CN107731992A - Led封装结构 - Google Patents
Led封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107731992A CN107731992A CN201711216520.6A CN201711216520A CN107731992A CN 107731992 A CN107731992 A CN 107731992A CN 201711216520 A CN201711216520 A CN 201711216520A CN 107731992 A CN107731992 A CN 107731992A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silica gel
- layer
- led
- lens jacket
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 128
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 118
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 7
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 96
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003034 coal gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种LED封装结构，该结构包括：LED基板(11)；透镜区和硅胶层，依次交叉设置于所述LED基板(11)上。本发明提供的LED封装结构在光源上采用交叉叠加的透镜层和硅胶层的多层结构；利用多层结构的硅胶折射率不同，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中；可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。
Description
技术领域
本发明属LED封装技术领域，特别涉及一种LED封装结构。
背景技术
上世纪末，以GaN基材料为代表的III-V族化合物半导体在蓝光芯片领域的突破，带来了一场照明革命，这场革命的标志是以大功率发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)为光源的半导体照明技术(Solid State Lighting，SSL)。
LED具有寿命长、发光效率高、显色性好、安全可靠、色彩丰富和易于维护的特点。在当今环境污染日益严重，气候变暖和能源日益紧张的背景下，基于大功率LED发展起来的半导体照明技术已经被公认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。这是自煤气照明、白炽灯和荧光灯之后，人类照明史上的一次大飞跃，迅速提升了人类生活的照明质量。
现在，LED多采用GaN基蓝光灯芯加黄色荧光的方式产生白光，以实现照明，这种方式具有以下几个问题。
1、目前，芯片多数是封装在薄金属散热基板上，由于金属散热基板较薄、热容较小，而且容易变形，导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果。
2、由于LED光源发出的光一般呈发散式分布，即朗伯分布，这引起光源照明亮度不够集中，一般需要通过外部透镜进行二次整形，以适应具体场合的照明需求，这增加了生产成本。
发明内容
为了提高LED芯片的工作性能，本发明提供了一种LED封装结构；本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明的实施例提供了一种LED封装结构，包括：
LED基板11；
透镜区和硅胶层，依次交叉设置于所述LED基板11上。
在本发明的一个实施例中，所述透镜区和硅胶层包括：
第一透镜层12，设置于所述LED基板11上；
第一硅胶层13，设置于所述第一透镜层12上；
第二透镜层14，设置于所述第一硅胶层13上；
第二硅胶层15，设置于所述第二透镜层14上。
在本发明的一个实施例中，所述第一透镜层12和所述第一硅胶层13不含荧光粉；所述第二透镜层14和所述第二硅胶层15均含有黄色荧光粉。
在本发明的一个实施例中，所述第一硅胶层13的折射率小于所述第二硅胶层15和所述第一透镜层12的折射率，所述第二透镜层14的折射率大于所述第一硅胶层13和所述第二硅胶层15的折射率。
在本发明的一个实施例中，在所述第二硅胶层之上还包括第三透镜层16和第三硅胶层17；其中，所述第三透镜层16和所述第三硅胶层17均含有黄色荧光粉。
在本发明的一个实施例中，在所述第三硅胶层之上还包括第四透镜层18和第四硅胶层19；其中，所述第四透镜层18和所述第四硅胶层19均含有黄色荧光粉。
在本发明的一个实施例中，所述LED基板11包括铝材料散热基板和LED芯片，其中，所述LED芯片设置于所述散热基板上。
在本发明的一个实施例中，所述LED芯片为蓝光LED芯片，包括：蓝宝石衬底和依次层叠于所述蓝宝石衬底上的GaN稳定层、GaN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构、P型AlGaN阻挡层以及P型GaN层；以及，设置于所述P型GaN层表面的正电极和设置于所述N型GaN层表面的负电极。
在本发明的一个实施例中，所述散热基板设置有若干圆槽；其中，所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
