CN107727654B - 膜层检测方法、装置及膜层检测*** - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种膜层检测方法、装置及膜层检测***，属于面板制造领域。该膜层检测方法用于检测设置在基板上的至少一层膜层，该膜层检测方法包括：采用光源从基板设置有膜层的一侧进行照射；从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像；根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。本发明通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

Description

膜层检测方法、装置及膜层检测***

技术领域

本发明涉及面板制造领域，特别涉及一种膜层检测方法、装置及膜层检测***。

背景技术

近年来，显示面板的应用十分广泛，显示面板可以按照技术特点划分为液晶(英文：Liquid Crystal Display；简称：LCD)显示面板、有机发光二极管(英文：OrganicLight-Emitting Diode；简称：OLED)显示面板等，在制造显示面板的过程中，常需要在显示面板的基板上层叠形成多种膜层。

例如，在制造OLED显示面板中的OLED器件时，需要在基板上层叠形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光层等有机层。再例如，为了延长OLED器件的使用寿命，需要采用薄膜封装结构对OLED器件进行封装，使OLED器件与空气隔离，避免空气中的水分和氧气等成分对OLED器件造成损伤，该薄膜封装结构通常包括在基板上层叠设置的至少一组无机膜层和有机膜层。在制作OLED器件的薄膜封装结构时，通常是通过循环执行基板清洗、有机膜层涂覆、有机膜层化合处理、有机膜层表面处理和化学气相沉积(英文：Chemical VaporDeposition；简称：CVD)等步骤，以在基板上形成层叠设置的至少一组无机膜层和有机膜层。其中，有机膜层化合处理和有机膜层表面处理也称反应炉(英文：Oven)处理。

但是，在实际生产过程中，即在基板上层叠形成多种膜层的过程中，易发生设备软件故障和通信错误等，导致膜层制造顺序错误，在基板上形成错误膜层，从而可能导致面板报废或者设备宕机等恶劣影响。比如，上述制造薄膜封装结构的过程中，会发生有机膜层未经过Oven处理直接进入CVD腔室的情况，此时有机膜层的膜层状态为湿态，容易污染CVD腔室，造成设备宕机。

发明内容

本发明实施例提供了一种膜层检测方法、装置及膜层检测***，可以解决由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种膜层检测方法，所述膜层检测方法用于检测设置在基板上的至少一层膜层，所述方法包括：

采用光源从所述基板设置有膜层的一侧进行照射；

从所述基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，所述膜层图像包括被照射的所述至少一层膜层的图像；

根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型。

可选的，所述从所述基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，所述膜层图像包括被照射的所述至少一层膜层的图像，包括：

在所述基板传输过程中，采用光源从所述基板设置有膜层的一侧进行照射；

所述根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型，包括：

根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述基板的亮度特征曲线，所述亮度特征曲线用于反映所述基板上各膜层在平行于所述基板的传输方向上的亮度分布；

根据所述基板的亮度特征曲线，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型。

可选的，所述亮度特征曲线的横坐标表征所述基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，

所述根据所述基板的亮度特征曲线，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型，包括：

将所述基板的亮度特征曲线中每个波谷所在位置确定为一个膜层的边界位置；

基于确定的膜层的边界位置，确定所述最上层膜层的边界位置；

基于所述最上层膜层的边界位置，确定所述最上层膜层对应的膜层类型。

可选的，所述方法还包括：

当所述最上层膜层为指定膜层时，基于所述亮度特征曲线识别所述最上层膜层的膜层状态。

可选的，所述亮度特征曲线的横坐标表征所述基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，

所述当所述最上层膜层为指定膜层时，识别所述最上层膜层的膜层状态，包括：

当所述最上层膜层的膜层类型为指定膜层时，检测所述最上层膜层在所述亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度；

基于检测结果，确定所述最上层膜层的膜层状态。

可选的，所述最上层膜层的膜层类型为有机膜层，

所述基于检测结果，确定所述最上层膜层的膜层状态，包括：

当所述深度大于预设深度阈值，且所述宽度大于预设宽度阈值时，确定所述有机膜层的膜层状态为湿态；

当所述深度不大于预设深度阈值，或者所述宽度不大于预设宽度阈值时，确定所述有机膜层的膜层状态为干态。

可选的，其特征在于，

所述根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述基板的亮度特征曲线，包括：

将所述膜层图像转化为灰度图像；

根据所述灰度图像确定所述基板的亮度特征曲线。

第二方面，提供了一种膜层检测装置，所述装置包括：

光源、图像采集组件和图像分析组件，

所述光源位于所述基板设置有膜层的一侧，被配置为照射所述基板设置有膜层的一侧；

所述图像采集组件，被配置为从所述基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，所述膜层图像包括被照射的所述至少一层膜层的图像；

所述图像分析组件，被配置为根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型。

可选的，所述图像采集组件包括阵列排布的多个相机，所述多个相机的排布方向与所述基板的传输方向垂直。

可选的，所述光源为所述图像采集组件的同轴光源，所述同轴光源到所述基板的光程与所述图像采集组件到所述基板的光程相同。

可选的，所述光源包括多个环状光源，所述多个环状光源与所述多个相机一一对应设置，每个环状光源围绕对应的相机设置。

可选的，所述相机为电荷耦合元件CCD相机；

所述环状光源为近红外光源。

可选的，所述膜层检测装置还包括：辅助光源，所述辅助光源位于所述基板未设置有膜层的一侧，被配置为照射所述基板未设置有膜层的一侧。

第三方面，提供了一种膜层检测***，所述***包括：

第二方面所述的膜层检测装置。

可选的，所述膜层检测***为薄膜封装***，所述薄膜封装***还包括：

表面处理反应炉、CVD基台和CVD腔室，所述膜层检测装置设置在所述表面反应炉与所述CVD基台之间。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明实施例提供的一种膜层检测方法、装置及膜层检测***，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种膜层检测装置的结构示意图；

