11e，图案化有源层材料层220形成有源层22，有源层材料层220的材料包括非晶硅；有源层包括第一区域S1和第二区域S2。可选的，在栅极21和有源层22之间形成第一绝缘层51。
步骤140：形成源漏极材料层，图案化源漏极材料层形成源极和漏极。
请参考图11f，形成源漏极材料层230；请结合参考图11g，图案化源漏极材料层230形成源极23和漏极24。
步骤150：使用激光束照射第二区域S2，使第二区域S2中的有源层的材料由非晶硅转化为多晶硅。
请参考图11h，使用激光束Laser照射第二区域S2，使第二区域S2中的有源层22的材料由非晶硅转化为多晶硅。
其中，栅极21、有源层22、源极23和漏极24为薄膜晶体管的基本结构。
本实施例提供的显示基板中，在制造薄膜晶体管的过程中，使用激光束Laser照射第二区域S2中的有源层22，使非晶硅材料转化为多晶硅。可以个根据显示基板的具体设计需求选择需要被晶化的薄膜晶体管，可以满足不同显示基板的需求。使用本实施例提供的制造方法所制造的显示基板中的薄膜晶体管，相对于现有技术提供的非晶硅晶体管，可以提高薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。
并且，由于本实施例提供的显示基板中，薄膜晶体管的有源层22的电子迁移率提高，因而在制造过程中，形成有源层22时可以将有源层22的面积适当减小，而薄膜晶体管的有源层22仍可以保持较高的电子迁移率，从而减小薄膜晶体管在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
在一些可选的实施例中，请参考图12和图13，图12是图10提供的制造方法制造的显示基板的平面结构示意图，图13是图12中BB’线的一种剖面结构示意图。本实施例提供的制造方法中，在制造显示基板的过程中，复用源极23和漏极24作为阻挡层；源极23和漏极24在有源层22上的正投影为第一区域S1；源极23和漏极24阻挡激光束Laser，使第一区域S1中的有源层22的材料不被晶化。本实施例中，激光束Laser设置在源极23和漏极24远离衬底基板10的一侧。使用源极23和漏极24作用阻挡层，使第一区域S1中的有源层22与激光束Laser隔离，使第一区域S1中的有源层22不被激光束Laser照射而晶化。第二区域S2中的有源层22由于没有被源极23和漏极24覆盖，因此第二区域S2中的有源层22被激光束Laser照射而晶化，第二区域S2中的有源层22的材料由非晶硅转化为多晶硅。本实施例提供的制造方法中，无需提供额外的阻挡层，复用源极23和漏极24作为阻挡层，即可实现对有源层22的部分晶化，可以提高薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，提升薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。可选的，显示基板还包括栅极线30和数据线40，栅极21与栅极线30电连接，源极23与数据线40电连接。
在一些可选的实施例中，请参考图14和图15，图14是图10提供的制造方法制造的显示基板的平面结构示意图，图15是图14中CC’线的一种剖面结构示意图。本实施例中，复用栅极21作为阻挡层；栅极21在有源层22上的正投影为第一区域S1；栅极21阻挡激光束，使第一区域S1中的有源层22的材料不被晶化。本实施例中，激光束Laser设置在衬底基板10远离栅极21的一侧。使用栅极21作用阻挡层，使第一区域S1中的有源层22与激光束Laser隔离，使第一区域S1中的有源层22不被激光束Laser照射而晶化。第二区域S2中的有源层22由于没有被栅极21覆盖，因此第二区域S2中的有源层22被激光束Laser照射而晶化，第二区域S2中的有源层22的材料由非晶硅转化为多晶硅。本实施例提供的制造方法中，无需提供额外的阻挡层，复用栅极21作为阻挡层，即可实现对有源层22的部分晶化，可以提高薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，提升薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。可选的，显示基板还包括栅极线30和数据线40，栅极21与栅极线30电连接，源极23与数据线40电连接。
需要说明的是，图12和图13提供的实施例、与图14和图15提供的实施例可以结合。在一些可选的实现方式中，可以既使用源极23和漏极24作为阻挡层、又使用栅极21作用阻挡层，对有源层进行两次激光束照射，从而增加有源层被晶化的面积，可以进一步提高薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，提升薄膜晶体管的工作性能，从而进一步提升显示基板的工作性能。
在一些可选的实施例中，本发明任一实施例提供的显示基板的制造方法中，使用激光束照射第二区域S2包括：使用能量密度为J1的激光束照射第二区域S2中的有源层，使第二区域S2中的有源层脱氢，得到脱氢有源层；使用能量密度为J2的激光束照射脱氢有源层，使脱氢有源层的材料转化为多晶硅；其中，J2＞J1。本实施例中，非晶硅转化为多晶硅的过程中，可以使用能量密度不同的激光束。可选的，350mJ/m2≤J1≤450mJ/m2，450mJ/m2≤J2≤650mJ/m2，此时，可以使第二区域S2中的有源层22转化为较为均匀的多晶硅。
通过上述各实施例可知，本发明提供的显示基板、显示装置和显示基板的制造方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示基板中，第一薄膜晶体管包括有源层，有源层包括第一区域和第二区域；其中，第一区域中的有源层的材料包括非晶硅，第二区域中的有源层的材料包括多晶硅。由于第一薄膜晶体管的有源层包括多晶硅，相对于现有技术，可以提高第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管的有源层的面积，从而减小第一薄膜晶体管在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
本发明提供的显示装置，具有本发明提供的显示基板的有益效果，在此不再赘述。
本发明提供的显示基板的制造方法，使用非晶硅材料制作有源层，而后使用激光束照射有源层的第二区域，使第二区域中的有源层的材料由非晶硅转化为多晶硅。相对于现有技术，可以提高第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率，从而提高第一薄膜晶体管的开态电流Ion和关态电流Ioff，提升第一薄膜晶体管的工作性能，从而提升显示基板的工作性能。并且，由于第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率提高，因而可以减小第一薄膜晶体管的有源层的面积，从而减小第一薄膜晶体管在显示基板中占用的空间，有利于显示基板的高度集成化设计。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的至少一个第一薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；
所述有源层包括第一区域和第二区域；
