CN107564854B - Oled背板制作方法 - Google Patents
Oled背板制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107564854B CN107564854B CN201710735718.9A CN201710735718A CN107564854B CN 107564854 B CN107564854 B CN 107564854B CN 201710735718 A CN201710735718 A CN 201710735718A CN 107564854 B CN107564854 B CN 107564854B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- interlayer insulating
- drain metal
- oled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开一种OLED背板制作方法，其包括以下步骤，在玻璃基板上形成半导体层并进行图案化工艺；在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦层；对层间绝缘层的位于源漏金属层覆盖范围之外且位于平坦层覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层的对应于位于平坦层覆盖范围之外的源漏金属层边缘的部分刻蚀形成底切结构；在平坦层以及位于平坦层覆盖范围之外的层间绝缘层和源漏金属层上形成像素电极，像素电极的位于平坦层覆盖范围之外的部分被底切结构断开；进行光刻工艺；进行光刻胶剥离。本发明能够改善现有OLED产品制作工艺中因银残留而导致的显示不良，同时具备与现有OLED产品的其他工艺的较佳的兼容性。
Description
技术领域
本发明涉及OLED制作工艺，尤其涉及一种OLED背板制作方法。
背景技术
目前OLED显示产品在小尺寸产品中所占份额越来越高，且在中尺寸产品中页逐渐崭露头角，因此可预见OLED显示产品在未来将会不断加速发展。在中小尺寸显示产品中，市场对显示产品的高分辨的需求也在逐渐增加、在高分辨OLED产品中，除对栅极、源漏极、过孔等图形解像力要求越来越小之外，像素电极层(ITO/Ag/ITO)也有特殊的难度。
具体而言，参阅图1和图2所示，图1示出一种现有OLED背板的进行像素电极光刻工艺时的结构示意图；图2示出该OLED背板完成制作工艺后的结构示意图。
如图1和图2所示，该现有的OLED背板主要包括大致依序形成的玻璃基板101、半导体层102、栅极绝缘层103、栅极层104、层间绝缘层105、源漏金属层106、平坦层107、像素电极108、像素限定层111以及隔垫物层112。
如图1和图2所示，由于现有OLED背板的像素电极108形成于平坦层107之上，为保证OLED器件可以在平整的基底形成，平坦层107一般较厚(厚度可达1.5～2.5um)，因此会在显示区和连接区113(即Bonding区)之间产生段差。该段差会导致像素电极108在光刻时的光刻胶109厚度不均，即显示区光刻胶109的厚度较薄，而连接区的光刻胶109的厚度较厚，从而导致曝光的工艺裕度(Margin)非常小，甚至无法同时满足显示区和连接区113的曝光需要。如果曝光能量偏小，则连接区113的光刻胶109会产生残留，导致大面积银残留1081并将下层的源漏金属层106短路，造成显示不良。如曝光量过大，则显示区会出现断线不良。
发明内容
本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种避免像素电极银残留现象的OLED背板制作方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
根据本发明的一个方面，提供一种OLED背板制作方法，其中，包括以下步骤：
在玻璃基板上形成半导体层并进行图案化工艺；
在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦层；
对层间绝缘层的位于源漏金属层覆盖范围之外且位于平坦层覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层的对应于位于平坦层覆盖范围之外的源漏金属层边缘的部分刻蚀形成底切结构；
在平坦层以及位于平坦层覆盖范围之外的层间绝缘层和源漏金属层上形成像素电极，像素电极的位于平坦层覆盖范围之外的部分被底切结构断开；
进行光刻工艺；以及
进行光刻胶剥离。
根据本发明的其中一个实施方式，所述半导体层在进行图案化工艺之前，对所述半导体层进行脱氢和退火工艺。
根据本发明的其中一个实施方式，对所述半导体层进行的退火工艺采用准分子激光退火工艺。
根据本发明的其中一个实施方式，所述底切结构的宽度为0.1μm～1μm。
根据本发明的其中一个实施方式，对所述层间绝缘层的刻蚀工艺采用干法刻蚀工艺。
根据本发明的其中一个实施方式，所述像素电极采用ITO/Ag/ITO结构。
根据本发明的其中一个实施方式，还包括以下步骤：
在光刻胶剥离后，形成像素限定层。
根据本发明的其中一个实施方式，还包括以下步骤：
在所述像素限定层上形成隔垫物层。
由上述技术方案可知，本发明提出的OLED背板制作方法的优点和积极效果在于：
本发明提出的OLED背板制作方法，通过在平坦层工艺后，增加对层间绝缘层的刻蚀，并在其对应未被平坦层覆盖的源漏金属层的边缘的部分形成底切结构，从而避免像素电极将源漏金属层的引线短路。据此，本发明能够大幅改善现有OLED产品制作工艺中因银残留而导致的显示不良，同时具备与现有OLED产品的其他工艺的较佳的兼容性。
附图说明
通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施方式的详细说明，本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：
图1是一种现有OLED背板的进行像素电极光刻工艺时的结构示意图；
图2是图1示出的OLED背板完成制作工艺后的结构示意图；
图3是采用本发明的OLED背板制作方法的OLED背板的结构示意图一；
图4是图3示出的OLED背板的结构示意图二；
图5是图3示出的OLED背板的结构示意图三；
图6是图3示出的OLED背板的结构示意图四；