图2-1是本发明实施例提供的另一种膜层检测装置的结构示意图；

图2-2是本发明实施例提供的图2-1所示的膜层检测装置中，图像采集组件和光源的仰视图；

图3是本发明实施例提供的一种膜层检测方法的流程图；

图4-1是本发明实施例提供的另一种膜层检测方法的流程图；

图4-2是本发明实施例提供的另一种膜层检测方法的流程图；

图4-3是本发明实施例提供的亮度特征曲线和根据膜层图像转化的灰度图像的示意图；

图4-4是本发明实施例提供的另一种膜层检测方法的流程图；

图5是本发明实施例提供的一种应用于薄膜封装***中的膜层检测方法的流程图；

图6是本发明实施例提供的一种薄膜封装***的框图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

相关技术中，在制造显示面板的过程中，常需要在显示面板的基板上层叠形成多种膜层，但是，该过程中易发生设备软件故障或通信错误等，导致膜层制造顺序错误，使基板上形成错误膜层，从而可能导致面板报废或者设备宕机等恶劣影响。本发明实施例提供了一种膜层检测装置，可以解决相关技术中的问题，如图1所示，该膜层检测装置包括：

光源11、图像采集组件12和图像分析组件13。

光源11位于基板01设置有膜层02的一侧(如图1所示的基板01上方)，被配置为照射基板01设置有膜层02的一侧。

图像采集组件12，被配置为从基板01设置有膜层02的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的所述至少一层膜层的图像。

图像分析组件13，被配置为根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。其中，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型包括判断该至少一层膜层中最上层膜层的类型是否为本次成膜工艺所对应的膜层类型。

需要说明的是，实际应用中图像采集组件12采集到的膜层图像也可以包括被照射的基板的图像，该基板作为至少一层膜层的衬底，在图像分析的过程中可以起到对此和/或参照的作用。

综上所述，本发明实施例提供的膜层检测装置，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

进一步的，请参考图2-1，其示出了本发明实施例提供的另一种膜层检测装置的结构示意图。

在实际应用中，采集膜层图像的方式可以有多种，例如，第一种方式为，基板在传输到预设位置时停止，然后由图像采集组件采集基板上的膜层图像，该预设位置位于图像采集组件的图像采集区域内，此时基板和图像采集组件均静止；又例如，第二种方式为，基板在沿传输方向的传输过程中，在进入到图像采集组件的图像采集区域内之后，由图像采集组件采集基板上的膜层图像，此时，基板相对于图像采集组件运动，图像采集组件进行时序上的连续图像采集以得到基板上的膜层图像。

本发明实施例以上述第二种方式为例进行说明，图2-1所示的图像采集组件12可以为阵列排布的多个相机，该多个相机的排布方向与该基板的传输方向s垂直(该排布方向可以为图2-1中的垂直于纸面的方向)。示例的，如图2-2所示，图2-2为图2-1所示的膜层检测装置中，图像采集组件12和光源11的仰视图，其中，图像采集组件12包括阵列排布的多个相机121，图2-2中以多个相机为3个相机121为例进行说明，假设该3个相机121沿垂直于基板的传输方向s的方向排布，当基板以预设速度沿传输方向s传送时，该3个相机可同时捕捉多个膜层图像，使图像采集组件可以采集较为广泛的膜层图像的样本，便于图像分析组件进行后续的图像分析，有助于得到较为准确的图像分析结果。可选的，膜层检测装置中的图像分析组件还可以控制该多个相机中的每个相机的开启或关闭，例如该图像分析组件可以控制开启多个相机同时开启以进行图像采集或者只控制1个相机开启以进行图像采集。

为了使图像分析结果更加准确，本发明实施例所采用的相机可以为电荷耦合元件(英文：Charge-coupled Device；简称：CCD)相机，CCD相机采用图像传感器，能够将光信号转化为电信号，用于采集高分辨率高画质的图像。除此之外，本发明实施例所采用的相机还可采用互补金属氧化物半导体(英文：Complementary Metal Oxide Semiconductor；简称：CMOS)相机、时间延迟积分(英文：Time-Delay Integration；简称：TDI)相机等，具体可参考相关技术，本发明实施例在此不做限制。

可选的，图2-1所示的光源11为CCD相机的同轴光源，在本发明实施例中，将光源设置为图像采集组件的同轴光源，该同轴光源到基板的光程与图像采集组件到基板的光程相同(如图2-1所示，光源11到基板01的光程与图像采集组件12到基板01的光程都为x)。通过这样的设置，可以消除光源发出的光线照射在膜层上而产生散射，还可以避免膜层上产生图像采集组件的倒影，避免光源发出的光线对图像采集过程造成干扰，可以使照射的膜层呈现出清晰的视觉形态，从而能够被CCD相机采集到画质良好的膜层图像，便于进行进一步的图像分析。除此之外，同轴光源可以发出相同类型的光波，该相同类型的光波相位相同，可以避免相位不同的光波相互干扰造成的不同程度的相位抵消的问题，相位抵消会影响图像采集组件采集的膜层图像的画质，比如两个光波的相位之和为零，则会导致图像采集组件采集到的膜层图像出现盲点，导致图像分析结果不准确。

其中，为了保证光源为图像采集组件的同轴光源且同轴光源到基板的光程与图像采集组件到基板的光程相同，示例的，该光源可以包括多个环状光源，如图2-2所示，光源11包括多个阵列排布的环状光源111，例如，该多个环状光源111沿垂直于基板的传输方向s的方向排布，该多个环状光源111与多个相机121一一对应设置，其中的每个环状光源111围绕对应的一个相机121设置。通过设置多个围绕相机的环状光源，可以使相机拍摄到的图像被光源发出的光线均匀覆盖，保证了图像的清晰度，进一步保证了图像分析的准确性。

实际应用中，根据待检测的不同类型的膜层可以选择不同的光源，比如在待检测膜层(也即是需要检测的至少一个膜层的最上层膜层)为多晶硅(英文：Polysilicon；简称：p-Si)膜层时，可采取发射白光(即可见光)的光源进行照射。在待检测膜层为有机膜层时，比如聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)膜层时，由于PI膜层具有反射近红外光的特点，因此，在有机膜层为PI膜层时，本发明实施例中的光源可以为近红外光源，示例的，可以使用红外发光二极管(英文：Light Emitting Diode；简称：LED)来产生红外光，当将该光源围绕CCD相机设置时，由于CCD相机对红外线较为敏感的特性，可以使基板在近红外光源照射的过程中，被CCD相机捕捉到高质量的图像，进一步保证了图像分析结果的准确性。除此之外，为了保证同轴光源可以发出相同类型的光波，该环状光源可以为环状LED光源，即一个相机对应一个环状LED光源。

