CN107636196A - 多层沉积装置及方法 - Google Patents

Abstract

一种装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。

Description

多层沉积装置及方法

技术领域

本实施例涉及一种处理装置及方法，尤其涉及一种在离子植入处理中控制处理的构件及方法。

背景技术

现今，有许多用以沉积膜层的技术，包括了化学气相沉积、物理气相沉积以及其他技术。为了处理复杂的结构(例如多层膜层)，在单独的处理室中沉积一系列的膜层可能是有利的。某些材料(例如金属)的沉积可使用各种溅镀或其他物理气相沉积技术来进行。对于多层沉积来说，此可能需要使用到多种不同靶材，且这些不同的靶材由不同的材料构成。在一些情况中，离子束溅镀可用来轰击多种不同的靶材，以沉积多层结构。此对于不同的材料提供了可将由特定不同材料的组合构成的多层结构沉积至大目标(extent target)的弹性方法。

关于已知的离子束溅镀方法的问题包括提供均匀涂层(例如多层结构)的能力。均匀性可能因自用于离子束溅镀的离子源不均匀地提取离子束以及自用于沉积膜层的靶材不均匀地溅镀材料而受影响。此外，用于多层沉积一些技术可能必需改变靶材以沉积不同材料。由于剥落(flaking)以及其他污染物，在依序沉积多层结构的期间过度地处理靶材可能在最终结构中产生缺陷。

对于上述以及其他的考量，本发明的改善会是有利的。

发明内容

本发明内容以简化的形式介绍一些概念的选择，在以下实施方式中做进一步的描述。本发明内容不意欲限定所保护的标的关键特征或必要特征，也不意欲用于决定所保护的标的的范围。

在一实施例中，装置可包括提取组件，提取组件至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束。所述装置亦可包括靶材组件，靶材组件设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束。所述装置可包括基板平台，基板平台配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，第一距离小于第二距离。

在另一实施例中，处理装置可包括：等离子体室，用以容置等离子体；提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束。所述处理装置亦可包括：靶材组件，配置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，第一距离小于第二距离。

在另一实施例中，装置可包括：等离子体室，用以容置等离子体；以及提取组件，包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以分别透过第一提取孔隙与第二提取孔隙自等离子体提取第一离子束与第二离子束。所述装置亦可包括：靶材组件，配置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)，靶材组件经配置以截取第一离子束；以及偏压***，包括：靶材偏压供应器，相对于等离子体室对靶材组件施加负偏压；以及基板偏压供应器，提供基板偏压，以相对于等离子体室对基板施加负偏压。所述装置可更包括基板平台，基板平台经设置以在邻近第一提取孔隙的第一位置与邻近第二提取孔隙的第二位置之间扫描基板。

附图说明

图1A为符合本揭示的各种实施例的处理装置的侧视示意图。

图1B为根据一些实施例的图1A的装置的一部分的底面示意图。

图1C为在第一架构中自靶材组件溅镀材料的几何形状(geometry)细节。

图1D在第二架构中自靶材组件溅镀材料的几何形状细节。

图2A为根据本揭示实施例在一个操作范例期间的另一处理装置的侧视示意图。

图2B为在另一个操作范例期间的图2A的处理装置的侧视示意图。

图3A显示为在第一范例期间的用于多层沉积的装置的第一架构。

图3B显示为在第二范例期间的图3A的装置得的第二架构。

具体实施方式

本实施例将参照附图(显示一些实施例)在下文描述地更完全。本揭示的标的可以许多不同的形式体现，且不被解释为限制于本文中的实施例。提供这些实施例使得本揭示全面且完整，且将完全地将所述标的的范围传达给本领域技术人员。在附图中，相似的元件符号代表相似的元件。

本文描述的实施例提供处理基板的新颖的处理装置与方法。各种实施例提供用于方便在基板上沉积多膜层的装置。除了在基板上沉积至少一个膜层之外，一些实施例还提供用于蚀刻基板的装置。