图7是图3示出的OLED背板的结构示意图五；
图8是图3示出的OLED背板的结构示意图六。
其中，附图标记说明如下：
101.玻璃基板；
102.半导体层；
103.栅极绝缘层；
104.栅极层；
105.层间绝缘层；
106.源漏金属层；
107.平坦层；
108.像素电极；
1081.银残留；
109.光刻胶；
111.像素限定层；
112.隔垫物层；
113.连接区；
201.玻璃基板；
202.半导体层；
203.栅极绝缘层；
204.栅极层；
205.层间绝缘层；
2051.刻蚀槽；
2052.底切结构；
206.源漏金属层；
207.平坦层；
208.像素电极；
209.光刻胶；
211.像素限定层；
212.隔垫物层；
213.连接区。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本发明。
在对本发明的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本发明的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本发明的多个方面的不同示例性结构、***和步骤。应理解，可以使用部件、结构、示例性装置、***和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本发明范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“端部”、“之间”、“外周”等来描述本发明的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本发明的范围内。
参阅图3至图8，其分别示出了处于本发明提出的OLED背板制作方法各主要步骤中的OLED背板的结构示意图。在该示例性实施方式中，本发明提出的OLED背板制作方法是以OLED产品为例进行说明。本领域技术人员容易理解的是，为将该制作方法的设计应用于其他显示产品的制作中，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本发明提出的OLED背板制作方法的原理的范围内。
在本实施方式中，本发明提出的OLED背板制作方法主要包括以下步骤：
在玻璃基板201上形成半导体层202并进行图案化工艺；
在半导体层202上依次形成栅极绝缘层203、栅极层204、层间绝缘层205、源漏金属层206和平坦层207；
对层间绝缘层205的位于源漏金属层206覆盖范围之外且位于平坦层207覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层205的对应于位于平坦层207覆盖范围之外的源漏金属层206边缘的部分刻蚀形成底切结构2052；
在平坦层207以及位于平坦层207覆盖范围之外的层间绝缘层205和源漏金属层206上形成像素电极208，像素电极208的位于平坦层207覆盖范围之外的部分被底切结构2052断开；
进行光刻工艺；以及
进行光刻胶209剥离。
承上所述，图3至图8分别示出了OLED背板制作方法中，实施各步骤或工艺时的OLED背板结构图。具体而言，图3代表性地示出了形成半导体层202、栅极绝缘层203、栅极层204、层间绝缘层205、源漏金属层206和平坦层207后的OLED背板结构；图4代表性地示出了对层间绝缘层205进行刻蚀并形成底切结构2052后的OLED背板结构；图5代表性地示出了形成像素电极208后的OLED背板结构；图6代表性地示出了涂覆光刻胶209后的OLED背板结构；图7代表性地示出了光刻胶209剥离后的OLED背板结构；图8代表性地示出了形成像素限定层211和隔垫物层212后的OLED背板结构。以下结合上述附图，对本发明提出的OLED背板制作方法各主要步骤或工艺进行详细说明。
如图3所示，在本实施方式中，半导体层202形成于玻璃基板201之上，并且在半导体层202形成后，对半导体层202进行图案化工艺，以形成半导体层202图案。栅极绝缘层203形成于半导体层202之上，同时栅极绝缘层203在未形成半导体层202的部分是形成于栅极绝缘层203之上。栅极层204形成于栅极绝缘层203之上，并且在栅极层204形成后，对栅极层204进行图案化工艺，以形成栅极层204图案。层间绝缘层205形成于栅极层204之上，同时层间绝缘层205在未形成栅极层204的部分是形成于栅极绝缘层203之上。源漏金属层206形成于层间绝缘层205之上。平坦层207形成于源漏金属层206之上。
需说明的是，在针对上述步骤的描述中，是结合附图对OLED背板部分层叠结构的简要说明。上述各步骤分别可采用现有OLED背板制作方法的各种工艺，并不以本实施方式为限。并且，与现有工艺相同或类似的步骤在本说明书中并未详细说明，但并不限制本发明提出的OLED背板制作方法采用相关工艺。举例来说，为了在层间绝缘层205上形成源漏金属层206，层间绝缘层205可经过离子注入后沉积而成，并形成与所有形成的源漏金属层206对应的图案。
进一步地，在本实施方式中，半导体层202在进行图案化工艺之前，对半导体层202进行脱氢和退火工艺。
更进一步地，在本实施方式中，对半导体层202进行的退火工艺优选地采用准分子激光退火工艺。
如图4所示，在本实施方式中，层间绝缘层205与源漏金属层206的位于平坦层207覆盖范围之外的部分即形成OLED背板的连接区213(bonding)，本发明提出的OLED背板制作方法是对所述连接区213内的部分层间绝缘层205刻蚀掉一部分。具体而言，相关步骤中对层间绝缘层205的刻蚀主要是指对层间绝缘层205的形成连接区213的部分进行刻蚀。即，在连接区213的范围内(位于平坦层207覆盖范围之外)，对层间绝缘层205的位于源漏金属层206覆盖范围之外的部分进行刻蚀，形成图4所示的刻蚀槽2051的结构，同时在层间绝缘层205的对应于源漏金属层206边缘的部分刻蚀形成底切结构2052。
进一步地，如图4所示，在本实施方式中，刻蚀槽2051与相邻的底切结构2052相连，底切结构2052亦可理解为，由刻蚀槽2051向相邻的源漏金属层206边缘进一步延伸刻蚀而成。
进一步地，如图4所示，在本实施方式中，底切结构2052的宽度优选为0.1μm～1μm。
进一步地，在本实施方式中，相关步骤中对层间绝缘层205的刻蚀优选地采用干法刻蚀工艺。