另外，如图2-1所示，膜层检测装置还可以包括辅助光源(也称背光源)14，该辅助光源14位于基板未设置有膜层的一侧(如图2-1所示的基板01的下方)，被配置为照射基板未设置有膜层的一侧，例如，被配置为照射图像采集组件的图像采集区域，可选的，上述光源与辅助光源的照射区域相同，或者，辅助光源的照射区域覆盖上述光源的照射区域。当基板两侧的光源(即光源11和辅助光源14)同时照射基板时，可以提升获取的膜层图像的背景的均匀性，增强背景的亮度，从而降低背景干扰，增强图像对比度，进而在已设置的光源11的基础上进一步提高采集到的图像分辨率。需要说明的是，辅助光源14与光源11可以是同一类型光源，以避免两者的干扰，例如，当光源11为近红外光源时，辅助光源14也为近红外光源。

除此之外，如图2-1所示，为了对图像采集组件进行有效固定，膜层检测装置还可以包括固定组件15，该固定组件15可以有多种实现方式，本发明实施例以以下两种实现方式为例进行说明。

第一种可实现方式，固定组件15可以包括垂直于基板的传输方向的承载杆，多个相机阵列排布在承载杆上，该承载杆可以固定设置在下一次成膜工艺对应的制造装置的入口处，例如，假设该膜层检测装置应用于薄膜封装***中，且待检测膜层为有机层，下一次成膜工艺为CVD，则该承载杆可以设置在CVD基台的入口处。需要说明的是，该CVD基台位于CVD腔室的前端，用于将待进行CVD处理的基板传输至CVD腔室。

第二种可实现方式，该固定组件15可以包括与多个相机一一对应设置的固定件，如固定架或者相互配合的固定螺栓与固定螺钉等，该固定件可以设置在下一次成膜工艺对应的制造装置的入口处。

可选的，膜层检测装置还可以包括传输组件，例如，该传输组件可以包括用于承载待检测的基板的载台以及用于传输待检测的基板的轨道等，又例如，该传输组件可以为机械臂。

在本发明实施例中，在图像采集组件采集到膜层图像之后，可以使用图像分析组件来分析采集到的膜层图像的亮度分布，进一步分析出基板上的有机膜层的膜层状态。

可选的，如图2-1所示，该图像分析组件13可以为电脑或计算机等，该图像分析组件13被配置为：

根据膜层图像的亮度分布，确定基板的亮度特征曲线，亮度特征曲线用于反映基板上各膜层在平行于基板的传输方向上的亮度分布；

根据基板的亮度特征曲线，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

可选的，亮度特征曲线的横坐标表征基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，

该图像分析组件13进一步被配置为：将基板的亮度特征曲线中每个波谷所在位置确定为一个膜层的边界位置；

基于确定的膜层的边界位置，确定最上层膜层的边界位置；

基于最上层膜层的边界位置，确定最上层膜层对应的膜层类型。

可选的，该图像分析组件13被配置为：当最上层膜层为指定膜层时，基于亮度特征曲线识别最上层膜层的膜层状态。

可选的，亮度特征曲线的横坐标表征基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，

该图像分析组件13被配置为：当最上层膜层的膜层类型为指定膜层时，检测最上层膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度；

基于检测结果，确定最上层膜层的膜层状态。

可选的，最上层膜层的膜层类型为有机膜层，

该图像分析组件13被配置为：当深度大于预设深度阈值，且宽度大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为湿态；

当深度不大于预设深度阈值，或者宽度不大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为干态。

可选的，该图像分析组件13被配置为：将膜层图像转化为灰度图像；

根据灰度图像确定基板的亮度特征曲线。

可选的，最上层膜层的膜层类型为有机膜层，

该图像分析组件13还可以被配置为：在有机膜层的膜层状态为湿态时，发出告警信号。

综上所述，本发明实施例提供的膜层检测装置，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

本发明实施例提供的装置可以应用于下文的方法，本发明实施例中各个组件的工作流程和工作原理可以参见下文的实施例中的描述。尤其上述图像分析组件进行图像分析的过程可以参考下文实施例中的描述，本发明的装置实施例对此不再赘述。

图3是本发明实施例示出的一种膜层检测方法的流程图，该膜层检测方法可以用于上述图1所示的膜层检测装置，该膜层检测方法可以包括：

步骤301、采用光源从基板设置有膜层的一侧进行照射。

步骤302、从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像。

步骤303、根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

其中，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型包括判断该至少一层膜层中最上层膜层的类型是否为本次成膜工艺所对应的膜层类型。

综上所述，本发明实施例提供的膜层检测方法，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

进一步的，请参考图4-1，其示出了本发明实施例提供的另一种膜层检测方法，该方法可用于上述图1和图2-1所示的膜层检测装置，该膜层检测方法可以用于检测设置在基板上的至少一层膜层。其中，采集膜层图像的方式可以有多种，例如，第一种方式为，基板在传输到预设位置时停止，然后由图像采集组件采集基板上的膜层图像，该预设位置位于图像采集组件的图像采集区域内，此时基板和图像采集组件均静止；又例如，第二种方式为，基板在沿传输方向的传输过程中，在进入到图像采集组件的图像采集区域内之后，由图像采集组件采集基板上的膜层图像，此时，基板相对于图像采集组件运动，图像采集组件进行时序上的连续图像采集以得到基板上的膜层图像。

本发明实施例以上述第二种方式为例进行说明，该膜层检测方法可以包括：

步骤401、在基板传输过程中，采用光源从基板设置有膜层的一侧进行照射。

设置有膜层的基板沿着预设的基板的传输方向运动，光源在预设位置照射图像采集组件对应的基板上的图像采集区域，当设置有膜层的基板传输到能被光源照射的区域时，光源的光线被膜层反射，然后透过镜头进入图像采集组件中。其中，照射设置有膜层的基板的过程可以是采用光源从基板设置有膜层的一侧，持续照射基板，或者，在图像采集组件检测到有基板出现在该图像采集组件的图像采集区域内时，光源照射该基板。该光源为上述图1、图2-1或图2-2所示的膜层检测装置中所描述的光源，具体可参考膜层检测装置的相关描述，本发明实施例在此不做赘述。

示例的，可参考图2-1所示的膜层检测装置，基板01上设置有膜层02，该设置有膜层02的基板01在传输组件的作用下沿着预设的基板的传输方向s运动，光源12在预设位置能够照射图像采集组件对应的图像采集区域。

步骤402、从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像。

本发明实施例所描述的膜层检测组件通常设置在两组成膜工艺对应的制造装置之间，也即是，在基板上形成至少一层膜层之后，采用本发明实施例所描述的膜层检测装置来检测该至少一层膜层是否是本次成膜工艺对应的膜层类型，该本次成膜工艺对应的膜层类型指的是本次成膜工艺对应的制造装置理论上应当形成的膜层，因此，该膜层检测装置中的图像采集组件可以采集被照射的基板上所形成的至少一层膜层。通常情况下，根据基板运动的速度，图像采集组件采集基板图像的时长是固定的，例如为2秒(s)。

示例的，可以采用图像采集组件从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像。该图像采集组件可以包括单个相机或者阵列排布的多个相机，其中，多个相机的排布方向与基板的传输方向垂直，该相机可以为CCD相机、TDI相机或者CMOS相机等，具体可参考上述膜层检测装置实施例中的相关介绍，本发明实施例在此不做赘述。

以图像采集组件为CCD相机为例，该CCD相机每秒可以拍摄十幅到几百幅图片，即使对移动的物体仍然可以拍摄到清晰的图像，因此，图像采集组件可以持续开启，采集基板运动到该图像采集组件可采集的范围内的全部图像。实际应用中，可以设置一检测组件，当该检测组件检测到该基板运动到该图像采集组件可采集的范围内时，触发图像采集组件开启，以进行膜层图像的采集，该检测组件可以为距离传感器。

通常情况下，基板和基板上设置的膜层都呈规则的四边形，且在基板上形成的膜层以及膜层上形成的膜层，其截面通常呈阶梯状排布，如图1和图2-1所示的基板01和膜层02的示意图，基板上的膜层沿远离基板的方向面积逐渐减小，这样可以减少基板在成膜过程中搬运所引起的折断，减少基板边缘的破损率。因此，在基板的传输过程中，当图像采集组件为单个相机时，该单个相机可以在基板的传输过程中，一次性捕捉设置有膜层的基板上的膜层图像，该膜层图像为设置有至少一层膜层的基板沿传输方向运动时，相机对该相机的拍摄区域进行图像捕捉所采集形成的条状图像，该条状图像的长度方向与传输方向平行。该条状图像的长度(该条状图像的长度为基板与传输方向平行的边的长度)通常大于或等于基板的长度(该基板的长度为基板与传输方向平行的边的长度)的二分之一，例如，该条状图像的长度可以大于基板的长度。

当图像采集组件为多个相机时，该多个相机同时捕捉的基板的一侧(即基板上设置有膜层的一侧)的膜层图像得到多个待选膜层图像，每个待选膜层图像呈现了包括基板和膜层等多个层状结构的俯视图，每个待选膜层图像和上述一个相机拍摄条状图像的方式相同，因此在此不再详述，图像分析组件可以基于该待选膜层图像确定最终的膜层图像，并对该膜层图像进行分析，示例的，图像分析组件基于多个待选膜层图像，确定膜层图像的过程可以包括：在该多个待选膜层图像中确定清晰度最高的膜层图像，将该清晰度最高的膜层图像作为最终的膜层图像；或者，将该多个待选膜层图像进行图像优化处理，例如图像拼接和/或图像融合处理，得到最终的膜层图像，其中，图像拼接是指将数张具有重叠部分的图像(在本发明实施例中可以为不同视角或者不同相机获得的图像)拼成一幅的无缝高分辨率图像的技术，通过图像拼接的方式对多个待选膜层图像进行处理后得到的膜层图像通常大于每个待选膜层图像的面积，可以实现大范围的膜层图像采集。图像融合(英文：ImageFusion)是指将多源信道(如多个相机)所采集到的关于同一目标的图像数据经过图像处理和计算机技术等，提取各自信道中的有利信息，最后综合成高质量的图像。

基于多个待选膜层图像确定膜层图像可以得到更准确的图像分析结果，提高最终确定的膜层状态的准确度。

在实际应用中，基板上形成的膜层由于膜层的材料或者成膜工艺对应的制造装置的不同，导致生成的膜层的厚度各有不同，在生成的膜层较薄时(比如无机膜层)，膜层边界形成的波谷的宽度和深度不明显，因此在获取膜层边界形成的波谷的宽度和深度时，需要采用面积较大的膜层图像来进行分析，此时可以通过陈列排布的多个相机，以采集多个条形的待选膜层图像，通过上述图像优化处理得到面状的膜层图像，并进行后续图像分析；在生成的膜层较厚时(比如有机膜层)，膜层边界形成的波谷的宽度和深度明显，因此在获取膜层边界形成的波谷的宽度和深度时，可以只用一个膜层图像来进行分析，此时可以设置一个相机来采集一个条形的膜层图像，即可分析出较为准确的结果。当然基于多个待选膜层图像确定膜层图像也可以实现后续图像分析。

步骤403、根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

在实际应用中，基板上的膜层是按照预设的成膜工艺层叠形成的，在欲进入下一次成膜工艺对应的制造装置形成膜层时，需要首先确定在本次成膜工艺对应的制造装置中形成的膜层的类型是否正确，因此，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型实际上包括判断该至少一层膜层中最上层膜层的类型是否为本次成膜工艺所对应的膜层类型的过程。也即是，确定在基板上形成的该至少一层膜层中的最上层膜层的类型是否是本次成膜工艺对应的制造装置所应当形成的膜层的类型。因此，最终的判断结果实际上包括：最上层膜层的类型是本次成膜工艺所对应的膜层类型，或者，最上层膜层的类型不是本次成膜工艺所对应的膜层类型。例如，本次成膜工艺所对应的膜层类型应该为PI膜层，则最终确定的结果包括：最上层膜层的类型为PI膜层，或，最上层膜层的类型不为PI膜层。

在本发明实施例中，根据膜层图像的亮度分布，确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型的方式有多种，本发明实施例以以下两种实现方式为例进行说明。

第一种实现方式，可以通过将膜层图像的亮度分布与预设的基板参考图像进行对比，来确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型。

示例的，可以将膜层图像与预设的基板参考图像进行对比，该预设的基板参考图像包括至少一幅基板参考图像，该至少一幅基板参考图像中的最上层膜层的类型互不相同，并且，该至少一幅基板参考图像包括反映本次成膜工艺所对应的膜层类型的基板参考图像，也即是该至少一幅基板参考图像至少包括膜层制造过程中理论上本次成膜工艺应该形成的膜层的图像。将膜层图像和基板参考图像进行对比。当膜层图像和某一基板参考图像的相似度大于预设相似度阈值时，可以确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型与该某一基板参考图像的最上层膜层的类型相同，也即是，将该某一基板参考图像的最上层膜层的类型作为基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型。当膜层图像和所有基板参考图像的相似度均小于预设相似度阈值时，可以确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型与该所有基板参考图像的最上层膜层的类型均不相同，则确定最上层膜层的类型不是本次成膜工艺所对应的膜层类型。

