CN107731656A - 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质 - Google Patents

清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。

Description

清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录 介质
技术领域
本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质。
背景技术
作为半导体器件(设备)的制造工序的一个工序，有时进行成膜处理：向处理室内的衬底供给原料气体、反应气体，在衬底上形成膜。若进行成膜处理，则有时在处理室内附着堆积物。因此，在进行了成膜处理之后，有时进行向处理室内供给清洁气体来将附着于处理室内的堆积物去除的清洁(cleaning)处理。在清洁处理中，存在由于清洁气体而对排气管造成腐蚀等损伤的情况(例如，专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-170786号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的状况完成的，其目的在于提供一种能够抑制由清洁气体对排气管造成的损伤的技术。
根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的工序，
将所述堆积物去除的工序具有以下工序：
第1工序，在该第1工序中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；和
第2工序，在该第2工序中，若所述连接部的温度达到第1温度，则一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。
发明效果
根据本发明，能够提供一种可抑制由清洁气体对排气管造成的损伤的技术。
附图说明
图1是概略地表示在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的一个例子的纵剖视图。
图2是说明在本发明的实施方式中适合使用的控制部的图。
图3是说明在本发明的实施方式中适合使用的清洁气体流量与排气管温度之间的关系的图。
附图标记说明
10：反应管，12：加热器，14：处理室，49：温度检测器，100：控制器。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对同一或对应的结构标注同一或对应的附图标记，并省略重复的说明。
在本实施方式中，衬底处理装置构成为作为半导体器件(设备)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等衬底处理工序的立式衬底处理装置(以下称为处理装置)2。如图1所示，处理装置2具备圆筒形状的反应管10和设置于反应管10的外周的作为加热单元(加热机构)的加热器12。反应管10由例如石英、SiC形成。在反应管10设置有作为温度检测器的温度检测部16。温度检测部16沿着反应管10的内壁立设。
在反应管10的下端开口部，经由O形密封圈等密封部件20连结有圆筒形的集流腔(manifold)18，该集流腔18支承反应管10的下端。集流腔18由例如不锈钢等金属形成。由反应管10和集流腔18构成处理容器。在处理容器的内部形成有对作为衬底的晶片W进行处理的处理室14。集流腔18的下端开口部由圆盘状的盖部22进行开闭。盖部22由例如金属形成。在盖部22的上表面设置有O形密封圈等密封部件20，由此，反应管10被气密地封闭(密封)，反应管10内的气氛和外部空气被阻断。在盖部22上载置在中央沿着上下形成有孔的隔热部24。隔热部24由例如石英、SiC形成。
处理室14在内部收纳将多张、例如25张～150张晶片W垂直地支承为搁板状的作为衬底保持件的舟皿26。舟皿26由例如石英、SiC形成。舟皿26通过将盖部22及隔热部24的孔贯穿的旋转轴28而被支承于隔热部24的上方。在盖部22的旋转轴28所贯穿的部分设置有例如磁性流体密封件，旋转轴28与设置于盖部22下方的旋转机构30连接。由此，旋转轴28构成为能够在将反应管10的内部气密地密封的状态下旋转。盖部22由作为升降机构的舟皿升降机32沿着上下方向驱动。由此，舟皿26和盖部22一体地升降，舟皿26相对于反应管10搬入搬出。
处理装置10具备将衬底处理所使用的气体向处理室14内供给的气体供给机构34。气体供给机构34所供给的气体能够根据所要成膜的膜的种类切换。其中，气体供给机构34包括原料气体供给部、反应气体供给部、清洁气体供给部和非活性气体供给部。由原料气体供给部和反应气体供给部构成成膜气体供给部。成膜气体供给部也可以包含非活性气体供给部。
