CN107686125A - 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法 - Google Patents

一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107686125A
CN107686125A CN201710758015.8A CN201710758015A CN107686125A CN 107686125 A CN107686125 A CN 107686125A CN 201710758015 A CN201710758015 A CN 201710758015A CN 107686125 A CN107686125 A CN 107686125A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas sensitive
preparation
doping
graded structure
sns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710758015.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107686125B (zh
Inventor
郝娟媛
张健
张一健
孙权
郑晟良
王铀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heilongjiang Industrial Technology Research Institute Asset Management Co ltd
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201710758015.8A priority Critical patent/CN107686125B/zh
Publication of CN107686125A publication Critical patent/CN107686125A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107686125B publication Critical patent/CN107686125B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00—Compounds of tin
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)

Abstract

一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂花状分等级结构SnS2气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题。方法：以五水四氯化锡为锡源，硫脲为硫源，九水合硝酸铝为铝源，以乙二醇为溶剂，通过一步微波加热的方法合成Al掺杂的花状分等级结构SnS2。将本发明制得的Al掺杂花状分等级结构SnS2制成气敏传感器，该气敏传感器可在室温下检测ppb浓度级别的NO2，灵敏度高，安全便携，具有广阔的应用前景。

Description

一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法
技术领域
本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。
背景技术
二氧化氮(NO2)是工业燃料燃烧和机动车尾气排放过程中产生的一种常见有毒有害气体，是产生酸雨和引发光化学烟雾的主要原因之一，除了对环境造成污染，它还威胁着人类的健康，当其浓度超过1ppm时，就会引发呼吸道疾病进而对呼吸***造成严重损害，因此，对各种环境条件下的NO2进行实时在线监测具有重要意义。在多种类型气体传感器中，半导体传感器因具备成本低、方法简便、器件体积小、可集成等优点而备受关注。而半导体气体传感器的核心部件是半导体气敏材料，因此，设计并制备具有高效气敏性能的新型半导体材料对提高气体传感器的性能具有重要意义。
二硫化锡(SnS2)是一种具有类石墨烯结构的二维纳米材料，同时具有较大的比表面积和较强的电负性，因对NO2气体具有较好的选择性和较高的灵敏度而引起科研工作者的关注，但是目前纯SnS2的气体传感器还需要在120℃下工作(ACS Nano,2015,9,10313.)，虽然现有方法可以在提高传感器灵敏度的同时降低工作温度，但是传感器仍需在80℃下工作，导致传感器功耗较高，制备复杂，且加热电流的副作用可能导致对元件自身造成损耗，因此发展可室温工作的基于SnS2的气体传感器具有重要意义。
发明内容
本发明是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题，而提供一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。
本发明一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法按以下步骤进行：
一、将五水四氯化锡在电磁搅拌条件下加入到乙二醇溶液中，待五水四氯化锡溶解后，得到混合溶液，在电磁搅拌条件下向混合溶液中加入硫脲和九水合硝酸铝，磁力搅拌10min～40min后得到反应液；所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:(1.5～4)：(0.01～0.05)，所述混合溶液中五水四氯化锡的浓度为0.03～0.6mol/L；
二、将步骤一得到的反应液装入微波管中，在温度为170℃～190℃的条件下反应10min～30min后离心分离，离心所得产物先采用乙醇清洗3～5次，再采用去离子水清洗3～5次，放入真空干燥箱干燥，最终得到Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料。
本发明的有益效果：
1、本发明采用一步微波法制备了Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料，通过调控九水合硝酸铝加入的量可调控分等级结构SnS2的导电能力，实现室温NO2响应。
2、Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料，在保持了SnS2分等级结构的同时，由于Al的掺入，提高了基于分等级结构SnS2材料气敏传感器的灵敏度，在室温下，采用本发明得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料制备的气敏传感器对2ppm NO2的灵敏度为5.4。
附图说明
图1为实施例一得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料的扫描电镜图；