例如，经过本次成膜工艺制造得到的基板上应该包括第一膜层和第二膜层，则该预设的基板参考图像至少包括基板上形成有叠加设置的第一膜层和第二膜层的图像，可选的，预设的基板参考图像还可以包括本次成膜工艺之前的工艺应该形成的膜层的图像，例如，经过本次成膜工艺制造得到的基板上应该包括第一膜层和第二膜层，则该预设的基板参考图像可以包括基板的图像，基板上形成有第一膜层的图像，基板上形成有叠加设置的第一膜层和第二膜层的图像共三幅图像。

实际应用中，基板参考图像可以为进行了灰度处理的灰度图像，相应的，步骤402获取的膜层图像也可以先进行灰度处理，然后再与基板参考图像进行比较，这样可以减少图像处理的复杂度，提高图像分析效率。

第二种实现方式，可以通过确定基板的亮度特征曲线，来确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的类型。示例的，如图4-2所示，步骤403可以包括：

步骤4031、根据膜层图像的亮度分布，确定基板的亮度特征曲线，亮度特征曲线用于反映基板上各膜层在平行于基板的传输方向上的亮度分布。

需要说明的是，为了进行有效的图像处理，可以对图像先进行灰度处理后再获取亮度特征曲线，可选的，步骤4031包括：

步骤X1、将膜层图像转化为灰度图像。

当光源的光线照射到膜层上之后，由于不同膜层的透过率和反射率不一样，使得膜层被光线照射后呈现出不同的亮度，图像采集组件采集到的膜层图像反映了不同膜层被光线照射后呈现的不同的亮度状态。

在本发明实施例中，图像分析组件可以将图像采集组件所采集到的彩色图像转化为灰度图像，这样不但可以减少图像原始数据量，便于图像分析组件进行后续处理，而且可以通过灰度图像体现基板上不同膜层的亮度特征，避免不必要的彩色信息对图像分析的干扰。

通常情况下，采集到的膜层图像所呈现出的颜色可以通过不同的颜色空间来表示，常用的是RGB色彩空间，RGB代表红(Red)、绿(Green)、蓝(Blue)三个通道的颜色，人类视力所能感知的所有颜色都可以用不同比例的红值、绿值和蓝值(即一个像素的颜色由三个数值组成)来表示，通过预设公式将红值、绿值和蓝值转化成一个灰度值(一个像素有一个灰度值)，该灰度值的大小在0到255之间，通过该灰度值呈现出来的画面就是灰度图像，其中，0表示黑色，255表示白色，数值范围0到255对应表示颜色由黑色到白色的变化过程，也即是，像素对应的灰度值越大，所呈现出的视觉效果越亮，像素对应的灰度值越小，所呈现出的视觉效果越暗，灰度值可以用来描述像素的亮度值。

步骤Y1、根据灰度图像确定基板的亮度特征曲线。

彩色图像在转化成灰度图像之后，彩色图像的亮度可以对应转换后的灰度图像的灰度值。在本发明实施例中，根据膜层图像转化的灰度图像B如图4-3所示，该图还示出了根据灰度图像的灰度值确定的基板及基板上各个膜层的亮度特征曲线A，该亮度特征曲线A用于反映基板上各膜层在平行于基板的传输方向上的亮度分布。

可选的，亮度特征曲线的横坐标可以表征基板上的位置，纵坐标可以表征亮度或光感度，示例的，如图4-3所示的亮度特征曲线A，其横坐标表示基板上沿平行于基板的传输方向上的各点到预设参考直线的距离，单位可以为微米(um)，其纵坐标表示亮度值，单位可以为尼特(nit)，其中，该预设参考直线垂直于基板的传输方向，该预设的参考直线可以位于基板上，也可以位于其他位置上，该预设的参考直线实际上起到图像分析的坐标系原点的作用，例如用于承载基板的载台上。该参考直线是根据具体场景设置，本发明实施例对此不做限定。

步骤4032、根据基板的亮度特征曲线，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

可选的，步骤4032可以包括：

步骤X2、将基板的亮度特征曲线中每个波谷所在位置确定为一个膜层的边界位置。

由于膜层的边界对光线的吸收强度大于膜层内部对光线吸收强度，因此，在亮度特征曲线中膜层的边界处会出现波谷，则参考图4-3，图4-3中f、m和n处分别出现了三处波谷，则可以确定距离参考直线286-343(f所在范围内)处出现了一个膜层的边界，距离参考直线457-514(m所在范围内)处出现了另一个膜层的边界，距离参考直线571-628(n所在范围内)处出现了又一个膜层的边界。

步骤Y2、基于确定的膜层的边界位置，确定最上层膜层的边界位置。

由于在基板上形成膜层的工艺流程是固定的，制造膜层的参数也是固定的，例如，基板上每层膜层的边界位置是固定的，基板上每层膜层形成的尺寸也是固定的，则在确定的膜层的边界位置中，筛选出最上层膜层的边界位置。

其中，筛选出最上层膜层的边界位置的方式可以有多种，本发明实施例以以下几种为例进行说明：

第一种方式，膜层检测装置可以预先存储有本次成膜工艺所对应的膜层的理想边界位置范围，膜层检测装置可以检测该理想边界位置范围内是否存在边界，实际应用中，该本次成膜工艺所对应的膜层在沿基板的传输方向上具有两个边界，相应的，具有两个理想边界位置范围，通常只需判断一个理想边界位置范围内是否存在边界，当一个理想边界位置范围内存在一个边界时，将存在的边界所对应的位置确定为最上层膜层的边界位置；当一个理想边界位置范围内存在至少两个边界时，则按照预设规则在存在的边界中确定一个最上层膜层的边界，例如将最靠近理想边界位置范围的最小边界位置或最大边界位置的边界确定为最上层膜层的边界，然后将该边界的位置确定为最上层膜层的边界位置。

该理想边界位置范围可以存储在图像分析组件，例如，本次成膜工艺为针对无机层的成膜工艺，该无机膜在沿基板的传输方向上具有两个边界，对应的理想边界位置范围分别为570-630微米，以及2570-2630微米，该理想边界位置范围为与参考直线的距离范围，当然，也可以以其他方式表示理想边界位置范围，本发明实施例只是示意性说明。以理想边界位置范围分别为570-630微米为例，如果基于步骤X2中的亮度特征曲线分析得到距离参考直线571-628(n所在范围内)处出现了一个膜层的边界，该边界位于570-630内，因此，波谷n处的边界所在位置为最上层膜层的边界位置。