如图5所示，在本实施方式中，像素电极208是形成在平坦层207之上(包括在平坦层207刻蚀部分形成在源漏金属层206之上)。同时，在连接区213的范围内，像素电极208是形成在层间绝缘层205的刻蚀槽2051的槽底之上和源漏金属层206之上，且由于源漏金属层206边缘的阻挡，底切结构2052上未形成像素电极208，即像素电极208的位于连接区213的部分被各个底切结构2052断开，从而解决了现有OLED背板制作过程中金属(Ag)残留而导致显示不良的问题。
进一步地，在本实施方式中，像素电极208优选地采用ITO/Ag/ITO结构。
如图6和图7所示，在本实施方式中，光刻工艺包括涂覆光刻胶209和曝光刻蚀，且残留的光刻胶209在光刻工艺后剥离。具体而言，由于像素电极208的位于连接区213的部分被各个底切结构2052断开，则未形成像素电极208的底切结构2052中的光刻胶209可被完全剥离，从而避免了现有OLED背板制作过程中光刻胶残留现象发生。
如图8所示，在本实施方式中，本发明提出的OLED背板制作方法，进行上述步骤或工艺后，即在光刻胶209剥离之后，还包括形成像素限定层211的步骤。具体而言，像素限定层211形成在像素电极208之上，且对于未形成像素电极208的部分平坦层207，像素限定层211形成在平坦层207之上，同时像素限定层211还形成在连接区213内的部分像素电极208和源漏金属层206之上。
如图8所示，在本实施方式中，本发明提出的OLED背板制作方法，进行上述步骤或工艺后，即在形成像素限定层211之后，还包括在像素限定层211上形成隔垫物层212的步骤。
在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的OLED背板制作方法仅仅是能够采用本发明原理的许多种OLED背板制作方法中的几个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的OLED背板制作方法的任何细节或OLED背板制作方法的任何部件。
综上所述，本发明提出的OLED背板制作方法，通过在平坦层工艺后，增加对层间绝缘层的刻蚀，并在连接区内的层间绝缘层对应于源漏金属层的边缘的部分形成底切结构，从而避免像素电极将源漏金属层的引线短路。据此，本发明能够大幅改善现有OLED产品制作工艺中因银残留而导致的显示不良，同时具备与现有OLED产品的其他工艺的较佳的兼容性。
以上详细地描述和/或图示了本发明提出的OLED背板制作方法的示例性实施方式。但本发明的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式，相反，每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
虽然已根据不同的特定实施例对本发明提出的OLED背板制作方法进行了描述，但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本发明的实施进行改动。
Claims (7)
1.一种OLED背板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基板上形成半导体层并进行图案化工艺；
在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦层；
对层间绝缘层的位于源漏金属层覆盖范围之外且位于平坦层覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层的对应于位于平坦层覆盖范围之外的源漏金属层边缘的部分刻蚀形成底切结构；
在平坦层以及位于平坦层覆盖范围之外的层间绝缘层和源漏金属层上形成像素电极，像素电极采用ITO/Ag/ITO结构，像素电极的位于平坦层覆盖范围之外的部分被底切结构断开；
进行光刻工艺；以及
进行光刻胶剥离。
2.根据权利要求1所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述半导体层在进行图案化工艺之前，对所述半导体层进行脱氢和退火工艺。
3.根据权利要求2所述的OLED背板制作方法，其特征在于，对所述半导体层进行的退火工艺采用准分子激光退火工艺。
4.根据权利要求1所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述底切结构的宽度为0.1μm～1μm。
5.根据权利要求1所述的OLED背板制作方法，其特征在于，对所述层间绝缘层的刻蚀工艺采用干法刻蚀工艺。
6.根据权利要求1～5任一项所述的OLED背板制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在光刻胶剥离后，形成像素限定层。
7.根据权利要求6所述的OLED背板制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述像素限定层上形成隔垫物层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710735718.9A CN107564854B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | Oled背板制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710735718.9A CN107564854B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | Oled背板制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107564854A CN107564854A (zh) | 2018-01-09 |
| CN107564854B true CN107564854B (zh) | 2020-04-03 |
Family
ID=60976603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710735718.9A Active CN107564854B (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | Oled背板制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107564854B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11011591B2 (en) | 2019-05-28 | 2021-05-18 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method for fabricating same |