图2为不同Al掺杂含量的分等级结构SnS2的X射线衍射图谱，a为纯SnS2粉末；b、c、d分别为2％，3％，和4％Al掺杂的分等级结构SnS2；
图3为纯SnS2的高分辨透射电子显微镜图；
图4为实施例一得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料的高分辨透射电子显微镜图；
图5为采用实施例一得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料在室温下对不同浓度NO2的响应--恢复曲线；
图6为采用实施例一得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料在室温下灵敏度随NO2浓度变化的关系曲线。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法按以下步骤进行：
一、将五水四氯化锡在电磁搅拌条件下加入到乙二醇溶液中，待五水四氯化锡溶解后，得到混合溶液，在电磁搅拌条件下向混合溶液中加入硫脲和九水合硝酸铝，磁力搅拌10min～40min后得到反应液；所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:(1.5～4)：(0.01～0.05)，所述混合溶液中五水四氯化锡的浓度为0.03～0.6mol/L；
二、将步骤一得到的反应液装入微波管中，在温度为170℃～190℃的条件下反应10min～30min后离心分离，离心所得产物先采用乙醇清洗3～5次，再采用去离子水清洗3～5次，放入真空干燥箱干燥，最终得到Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一中所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:2:0.03。其他步骤及参数与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：步骤一中所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:2:0.05。其他步骤及参数与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤一中所述混合溶液中五水四氯化锡的浓度为0.1mol/L。其他步骤及参数与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二中在温度为180℃的条件下反应。其他步骤及参数与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤二中反应20min后离心分离。其他步骤及参数与具体实施方式一至五之一相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：一种Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料的制备方法按以下步骤进行：
一、将0.3156g五水四氯化锡在电磁搅拌的条件下加入到15mL乙二醇溶液中，待五水四氯化锡溶解后得到混合溶液，在电磁搅拌条件下向混合溶液中加入0.1370g硫脲和270μL九水合硝酸铝的乙二醇溶液(浓度为0.1mol/L)，磁力搅拌20min得到反应液；
二、将步骤一得到的反应液装入微波管中，在温度为180℃的条件下反应20min后离心分离，离心所得产物先采用乙醇清洗3～5次，再采用去离子水清洗3～5次，放入真空干燥箱干燥，得到Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料，其中Al的掺杂量为3％。
采用实施例一的方法得到3％Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料，其扫描电镜图如图1所示，可以看到Al掺杂SnS2分等级结构是由SnS2纳米片组成的花状结构。该材料的XRD谱图如图2中曲线c所示，与纯SnS2相比(曲线a)，Al掺杂的SnS2的XRD谱图中(001)晶面的衍射峰向低角度方向偏移，主要是由于Al原子的掺入，使得(001)晶面间距变大，而其他晶面的峰位几乎没有移动，但是峰的强度减弱，也进一步说明Al的掺入使得SnS2的结晶度变弱。HRTEM测试也进一步证明了Al原子的掺杂，图3为纯SnS2的HRTEM图片，(001)晶面间距为0.587nm；而图4中Al掺杂SnS2的HRTEM图片中，(001)晶面间距为0.642nm，说明Al的掺入仅使(001)晶面间距变大。
将Al掺杂分等级结构的SnS2气敏材料溶于乙醇中，配置成10mg/mL的溶液，超声10min后，得到Al掺杂SnS2的分散液，通过滴注的方法将Al掺杂SnS2分散液滴到电极片表面，在温度为70℃的条件下烘干1h，乙醇溶剂挥发后，Al掺杂的SnS2将在电极表面形成均一的薄膜，该电极片可以直接用于气敏性能测试。
通过电化学工作站测试气敏性能，传感器的灵敏度S定义为：S＝Rg/Ra，其中Ra为传感器在空气中的电阻，Rg为传感器在NO2中的电阻值。其测试结果如图5所示，测试结果表明，在室温下，采用实施例一得到的Al掺杂分等级结构的SnS2气敏材料制备的气敏传感器在吸附NO2气体后，传感器的电阻值会明显增大，而且随着NO2浓度在增大，传感器的灵敏度也明显增大，在NO2浓度为2ppm时的灵敏度为5.4，而纯SnS2在室温下由于导电能力比较差，无法用做传感器。图6为采用实施例一得到的Al掺杂分等级结构的SnS2气敏材料制备的气敏传感器的响应灵敏度随NO2浓度变化的关系曲线，NO2浓度在0.25～6ppm之间，传感器灵敏度与NO2浓度近似呈线性变化。
实施例二：本实施例与实施例一的不同之处在于：步骤一中所述五水四氯化锡的质量为3.156g，硫脲的质量为1.370g，九水合硝酸铝的乙二醇溶液(浓度为0.1mol/L)2.7mL。其他步骤及参数与实施例一相同。
实施例三：本实施例与实施例一不同之处在于：步骤一中加入九水合硝酸铝的乙二醇溶液(浓度为0.1mol/L)90μL。其他步骤及参数与实施例一相同。
实施例四：本实施例与实施例一不同之处在于：步骤一中加入九水合硝酸铝的乙二醇溶液(浓度为0.1mol/L)450μL。其他步骤及参数与实施例一相同。
实施例五：本实施例与实施例一不同之处在于：步骤二中在温度为190℃的条件下反应10min后离心分离。其他步骤及参数与实施例一相同。
实施例六：本实施例与实施例一不同之处在于：步骤二中在温度为170℃的条件下反应30min后离心分离。其他步骤及参数与实施例一相同。
本实施例采用实施例一得到的Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料制备的气敏传感器解决了现有基于纯SnS2的气体传感器不能室温工作的问题，且Al掺杂SnS2传感器在室温下具有较高的灵敏度，这主要是由于Al原子的掺杂提高了SnS2的导电能力，同时增多了分等级结构SnS2气敏材料表面的气体吸附活性位点。

