CN107516708A - 一种led器件及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Abstract
本发明公开了一种LED器件，包括：通过绝缘胶体连接的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极构成支架底板，支架底板的四周环绕设置有反光杯；在第一电极上安装有LED芯片；在第一电极和第二电极中的任一电极的上表面设有一凹槽，凹槽内安装有稳压二极管；凹槽内填充有反射胶层，反射胶层覆盖稳压二极管，且稳压二极管的高度低于凹槽的高度；反光杯内填充有光转换层，光转换层覆盖所述LED芯片。本发明还公开了一种LED器件的制作方法。本发明的LED器件以及LED器件的制作方法，可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管，在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED器件及其制作方法。
背景技术
由于LED器件属于静电敏感器件，在使用过程中容易遭受静电或高电压浪涌的冲击而被损坏，因此，为了防止静电、高电压浪涌对LED器件所引起的破坏，现有LED器件在封装过程中的通用做法是在LED芯片两端并联一颗稳压二极管。但是，因为稳压二极管属于硅基掺杂制作而成的二极管，会吸收LED芯片发射的光，造成LED器件的亮度下降。
为了避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，已经提出了防止稳压二极管吸光的措施。例如，发明专利CN100543985C中提出一种具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管，能够提高发光二极管的亮度。但是，在这种发光二极管中，LED芯片与稳压二极管安装于相邻位置，LED芯片和稳压二极管的合计面积成为整体的元件安装区，这就导致LED体积较大；另外，现有的LED封装载体的安装区如图1所示，在反光杯的安装区内放置LED芯片后，已经没有空间固晶焊线，因此，该发明专利不能实现现有LED封装载体下的LED器件防静电功能。
发明内容
针对上述问题，本发明的一种LED器件及其制作方法，能够有效避免稳压二极管占用较大的安装区，可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管，且在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率。
为解决上述技术问题，本发明的一种LED器件，包括：
通过绝缘胶体连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极构成支架底板，所述支架底板的四周环绕设置有反光杯；
在所述第一电极上安装有LED芯片，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；
在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面设有一凹槽，所述凹槽内安装有稳压二极管；其中，所述稳压二极管与所述LED芯片并联；
所述凹槽内填充有反射胶层，所述反射胶层覆盖所述稳压二极管，且所述稳压二极管的高度低于所述凹槽的高度；
所述反光杯内填充有光转换层，所述光转换层覆盖所述LED芯片。
与现有技术相比，本发明的一种LED器件具有以下有益效果：
通过在第一电极和第二电极中的任一个电极的上表面设置容纳稳压二极管的凹槽，能够为稳压二极管让出安装空间，避免稳压二极管占用LED芯片的相邻位置，使得整体元件的安装区小型化；同时，由于稳压二极管容纳于凹槽中，LED芯片安装在第一电极上，使得在安装LED芯片和稳压二极管之后，元件安装区中仍有空间用于固晶焊线，进而可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管；
由于在凹槽内填充有反射胶体，且该反射胶体覆盖稳压二极管，进而使得反射胶体能够将凹槽和安装LED芯片的区域进行隔离，LED芯片发射的光可通过反光杯和该反射胶体进行反射，可有效避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，进而在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率。
作为上述方案的改进，所述反光杯的内侧壁向内沿所述支架底板的上表面延伸，以覆盖所述支架底板的上表面边缘。
作为上述方案的改进，所述稳压二极管为垂直型稳压二极管，所述垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与所述凹槽的底部电连接，所述垂直型稳压二极管的另一端与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极通过导线连接。
作为上述方案的改进，所述稳压二极管为单向稳压二极管或双相稳压二极管。
作为上述方案的改进，所述反射胶体为具有高反射率的反射胶体。
作为上述方案的改进，所述LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种LED器件的制作方法，包括如下步骤：
将金属铜片蚀刻成第一电极和第二电极；
采用蚀刻工艺或冲压工艺，在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面制作一凹槽；
采用模具注塑成型工艺，在所述第一电极和所述第二电极之间填充绝缘胶体以构成支架底板，以及在所述支架底板的四周环绕制作反光杯；
将LED芯片安装在所述第一电极上；其中，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；
将稳压二极管安装在所述凹槽内，所述稳压二极管与所述LED芯片并联，所述稳压二极管的高度低于所述凹槽；
采用点胶工艺在所述凹槽内点涂反射胶层以覆盖所述稳压二极管，使得所述凹槽与所述反光杯内用于安装LED芯片的区域相互隔离；
采用点胶工艺在所述反光杯内点涂光转换胶层，以覆盖所述LED芯片。
与现有技术相比，本发明的一种LED器件的制作方法具有以下有益效果：
通过在第一电极和第二电极中的任一个电极的上表面制作一容纳稳压二极管的凹槽，能够为稳压二极管让出安装空间，避免稳压二极管占用LED芯片的相邻位置，使得整体元件的安装区小型化；同时，由于稳压二极管容纳于凹槽中，LED芯片安装在第一电极上，使得在安装LED芯片和稳压二极管之后，元件安装区中仍有空间用于固晶焊线，进而可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管；
