CN107644891A - 柔性oled面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，首先在高透光性的玻璃基板上涂布形成柔性衬底基板，再在柔性衬底基板上依次制作TFT层和OLED层，最后采用激光对柔性衬底基板进行激光剥离，使所述柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，由于该玻璃基板对该激光的透过率为96％以上，在采用激光剥离技术将柔性衬底基板从玻璃基板上剥离时，可以让大部分的激光透过玻璃基板，从而使用较低的能量就可以使柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，进而不会影响到柔性衬底基板和TFT层的性能，可以得到正常的TFT电性，能够大幅度改善产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性OLED面板的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高OLED器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前OLED器件的封装主要在硬质封装基板(如玻璃或金属)上通过封装胶封装，但是该方法并不适用于柔性器件，而柔性OLED显示器是未来显示行业发展的必然趋势，因此，也有技术方案通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装，该薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方形成两层为无机材料的阻水性好的阻挡层(Barrier Layer)，在两层阻挡层之间形成一层为有机材料的柔韧性好的缓冲层(Buffer Layer)。目前这种封装技术已经较为成熟，取得了很好的封装效果并应用在了相关产品当中。
柔性OLED显示器是采用柔性基板(Flexible Substrate)制成的可弯曲显示设备，通常采用柔性聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板，其中柔性PI基板是通过在普通的玻璃基板上涂布一层PI膜所形成，在OLED器件制作完成后，再采用激光将柔性PI基板从玻璃基板上剥离下来，然而现有制程忽视了玻璃基板透光率的影响，而采用一般的玻璃基板，其激光的穿透率仅为90％左右，因此在进行激光剥离时需要使用很高的能量(460-500mj)才能使柔性PI基板脱离玻璃基板，而高能量的激光会严重损伤到柔性PI基板和其上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件，影响TFT器件的电性，造成良率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性OLED面板的制作方法，使用较低的能量就可以使柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，不会影响到柔性衬底基板和TFT层的性能，可以得到正常的TFT电性，从而大幅度改善产品良率。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供玻璃基板，在所述玻璃基板上形成柔性衬底基板，在所述柔性衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上形成OLED层；
步骤S2、采用激光对柔性衬底基板进行激光剥离，使所述柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来；
所述玻璃基板对所述步骤S2中所采用的激光的透过率为96％以上。
所述步骤S1中所形成的柔性衬底基板为聚酰亚胺基板，其具体形成过程为：在所述玻璃基板上涂布一层聚酰亚胺材料，对其进行烘烤，得到聚酰亚胺材料的柔性衬底基板。
所述步骤S2中所采用的激光的波长为308nm。
所述步骤S2中所使用的激光的能量为400-430mj。
所述步骤S1中所形成的TFT层用于对所述OLED层进行驱动，包括多个阵列排布的TFT器件，所述TFT器件为低温多晶硅型、或者金属氧化物型。
所述步骤S1中所形成的OLED层包括设于所述TFT层上的第一电极层、设于所述TFT层和第一电极层上的像素定义层、设于第一电极层上的有机功能层、以及设于像素定义层和有机功能层上的第二电极层；
所述像素定义层在第一电极层上围出多个阵列排布的像素开口；所述有机功能层设于所述像素开口内；每一像素开口内的有机功能层、其下方对应的第一电极层、以及其上方对应的第二电极层共同构成一OLED器件。
所述步骤S1中形成OLED层的具体过程为：在所述TFT层上形成第一电极层，在所述TFT层及第一电极层上形成像素定义层，在所述像素定义层的多个像素开口内形成有机功能层，在所述像素定义层及有机功能层上形成第二电极层。
所述步骤S1中形成OLED层中，所述第一电极层、第二电极层分别用作OLED器件的阳极和阴极，所述第一电极层为氧化铟锡层/银层/氧化铟锡层的叠层材料。
所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
所述步骤S1还包括在形成所述OLED层之后，在所述OLED层上形成封装层，以对所述述OLED层进行封装；
所述封装层为薄膜封装结构，包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性OLED面板的制作方法，首先在高透光性的玻璃基板上涂布形成柔性衬底基板，再在柔性衬底基板上依次制作TFT层和OLED层，最后采用激光对柔性衬底基板进行激光剥离，使所述柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，由于该玻璃基板对该激光的透过率为96％以上，在采用激光剥离技术将柔性衬底基板从玻璃基板上剥离时，可以让大部分的激光透过玻璃基板，从而使用较低的能量就可以使柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，进而不会影响到柔性衬底基板和TFT层的性能，可以得到正常的TFT电性，能够大幅度改善产品良率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的柔性OLED面板的制作方法的流程示意图；
图2-3为本发明的柔性OLED面板的制作方法的步骤S1的示意图；
图4为本发明的柔性OLED面板的制作方法的步骤S2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图2-3所示，提供高透光的玻璃基板500，在所述玻璃基板500上形成柔性衬底基板110，在所述柔性衬底基板110上形成TFT层120，在所述TFT层120上形成OLED层130；所述玻璃基板500对波长为308nm的激光的透过率为96％以上。
具体地，所述步骤S1中所形成的柔性衬底基板110为聚酰亚胺(PI)基板，其具体形成过程为：在所述玻璃基板500上涂布一层聚酰亚胺材料，对其进行烘烤，得到聚酰亚胺材料的柔性衬底基板110。
具体地，所述步骤S1中所形成的TFT层120用于对所述OLED层130进行驱动，包括多个阵列排布的TFT器件，所述TFT器件为低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)型、或者金属氧化物半导体(Metal-Oxide Semiconductor，MOS)型，例如铟镓锌氧化物(IGZO)的金属氧化物半导体型。