Claims (6)

1.一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法按以下步骤进行：
一、将五水四氯化锡在电磁搅拌条件下加入到乙二醇溶液中，待五水四氯化锡溶解后，得到混合溶液，在电磁搅拌条件下向混合溶液中加入硫脲和九水合硝酸铝，磁力搅拌10min～40min后得到反应液；所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:(1.5～4)：(0.01～0.05)，所述混合溶液中五水四氯化锡的浓度为0.03～0.6mol/L；
二、将步骤一得到的反应液装入微波管中，在温度为170℃～190℃的条件下反应10min～30min后离心分离，离心所得产物先采用乙醇清洗3～5次，再采用去离子水清洗3～5次，放入真空干燥箱干燥，最终得到Al掺杂分等级结构SnS2气敏材料。
2.根据权利要求1所述的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:2:0.03。
3.根据权利要求1所述的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述五水四氯化锡、硫脲和九水合硝酸铝的摩尔比为1:2:0.05。
4.根据权利要求1所述的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述混合溶液中五水四氯化锡的浓度为0.1mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于步骤二中在温度为180℃的条件下反应。
6.根据权利要求1所述的一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法，其特征在于步骤二中反应20min后离心分离。
CN201710758015.8A 2017-08-29 2017-08-29 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法 Active CN107686125B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710758015.8A CN107686125B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710758015.8A CN107686125B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107686125A true CN107686125A (zh) 2018-02-13
CN107686125B CN107686125B (zh) 2019-07-02