在本发明的一个实施例中，所述圆槽的厚度为0.5-10毫米，直径为0.3-2毫米、圆槽之间的间距为0.5-10毫米。
在本发明的一个实施例中，所述透镜区均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的LED封装结构，其散热基板上采用中间通孔的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了散热基板成本，同时，增加空气流通的通道，利用空气的热对流，增加了散热效果。
2、本发明提供的LED封装结构，在光源上采用第一透镜层、第一硅胶层、第二透镜层及第二硅胶层的多层结构；利用多层结构中不同种类硅胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中；同时，可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。
3、本发明提供的硅胶半球可以呈矩形均匀排列，或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
图1为本发明一实施例提供的LED封装结构流程示意图；
图2为本发明一实施例提供的LED芯片的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的LED封装的散热基板示意图；
图4为本发明另一实施例提供的三层透镜LED封装结构示意图；
图5为本发明再一实施例提供的四层透镜LED封装结构示意图；
图6为本发明又一实施例提供的LED封装方法流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图1，图1为本发明一实施例提供的LED封装结构示意图，包括：
LED基板11；
透镜区和硅胶层，依次交叉设置于所述LED基板11上。
具体地，所述透镜区和硅胶层包括：
第一透镜层12，设置于所述LED基板11上；
第一硅胶层13，设置于所述第一透镜层12上；
第二透镜层14，设置于所述第一硅胶层13上；
第二硅胶层15，设置于所述第二透镜层14上。
优选地，所述第一透镜层12和所述第一硅胶层13不含荧光粉；所述第二透镜层14和所述第二硅胶层15均含有黄色荧光粉。
具体地，所述第一硅胶层13的折射率小于所述第二硅胶层15和所述第一透镜层12的折射率，所述第二透镜层14的折射率大于所述第一硅胶层13和所述第二硅胶层15的折射率。
优选地，所述LED基板11包括铝材料散热基板和LED芯片，其中，所述LED芯片设置于所述散热基板上。
优选地，第一透镜层12和第二透镜层14均采用聚碳酸脂或聚甲基丙烯酸甲脂或玻璃等材料；第一硅胶层13可以采用改性环氧树脂或有机硅材料等；第二硅胶层15优选采用甲基折光率为1.41的硅橡胶、苯基高折射率(例如1.54)的有机硅橡胶等。
进一步地，在该LED封装结构中第一透镜层12可以看作为“平凸镜”，其焦距优选为满足公式①：
R1/(n2-n1)；------------①
其中，n1为第一硅胶层13中硅胶的折射率，n2为形成第一透镜层12的硅胶材料的折射率，R1为第一透镜层12中硅胶球的半径；
第二透镜层14焦距优选为满足公式②：
R2/(n4-n3)；------------②
其中，n3为第二硅胶层15中硅胶的折射率，n4为形成第二透镜层14的硅胶材料的折射率，R2为第二透镜层14中硅胶球的半径。这样才能很好地保证LED的出光率最高。
另外，通过实验证明，出光率最优的LED的其他参数还包括：
第一硅胶层13的厚度H1应满足公式③：
R1/2+2×R1/(n2-n1)≥H1≥R1/2；----------------③
其中，H1为第一硅胶层13的厚度；
第二硅胶层15的厚度应满足公式④：
R2/2+2×R2/(n4-n3)≥H2≥R2/2；----------------④
其中，H2为第二硅胶层15的厚度。当然，第一硅胶层13和第二硅胶层15的厚度也不能太厚，太厚也会影响其出光率。
优选地，R1＝R2＝R，且R优选为5μm～100μm，且球间距A优选为5μm～100μm。LED基板11的宽度优选为：W＝5mil(1mil＝1/45mm)，其厚度D优选为90μm～140μm。
其中，在光源上采用多层结构的透镜层和硅胶层；利用多层结构中不同种类硅胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中。
具体地，请参见图2，图2为本发明一实施例提供的LED芯片的结构示意图，所述LED芯片为蓝光LED芯片，包括：蓝宝石衬底101和依次层叠于所述蓝宝石衬底上的GaN稳定层102、GaN缓冲层103、N型GaN层104、InGaN/GaN多量子阱结构105、P型AlGaN阻挡层106以及P型GaN层107。
进一步地，所述LED芯片还包括正电极108和负电极109，其中，所述正电极设置于所述P型GaN层107表面上，所述负电极109设置于所述N型GaN层104表面上。
优选地，请参见图3，图3为本发明一实施例提供的LED封装的散热基板示意图，所述散热基板设置有若干圆槽；其中，所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
其中，所述散热基板厚度为0.5-10毫米，所述圆槽的直径为0.3-2毫米、圆槽之间的间距为0.5-10毫米。
优选地，所述透镜区均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