第二种方式，膜层检测装置可以预先存储有本次成膜工艺所对应的膜层的的尺寸，该尺寸可以包括该膜层平行于基板的传输方向(即平行于亮度特征曲线的横坐标)的目标长度。则膜层检测装置可以基于确定的膜层的边界位置，确定属于同一膜层的边界位置(例如由于属于同一膜层的波谷的深度和宽度相似度较高，可以通过波谷的深度和宽度确定属于同一膜层的边界位置，具体的，可以将波谷深度差值的绝对值小于预设深度值，且波谷宽度差值的绝对值小于预设宽度值的两个边界位置确定为同一膜层的边界位置)，然后基于属于同一膜层的边界位置，确定每个膜层的长度，最后基于每个膜层的长度确定最上层膜层的边界位置。基于每个膜层的长度确定最上层膜层的边界位置可以包括：将长度最短的膜层的边界位置确定为最上层膜层的边界位置，或者，将每个膜层的长度与预先存储的目标长度进行比较，当存在某一长度与该目标长度的差值的绝对值小于预设误差阈值，则可将该某一长度对应的膜层的边界位置确定为最上层膜层的边界位置。

第三种方式，膜层检测装置还可预先按照形成膜层的工艺流程顺序，在形成每一层膜层时，采集此时基板的亮度特征曲线，标记出此时最上层膜层对应的标准亮度值范围，在执行步骤X2之后，将任意两个边界位置之间的亮度特征曲线段对应的实际亮度值范围与标准亮度值范围进行比较，当某两个边界位置之间的实际亮度值范围和对应位置处的标准亮度值范围的相似度大于预设的相似度阈值时，可将该某两个边界位置确定为最上层膜层的边界位置。

实际应用中，还可以将上述三种方式中的至少两种进行结合，以得到更为准确的图像分析结果，本发明实施例在此不做赘述。

步骤Z2、基于最上层膜层的边界位置，确定最上层膜层对应的膜层类型。

例如，在已经确定出最上层膜层的边界位置之后，可以将步骤4031所获取的亮度特征曲线与预先设置的理想亮度特征曲线进行对比，当最上层膜层的边界位置处的亮度特征曲线与理想亮度特征曲线匹配，则确定最上层膜层对应的膜层类型是本次成膜工艺所对应的膜层类型，当最上层膜层的边界位置处的亮度特征曲线与理想亮度特征曲线不匹配，则确定最上层膜层对应的膜层类型不是本次成膜工艺所对应的膜层类型。

又例如，查询预设的边界位置与膜层类型的对应关系，得到最上层膜层的边界位置所对应的膜层类型，该边界位置与膜层类型的对应关系记录了基板经过至少一次成膜工艺所对应的理想边界位置和膜层类型，该边界位置与膜层类型的对应关系至少包括本次成膜工艺所对应的边界位置与膜层类型。需要说明的是，当边界位置与膜层类型的对应关系未记录有最上层膜层的边界位置，则说明最上层膜层对应的膜层类型不是本次成膜工艺所对应的膜层类型。

步骤404、当最上层膜层为指定膜层时，基于亮度特征曲线识别最上层膜层的膜层状态。

由于一些膜层的膜层状态可能影响下一次成膜工艺的流程的正常进行，因此需要对这些膜层的膜层状态进行识别，以在膜层状态不为预设的状态时，禁止基板进行下一次成膜工艺，避免了面板报废或者设备宕机，上述指定膜层即是需要进行膜层状态识别的膜层。根据膜层图像的亮度分布判断出最上层膜层为指定膜层后，可以基于上述亮度特征曲线继续识别最上层膜层的膜层状态。

实际应用中，基板上形成的膜层的膜层状态基于其膜层类型的不同可以分为湿态或干态，晶态或非晶态等不同状态。不同膜层状态的膜层对应的亮度特征曲线也会有所不同，示例的，当某一膜层的膜层状态为湿态时，其边界没有完全收缩成型，对光线的吸收强度更高，所以相较于干态时，在亮度特征曲线中显得波谷深度更深，宽度更宽。因此，通过检测最上层膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度可以识别膜层的膜层状态。

则如图4-4所示，步骤404可以包括：

步骤4041、当最上层膜层的膜层类型为指定膜层时，检测最上层膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度。

步骤4042、基于检测结果，确定最上层膜层的膜层状态。

表1

膜层	薄膜状态特征	区分状态的光源
			p-Si	晶化	可见光
PLN	湿膜/固化	可见光/近红外光
			PDL	湿膜/固化	可见光/近红外光
PS	湿膜/固化	可见光/近红外光
			PI	湿膜/固化	可见光/近红外光

参见表1，在表1中记录有指定膜层为p-Si(英文：polysilicon；中文：多晶硅)、PLN(英文：planarization；中文：平坦层)、PDL(英文：Pixel Definition Layer；中文：像素定义层)、PS(英文：Polystyrene；中文：聚苯乙烯)和PI时，其各自可能存在的膜层状态以及可以区分该膜层状态所可采用的光源，其中，可见光为波长大约在380～780nm之间的电磁波，近红外光源为波长在780～2526nm范围内的电磁波。在制造显示面板时，所形成的膜层大多有机膜或者无机膜，示例的，当最上层膜层的膜层类型为有机膜层时，步骤4042可以包括：

步骤X3、当深度大于预设深度阈值，且宽度大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为湿态。

当某一膜层的膜层状态为湿态时，其边界没有完全收缩成型，对光线的吸收强度更高，所以相较于干态时，在亮度特征曲线中显得波谷深度更深，宽度更宽。因此，当深度大于预设深度阈值且宽度大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为湿态。

步骤Y3、当深度不大于预设深度阈值，或者宽度不大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为干态。

同理，当深度小于或等于预设深度阈值，或宽度小于或者等于预设宽度阈值是，确定有机膜层的膜层状态为干态。

上述预设宽度阈值和深度阈值可以是预先记录在图像分析组件中的，基板上每个膜层的预设宽度阈值和深度阈值是不同的。因此，在上述检测膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度之后，可以获取该膜层所对应的深度阈值和宽度阈值，然后通过将检测到的有机膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度分别与获取到的该膜层所对应的深度阈值和宽度阈值进行比较，以确定检测到的膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度是否大于预设深度阈值，以及检测到的有机膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的宽度是否大于预设宽度阈值。