图1A为根据本揭示的各种实施例的处理装置100的侧视示意图。处理装置100包括等离子体源102，其经设置以在等离子体室104中产生等离子体106。在各实施例中，等离子体源102可为原位(in situ)源或远距(remote)源、感应耦合等离子体源、电容耦合等离子体源、螺旋源、微波源、电弧源或任何其他种类的等离子体源。实施例不限于本文。处理装置100更包括偏压***160，其包括：靶材偏压供应器162，相对于等离子体室104对靶材组件施加偏压；以及基板偏压供应器164，相对于等离子体室104对基板施加偏压。偏压***160可用以利用不同方式提取离子束以处理基板140，如下所详述。

处理装置100更包括提取组件110，其配置为邻近靶材组件150。在一些实施例中，提取组件110可包括第一提取孔隙与第二提取孔隙。这些孔隙在图1A中显示为提取孔隙118与提取孔隙120。提取孔隙118与提取孔隙120由提取组件110的中央部分112以及提取组件110的外部部分114所定义。在各实施例中，提取组件110可以是导电的且可以电性连接至等离子体室104。特别是，提取组件可操作为接收与等离子体室104相同的电压。举例来说，在一些操作模式中，提取组件110与等离子体室104可通过偏压***160而处于接地电位，但在其他操作模式中，提取组件110与等离子体室104相对于接地可处于相同正电压(电位)。

处理装置100可更包括靶材组件150，其配置为邻近如图1A中所示的提取组件110。靶材组件150可包括多个靶材部分。在图1A的实例中，靶材组件包括第一靶材部分152与第二靶材部分154。

在一操作实例中，当在等离子体室104中产生等离子体106以及相对于等离子体室104对靶材组件150施加负偏压时，可经由提取孔隙118提取含有正离子的第一离子束，且可经由提取孔隙120提取第二离子束。这些离子束分别显示为离子束130与离子束132。如图1A进一步所示，等离子体与等离子体鞘172之间的边界170可在提取孔隙118中形成弯月面(meniscus)122以及在提取孔隙120中形成弯月面124。弯月面122与弯月面124的确切形状可由例如等离子体功率、等离子体室104中的气体压力等因素以及其他因素来控制。弯月面122的形状与方向可使得离子束130中的离子具有如由描述离子束130的箭号所示的平均的轨迹。类似地，弯月面124的形状与方向可使得离子束132中的离子具有如由描述离子束132的箭号所示的平均的轨迹。在一些特定实例中，在较高的等离子体功率(例如1kW至5kW)下，离子束130与离子束132可倾向具有撞击靶材组件150的轨迹。如图1A所示，第一靶材部分152可截取离子束130且第二靶材部分154可截取离子束132。第一靶材部分152可包括第一材料，其中第一材料待沉积于基板140上。离子束130可包括用以轰击蚀刻第一材料的离子，且将第一材料134导向基板140，如垂直箭号所示。第二靶材部分154可包括第二材料，其中第二材料亦待沉积于基板140上。离子束132可包括用以轰击蚀刻第二材料的离子，且将第二材料136导向基板140，如垂直箭号所示。合适的离子束130与离子束132的离子包括惰性气体离子、诸如氧、氮等反应性离子或其他离子。

如进一步显示于图1A中，处理装置100亦可包括基板平台148，其配置为邻近靶材组件150。基板平台148可经设置以在第一点P1与第二点P2之间沿着扫描轴142扫描基板。在图1A中，扫描轴142可平行于所显示的笛卡尔座标***(Cartesian coordinate system)的Y轴。有利的是，靶材组件150被安排为第一靶材部分152自第一点P1分离第一距离且第一靶材部分152自第一点P1分离大于第一距离的第二距离。在此方式中，当基板平台148沿着扫描轴142自第一点P1至第二点P2扫描基板140时，基板140可在截取自第二靶材部分154溅射出的第二材料136之前截取自第一靶材部分152溅射出的第一材料134。在此方式中，第一材料134的第一层144沉积于基板140上，而第二材料136的第二层146沉积于第一层144上。