本实施例提供的LED封装结构及其方法，采用散热基板上采用具有圆槽的厚铝材料散热基板，解决了由于金属散热基板较薄、热容较小，而且容易变形，导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果的问题；采用厚铝材基板热容大，导热效果好；厚铝材基板，不容易变形，与散热装置接触紧密，散热效果好；同时，采用圆槽的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了铝材成本；采用圆槽的方式，增加空气流通的通道，利用空气的热对流，增加了散热效果。
实施例二
进一步地，请参照图4，图4为本发明另一实施例提供的三层透镜LED封装结构示意图，在上述实施例的基础上，LED封装结构在第二硅胶层15之上还包括第三透镜层16和第三硅胶层17。
优选地，第一透镜层12、第二透镜层14和第三透镜层16包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
实施例三
进一步地，请参照图5，图5为本发明再一实施例提供的四层透镜LED封装结构示意图，在上述实施例的基础上，LED封装结构在第三硅胶层17之上还包括第四透镜层18和第四硅胶层19。
优选地，第一透镜层12、第二透镜层14、第三透镜层16和第四透镜层18包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
实施例四
请参照图6，图6为本发明又一实施例提供的LED封装方法流程图，本实施例在上述实施例的基础上，对本发明的LED封装方法进行详细描述如下。具体地，包括如下步骤：
S21、选取LED芯片；
S22、选取散热基板和支架；
S23、将所述LED芯片焊接于所述散热基板；
S24、在所述LED芯片上依次交叉制备多个透镜区和硅胶层；
S25、在100-150℃温度下，烘烤4-12小时以完成所述LED封装。
其中，在多个透镜区和硅胶层的多层结构中硅胶层的折射率依次增加，可以有效抑制光线的全反射，透镜层的折射率大于其相邻硅胶层的折射率，可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。
具体地，所述LED芯片为蓝光LED芯片。
具体地，步骤S22可以包括：
S221、选取支架和散热基板；
S222、清洗所述支架和所述散热基板；
S223、将所述支架和所述散热基板烘烤干。
优选地，所述散热基板采用带有圆槽的铁材料；
其中，采用圆槽的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了散热基板成本；同时增加空气流通的通道，利用烟囱效应提升空气的热对流速率，增加了散热效果。
具体地，步骤S23可以包括：
S231、印刷焊料并检验所述焊料的固晶：
S232、采用回流焊接工艺，将所述LED芯片焊接于所述散热基板，并将所述散热基板安装于所述支架。
具体地，步骤S24可以包括：
S241、在所述LED芯片上制备第一透镜层；
S242、在所述第一透镜层上涂敷第一硅胶形成第一硅胶层；
S243、在所述第一硅胶层上制备第二透镜层；
S244、在所述第二透镜层上涂敷第二硅胶形成第二硅胶层。
优选地，所述第一透镜层不含荧光粉，所述第一硅胶层、所述第二透镜层和所述第二硅胶层均含有黄色荧光粉。
进一步地，在步骤S244之后还可以包括：
S245、在所述第二硅胶层上制备第三透镜层；
S246、在所述第三透镜层上涂敷第三硅胶形成第三硅胶层。
优选地，所述第三透镜层和所述第三硅胶层均含有黄色荧光粉。
优选地，在步骤S246之后还可以包括：
S247、在所述第三硅胶层上制备第四透镜层；
S248、在所述第四透镜层上涂敷第四硅胶形成第四硅胶层。
优选地，所述第四透镜层和所述第四硅胶层均含有黄色荧光粉。
优选地，步骤S241可以包括：
S2411、在所述LED芯片上涂敷第五硅胶；
S2412、利用半球形模具在所述第五硅胶上制备若干第一半球形透镜；
S2413、带模具烘烤后去掉模具形成所述第一透镜层。
优选地，步骤S242可以包括：
S2421、在所述第一透镜层上涂敷所述第一硅胶；
S2422、烘烤后形成所述第一硅胶层；
进一步地，步骤S243可以包括：
S2431、在所述LED芯片上涂敷第六硅胶；
S2432、利用半球形模具在所述第六硅胶上制备若干第二半球形透镜；
S2433、带模具烘烤后去掉模具形成所述第二透镜层具。
优选地，当所述第二硅胶层为LED封装结构的最外层时，步骤S244可以包括：
S2441、在所述第二透镜层上涂敷所述第二硅胶；
S2442、采用半球形模具在所述第二硅胶上形成外层半球；
S2443、带模具烘烤后去掉模具形成所述第二硅胶层。
优选地，当所述第三硅胶层为LED封装结构的最外层时，步骤S246可以包括：
S2461、在所述第二硅胶层和所述第三透镜层上涂敷所述第三硅胶；
S2462、采用半球形模具在所述第三硅胶上形成外层半球；
S2463、带模具烘烤后去掉模具形成所述第三硅胶层。
优选地，当所述第四硅胶层为LED封装结构的最外层时，步骤S248可以包括：
S2481、在所述第三硅胶层和所述第四透镜层上涂敷所述第四硅胶；
S2482、采用半球形模具在所述第四硅胶上形成外层半球；
S2483、带模具烘烤后去掉模具形成所述第四硅胶层。
具体地，步骤S25之后还包括：对所述LED封装结构进行检测包装。
综上所述，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：
LED基板(11)；
透镜区和硅胶层，依次交叉设置于所述LED基板(11)上。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述透镜区和硅胶层包括：
第一透镜层(12)，设置于所述LED基板(11)上；
第一硅胶层(13)，设置于所述第一透镜层(12)上；