原料气体供给部具备气体供给管36a，在气体供给管36a从上游方向起依次设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)38a和作为开闭阀的阀40a。气体供给管36a与贯穿集流腔18的侧壁的喷嘴44a连接。喷嘴44a沿着上下方向立设于反应管10内，形成有朝向被舟皿26保持的晶片W开口的多个供给孔。通过喷嘴44a的供给孔向晶片W供给原料气体。
以下，利用同样的结构，从反应气体供给部经由气体供给管36b、MFC38b、阀40b和喷嘴44b向晶片W供给反应气体。从非活性气体供给部经由气体供给管36c、36d、MFC38c、38d、阀40c、40d和喷嘴44a、44b向晶片W供给非活性气体。从清洁气体供给部经由气体供给管36a、36b、MFC38a、38b、阀40a、40b和喷嘴44a、44b向晶片W供给清洁气体。
在处理容器的排气部(排气口)60安装有金属制的排气连接部(连接部)45。排气连接部45构成为，设置于排气口60与排气管46之间，形成排气路径。排气连接部45构成为能够伸缩的波纹管(波纹)状。其中，排气部60形成于反应管10。在排气管46上经由检测处理室14内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器48和作为压力调整器(压力调整部)的APC(自动压力控制器，Auto Pressure Controller)阀50连接有作为真空排气装置的真空泵52。能够利用这样的结构将处理室14内的压力设为与处理相应的处理压力。
在排气连接部45以在整周范围内覆盖排气连接部45的方式设置有对排气连接部45进行加热的加热部(配管加热器)47。在加热部47设置有检测加热部47或排气连接部45的温度的温度检测器49。
如图2所示，作为控制部的控制器100构成为具备CPU(中央处理单元，CentralProcessing Unit)101a、RAM(随机存取存储器，Random Access Memory)101b、存储装置101c、I/O端口101d的计算机。RAM101b、存储装置101c、I/O端口101d构成为能够经由内部总线101e与CPU101a进行数据交换。在控制器100连接有构成为例如触摸面板等的输入输出装置102。
存储装置101c由例如闪存、HDD(硬盘驱动器，Hard Disk Drive)等构成。在存储装置101c内可读取地储存有控制处理装置2的动作的控制程序、记载有后述的成膜处理等衬底处理的步骤和条件等的工艺配方(process recipe)。此外，工艺配方以能够使控制器100执行后述的衬底处理工序的各步骤并获得规定的结果的方式组合，作为程序发挥功能。以下，将该工艺配方、控制程序等简单地统称为程序。此外，在本说明书中，在使用程序这样的用语的情况下，存在仅包括工艺配方单体的情况、仅包括控制程序单体的情况、或者包括这两者的情况。另外，RAM101b构成为暂时保存由CPU101a读取的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口101d与上述的MFC38a、38b、38c、38d、阀40a、40b、40c、40d、加热器12、配管加热器47、旋转机构30、温度检测器49、APC阀50、PID控制部51等连接。此外，I/O端口101d也与未图示的电力调整器、加热器电源、压力传感器和真空泵连接。
CPU101a构成为，从存储装置101c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置102的操作指令的输入等而从存储装置101c读出工艺配方。并且，CPU101a构成为以按照所读出的工艺配方的内容的方式进行以下控制：基于MFC38a、38b、38c、38d进行的对各种气体的流量调整动作、阀40a、40b、40c、40d的开闭动作、APC阀50的开闭动作和基于压力传感器的APC阀50的压力调整动作、基于温度检测部16的检测值的加热器12的温度调整动作、基于温度检测器49的检测值的配管加热器47的温度调整动作、真空泵的起动和停止、基于旋转机构30进行的舟皿26的旋转和旋转速度调节动作、基于舟皿升降机32进行的舟皿26的升降动作等的控制、基于温度检测器49的检测值的气体流量的PID控制。
此外，控制器100不限于构成为专用的计算机的情况，也可以构成为通用的计算机。准备例如储存有上述程序的外部存储装置(例如、磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)104，使用该外部存储装置104来将程序安装于通用的计算机等，由此能够构成本实施方式的控制器100。此外，用于向计算机供给程序的手段并不限于经由外部存储装置104供给的情况。也可以使用例如互联网、专用线路等通信手段而不经由外部存储装置104地供给程序。此外，存储装置101c、外部存储装置104构成为计算机可读取的记录介质。以下，将这些简单地统称为记录介质。此外，在本说明书中，在使用记录介质这样的用语的情况下，存在仅包括存储装置101c单体的情况、仅包括外部存储装置104单体的情况、或者包括这两者的情况。