还需要说明的是，参考上述步骤403中的第一种实现方式，识别最上层膜层的膜层状态的方式除了根据亮度特征曲线之外，还可以通过将膜层图像与预设的多个基板参考图像进行对比，来确定最上层膜层的膜层状态。

示例的，可以将膜层图像与预设的基板参考图像进行对比，该预设的基板参考图像包括至少一幅基板参考图像，该至少一幅基板参考图像中的最上层膜层的类型与步骤403确定的类型相同，且膜层状态互不相同。将膜层图像和基板参考图像进行对比。当膜层图像和某一基板参考图像的相似度大于预设相似度阈值时，可以确定基板上至少一层膜层中最上层膜层的膜层状态与该某一基板参考图像的最上层膜层的膜层状态相同，也即是，将该某一基板参考图像的最上层膜层的膜层状态作为基板上至少一层膜层中最上层膜层的膜层状态。

实际应用中，基板参考图像可以为进行了灰度处理的灰度图像，相应的，步骤402获取的膜层图像也可以先进行灰度处理，然后再与基板参考图像进行比较，这样可以减少图像处理的复杂度，提高图像分析效率。

步骤405、当最上层膜层的膜层状态为非指定状态时，发出告警信号。

在最上层膜层的膜层状态为非指定状态时(非指定状态指的是非本次成膜工艺对应的制造装置生成的膜层的指定状态)，膜层检测装置可以发出告警信号，该告警信号可以为通过扬声器等发声模块发出的声音信号或者通过警示灯发出灯光信号等。

示例的，假设最上层膜层为p-Si层，在膜层检测装置通过上述方法检测出此时p-Si层为非晶态时，而非晶态并非本次成膜工艺对应的制造装置生成的膜层的指定状态，膜层检测装置可以发出告警信号。

可选的，在膜层检测装置检测到最上层膜层的类型与本次成膜工艺应当形成的膜层的类型不同时，该膜层检测装置也可以发出告警信号。

该告警信号可以指示操作人员：该膜层和预设膜层不符(原因可以为本次成膜工艺对应的制造装置出现错误等)，该膜层需要进一步进行表面处理。操作人员可以在接收到该告警信号后转移相应的基板。

可选的，该告警信号也可以通知成膜工艺***中的图像分析组件，使得该图像分析组件控制相应的传输组件停止将该基板传输至下一次成膜工艺对应的制造装置中。

需要说明的是，实际应用中，还可以根据所述膜层图像的光感度分布，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型和/或膜层状态，例如通过光感度特征曲线来确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型和/或膜层状态。该光感度特征曲线用于反映基板上各膜层在平行于基板的传输方向上的光感度分布。其实现过程可以参考上述步骤401至405中。本发明实施例对此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的膜层检测方法，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，还可以在该最上层膜层为指定膜层时，确定其膜层状态，从而避免了由于错误膜层导致面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

本发明实施例提供的膜层检测方法可应用于多种场景中，以下以该膜层检测方法应用于薄膜封装***中为例进行说明。

薄膜封装结构用来封装OLED器件，使OLED器件与空气隔离，避免空气中的水分和氧气等成分对OLED器件的使用寿命造成影响。在制作OLED器件的薄膜封装结构时，通常是通过循环执行以下步骤，以在基板上形成层叠设置的至少一组无机膜层和有机膜层：基板清洗、有机膜层涂覆、在化合处理反应炉中进行有机膜层化合处理、在表面处理反应炉中进行表面处理、在CVD腔室进行CVD处理和退火处理。其中，在化合处理反应炉中进行有机膜层化合处理和在表面处理反应炉中对有机膜层进行表面处理也称Oven处理，但是，在制作OLED器件的薄膜封装结构的过程中，易发生设备软件故障和通信错误等，导致薄膜封装结构制造顺序错误，其中，最为严重的情况是有机膜层未经过Oven处理，直接进入CVD腔室，此时有机膜层的膜层状态为湿态，容易污染CVD腔室，造成设备宕机，造成产能损失等恶劣影响。将本发明的膜层检测方法应用于薄膜封装***中，可以通过在CVD步骤前对薄膜封装结构中的有机膜层的膜层状态进行检测，解决上述技术问题。

通常用来制作薄膜封装结构中的无机膜为二氧化硅，有机膜为PI膜，该PI膜可以反射近红外光线，所以采用的光源可以为发射近红外光线的LED光源，如图5所示，该膜层检测方法包括：

步骤501、在基板传输过程中，采用光源从基板设置有膜层的一侧进行照射。

具体可参考上述步骤401，本发明实施例在此不做赘述。

步骤502、从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像。

具体可参考上述步骤402，本发明实施例在此不做赘述。

步骤503、根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层的类型是否为有机膜层。具体可参考上述步骤403，本发明实施例在此不做赘述。

步骤504、当最上层膜层为有机膜层时，检测最上层膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度。

实际应用中，当有机膜为湿态时，其边界没有完全收缩成型，对光线的吸收强度更高，所以相较于干态时，在亮度特征曲线中显得波谷深度更深，宽度更宽，因此检测并记录该有机膜层在亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度。

步骤505、当深度大于预设深度阈值，且宽度大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为湿态。

在判断该有机膜层的膜层状态为湿态时，执行步骤507。

步骤506、当深度不大于预设深度阈值，或者宽度不大于预设宽度阈值时，确定有机膜层的膜层状态为干态。

在判断出该有机膜层的膜层状态为干态时，该形成有干态有机膜层的基板可以进入CVD腔室。

步骤507、发出告警信号。

在有机膜层的膜层状态为湿态时，膜层检测装置可以发出告警信号，该告警信号可以为通过扬声器等发声模块发出的声音信号或者通过警示灯发出灯光信号等。

该告警信号可以指示操作人员该有机膜层存在使CVD腔室宕机风险，该有机膜层需要进行表面处理，使有机膜层除湿。操作人员可以在接收到该告警信号后转移相应的基板。

可选的，该告警信号也可以通知薄膜封装***中的图像分析组件，使得该图像分析组件控制相应的传输组件停止将基板传输至CVD腔室。

需要说明的是，在上述步骤503时，如果基板上的最上层膜层的类型为无机膜时，膜层检测装置也可以发出告警信号，该告警信号可以指示操作人员，该基板需要进行有机膜层涂覆和Oven处理。操作人员可以在接收到该告警信号后转移该基板。