第二透镜层(14)，设置于所述第一硅胶层(13)上；
第二硅胶层(15)，设置于所述第二透镜层(14)上。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一透镜层(12)和所述第一硅胶层(13)不含荧光粉；所述第二透镜层(14)和所述第二硅胶层(15)均含有黄色荧光粉。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一硅胶层(13)的折射率小于所述第二硅胶层(15)和所述第一透镜层(12)的折射率，所述第二透镜层(14)的折射率大于所述第一硅胶层(13)和所述第二硅胶层(15)的折射率。
5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在所述第二硅胶层之上还包括第三透镜层(16)和第三硅胶层(17)；其中，所述第三透镜层(16)和所述第三硅胶层(17)均含有黄色荧光粉。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，在所述第三硅胶层(17)之上还包括第四透镜层(18)和第四硅胶层(19)；其中，所述第四透镜层(18)和所述第四硅胶层(19)均含有黄色荧光粉。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述LED基板(11)包括铝材料散热基板和LED芯片，其中，所述LED芯片设置于所述散热基板上。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述LED芯片为蓝光LED芯片且包括：蓝宝石衬底和依次层叠于所述蓝宝石衬底上的GaN稳定层、GaN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构、P型AlGaN阻挡层以及P型GaN层；以及，设置于所述P型GaN层表面的正电极和设置于所述N型GaN层表面的负电极。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述散热基板设置有若干圆槽；其中，所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述透镜区均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711216520.6A CN107731992A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711216520.6A CN107731992A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107731992A true CN107731992A (zh) | 2018-02-23 |
Family
ID=61218779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711216520.6A Pending CN107731992A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107731992A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110119050A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-13 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| CN111584571A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头显示面板及其制备方法 |
| WO2021155644A1 (zh) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled 显示面板及其制备方法、微透镜 |
| WO2024045987A1 (zh) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101556023A (zh) * | 2009-05-14 | 2009-10-14 | 上海广电光电子有限公司 | 带广角透镜的led光源 |
| CN102074638A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
| CN102324423A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-18 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种cobled集成封装结构 |
| US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
| CN203481273U (zh) * | 2013-10-09 | 2014-03-12 | 惠州雷士光电科技有限公司 | 一种基于AlSiC复合基板的LED光源模块 |
| CN106098902A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-11-09 | 江西亚中电子科技有限公司 | 一种高亮度led贴片支架 |
-
2017