在各实施例中，靶材组件150可包括多边形剖面，例如所显示的三角形剖面。在各实施例中，靶材组件150可沿着X轴延长，如图1B的实施例所示。靶材组件150可具有沿着X方向的宽度W，其等于或大于基板140的沿着X方向的宽度Ws。举例来说，在一些实施例中，宽度W可大于300mm。在此方式中，当相对于提取组件自第一点P1至第二点P2沿着扫描轴142扫描基板140且同时第一材料134与第二材料136溅镀时，图1A中的第一层144与第二层146可覆盖整个基板140。

在各实施例中，基板140可沿Z轴自靶材组件150分离数毫米至数厘米而设置。此接近的距离有助于在扫描期间更快速沉积材料于基板140上。

在各实施例中，第一靶材部分152可具有第一面180。在不同实施例中，第一面180可具有平坦形状、凹面形状或凸面形状。第二靶材部分154同样可具有第二面182，其中第二面在不同实施例中为平坦的、凹面的或凸面的。当离子束130撞击第一面180时，离子束可相对于第一面定义出入射角。同样地，离子束132可相对于第二面182定义出入射角。在一些实施例中，靶材组件150可沿着平行于X轴的旋转轴而旋转，如图1C所示。因此，在如图1C所示的第一架构中，离子束130可相对于第一面180定义出第一入射角θ1。当靶材组件150旋转为第二架构时，如图1D所示，离子束130可相对于第一面180定义出第二入射角θ2。同样地，在如图1C所示的第一架构中，离子束132可相对于第一面180定义出第三入射角θ3。当靶材组件150旋转为第二架构时，如图1D所示，离子束132可相对于第一面180定义出第四入射角θ4。再次参照图1A，由于自靶材溅射的材料的角度分布可取决于相对于靶材表面的离子的入射角，因此第一材料134的角度分布以及第二材料136的角度分布可通过旋转靶材组件150而改变。

有利的是，靶材组件150可在基板140的扫描期间或在基板140的第一扫描与基板140的第二扫描之间旋转，以将材料自靶材组件150以不同的角度分布导引至基板140。此在覆盖三维结构的不同表面时可以是有利的，其中所述不同表面相对于X-Y平面例如可形成不同倾斜角。

如图1A进一步所示，靶材偏压供应器162可包括多个偏压供应器。在一实例中，靶材偏压供应器162可包括：第一电压供应器166，以提供第一靶材偏压至第一靶材部分152；以及第二电压供应器168，以提供第二靶材偏压至第二靶材部分154。这些电压供应器可彼此独立地作动，其中可施加相同电压或不同电压至第一靶材部分152与第二靶材部分154。在一操作实例中，偏压***160可使等离子体室104处于接地电位以及使靶材组件150处于负电压，使得靶材组件150相对于等离子体室104被施加负偏压。举例来说，在一实例中，第一靶材部分152可被偏置为-1000V。第二靶材部分154亦可被偏置为-1000V或可被偏置为其他负偏压。自等离子体106提取的个别带电离子可因此以大约1000eV的能量撞击第一靶材部分152而不论等离子体106的实际电位(通常相较于等离子体室104的电位为正，且差距为5V至50V)。

在各种附加的实施例中，可提供不同于图1A所示的几何形状的靶材组件架构以沉积多层结构于基板上。图2A为根据本揭示各种实施例的在第一操作模式期间的另一处理装置200的侧视示意图。在此实施例中，处理装置200可与包括等离子体源102与基板平台148的处理装置100共同使用构件。等离子体室204可容置由等离子体源102产生的等离子体206。在此实施例中，提取组件210包括四个不同的提取孔隙，其显示为提取孔隙214。在其他实施例中，处理装置可具有更少或更多数量的提取孔隙。提取组件更包括多个挡板，其显示为挡板212且如显示具有相对于X-Y平面以非0角度设置的表面。如图2A所显示，靶材部分可配置为邻近特定挡板。在各实施例中，至少三个靶材部分可配置为邻近各别的提取孔隙。在图2A中，显示四个不同的靶材部分，包括了靶材部分230、靶材部分232、靶材部分234以及靶材部分236。这些靶材部分可一起构成靶材组件239。特定的靶材部分亦可如所显示相对于X-Y平面以非0角度倾斜。靶材部分(例如靶材部分230)可呈现暴露于自等离子体206提取的离子的表面。举例来说，离子束216可提取自等离子体206且导向至靶材部分230；离子束218可提取自等离子体206且导向至靶材部分232；离子束220可提取自等离子体206且导向至靶材部分234；且离子束222可提取自等离子体206且导向至靶材部分236。在一些实例中，靶材部分230可包括第一材料，靶材部分232可包括第二材料，靶材部分234可包括第三材料，且靶材部分236可包括第四材料。在其他实施例中，这些靶材部分中至少二者可构成相同材料。