具体地，所述步骤S1中所形成的OLED层130包括设于所述TFT层120上的第一电极层131、设于所述TFT层120和第一电极层131上的像素定义层135、设于第一电极层131上的有机功能层132、以及设于像素定义层135和有机功能层132上的第二电极层133。
具体地，所述像素定义层135在第一电极层131上围出多个阵列排布的像素开口138；所述有机功能层132设于所述像素开口138内；每一像素开口138内的有机功能层132、其下方对应的第一电极层131、以及其上方对应的第二电极层133共同构成一OLED器件D。
具体地，所述步骤S1中形成OLED层130的具体过程为：在所述TFT层120上形成第一电极层131，在所述TFT层120及第一电极层131上形成像素定义层135，在所述像素定义层135的多个像素开口138内形成有机功能层132，在所述像素定义层135及有机功能层132上形成第二电极层133。
具体地，所述步骤S1中形成OLED层130中，所述第一电极层131、第二电极层133分别用作OLED器件D的阳极(Anode)和阴极(Cathode)，所述第一电极层131为透明的氧化铟锡层/银层/氧化铟锡层(ITO/Ag/ITO)的叠层材料。
具体地，所述有机功能层132包括由下到上依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
具体地，所述步骤S1还包括在形成所述OLED层130之后，在所述OLED层130上形成封装层(未图示)，以对所述OLED层130进行封装。
具体地，所述封装层为薄膜封装结构，包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层。
步骤S2、如图4所示，采用波长为308nm的激光对柔性衬底基板110进行激光剥离，使所述柔性衬底基板110从玻璃基板500上剥离下来。
具体地，由于所述玻璃基板500为高透光性的基板，其对波长为308nm的激光的透过率为96％以上，因此相对于现有技术，所述步骤S2中，使用较低能量的激光，具体为400-430mj能量的激光，就可以使柔性衬底基板110从玻璃基板500上剥离下来。
本发明的柔性OLED面板的制作方法，通过在高透光性的玻璃基板500上涂布形成柔性衬底基板110，该玻璃基板500对波长为308nm的激光的透过率为96％以上，在采用308nm的激光剥离技术将柔性衬底基板110从玻璃基板500上剥离时，可以让大部分的激光透过玻璃基板500，从而使用较低的能量就可以使柔性衬底基板110从玻璃基板500上剥离下来，进而不会影响到柔性衬底基板110和其上的TFT层120的性能，可以得到正常的TFT电性，能够大幅度改善产品良率。
综上所述，本发明提供的一种柔性OLED面板的制作方法，首先在高透光性的玻璃基板上涂布形成柔性衬底基板，再在柔性衬底基板上依次制作TFT层和OLED层，最后采用激光对柔性衬底基板进行激光剥离，使所述柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，由于该玻璃基板对该激光的透过率为96％以上，在激光剥离技术将柔性衬底基板从玻璃基板上剥离时，可以让大部分的激光透过玻璃基板，从而使用较低的能量就可以使柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，进而不会影响到柔性衬底基板和TFT层的性能，可以得到正常的TFT电性，能够大幅度改善产品良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供玻璃基板(500)，在所述玻璃基板(500)上形成柔性衬底基板(110)，在所述柔性衬底基板(110)上形成TFT层(120)，在所述TFT层(120)上形成OLED层(130)；
步骤S2、采用激光对柔性衬底基板(110)进行激光剥离，使所述柔性衬底基板(110)从玻璃基板(500)上剥离下来；
所述玻璃基板(500)对所述步骤S2中所采用的激光的透过率为96％以上。
2.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中所形成的柔性衬底基板(110)为聚酰亚胺基板，其具体形成过程为：在所述玻璃基板(500)上涂布一层聚酰亚胺材料，对其进行烘烤，得到聚酰亚胺材料的柔性衬底基板(110)。
3.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中所采用的激光的波长为308nm。
4.如权利要求3所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中所使用的激光的能量为400-430mj。
5.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中所形成的TFT层(120)用于对所述OLED层(130)进行驱动，包括多个阵列排布的TFT器件，所述TFT器件为低温多晶硅型、或者金属氧化物型。
6.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中所形成的OLED层(130)包括设于所述TFT层(120)上的第一电极层(131)、设于所述TFT层(120)和第一电极层(131)上的像素定义层(135)、设于第一电极层(131)上的有机功能层(132)、以及设于像素定义层(135)和有机功能层(132)上的第二电极层(133)；
所述像素定义层(135)在第一电极层(131)上围出多个阵列排布的像素开口(138)；所述有机功能层(132)设于所述像素开口(138)内；每一像素开口(138)内的有机功能层(132)、其下方对应的第一电极层(131)、以及其上方对应的第二电极层(133)共同构成一OLED器件(D)。
7.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中形成OLED层(130)的具体过程为：在所述TFT层(120)上形成第一电极层(131)，在所述TFT层(120)及第一电极层(131)上形成像素定义层(135)，在所述像素定义层(135)的多个像素开口(138)内形成有机功能层(132)，在所述像素定义层(135)及有机功能层(132)上形成第二电极层(133)。
8.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中形成OLED层(130)中，所述第一电极层(131)、第二电极层(133)分别用作OLED器件(D)的阳极和阴极，所述第一电极层(131)为氧化铟锡层/银层/氧化铟锡层的叠层材料。
9.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述有机功能层(132)包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
10.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括在形成所述OLED层(130)之后，在所述OLED层(130)上形成封装层，以对所述述OLED层(130)进行封装；
所述封装层为薄膜封装结构，包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层。
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