- 2017-11-28 CN CN201711216520.6A patent/CN107731992A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101556023A (zh) * | 2009-05-14 | 2009-10-14 | 上海广电光电子有限公司 | 带广角透镜的led光源 |
| CN102074638A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
| US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
| CN102324423A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-18 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种cobled集成封装结构 |
| CN203481273U (zh) * | 2013-10-09 | 2014-03-12 | 惠州雷士光电科技有限公司 | 一种基于AlSiC复合基板的LED光源模块 |
| CN106098902A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-11-09 | 江西亚中电子科技有限公司 | 一种高亮度led贴片支架 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 费恩曼 等: "《费恩曼物理学讲义（新千年珍藏版）第I卷》", 30 September 2015 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110119050A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-13 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| WO2021155644A1 (zh) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled 显示面板及其制备方法、微透镜 |
| CN111584571A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头显示面板及其制备方法 |
| CN111584571B (zh) * | 2020-05-13 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头显示面板及其制备方法 |
| US11874999B2 (en) | 2020-05-13 | 2024-01-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel with under-screen camera and manufacturing method thereof |
| WO2024045987A1 (zh) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107731992A (zh) | Led封装结构 | |
| CN204857783U (zh) | 一种侧面发光的led | |
| CN201772368U (zh) | 一种led隧道灯 | |
| CN103325926B (zh) | 一种用于板上芯片led封装结构及其荧光粉涂覆方法 | |
| CN202013881U (zh) | 垂直结构led芯片集成封装结构 | |
| CN203871360U (zh) | 一种抛光铝基板cob封装结构 | |
| CN205790069U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN208253403U (zh) | 一种太阳能led草坪灯 | |
| CN208173626U (zh) | 大功率led封装结构 | |
| CN201927603U (zh) | 一种图形化led器件 | |
| CN208093590U (zh) | Led封装结构 | |
| CN108006540A (zh) | 智能led路灯 | |
| CN107833949A (zh) | Led封装结构及其方法 | |
| CN107833877A (zh) | Led封装结构 | |
| CN202469988U (zh) | 一种翼板式三维立体led散热器 | |
| CN107968136A (zh) | Led封装方法及结构 | |
| CN201206742Y (zh) | 发光二极管照明模块 | |
| US8933469B2 (en) | High-voltage light-emitting device | |
| CN208028086U (zh) | 大功率led封装结构 | |
| CN102544344B (zh) | 复合相变立体式led散热器 | |
| CN108011027A (zh) | Led封装结构及其方法 | |
| CN107819064A (zh) | Led封装结构 | |
| CN100570213C (zh) | 发光二极管照明模块 | |
| US20090050910A1 (en) | Flat panel based light emitting diode package structure | |
| CN202024127U (zh) | 一种led模组 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180223 |