如所显示，在不同的靶材部分之间可改变与第一点P1之间的距离。因此，举例来说，当基板平台148沿着扫描轴142自第一点P1至第二点P2扫描基板140时，基板140的特定部分可以接续的方式在不同靶材下通过。在此方式中，基板140在截取自靶材部分232溅射的靶材材料242之前可截取自靶材部分230溅射的靶材材料240。同样地，基板140在截取自靶材部分234溅射的靶材材料244之前可截取自靶材部分232溅射的靶材材料242。此外，基板140在截取自靶材部分236溅射的靶材材料246之前可截取自靶材部分234溅射的靶材材料244。在此方式中，靶材材料240的第一层250沉积于基板140上，而靶材材料242的第二层252沉积于第一层250上。靶材材料244的第三层254沉积于第二层252上，而靶材材料256的第四层沉积于第三层254上。

如进一步显示于图2A中，偏压***260可包括靶材偏压供应器262，其包括多个偏压供应器。在一实例中，靶材偏压供应器162可包括用于靶材组件的特定靶材部分的独立电压供应器。在图2A的实例中，靶材偏压供应器可包括：第一电压供应器166，以提供第一靶材偏压至靶材部分230；第二电压供应器168，以提供第二靶材偏压至靶材部分232；第三电压供应器266，以供应第三靶材偏压至靶材部分234；以及第四电压供应器268，以供应第四靶材偏压至靶材部分236。这些电压供应器可彼此独立地作动，其中可施加相同或不同电压至不同靶材部分。

在一些实例中，基板(例如基板140)可在第一点P1与第二点P2之间被多次扫描。此外，基板140可在第一点P1与第二点P2之间来回扫描，或只在一个方向上扫描。在一些实施例中，在扫描基板140期间，靶材组件239的至少一个靶材部分可保持在与等离子体室204相同的电位。在此方式中，在所述至少一个靶材部分处不会发生溅射。因此，在特定扫描期间可省略相对于等离子体室未被施加负偏压的靶材部分的特定材料层的沉积。如此一来，可通过处理装置200产生来自靶材材料240、靶材材料242、靶材材料244以及靶材材料246的膜层的任何顺序。

在额外的实施例中，在对基板140蚀刻以及于基板140上沉积的步骤中，偏压***260可改变施加至处理装置200的不同构件的电压。在一些实施例中，等离子体室104可通过偏压***260而处于接地电位，而靶材组件的至少一个靶材部分处于诸如-1000V等负电位。或者，所述至少一个靶材部分可处于诸如-2000V至-5000V等另一个合适的负电压。实施例不限于本文所描述。在此方式中，当基板140的特定区域通过在相对于等离子体室104被施加负偏压的所述至少一个靶材部分下方时，自所述至少一个靶材部分溅射的材料可沉积于基板的特定区域上。此外，至少一个其他靶材部分可处于接地电位，使得所述至少一个其他靶材部分不被蚀刻，这是因为在此条件下具有足够能量来引起溅射的离子并未自等离子体206被吸引。另外，偏压***260可使基板140相对于等离子体室204处于负电位。