复用所述源极和漏极作为阻挡层，对来自于所述源极和漏极远离所述衬底基板的一侧的激光束进行阻挡；和/或，复用所述栅极作为阻挡层，对来自于所述衬底基板远离所述栅极一侧的激光束进行阻挡；其中，所述第一区域中的所述有源层的材料包括非晶硅，所述第二区域中的所述有源层的材料包括多晶硅，所述第二区域为所述有源层上未被所述阻挡层所遮挡的区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
当复用所述源极和漏极作为阻挡层时，所述源极和所述漏极在所述有源层上的正投影为所述第一区域。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
当复用所述栅极作为阻挡层时，所述栅极在所述有源层上的正投影为所述第一区域。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述第二区域中的所述有源层的电子迁移率为P1，所述第一区域中的所述有源层的电子迁移率为P2，其中，P1/P2≥10。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒)；
0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板还包括多条沿第一方向延伸、且沿第二方向排列的栅极线，以及多条沿第二方向延伸、且沿第一方向排列的数据线；
所述栅极与所述栅极线电连接，所述源极与所述数据线电连接。
7.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
形成栅极材料层，图案化所述栅极材料层形成栅极；
形成有源层材料层，图案化所述有源层材料层形成有源层，所述有源层材料层的材料包括非晶硅；所述有源层包括第一区域和第二区域；
形成源漏极材料层，图案化所述源漏极材料层形成源极和漏极；
复用所述源极和所述漏极作为阻挡层，使用位于所述源极和漏极远离衬底基板的一侧的激光束照射所述第二区域；和/或，复用所述栅极作为阻挡层，使用位于所述衬底基板远离所述栅极一侧的激光束照射所述第二区域，使所述第二区域中的所述有源层的材料由非晶硅转化为多晶硅；其中，所述第二区域为所述有源层上未被所述阻挡层所遮挡的区域。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
当复用所述源极和所述漏极作为阻挡层时，所述源极和所述漏极在所述有源层上的正投影为所述第一区域；
所述源极和所述漏极阻挡所述激光束，使所述第一区域中的所述有源层的材料不被晶化。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
当复用所述栅极作为阻挡层时，所述栅极在所述有源层上的正投影为所述第一区域；
所述栅极阻挡所述激光束，使所述第一区域中的所述有源层的材料不被晶化。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
使用所述激光束照射所述第二区域包括：
使用能量密度为J1的激光束照射所述第二区域中的所述有源层，使所述第二区域中的所述有源层脱氢，得到脱氢有源层；
使用能量密度为J2的激光束照射所述脱氢有源层，使所述脱氢有源层的材料转化为多晶硅；其中，J2＞J1。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，
350mJ/m2≤J1≤450mJ/m2；
450mJ/m2≤J2≤650mJ/m2。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411547B (zh) * 2018-10-31 2022-10-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
CN109742044B (zh) * 2019-01-11 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法
CN109817723B (zh) * 2019-01-24 2022-07-05 北京京东方技术开发有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
CN110972508B (zh) * 2019-03-04 2022-05-03 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338987B1 (en) * 1998-08-27 2002-01-15 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for forming polycrystalline silicon layer and method for fabricating thin film transistor
JP4813743B2 (ja) * 2002-07-24 2011-11-09 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置の製造方法
KR100466628B1 (ko) * 2002-11-12 2005-01-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR101133764B1 (ko) * 2005-03-14 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN101170076B (zh) * 2006-10-27 2011-05-18 奇美电子股份有限公司 有机电激发光元件的制造方法及影像显示***
KR20110114089A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102629558B (zh) * 2012-01-09 2015-05-20 深超光电（深圳）有限公司 低温多晶硅薄膜晶体管制造方法
CN104900652B (zh) * 2015-04-10 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种低温多晶硅晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105870198B (zh) * 2016-05-11 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
CN105845737B (zh) * 2016-05-17 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
CN106653861B (zh) * 2017-01-03 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法
CN106847837B (zh) * 2017-04-26 2020-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

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