接着，对使用上述的处理装置2在衬底上形成膜的处理(成膜处理)进行说明。其中，对通过向处理容器内、即处理室13内的晶片W供给DCS(SiH2Cl2：二氯硅烷)气体作为原料气体、供给NH3(氨)气体作为反应气体来在晶片W上形成氮化硅(SiN)膜的例子进行说明。此外，在以下的说明中，构成处理装置2的各部分的动作由控制器100控制。
(晶片装载和舟皿装入)
若多张晶片W被装填于舟皿26(晶片装载)，则舟皿26通过舟皿升降机32而被向处理室14内搬入(舟皿装入)，反应管10的下部开口成为被盖部22气密地密封的状态。
(压力调整和温度调整)
以使处理室14内成为规定的压力(真空度)的方式通过真空泵52进行真空排气(减压排气)。处理室14内的压力由压力传感器48测定，基于该测定的压力信息对APC阀50进行反馈控制。另外，以使处理室14内的晶片W成为规定的温度的方式通过加热器12进行加热。此时，以使处理室14成为规定的温度分布的方式，基于温度检测部16所检测到的温度信息对向加热器12的通电情况进行反馈控制。另外，开始由旋转机构30进行的舟皿26和晶片W的旋转。另外，以使排气配管46的温度成为比处理室14内的温度低、且比后述的耐受性温度高的规定温度的方式向配管加热器47通电，由配管加热器47对排气连接部45进行加热。通过如此由配管加热器47对排气连接部45进行加热，能够抑制堆积物在成膜处理中向排气连接部45内部附着。
(成膜处理)[原料气体供给工序]
当处理室14内的温度稳定于预先设定的处理温度、并且排气连接部45达到规定温度时，向处理室14内的晶片W供给DCS气体。DCS气体被MFC38a控制成所期望的流量，经由气体供给管36a和喷嘴44a向处理室14内供给。
[原料气体排气工序]
接着，停止DCS气体的供给，利用真空泵52对处理室14内进行真空排气。此时，也可以从非活性气体供给部将N2气体作为非活性气体向处理室14内供给(非活性气体吹扫)。
[反应气体供给工序]
接着，向处理室14内的晶片W供给NH3气体。NH3气体被MFC38b控制成所期望的流量，经由气体供给管36b和喷嘴44b向处理室14内供给。
[反应气体排气工序]
接着，停止NH3气体的供给，利用真空泵52对处理室14内进行真空排气。此时，也可以从非活性气体供给部向处理室14内供给N2气体(非活性气体吹扫)。
通过将进行上述4个工序的循环进行规定次数(1次以上)，能够在晶片W上形成规定组成和规定膜厚的SiN膜。
(舟皿卸载和晶片卸下)
在形成了规定膜厚的膜之后，从非活性气体供给部供给N2气体，处理室14内被置换成N2气体，并且，处理室14的压力恢复成常压。之后，通过舟皿升降机32使盖部22下降并将舟皿26从反应管10搬出(舟皿卸载)。之后，将处理完毕的晶片W从舟皿26取出(晶片卸下)。
作为在晶片W上形成SiN膜之际的处理条件，例如例示下述条件。
处理温度(晶片温度)：300℃～700℃、
处理压力(处理室内压力)1Pa～4000Pa、
DCS气体：100sccm～10000sccm、
NH3气体：100sccm～10000sccm、
N2气体：100sccm～10000sccm，
通过将各处理条件设定成各自范围内的值，能够使成膜处理恰当地进行。
接着，对清洁处理进行说明。
若进行成膜处理，则存在包括薄膜在内的堆积物附着于处理容器内(处理室内)、排气连接部内和排气配管内的情况。若为了去除这些堆积物而进行清洁处理，则存在当堆积物和清洁气体在处理室内、排气连接部内和排气配管内发生反应时产生发热(反应热)的情况。排气连接部、排气配管是金属制的，若以比耐受性温度高的温度与清洁气体接触，则有时发生腐蚀，产生微粒。因此，需要在使排气连接部、排气配管维持耐受性温度以下的温度的同时进行清洁。在此，耐受性温度是排气连接部、排气配管这样的金属部件不因与清洁气体接触而产生腐蚀的上限温度。若超过耐受性温度，则金属部件因与清洁气体接触而产生腐蚀。另外，由石英等耐热耐蚀材料制成的反应管10具有比排气连接部高的耐受性温度或者具有充分的壁厚，因此，不考虑反应管10的腐蚀。
为了以耐受性温度以下的温度实施清洁处理，作业者有时以手动进行清洁气体的供给和供给停止、或基于作业者的经验创建清洁气体的供给和供给停止的过程。然而，这些方法并不高效，存在停止清洁气体的供给的情况，因此清洁时间也有时变长。发明人深入研究的结果，获得了如下见解：通过基于排气连接部的温度对清洁气体的流量进行控制，能够以耐受性温度以下的温度实施清洁处理，而且，在清洁处理期间能够持续进行清洁气体的供给。
以下，对本发明中的清洁处理工序进行说明。