为了说明，在图2B所示的一个特定实例中，等离子体室104、靶材部分230以及靶材部分234可通过偏压***260而处于接地电位。靶材部分232以及靶材部分236可通过偏压***260而处于-1000V。最后，偏压***260可使基板140(基板平台148)处于-500V。在此方案中，靶材材料242可自靶材部分232溅射且导向基板140，且靶材材料246可自靶材部分236溅射且亦导向基板140。此外，在位于靶材部分230与靶材部分232之间的提取孔隙214中，离子可自等离子体206被提取且以离子束270形式导向基板140。此外，在位于靶材部分234与靶材部分236之间的提取孔隙214中，离子可自等离子体206被提取且以离子束274形式导向基板140。尤其是，由于可能只有小电位差(例如10V)会存在于等离子体206与靶材部分230以及靶材部分234之间，因此自等离子体206提取的离子被向下导向至基板(处于-500V)，如离子束270与离子束274中的箭号轨迹所示。因此，靶材部分230与靶材部分234不被离子溅射。此外，由于施加至靶材部分232与靶材部分236的偏压电压(-1000V)较施加至基板140的偏压电压(-500V)大的多，因此离子束272被导向靶材部分232且可能不会撞击基板140。同样地，离子束276被导向靶材部分236且可能不会撞击基板140。

在上述方式中，离子束可在提取组件210的不同孔隙中被导向，以撞击特定靶材部分来沉积靶材材料，或直接撞击基板以产生蚀刻。特别是，在图2B的方案中，当沿着扫描轴142扫描基板140，可通过控制扫描速度以及施加至不同靶材部分或施加至基板140的不同电压的持续时间来产生不同的沉积图案和蚀刻图案。

此外，在产生如同在图2B中相似结果的其他架构中，基板140可接地，且等离子体室104可相对于接地而处于正电位。举例来说，当基板140接地时，等离子体室104、靶材部分230与靶材部分234可处于+500V，且靶材部分232与靶材部分236可处于-500V。

图3A描述在第一范例期间用于多层沉积的装置300的第一架构。装置300可包括提取组件301，其具有中央部分302与外部部分316。装置300亦可包括靶材组件310，其包括多个靶材部分。中央部分302与外部部分316可定义提取孔隙304与提取孔隙306。在操作期间，装置300可位于用以沉积多个膜层的处理装置中。可产生等离子体(为了使附图清楚而省略)以做为经导向穿过提取孔隙304的离子束312以及经导向穿过提取孔隙306的离子束314的来源。如图所示，靶材组件310可具有多个靶材部分，其包括靶材部分A、靶材部分B、靶材部分C、靶材部分D、靶材部分E与靶材部分F。实施例不限于本文所描述。靶材部分可具有楔形形状，其中特定靶材部分呈现外表面。靶材组件310可绕着旋转轴旋转，所述旋转轴平行于X轴。在图3A所示的操作方案中，靶材组件310可以离子束312撞击靶材部分A的架构来设置，使得靶材部分A材料溅射且做为靶材材料320被导向至基板340。在此架构中，离子束314可撞击靶材部分B，使得靶材部分B的材料溅射且做为靶材材料322被导向至基板340。当基板340在第一扫描中沿着扫描轴142自左至右扫描时，靶材材料320的第一层330可沉积于基板340上，而靶材材料322的第二层332沉积于第一层330上。

在接续的情况中，靶材组件310可绕着旋转轴旋转而成为图3B所示的架构。在此架构中，离子束312可撞击靶材部分C，使得靶材部分C的材料溅射且做为靶材材料324被导向至基板340。在此架构中，离子束314可撞击靶材部分D，使得靶材部分D的材料溅射且做为靶材材料326被导向至基板340。当基板340在第二扫描中沿着扫描轴142自左至右扫描时，靶材材料324的第三层334可沉积于基板340上，而靶材材料326的第四层336沉积于第三层334上。

在各种额外的实施例中，类似于图3A所示的靶材组件的靶材组件可同时将多个不同的靶材部分呈现至特定离子束。举例来说，靶材部分F与靶材部分A可同时暴露于相同的离子束。此可产生具有含来自靶材部分F与靶材部分A的材料的混合物的组成的膜层。

所述实施例提供的优点包括于一个简单的装置中在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层的能力，其中可邻近等离子体室来提供基板。另一个优点为避免为了沉积多个不同膜层而改变靶材。再一个优点为使用提取自邻近基板的一个等离子体室的离子在基板上蚀刻和沉积的能力。又一个优点为修改在基板上沉积材料的方向的能力。