综上所述，本发明实施例提供的膜层检测方法，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待进行CVD处理的基板，该光源的光线能够被有机膜反射，则在获取膜层图像后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定薄膜封装结构中的有机膜层的膜层类型，还可以在该最上层膜层为有机膜层时，确定其膜层状态，从而避免CVD腔室污染。解决了湿态的有机膜层进入CVD腔室导致设备宕机的问题。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

本发明实施例提供一种膜层检测***，包括图1和图2-1所示的膜层检测装置。该膜层检测***可以用于检测各种类型的膜层。实际应用中，该膜层检测***可以为薄膜封装***，如图6所示，该图是本发明实施例提供的一种薄膜封装***的框图，该薄膜封装***可以包括图1和图2-1所示的膜层检测装置，该薄膜封装***30还包括：

表面处理反应炉31、CVD基台32和CVD腔室33，膜层检测装置10设置在表面处理反应炉31与CVD基台32之间。

实际应用中，薄膜封装***包括：依次设置的用于清洗基板的清洗组件、进行有机膜层涂覆的涂覆组件、进行有机膜层化合处理的化合处理反应炉、进行表面处理的表面处理反应炉31、进行CVD处理的CVD腔室33和进行退火处理的退火组件，具体可参考相关技术，本发明实施例在此不做赘述。

综上所述，本发明实施例提供的一种膜层检测***，通过用光源从基板设置有膜层的一侧照射待处理的基板，在图像采集组件采集膜层图像之后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定该至少一层膜层中最上层膜层的类型，从而避免了面板报废或者设备宕机。达到了降低产能损失，提高生产效率的效果。

进一步的，本发明实施例提供的薄膜封装***，通过设置在反应炉和CVD基台之间，用光源从基板设置有膜层的一侧照射待进行CVD处理的基板，该光源的光线能够被有机膜反射，则在获取膜层图像后，基于膜层图像的亮度分布，可以确定薄膜封装结构中的有机膜层的膜层类型，还可以在该最上层膜层为有机膜层时，确定其膜层状态，从而避免CVD腔室污染。解决了湿态的有机膜层进入CVD腔室导致设备宕机的问题。达到了能够降低产能损失的效果。

本公开实施例提供一种存储介质，该存储介质为非易失性存储介质，当存储介质中的指令由图像分析组件的处理器执行时，使得图像分析组件能够执行本发明上述方法实施例所提供的膜层检测方法。示例性的，该方法可以包括：

采用光源从基板设置有膜层的一侧进行照射；

从基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，该膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像；

根据膜层图像的亮度分布，确定至少一层膜层中最上层膜层的类型。

需要说明的是：上述实施例提供的膜层检测方法在检测膜层时，仅以上述各步骤进行举例说明，实际应用中，可以根据需要执行上述全部步骤或者只执行部分步骤，或者按照其他顺序执行上述全部步骤或者部分步骤。另外，上述实施例提供的膜层检测装置和膜层检测方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。

本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种膜层检测方法，其特征在于，所述膜层检测方法用于检测设置在基板上的至少一层膜层，所述方法包括：

在所述基板传输过程中，采用光源从所述基板设置有膜层的一侧进行照射；

从所述基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，所述膜层图像包括被照射的所述至少一层膜层的图像；

根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述基板的亮度特征曲线，所述亮度特征曲线用于反映所述基板上各膜层在平行于所述基板的传输方向上的亮度分布；

根据所述基板的亮度特征曲线，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亮度特征曲线的横坐标表征所述基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，

所述根据所述基板的亮度特征曲线，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型，包括：

将所述基板的亮度特征曲线中每个波谷所在位置确定为一个膜层的边界位置；

基于确定的膜层的边界位置，确定所述最上层膜层的边界位置；

基于所述最上层膜层的边界位置，确定所述最上层膜层对应的膜层类型。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亮度特征曲线的横坐标表征所述基板上的位置，纵坐标表征亮度或光感度，所述方法还包括：

当所述最上层膜层为指定膜层时，检测所述最上层膜层在所述亮度特征曲线中对应的波谷的深度及宽度；

基于检测结果，确定所述最上层膜层的膜层状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述最上层膜层的膜层类型为有机膜层，

所述基于检测结果，确定所述最上层膜层的膜层状态，包括：

当所述深度大于预设深度阈值，且所述宽度大于预设宽度阈值时，确定所述有机膜层的膜层状态为湿态；

当所述深度不大于预设深度阈值，或者所述宽度不大于预设宽度阈值时，确定所述有机膜层的膜层状态为干态。

5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述基板的亮度特征曲线，包括：

将所述膜层图像转化为灰度图像；

根据所述灰度图像确定所述基板的亮度特征曲线。

6.一种膜层检测装置，其特征在于，包括：

光源、图像采集组件和图像分析组件，

所述光源位于基板设置有膜层的一侧，被配置为在所述基板传输过程中，照射所述基板设置有膜层的一侧；

所述图像采集组件，被配置为从所述基板设置有膜层的一侧，采集膜层图像，所述膜层图像包括被照射的至少一层膜层的图像；

所述图像分析组件，被配置为根据所述膜层图像的亮度分布，确定所述基板的亮度特征曲线，所述亮度特征曲线用于反映所述基板上各膜层在平行于所述基板的传输方向上的亮度分布，根据所述基板的亮度特征曲线，确定所述至少一层膜层中最上层膜层的类型。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述图像采集组件包括阵列排布的多个相机，所述多个相机的排布方向与所述基板的传输方向垂直。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述光源为所述图像采集组件的同轴光源，所述同轴光源到所述基板的光程与所述图像采集组件到所述基板的光程相同。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

所述光源包括多个环状光源，所述多个环状光源与所述多个相机一一对应设置，每个环状光源围绕对应的相机设置。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述相机为电荷耦合元件CCD相机；

所述环状光源为近红外光源。

11.根据权利要求6至10任一所述的装置，其特征在于，

所述膜层检测装置还包括：辅助光源，所述辅助光源位于所述基板未设置有膜层的一侧，被配置为照射所述基板未设置有膜层的一侧。

12.一种膜层检测***，其特征在于，包括：

权利要求6至11任一所述的膜层检测装置。

13.根据权利要求12所述的***，其特征在于，所述膜层检测***为薄膜封装***，所述薄膜封装***还包括：

表面处理反应炉、化学气相沉积CVD基台和CVD腔室，所述膜层检测装置设置在所述表面反应炉与所述CVD基台之间。