(清洁处理工序)当成膜处理结束时，实施处理容器内、即处理室14内、排气连接部45内和排气配管46内的清洁。在进行清洁之际，使用例如F2(氟)气体和NO(一氧化氮)气体。首先，通过舟皿升降机32将舟皿26搬入到处理室14内，通过盖部22将反应管10的下部开口气密地密封。接着，停止向配管加热器47的通电，停止配管加热器47对排气连接部45进行的加热。若排气连接部45的温度下降到比耐受性温度低的规定温度(例如、120℃)以下，则开始清洁工序。此外，排气连接部45的温度由温度检测器49检测。在清洁工序中，将配管加热器47设为断开(OFF)，因此，能够认为设置于配管加热器47的温度检测器49所检测的温度与排气连接部45的温度大致相同。
F2气体从气体供给管36a由MFC38a控制流量、通过阀40a并经由供给原料气体的喷嘴44a向处理室14内供给。NO气体从气体供给管36b由MFC38b控制流量、通过阀40b并经由供给反应气体的喷嘴44b向处理室14内供给。供给到处理室14内的F2气体和NO气体(合起来称为清洁气体)发生反应，对处理室14内进行清洁。
清洁气体由MFC38a、38b控制流量而向处理室14内供给。此时，利用温度检测器49对排气管46的温度进行检测，检测值作为输入信号向PID(比例·积分·微分)控制部51引入。PID控制部51基于输入信号对供给流量进行运算，将运算值作为输出信号向MFC38a、38b发送。这样一来，清洁气体的流量通过MFC38a、38b而以使排气连接部45的温度不超过耐受性温度的方式被进行反馈控制。具体的控制过程以图3说明。
图3是本发明的清洁过程。图3的(a)表示清洁气体的流量与时间之间的关系，图3的(b)表示排气连接部的温度与时间之间的关系。以下，清洁气体的流量设为F2气体和NO气体的合计流量。
(第1步骤S1)以第1流量a向处理室14内供给清洁气体。清洁气体以第1流量a向处理室14内的供给持续到排气连接部45的温度达到第1温度d为止。在此，第1流量a是能够向处理室14内供给的规定的上限流量。通过以上限流量向处理室14内供给清洁气体，能够将处理室14内的堆积物的大部分一下子去除。在以第1流量a供给清洁气体时，处理室14内的堆积物与清洁气体反应的反应量大，因此，处理室14内的温度上升，通过排气连接部45的气体的温度变高。与此相伴，排气连接部45的温度急剧地上升。即，在第1步骤中，排气连接部45的温度受到由处理室14内的反应产生的发热的影响大。在此，第1温度d是能够通过使清洁气体的供给流量从第1流量a减少而使排气连接部45的温度收敛于后述的第2温度c(耐受性温度)的上限温度。例如若在比第1温度d高的温度时使清洁气体的供给流量从第1流量a减少，则排气连接部45的温度的收敛来不及，作为结果，会超过耐受性温度。
(第2步骤S2)若排气连接部45的温度达到第1温度d，则一边使清洁气体的流量向比第1流量a低的流量的第2流量b逐渐减少一边向所述处理室14内供给所述清洁气体。此时，使清洁气体的流量指数式地减少为佳。在第2步骤中，排气连接部45的温度受到由处理室14内的反应产生的发热和由排气连接部45内的反应产生的发热的影响。通过使清洁气体的流量指数式地减少，能够使排气连接部45的温度向耐受性温度收敛。
(第3步骤S3)若排气连接部45的温度达到比第1温度d高的第2温度c，则以使排气连接部45的温度收敛于第2温度c、进一步地维持第2温度c的方式，以比第2流量b小的流量，一边反复进行流量的增减并使流量逐渐减少，一边向处理室14内供给清洁气体。在此，排气连接部45的温度也可以不完全达到第2温度c。只要是例如接近第2温度c的温度、且是即使将清洁气体的流量设为比第2流量b小的流量也会缓慢地向第2温度c到达(收敛)的温度，实质上就能够视作与第2温度c等同。在第3步骤中，排气连接部45的温度受到由排气连接部45内的反应产生的发热的影响较大。排气连接部45内的反应缓慢地进行，因此，在清洁气体的供给流量与排气连接部45的温度上升之间产生时间差。因而，通过以使清洁气体的流量反复增减并逐渐减少的方式进行控制，能够控制成排气连接部45不会因排气连接部45内的反应热而超过耐受性温度。另外，通过一边使清洁气体的流量增减一边向处理室14内供给清洁气体，能够使处理室14内的压力也增减，因此，能够使清洁气体遍及到处理室14内的各个角落。而且，能够使处理室14内的排气顺利，因此，能够使清洁性提高。
在对第3步骤实施了规定时间之后，停止清洁气体的供给，从非活性气体供给部供给N2气体。若处理室14内被置换成N2气体、并且处理室14的压力恢复成常压，则通过舟皿升降机32使盖部22下降而将舟皿26从反应管10搬出。
在上述的清洁处理工序中，作为清洁气体的流量而对F2气体和NO气体的合计流量进行控制。此时，优选控制成F2气体的流量和NO气体的流量成为相同的比例。另外，也可以将非活性气体与清洁气体一起向处理室14内供给。
作为PID控制部51，能够使用被称为加热冷却控制、串级PID那样的市场上销售的控制器。也就是说，将冷却操作量或者外环的操作量(称为第2操作量)分配于气体流量。控制部100在第1步骤期间针对MFC38a、38b直接设定流量，针对PID控制部51将相同的流量设定为第2操作量的下限值(和上限值)且禁止第2操作量的输出。并且，在第2步骤和第3步骤期间，针对PID控制部51使第2操作量的下限值解除，将温度检测器49的温度作为控制量对第2操作量进行反馈控制，使该第2操作量向MFC38a、38b输出。
＜本实施方式的效果>
根据本实施方式，获得以下所示的1个或多个效果。
(1)通过基于排气连接部的温度对清洁气体的流量进行控制，能够以将排气连接部的温度维持于清洁效率最好的耐受性温度附近的状态实施清洁，因此，能够使清洁时间缩短。与此相伴，能够使生产率提高。另外，根据由作业者进行的手动的清洁、基于作业者的经验的过程处理，由于一边观察配管的温度一边对清洁气体的供给/供给停止进行控制，所以难以将排气连接部维持于恒定的温度，从而产生使清洁气体的供给停止来冷却排气连接部的时间，因此，有时清洁时间会变长。与此相对，根据本发明，能够将排气连接部的温度维持于不超过耐受性温度那样的恒定的温度，因此，能够缩短清洁的时间，能够使生产率提高。
(2)通过基于排气连接部的温度进行清洁处理，能够防止金属部件的腐蚀，抑制微粒的产生。由此，能够使产品的成品率提高。另外，排气连接部设置于最靠近反应管的位置，最大程度地受到反应管内的影响。因此，通过仅对排气连接部进行监视，也能够同时抑制比其更靠后段的排气配管部分的腐蚀。
(3)通过由对排气连接部进行加热的加热器的温度检测器对排气连接部的温度进行检测，能够使装置结构简单化，能够降低成本。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
(变形例)
在上述的实施方式中，以使排气连接部45的温度不超过耐受性温度的方式对清洁气体的流量进行控制，但也能够以使排气连接部45内的堆积物与清洁气体发生反应的反应量不超过阈值的方式对清洁气体的流量进行控制。
优选将上述的阈值设为由于排气连接部45内的反应热而导致排气连接部45超过耐受性温度时的、排气连接部45内的堆积物的去除量(或者堆积物与清洁气体发生反应的反应量)。排气连接部45的温度梯度依赖于(1)处理室内的温度和(2)排气连接部45内的反应热。因此，预先对基于(1)的排气连接部45的温度梯度A进行测定，并将测定数据储存于控制部100。在实际的清洁处理中所测定的排气连接部45的温度梯度C取决于基于(1)的温度梯度A和基于(2)的温度梯度B，因此，通过从温度梯度C与温度梯度A的差值导出基于(2)的排气管的温度上升，从而能够对堆积物的去除量进行检测(运算)。
另外，也可以在排气连接部45的前段和后段分别设置对气体浓度进行检测的检测器，并根据前段的检测值与后段的检测值的差值对在排气连接部45内被去除了的堆积物的去除量进行运算。也能够对堆积物所含有的特定元素的浓度、例如Si元素的浓度进行检测来导出堆积物的去除量。
以上，具体地说明了本发明的实施方式。然而，本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
例如，上述的实施方式中，对使用HCD气体作为原料气体的例子进行了说明，但本发明并不限定于这样的形态。例如，作为原料气体，除了HCD气体之外，还能够使用DCS(SiH2Cl2：二氯硅烷)气体、MCS(SiH3Cl：一氯甲硅烷)气体、TCS(SiHCl3：三氯硅烷)气体等无机系卤代硅烷原料气体、3DMAS(Si[N(CH3)2]3H：三(二甲基氨基)硅烷)气体、BTBAS(SiH2[NH(C4H9)]2：双叔丁基氨基硅烷)气体等不含卤基的氨基系(胺系)硅烷原料气体、MS(SiH4：甲硅烷)气体、DS(Si2H6：乙硅烷)气体等不含卤基的无机系硅烷原料气体。
例如，在上述的实施方式中，对形成SiN膜的例子进行了说明。然而，本发明并不限定于这样的形态。例如，除了这些之外还能够使用或者还能够与这些一并使用氧(O2)气等含氧(O)气体(氧化气体)、丙烯(C3H6)气体等含碳(C)气体、三氯化硼(BCl3)气体等含硼(B)有气体等，来形成SiON膜、SiOCN膜、SiOC膜、SiCN膜、SiBN膜、SiBCN膜等。在进行这些成膜的情况下，也能够以与上述的实施方式同样的处理条件进行成膜，获得与上述的实施方式同样的效果。
另外，在例如在晶片W上形成含有钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铌(Nb)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)等金属元素的膜、即金属系膜的情况下，本发明也能够恰当地适用。
另外，例如，在使用三氟化氮(NF3)气体、三氟化氯(ClF3)气体、氟化氢(HF)气体等含卤气体作为清洁气体的情况下，本发明也能够恰当地适用。在含卤气体中的、尤其是具有发热性的气体能够良好地适用。

Claims (7)

1.一种清洁方法，其特征在于，具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的工序，
将所述堆积物去除的工序具有如下工序：
第1工序，在该第1工序中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；和
第2工序，在该第2工序中，当所述连接部的温度达到第1温度时，一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
将所述堆积物去除的工序还具有第3工序，在该第3工序中，当所述连接部的温度达到比所述第1温度高的第2温度时，以维持所述第2温度的方式，以比所述第2流量小的流量一边反复进行所述清洁气体的流量的增减并使所述清洁气体的流量逐渐减少，一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。
3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，
所述第2温度以连接部不会因与所述清洁气体的接触而产生腐蚀的上限温度为基准来设定。
4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，
通过PID反馈控制来进行所述第2工序和第3工序。
5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
在处理容器内的衬底上形成膜的工序；和
向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的工序，
将所述堆积物去除的工序具有：
第1工序，在该第1工序中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；
第2工序，在该第2工序中，当所述连接部的温度达到第1温度时，一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体；和
第3工序，在该第3工序中，当所述连接部的温度达到比所述第1温度高的第2温度时，以维持所述第2温度的方式，以比所述第2流量小的流量一边反复进行所述清洁气体的流量的增减并使所述清洁气体的流量逐渐减少，一边向所述处理容器内供给所述清洁气体，
在形成所述膜的工序中，将所述排气管加热至比所述第2温度高的温度，以抑制所述堆积物的堆积。
6.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：
处理容器，在其内部收容衬底；
成膜气体供给部，其向所述处理容器内的衬底供给成膜气体；
清洁气体供给部，其向所述处理容器内供给清洁气体；
金属制的连接部，其将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接；
配管加热器，其加热所述连接部；和
控制器，其控制通过向所述处理容器内的所述衬底供给所述成膜气体来形成膜的处理、和向所述处理容器内供给所述清洁气体来将附着于所述处理容器内的堆积物去除的处理，
所述控制器在将所述堆积物去除的处理中以进行如下处理的方式控制所述成膜气体供给部和所述清洁气体供给部：第1处理，在所述连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；第2处理，当所述连接部的温度达到第1温度时，一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体；和第3处理，当所述连接部的温度达到比所述第1温度高的第2温度时，以维持所述第2温度的方式，以比所述第2流量小的流量控制所述清洁气体的供给，
所述控制器在形成所述膜的处理中，以将所述连接部加热至比所述第2温度高的温度的方式控制所述配管加热器。
7.一种记录介质，其储存有通过计算机使衬底处理装置执行以下步骤的程序：
在衬底处理装置的处理容器内的衬底上形成膜的步骤；和
向所述处理容器内供给清洁气体而将附着于所述处理容器内的堆积物去除的步骤，
将所述堆积物去除的步骤包括：
第1步骤，在该第1步骤中，在将对所述处理容器内进行排气的排气管和所述处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向所述处理容器内供给所述清洁气体；和
第2步骤，在该第2步骤中，当所述连接部的温度达到第1温度时，一边使所述清洁气体的流量从所述第1流量向比所述第1流量小的流量的第2流量逐渐减少一边向所述处理容器内供给所述清洁气体。
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