本揭示不限于由本文所描述的特定实施例的范围。更确切地，除了本文所描述的之外，对本揭示的其他各种修改的实施例在参照上述描述以及附图后对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，这些其他实施例与修改意欲落入本揭示的范围中。此外，虽然本揭示已描述于为了特定目的在特定环境中的特定实施方式，但本领域技术人员将明了其益处不限于此，且本揭示为了任何数量的目的在任何数量的环境中可以有利地实施。因此，所附申请专利范围应如本文所描述针对本揭示的广泛度与精神来解释。

Claims (15)

1.一种装置，包括：

提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；

靶材组件，设置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分与包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与所述第二离子束；以及

基板平台，配置为邻近所述靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别自所述第一点分离第一距离与第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的装置，其中当所述基板平台在所述第一点与所述第二点之间扫描所述基板时，所述第一材料的第一层沉积于所述基板上，且所述第二材料的第二层沉积于所述第一层上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述靶材组件至少包括三个靶材部分，且其中所述靶材组件围绕旋转轴为可旋转的，其中在第一架构中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别暴露于所述第一离子束与所述第二离子束，且其中在第二架构中包含第三材料的第三靶材部分暴露于所述第一离子束。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一靶材部分包括第一面，其中所述第一靶材部分沿着垂直于所述扫描轴的旋转轴为可旋转的，其中在第一方位中所述第一离子束相对于所述第一面形成第一入射角，且其中在第二方位中所述第一离子束相对于所述第一面形成第二入射角。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别具有第一面与第二面，所述第一面与所述第二面具有平面形状、凹面形状或凸面形状。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述靶材组件包括包含第三材料的第三靶材部分，其中所述第三靶材部分配置于与所述第一点相距第三距离处，所述第三距离大于所述第二距离，且其中所述提取组件包括第三提取孔隙，所述第三提取孔隙经设置以自所述等离子体提取第三离子束，所述第三靶材部分经设置以截取所述第三离子束。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分彼此相邻，其中所述靶材组件包括垂直于所述扫描轴的多边形剖面。

8.一种处理装置，包括：

等离子体室，用以容置等离子体；

提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以自所述等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；

靶材组件，配置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分与包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与所述第二离子束；以及

基板平台，配置为邻近所述靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间扫描基板，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别自所述第一点分离第一距离与第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。

9.根据权利要求8所述的处理装置，还包括偏压***，所述偏压***包括靶材偏压供应器以相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压。

10.根据权利要求9所述的处理装置，其中所述靶材偏压供应器包括：

第一电压供应器，经设置以供应第一靶材偏压至所述第一靶材部分；以及

第二电压供应器，经设置以供应第二靶材偏压至所述第二靶材部分。

11.根据权利要求9所述的处理装置，其中当所述基板平台在所述第一点与所述第二点之间扫描所述基板且所述偏压***相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压时，所述第一材料的第一层沉积于所述基板上，且所述第二材料的第二层沉积于所述第一层上。

12.一种装置，包括：

等离子体室，用以容置等离子体；

提取组件，包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以分别透过所述第一提取孔隙与所述第二提取孔隙自所述等离子体提取第一离子束与第二离子束；

靶材组件，配置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分，所述靶材组件经配置以截取所述第一离子束；

偏压***，包括靶材偏压供应器以及基板偏压供应器，所述靶材偏压供应器相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压，所述基板偏压供应器提供基板偏压以相对于所述等离子体室对所述基板施加负偏压；以及

基板平台，经设置以在邻近所述第一提取孔隙的所述第一点与邻近所述第二提取孔隙的所述第二点之间扫描所述基板。

13.根据权利要求12所述的装置，其中当所述基板平台在所述第一点与所述第二点之间扫描所述基板且所述靶材偏压供应器相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压时，所述第一材料的第一层沉积于所述基板上，且所述基板被所述第二离子束蚀刻。

14.根据权利要求12所述的装置，其中所述靶材组件更包括第二靶材部分，所述第二靶材部分包括第二材料，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与第三离子束。

15.根据权利要求14所述的装置，其中当所述基板平台在所述第一点与所述第二点之间扫描所述基板且所述偏压***相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压时，所述第一材料的第一层沉积于所述基板上，且第二材料的第二层沉积于所述第一层上。