| CN110277508B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217153A (zh) * | 2008-01-18 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列结构及其制造方法 |
| CN101859793A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-10-13 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
-
2017
- 2017-08-24 CN CN201710735718.9A patent/CN107564854B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217153A (zh) * | 2008-01-18 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列结构及其制造方法 |
| CN101859793A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-10-13 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107564854A (zh) | 2018-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10504985B2 (en) | Method of fabricating organic light-emitting display device including substrate having plurality of trenches | |
| JP7438971B2 (ja) | フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置 | |
| KR101182231B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8603845B2 (en) | Array substrate for organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
| US20100051934A1 (en) | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same | |
| WO2016023294A1 (zh) | 阵列基板及制备方法和显示装置 | |
| JP6521534B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置 | |
| KR102410426B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US10396209B2 (en) | Thin film transistor comprising light shielding layers, array substrate and manufacturing processes of them | |
| JP6616900B2 (ja) | Ｏｌｅｄディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US20190027612A1 (en) | Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus | |
| WO2017031940A1 (zh) | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 | |
| KR20120069457A (ko) | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN107564854B (zh) | Oled背板制作方法 | |
| CN112002636A (zh) | 阵列基板、其制备方法以及显示面板 | |
| KR20140013166A (ko) | 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20170007617A (ko) | 박막트랜지스터 기판의 제조방법 | |
| CN105374827A (zh) | 显示设备和用于制造该显示设备的方法 | |
| WO2017049885A1 (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN109212920B (zh) | 显示基板及其对位标记的制作方法、显示面板和显示装置 | |
| US10685989B2 (en) | Method for manufacturing display panel, display panel, and display device | |
| CN106601669A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法 | |
| KR20130024091A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 유기발광표시장치 제조방법 | |
| CN112543997B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN115811897A (zh) | 显示面板和电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |