CN107731171B - 像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和发光元件；所述像素电路还包括补偿控制单元，所述补偿控制单元分别连接所述第一晶体管的第一极和所述感测线；所述补偿控制单元用于接入第三扫描信号，并根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿。本发明还公开了一种像素电路的控制方法、显示基板和显示装置。本发明提供的像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置，既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置。
背景技术
OLED(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示设备，是一种利用有机发光材料在电场驱动下发生载流子注入和复合而发光的显示设备，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、高反应速度等优点。
目前针对OLED显示常用的补偿方法有两种：内部补偿和外部补偿。
但是，本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术中至少存在以下问题：
内部补偿主要是通过添加TFT(薄膜晶体管)和信号线实现Vth(阈值电压)补偿。该方法优点是过程简单、补偿速度快，缺点是仅仅只能补偿 Vth。
外部补偿主要是通过外部集成电路(IC)进行TFT特性参数补偿。该方法优点是像素电路简单、补偿参数以及范围较大，缺点是运行速度慢、难以满足高频率工作条件。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例的目的之一在于，提出一种可完成混合补偿的像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置。
基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和发光元件；所述第一晶体管的控制极连接第一扫描线，所述第一晶体管的第一极和第二极分别连接第三晶体管的控制极和数据线，所述第二晶体管的控制极连接第二扫描线，所述第二晶体管的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管的第二极和感测线，所述第三晶体管的第一极连接第一电源端，所述存储电容的第一端和第二端分别连接所述第三晶体管的控制极和所述第二晶体管的第一极，所述发光元件的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管的第二极和第二电源端；
所述像素电路还包括补偿控制单元，所述补偿控制单元分别连接所述第一晶体管的第一极和所述感测线；所述补偿控制单元用于接入第三扫描信号，并根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿。
可选的，所述补偿控制单元包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制极接入所述第三扫描信号，所述第四晶体管的第一极和第二极分别连接所述第一晶体管的第一极和所述感测线。
可选的，所述的像素电路还包括外部补偿模块，所述外部补偿模块分别连接所述数据线和感测线，用于辅助完成像素电路的外部补偿。
可选的，所述外部补偿模块包括依次连接的ADC单元、查找表单元、控制单元、存储单元和DAC单元；
所述ADC单元，用于采集所述感测线上的模拟信号并将其转换为数字信号；
所述查找表单元，用于将所述数字信号与预设查找表数据进行差异比对，并得出差异数据；
所述控制单元，用于根据所述差异数据处理得到补偿数据；
所述存储单元，用于存储所述补偿数据；
所述DAC单元，用于将所述补偿数据转换为模拟补偿信号，并将所述模拟补偿信号补偿到所述数据线中。
可选的，所述的像素电路还包括第一开关和第二开关；所述第一开关的第一端和第二端分别连接所述感测线和第三电压端，所述第二开关的第一端和第二端分别连接所述感测线和所述外部补偿模块。
可选的，所述发光元件为有机发光二极管。
本发明实施例的第二个方面，提供了一种应用于如前任一项所述的像素电路的控制方法，包括：
所述第一扫描信号和第二扫描信号均为高电平，所述第一晶体管和第二晶体管打开，所述第三扫描信号控制所述补偿控制单元关闭；
所述第三晶体管的控制极通过所述第一晶体管接入数据线上的低电平信号；
所述感测线与外部补偿模块连通，将发光元件的电压值输出到外部补偿模块，用于完成像素电路的外部补偿；
和/或，
所述控制方法包括：
在第一时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为高电平，所述第一扫描信号为低电平，所述感测线接入重置信号，所述第二晶体管和补偿控制单元打开，所述第一晶体管关闭，所述第三晶体管的控制极和第二极均接入所述重置信号；
在第二时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入参考电压信号，所述第三晶体管的控制极接入所述参考电压信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压，此时第三晶体管的控制极与第二极之间的电压为所述第一晶体管的阈值电压；
在第三时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入数据信号，所述第三晶体管的控制极接入所述数据信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压再加上增量电压，所述增量电压为所述数据信号与所述参考电压信号之间的差值；
在第四时段，所述第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号均为低电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和补偿控制单元均关闭，发光元件发光所需电压被存储在存储电容中，根据在发光过程中流入发光元件的电流值计算公式，所述电流值仅与所述数据信号和参考电压信号有关，从而完成像素电路的内部补偿。
本发明实施例的第三个方面，提供了一种显示基板，包括如前任一项所述的像素电路。
本发明实施例的第四个方面，提供了一种显示装置，包括如前所述显示基板。
从上面所述可以看出，本发明实施例提供的像素电路及其控制方法、显示基板、显示装置，通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和补偿控制单元，所述补偿控制单元能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述像素电路既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
附图说明
图1为本发明提供的像素电路的一个实施例的结构示意图；
图2为本发明提供的像素电路的另一个实施例的结构示意图；
图3为本发明提供的像素电路的又一个实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的像素电路的控制方法的一个实施例的流程示意图；
图5为本发明提供的像素电路的控制方法的一个实施例中的控制信号驱动时序示意图；
图6为本发明提供的像素电路的控制方法的另一个实施例的流程示意图；
图7为本发明提供的像素电路的控制方法的另一个实施例中的控制信号驱动时序示意图；
图8为本发明提供的像素电路的控制方法的又一个实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
基于上述目的，本发明实施例的第一方面，提供了一种可完成混合补偿的像素电路的一个实施例。如图1所示，为本发明提供的像素电路的一个实施例的结构示意图。
所述像素电路，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容C1和发光元件10；所述第一晶体管T1的控制极连接第一扫描线 SCAN1，所述第一晶体管T1的第一极和第二极分别连接第三晶体管T3的控制极和数据线DATA，所述第二晶体管T2的控制极连接第二扫描线 SCAN2，所述第二晶体管T2的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和感测线SENSE，所述第三晶体管T3的第一极连接第一电源端 OVDD，所述存储电容C1的第一端和第二端分别连接所述第三晶体管T3的控制极和所述第二晶体管T2的第一极，所述发光元件10的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和第二电源端OVSS；
所述像素电路还包括补偿控制单元20，所述补偿控制单元20分别连接所述第一晶体管T1的第一极和所述感测线SENSE；所述补偿控制单元20用于接入第三扫描信号EN，并根据所述第三扫描信号EN辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的像素电路，通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和补偿控制单元，所述补偿控制单元能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述像素电路既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
本发明实施例还提供了所述像素电路的另一个实施例。如图2所示，为本发明提供的像素电路的另一个实施例的结构示意图。
所述像素电路，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容C1和发光元件10；所述第一晶体管T1的控制极连接第一扫描线 SCAN1，所述第一晶体管T1的第一极和第二极分别连接第三晶体管T3的控制极和数据线DATA，所述第二晶体管T2的控制极连接第二扫描线 SCAN2，所述第二晶体管T2的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和感测线SENSE，所述第三晶体管T3的第一极连接第一电源端 OVDD，所述存储电容C1的第一端和第二端分别连接所述第三晶体管T3的控制极和所述第二晶体管T2的第一极，所述发光元件10的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和第二电源端OVSS；可选的，所述发光元件10为有机发光二极管OLED。
所述像素电路还包括补偿控制单元20，所述补偿控制单元20分别连接所述第一晶体管T1的第一极和所述感测线SENSE；较佳地，所述补偿控制单元20包括第四晶体管T4，所述第四晶体管T4的控制极接入所述第三扫描信号EN，所述第四晶体管T4的第一极和第二极分别连接所述第一晶体管T1 的第一极和所述感测线SENSE；所述补偿控制单元20用于接入第三扫描信号EN，并根据所述第三扫描信号EN辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的像素电路，通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和第四晶体管以组成一种混合补偿像素驱动电路，所述第四晶体管能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述像素电路既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
需要说明的是，当各晶体管(可选为TFT)整体均一性较好时，也可以通过控制时序将本发明实施例提供的像素电路变成经典的3TIC(3个TFT和一个电容)外部补偿像素电路。
本发明实施例还提供了所述像素电路的又一个实施例。如图3所示，为本发明提供的像素电路的又一个实施例的结构示意图。
所述像素电路，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容C1和发光元件10；所述第一晶体管T1的控制极连接第一扫描线 SCAN1，所述第一晶体管T1的第一极和第二极分别连接第三晶体管T3的控制极和数据线DATA，所述第二晶体管T2的控制极连接第二扫描线 SCAN2，所述第二晶体管T2的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和感测线SENSE，所述第三晶体管T3的第一极连接第一电源端 OVDD，所述存储电容C1的第一端和第二端分别连接所述第三晶体管T3的控制极和所述第二晶体管T2的第一极，所述发光元件10的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管T3的第二极和第二电源端OVSS；其中，所述第三晶体管T3的控制极处形成第一节点G，所述第三晶体管T3的第二极处形成第二节点S；可选的，所述发光元件10为有机发光二极管OLED，从而使得所述像素电路能够应用到OLED显示装置中，从而完成OLED显示装置中各像素的内部补偿和外部补偿；其中所述等效电容C2为所述有机发光二极管 OLED的等效电容；可选的，所述第一电源端OVDD接入高电平信号，所述第二电源端OVSS接入低电平信号。
所述像素电路还包括补偿控制单元20，所述补偿控制单元20分别连接所述第一晶体管T1的第一极和所述感测线SENSE；较佳地，所述补偿控制单元20包括第四晶体管T4，所述第四晶体管T4的控制极接入所述第三扫描信号EN，所述第四晶体管T4的第一极和第二极分别连接所述第一晶体管T1 的第一极和所述感测线SENSE；所述补偿控制单元20用于接入第三扫描信号EN，并根据所述第三扫描信号EN辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿；
所述像素电路还包括外部补偿模块30，所述外部补偿模块30分别连接所述数据线DATA和感测线SENSE，用于辅助完成像素电路的外部补偿。
可选的，所述外部补偿模块30包括依次连接的ADC单元301、查找表单元302、控制单元303、存储单元304和DAC单元305；
所述ADC单元301，用于采集所述感测线SENSE上的模拟信号并将其转换为数字信号；
所述查找表单元302，用于将所述数字信号与预设查找表数据进行差异比对，并得出差异数据；
所述控制单元303，用于根据所述差异数据处理得到补偿数据；
所述存储单元304，用于存储所述补偿数据；
所述DAC单元305，用于将所述补偿数据转换为模拟补偿信号，并将所述模拟补偿信号补偿到所述数据线DATA中。
需要说明的是，所述外部补偿模块30的电路结构可以有很多种，本实施例中仅仅是给出了其中一种典型电路，本领域技术人员可以很容易将其变型为其他电路结构，这些变型所能实现的功能与本实施例中的电路所实现的功能是基本类似的，因此这些变型也应当包含在本发明的保护范围之中。
可选的，所述像素电路还包括第一开关S1和第二开关S2；所述第一开关S1的第一端和第二端分别连接所述感测线SENSE和第三电压端Vreset，所述第二开关S2的第一端和第二端分别连接所述感测线SENSE和所述外部补偿模块30；从而可通过第一开关S1和第二开关S2的开关控制，控制所述像素电路与外部补偿电路或所述第三电压端Vreset进行连接。较佳地，所述第三电压端Vreset接入的是重置信号，用于对像素电路中的所述第一节点G 和第二节点S进行电位重置；可选的，所述第三电压端Vreset接入的重置信号为0V。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的像素电路，通过设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和第四晶体管以组成一种混合补偿像素驱动电路，所述第四晶体管能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述像素电路既能通过所述外部补偿模块完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
需要说明的是，当各晶体管(可选为TFT)整体均一性较好时，也可以通过控制时序将本发明实施例提供的像素电路变成经典的3TIC(3个TFT和一个电容)外部补偿像素电路。
还需要说明的是，上述各实施例中的晶体管独立选自多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管以及有机薄膜晶体管中的一种。在本实施例中涉及到的“控制极”具体可以是指晶体管的栅极或基极，“第一极”具体可以是指晶体管的源极或发射极，相应的“第二极”具体可以是指晶体管的漏极或集电极。当然，本领域的技术人员应该知晓的是，该“第一极”与“第二极”可进行互换。
此外，上述实施例中第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4均为N型晶体管，为本实施例中便于实施的一种优选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制。本领域技术人员应该知晓的是，简单的对各晶体管的类型(N型或P型)进行改变，以及对各电源端和控制信号线输出电压的正负极性进行改变，以实现与本实施例中对各晶体管执行相同的导通或截止操作的技术方案，其均属于本申请保护范围。具体情况，此处不再一一举例说明。
基于上述目的，本发明实施例的第二方面，提供了一种可完成混合补偿的像素电路的控制方法的一个实施例。如图4所示，为本发明提供的像素电路的控制方法的一个实施例的流程示意图。
结合参照附图3和附图5，所述像素电路的控制方法，应用于如前任一实施例所述的像素电路，包括：
步骤401：所述第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2均为高电平，所述第一晶体管T1和第二晶体管T2打开，第三晶体管T3关闭，所述第三扫描信号EN控制所述补偿控制单元20(在一个实施例中是第四晶体管 T4)关闭；
步骤402：所述第三晶体管T3的控制极(第一节点G)通过所述第一晶体管T1接入数据线DATA上的低电平信号(可以是0V)，所述第三晶体管T3的控制极(第一节点G)的信号稳定不变，不对第三晶体管T3的第二极 (第二节点S)的电位产生干扰；
步骤403：所述感测线SENSE与外部补偿模块30连通，通过第二晶体管T2将感测的所述发光元件10的电压值输出到外部补偿模块30，用于完成像素电路的外部补偿。
可选的，参考附图3，通过闭合第二开关S2、断开第一开关S1的方式，使所述感测线SENSE与外部补偿模块30连通。可选的，所述感测线 SENSE连接所述外部补偿模块30的ADC单元301，所述查找表单元302将获取信号与预先设置的查找表数据进行差异比对，然后再通过控制单元303 和存储单元304以及DAC单元305对数据线信号进行修正处理，从而保证显示亮度一致。
这样，通过所述感测线SENSE去获取发光元件10老化衰退后的感测电压值，进而通过外部补偿模块30中查找表进行差异对比，获取发光元件10 的老化信息。在不同发光元件10的老化信息基础上，修正待输入数据线信号，从而保证显示亮度一致，完成所述像素电路的外部补偿。
本发明实施例还提供了一种可完成混合补偿的像素电路的控制方法的另一个实施例。如图6所示，为本发明提供的像素电路的控制方法的另一个实施例的流程示意图。
结合参照附图3和附图7，所述像素电路的控制方法，应用于如前任一实施例所述的像素电路，所述控制方法包括：
步骤501：在第一时段t1，也可理解为重置阶段或复位阶段，所述第二扫描信号SCAN2和第三扫描信号EN为高电平，所述第一扫描信号SCAN1 为低电平，所述感测线SENSE接入重置信号Vreset(可通过闭合第一开关 S1、断开第二开关S2来实现)，所述第二晶体管T2和补偿控制单元20打开 (可选的，第四晶体管T4打开)，所述第一晶体管T1关闭，所述第三晶体管T3的控制极和第二极均接入所述重置信号Vreset，所述重置信号Vreset为低电平(可以是0V)，即第一节点G和第二节点S均被置低为重置信号 Vreset；可以看出，通过第二晶体管T2和补偿控制单元20的设计，可以保证此时段G点和S点电位一致，便于补偿计算。
步骤502：在第二时段t2，也可理解为补偿阶段，所述第二扫描信号SCAN2和第三扫描信号EN为低电平，所述第一扫描信号SCAN1为高电平，所述感测线SENSE浮空(可通过断开第一开关S1和第二开关S2来实现)，所述第一晶体管T1打开，所述数据线DATA接入参考电压信号(即 Vdata＝Vref)，所述第三晶体管T3的控制极接入所述参考电压信号Vref(即第一节点G的电位VG＝Vref)，所述第三晶体管T3的第二极为参考电压信号减去第一晶体管T1的阈值电压，即第二节点S的电位VS＝Vref-Vth_T1，此时第三晶体管T3的控制极与第二极之间的电压为所述第一晶体管T1的阈值电压Vth_T1，即VGS＝VG-VS＝Vth_T1。
步骤503：在第三时段t3，也可理解为数据写入阶段，所述第二扫描信号SCAN2和第三扫描信号EN为低电平，所述第一扫描信号SCAN1为高电平，所述感测线SENSE浮空(可通过断开第一开关S1和第二开关S2来实现)，所述第一晶体管T1打开，所述数据线DATA接入数据信号Vdata’(待写入灰阶电压值)，即Vdata＝Vdata’，所述第三晶体管T3的控制极接入所述数据信号Vdata’，即VG＝Vdata’，所述第三晶体管T3的第二极为参考电压信号减去第一晶体管T1的阈值电压Vth_T1再加上增量电压△V，即VS＝Vref- Vth_T1+△V，所述增量电压△V为所述数据信号Vdata’与所述参考电压信号 Vref之间的差值。
需要说明的是：增量电压△V是当VG＝Vdata’时，为使第三晶体管T3打开更充分，从而抬升第二节点S点的电位，其计算公式为：
所以，VGS=VG-VS =Vdata'-{Vref-Vth_T1+α(Vdata'-Vref)} =(1-α)(Vdata'-Vref) 
其中，C1为存储电容，C2为发光元件10的等效电容。
步骤504：在第四时段t4，也可理解为发光阶段，所述第一扫描信号 SCAN1、第二扫描信号SCAN2和第三扫描信号EN均为低电平，所述感测线SENSE浮空(可通过断开第一开关S1和第二开关S2来实现)，所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和补偿控制单元20均关闭，发光元件10发光所需电压被存储在存储电容C1中，根据在发光过程中流入发光元件10的电流值计算公式，所述电流值仅与所述数据信号Vdata’和参考电压信号Vref有关，从而完成像素电路的内部补偿。
具体地：在发光过程中流入发光元件10的电流值的计算公式如下：
I＝1/2·Cox·u·(w/l)(VGS-Vth)2。
由于，VGS=VG-VS =Vdata'-{Vref-Vth_T1+α(Vdata'-Vref)} =(1-α)(Vdata'-Vref) 
所以，I＝1/2·Cox·u·(w/l)(VGS-Vth)2 
=1/2·K(Vdata'-Vref)2(设Cox、u稳定不变）。
从变型处理后的发光阶段流入发光元件10的电流值公式I＝1/2·K(Vdata’-Vref)2，可看出I值大小只和Vdata’-Vref有关，从而可以有效补偿Vth_T1。
需要说明的是，随着氧化物TFT工艺水平改进，氧化物TFT整体均一性较好时，也可以通过控制第三扫描信号EN的时序为低电平将本发明实施例中的像素电路变成经典的3TIC外部补偿像素电路。
本发明实施例还提供了一种可完成混合补偿的像素电路的控制方法的又一个实施例。如图8所示，为本发明提供的像素电路的控制方法的又一个实施例的流程示意图。
所述像素电路的控制方法，包括先进行的外部补偿步骤，以及后进行的内部补偿步骤，具体包括：
步骤60：外部补偿，具体包括：
步骤601：所述第一扫描信号和第二扫描信号均为高电平，所述第一晶体管和第二晶体管打开，所述第三扫描信号控制所述补偿控制单元关闭；
步骤602：所述第三晶体管的控制极通过所述第一晶体管接入数据线上的低电平信号；
步骤603：所述感测线与外部补偿模块连通，将发光元件的电压值输出到外部补偿模块，用于完成像素电路的外部补偿；
步骤70：内部补偿，具体包括：
步骤701：在第一时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为高电平，所述第一扫描信号为低电平，所述感测线接入重置信号，所述第二晶体管和补偿控制单元打开，所述第一晶体管关闭，所述第三晶体管的控制极和第二极均接入所述重置信号；
步骤702：在第二时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入参考电压信号，所述第三晶体管的控制极接入所述参考电压信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压，此时第三晶体管的控制极与第二极之间的电压为所述第一晶体管的阈值电压；
步骤703：在第三时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入数据信号，所述第三晶体管的控制极接入所述数据信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压再加上增量电压，所述增量电压为所述数据信号与所述参考电压信号之间的差值；
步骤704：在第四时段，所述第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号均为低电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和补偿控制单元均关闭，发光元件发光所需电压被存储在存储电容中，根据在发光过程中流入发光元件的电流值计算公式，所述电流值仅与所述数据信号和参考电压信号有关，从而完成像素电路的内部补偿。
从上面所述可以看出，本发明实施例提供的像素电路的控制方法，通过配合设置有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和补偿控制单元的像素电路，所述补偿控制单元能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述像素电路的控制方法既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
需要说明的是，本实施例中虽然限定了内部补偿和外部补偿的顺序，但并不代表内部补偿的外部补偿必须按照这样的顺序进行，在某些情况，二者的进行顺序可能是相反的。并且，内部补偿和外部补偿可能在不同的像素补偿周期分别进行，也可能在同一的像素补偿周期中依次进行，这都是本领域技术人员的合理选择，不应用任何一种实现方式来限定本发明的保护范围。
基于上述目的，本发明实施例的第三方面，提供了一种可完成混合补偿的显示基板的一个实施例。
所述显示基板，包括如前任一实施例所述的像素电路。
从上面所述可以看出，本发明实施例提供的显示基板，通过在像素电路中设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和补偿控制单元，所述补偿控制单元能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述显示基板既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
较佳地，所述显示基板为OLED(有机发光二极管)显示基板，使得所述显示基板中的所述像素电路能够更好地实现内部补偿和外部补偿。
基于上述目的，本发明实施例的第四方面，提供了一种可完成混合补偿的显示装置的一个实施例。
所述显示装置，包括如前所述显示基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
从上面所述可以看出，本发明实施例提供的显示装置，通过在像素电路中设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和补偿控制单元，所述补偿控制单元能够根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿，从而使得所述显示装置既能完成外部补偿，也能完成内部补偿，通过内外补偿可以很好地提高显示效果。
较佳地，所述显示装置为OLED(有机发光二极管)显示装置，使得所述显示装置中的所述像素电路能够更好地实现内部补偿和外部补偿。
在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容和发光元件；所述第一晶体管的控制极连接第一扫描线，所述第一晶体管的第一极和第二极分别连接第三晶体管的控制极和数据线，所述第二晶体管的控制极连接第二扫描线，所述第二晶体管的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管的第二极和感测线，所述第三晶体管的第一极连接第一电源端，所述存储电容的第一端和第二端分别连接所述第三晶体管的控制极和所述第二晶体管的第一极，所述发光元件的第一极和第二极分别连接所述第三晶体管的第二极和第二电源端；
其特征在于，所述像素电路还包括补偿控制单元，所述补偿控制单元分别连接所述第一晶体管的第一极和所述感测线；所述补偿控制单元用于接入第三扫描信号，并根据所述第三扫描信号辅助完成像素电路的外部补偿和内部补偿；在内部补偿的第一时段，所述第三扫描信号控制所述补偿控制单元打开，在内部补偿的其他时段和外部补偿时，所述第三扫描信号控制所述补偿控制单元关闭；
其中，所述补偿控制单元包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制极接入所述第三扫描信号，所述第四晶体管的第一极和第二极分别连接所述第一晶体管的第一极和所述感测线。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括外部补偿模块，所述外部补偿模块分别连接所述数据线和感测线，用于辅助完成像素电路的外部补偿。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述外部补偿模块包括依次连接的ADC单元、查找表单元、控制单元、存储单元和DAC单元；
所述ADC单元，用于采集所述感测线上的模拟信号并将其转换为数字信号；
所述查找表单元，用于将所述数字信号与预设查找表数据进行差异比对，并得出差异数据；
所述控制单元，用于根据所述差异数据处理得到补偿数据；
所述存储单元，用于存储所述补偿数据；
所述DAC单元，用于将所述补偿数据转换为模拟补偿信号，并将所述模拟补偿信号补偿到所述数据线中。
4.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，还包括第一开关和第二开关；所述第一开关的第一端和第二端分别连接所述感测线和第三电压端，所述第二开关的第一端和第二端分别连接所述感测线和所述外部补偿模块。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件为有机发光二极管。
6.一种应用于如权利要求1-5任一项所述的像素电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：
第一扫描信号和第二扫描信号均为高电平，所述第一晶体管和第二晶体管打开，所述第三扫描信号控制所述补偿控制单元关闭；
所述第三晶体管的控制极通过所述第一晶体管接入数据线上的低电平信号；
所述感测线与外部补偿模块连通，将发光元件的电压值输出到外部补偿模块，用于完成像素电路的外部补偿；
和/或，
所述控制方法包括：
在第一时段，第二扫描信号和第三扫描信号为高电平，第一扫描信号为低电平，所述感测线接入重置信号，所述第二晶体管和补偿控制单元打开，所述第一晶体管关闭，所述第三晶体管的控制极和第二极均接入所述重置信号；
在第二时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入参考电压信号，所述第三晶体管的控制极接入所述参考电压信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压，此时第三晶体管的控制极与第二极之间的电压为所述第一晶体管的阈值电压；
在第三时段，所述第二扫描信号和第三扫描信号为低电平，所述第一扫描信号为高电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管打开，所述数据线接入数据信号，所述第三晶体管的控制极接入所述数据信号，所述第三晶体管的第二极为参考电压信号减去第一晶体管的阈值电压再加上增量电压，所述增量电压为所述数据信号与所述参考电压信号之间的差值；
在第四时段，所述第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号均为低电平，所述感测线浮空，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和补偿控制单元均关闭，发光元件发光所需电压被存储在存储电容中，根据在发光过程中流入发光元件的电流值计算公式，所述电流值仅与所述数据信号和参考电压信号有关，从而完成像素电路的内部补偿。
7.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的像素电路。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述显示基板。
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