Family

ID=61155597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710758015.8A Active CN107686125B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107686125B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108562615A (zh) * 2018-01-02 2018-09-21 潘远新 一种室温工作的二氧化氮泄漏检测装置
CN109211985A (zh) * 2018-09-01 2019-01-15 哈尔滨工程大学 一种柔性碱性气体传感芯片及其制备方法
CN110095506A (zh) * 2019-04-04 2019-08-06 海南聚能科技创新研究院有限公司 Au/SnS2二氧化氮气体传感器及制备工艺和应用
CN112578001A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 天津大学 一种基于Zn掺杂硫化亚锡的气敏材料及其制备方法和在检测甲醇中的应用
CN114646669A (zh) * 2022-03-16 2022-06-21 哈尔滨工业大学 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用
CN114646669B (zh) * 2022-03-16 2024-05-28 哈尔滨工业大学 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105800674A (zh) * 2016-03-23 2016-07-27 昆明理工大学 一种硫化锡材料的制备方法及应用
CN106006720A (zh) * 2016-05-30 2016-10-12 昆明理工大学 一种制备SnS/SnS2异质结材料的方法及应用
CN106115772A (zh) * 2016-03-26 2016-11-16 上海大学 一种调控SnS和SnS2形貌和结构转换的简易方法
CN106830056A (zh) * 2017-01-05 2017-06-13 上海应用技术大学 一种采用水热法制备SnS2六角纳米片的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105800674A (zh) * 2016-03-23 2016-07-27 昆明理工大学 一种硫化锡材料的制备方法及应用
CN106115772A (zh) * 2016-03-26 2016-11-16 上海大学 一种调控SnS和SnS2形貌和结构转换的简易方法
CN106006720A (zh) * 2016-05-30 2016-10-12 昆明理工大学 一种制备SnS/SnS2异质结材料的方法及应用
CN106830056A (zh) * 2017-01-05 2017-06-13 上海应用技术大学 一种采用水热法制备SnS2六角纳米片的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D. PRABHA等: "TG-DSC analysis, magnetic and antifungal properties of Al-doped SnS2 nanopowders", 《J MATER SCI》 *
PENG CHEN等: "Interconnected Tin Disulfide Nanosheets Grown on Graphene for Li-Ion Storage and Photocatalytic Applications", 《AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108562615A (zh) * 2018-01-02 2018-09-21 潘远新 一种室温工作的二氧化氮泄漏检测装置
CN109211985A (zh) * 2018-09-01 2019-01-15 哈尔滨工程大学 一种柔性碱性气体传感芯片及其制备方法
CN109211985B (zh) * 2018-09-01 2020-12-04 哈尔滨工程大学 一种柔性碱性气体传感芯片及其制备方法
CN110095506A (zh) * 2019-04-04 2019-08-06 海南聚能科技创新研究院有限公司 Au/SnS2二氧化氮气体传感器及制备工艺和应用
CN112578001A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 天津大学 一种基于Zn掺杂硫化亚锡的气敏材料及其制备方法和在检测甲醇中的应用
CN112578001B (zh) * 2019-09-30 2021-12-21 天津大学 一种基于Zn掺杂硫化亚锡的气敏材料及其制备方法和在检测甲醇中的应用
CN114646669A (zh) * 2022-03-16 2022-06-21 哈尔滨工业大学 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用
CN114646669B (zh) * 2022-03-16 2024-05-28 哈尔滨工业大学 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN107686125B (zh) 2019-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107686125A (zh) 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法
Wang et al. Detection of H2S down to ppb levels at room temperature using sensors based on ZnO nanorods
Gu et al. Humidity sensors based on ZnO/TiO2 core/shell nanorod arrays with enhanced sensitivity
Wang et al. One-pot synthesis of 3D hierarchical SnO2 nanostructures and their application for gas sensor
CN106841326B (zh) 一种对乙醇敏感的氧化锌-氧化钴纳米中空多面体膜
CN102275981B (zh) 一种自基底的SnO2纳米棒阵列的制备方法
Grigorieva et al. Synthesis, structure, and sensor properties of vanadium pentoxide nanorods
Sun et al. Deliberate design of TiO2 nanostructures towards superior photovoltaic cells
Cheng et al. Boosting TEA sensing performance of ZnO porous hollow spheres via in situ construction of ZnS-ZnO heterojunction
Liu et al. Novel acetone sensing performance of La1-xSr xCoO3 nanoparticles at room temperature
CN109052453B (zh) 一种ZnCo2O4/ZnO异质结构复合气敏材料及制备方法
Zhu et al. Ppt-level benzene detection and gas sensing mechanism using (C 4 H 9 NH 3) 2 PbI 2 Br 2 organic–inorganic layered perovskite
Ul Haq et al. Humidity sensor based on mesoporous Al-doped NiO ultralong nanowires with enhanced ethanol sensing performance
Han et al. Highly sensitive and rapidly responding room-temperature NH3 gas sensor that is based on exfoliated black phosphorus
Tian et al. A new strategy to one-step construct polyoxometalate/semiconductor one-dimensional tandem heterojunctions toward optimized conductometric sensing performances of ethanol gas
Zhang et al. Construction of hierarchical ZnO flower-like structure for boost H2S detection at low temperature
Li et al. States of Water Located in the Continuous Organic Phase of 1‐Butyl‐3‐methylimidazolium Tetrafluoroborate/Triton X‐100/Triethylamine Reverse Microemulsions
Santhosam et al. Effect of La incorporation on the NH 3 sensing behaviour of ZnO thin films prepared using low-cost nebulizer spray technique
Tang et al. In 2 O 3 nanostructures: synthesis and chlorobenzene sensing properties
Slewa et al. Hydrothermal and solvothermal synthesis of nanorods and 3D (micro/nano) V 2 O 5 on macro PSi substrate for pH-EGFET sensors
Yuan et al. Preparation of NiO-In 2 O 3 ordered porous thin film materials with enhanced n-propanol gas sensing properties
Cui et al. Pt-decorated NiWO4/WO3 heterostructure nanotubes for highly selective sensing of acetone
Haridas et al. One pot synthesis of Co (OH) 2–Co3O4 mesoporous nanoarchitecture for supercapacitor applications
CN109557141B (zh) 一种二氧化钛/钒酸银纳米异质结及其制备方法和应用
Zhang et al. Tunable ZnO nanostructures for ethanol sensing

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210125

Address after: Building 9, accelerator, 14955 Zhongyuan Avenue, Songbei District, Harbin City, Heilongjiang Province

Patentee after: INDUSTRIAL TECHNOLOGY Research Institute OF HEILONGJIANG PROVINCE

Address before: 150001 No. 92 West straight street, Nangang District, Heilongjiang, Harbin

Patentee before: HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230330

Address after: 150027 Room 412, Unit 1, No. 14955, Zhongyuan Avenue, Building 9, Innovation and Entrepreneurship Plaza, Science and Technology Innovation City, Harbin Hi tech Industrial Development Zone, Heilongjiang Province

Patentee after: Heilongjiang Industrial Technology Research Institute Asset Management Co.,Ltd.

Address before: Building 9, accelerator, 14955 Zhongyuan Avenue, Songbei District, Harbin City, Heilongjiang Province

Patentee before: INDUSTRIAL TECHNOLOGY Research Institute OF HEILONGJIANG PROVINCE