通过在凹槽内填充反射胶体，并使该反射胶体覆盖稳压二极管，进而使得反射胶体能够将凹槽和安装LED芯片的区域进行隔离，LED芯片发射的光可通过反光杯和该反射胶体进行反射，可有效避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，进而在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率；
本发明的LED制作方法简单，所采用的工艺简单、易行、成熟，且适合流水线工作，可有效实现在小反光杯中集成稳压二极管，使得制作的LED器件小型化。
作为上述方案的改进，所述稳压二极管为垂直型稳压二极管；所述将稳压二极管安装在所述凹槽内，包括如下步骤：
将所述垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与所述凹槽的底部电连接；
采用焊线工艺将所述垂直型稳压二极管的另一端与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极通过导线连接。
作为上述方案的改进，所述LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。
附图说明
图1是本发明现有技术中LED封装载体的安装区的结构示意图。
图2是本发明实施例1的LED器件的结构示意图。
图3是本发明实施例2的LED器件结构示意图。
图4是本发明实施例2中LED芯片为垂直型LED芯片时LED器件的结构示意图。
图5是本发明实施例2中凹槽设于第二电极上时LED器件的结构示意图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
下面结合具体实施例和附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述。
实施例1
如图2所示，是本发明实施例1的一种LED器件1，包括：通过绝缘胶体13连接的第一电极11和第二电极12，第一电极11和第二电极12构成支架底板，支架底板的四周环绕设置有反光杯14，该反光杯14由白色塑胶制成；在第一电极11上安装有LED芯片15，LED芯片15的正极端与第一电极11电连接，LED芯片15的负极端与第二电极12电连接；在第一电极11和第二电极12中的任一电极的上表面设有一凹槽16，凹槽16内安装有稳压二极管161；其中，稳压二极管161与LED芯片15并联；凹槽16内填充有反射胶体162，反射胶体162覆盖稳压二极管161，且稳压二极管161的高度低于凹槽16的高度；反光杯14内填充有光转换层141，光转换层141覆盖LED芯片15。
与现有技术相比，本发明的一种LED器件1具有以下有益效果：
(1)通过在第一电极11和第二电极12中的任一个电极的上表面设置容纳稳压二极管161的凹槽16，能够为稳压二极管161让出安装空间，避免稳压二极管161占用LED芯片15的相邻位置，使得整体元件的安装区小型化；同时，由于稳压二极管161容纳于凹槽16中，LED芯片15安装在第一电极11上，使得在安装LED芯片15和稳压二极管161之后，元件安装区中仍有空间用于固晶焊线，进而可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管161；
(2)由于在凹槽16内填充有反射胶体162，且该反射胶体162覆盖稳压二极管161，进而使得反射胶体162能够将凹槽16和安装LED芯片15的区域进行隔离，LED芯片15发射的光可通过反光杯14和该反射胶体162进行反射，可有效避免稳压二极管161吸收LED芯片15发射的光，进而在保证LED器件1具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件1的出光效率。
较佳地，在实施例1的LED器件1中，反光杯14的内侧壁向内沿支架底板的上表面延伸，以覆盖支架底板的上表面边缘，使得反光杯14的底部包裹支架底板的侧壁和上表面边缘，增加反光杯14与支架底板之间的接触面积和相互配合关系，进而增强反光杯14与支架底板之间的结合力；同时，反光杯14的顶部直径大于底部直径，使得反光杯14的内壁具有一定倾斜度，可提高LED器件1的反光效果。
较佳地，在实施例1的LED器件1中，绝缘胶体13为具有高反射作用的绝缘胶体，可避免绝缘胶体13吸收LED芯片15发射的光，且通过绝缘胶体13可将LED芯片15发射的光进行反射，提高LED器件1的出光效率。
较佳地，实施例1中的反射胶体162为具有高反射率的反射胶体。
实施例2
本发明的实施例2在实施例1所涉技术方案的基础上，改进为：稳压二极管为垂直型稳压二极管，垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与凹槽的底部电连接，垂直型稳压二极管的另一端与第一电极和第二电极中的另一电极通过导线连接。具体地，稳压二极管可以是单向稳压二极管或双相稳压二极管。LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。
接下来，以稳压二极管为垂直型单向稳压二极管、LED芯片为正装型LED芯片、以及凹槽设置于第一电极为例，对该实施例进行详细说明。由于双相稳压二极管的设置方式与单向稳压二极管相似，在此，不一一列举。
如图3所示，稳压二极管161为垂直型单向稳压二极管，该稳压二极管161的负极端通过第一导电胶体163直接与凹槽16的底部进行电连接，该稳压二极管161的正极端通过导线与第二电极12进行电连接，以实现与LED芯片15的反向并联，同时，由于该稳压二极管161的负极端通过第一导电胶体163直接与凹槽16的底部进行电连接，使得该稳压二极管161的负极端与凹槽16底部具有较大的接触面积，可有效提高该稳压二极管161的焊接工艺良率。正装型LED芯片151的正极端通过导线与第一电极11电连接，该正装型LED芯片151的负极端通过导线与第二电极12电连接。
进一步地，如图4所示，当LED芯片15为垂直型LED芯片152时，该垂直型LED芯片152的正极端通过第二导电胶体153与第一电极11直接连接，该垂直型LED芯片152的负极端通过导线与第二电极12连接，由于该垂直型LED芯片152的负极端通过第二导电胶体152直接与凹槽16的底部进行电连接，使得垂直型LED芯片152的负极端与凹槽16底部具有较大的接触面积，可有效提高垂直型LED芯片152的焊接工艺良率。
可以理解的，如图5所示，该凹槽16还可以设置于第二电极12上，当凹槽16设于第二电极12上时，该稳压二极管161的正极端通过第一导电胶体163直接与凹槽16的底部进行电连接，该稳压二极管161的负极端通过导线与第二电极12进行电连接。
实施例3
本发明还提供一种LED器件的制作方法，包括如下步骤：
S1、将金属铜片蚀刻成第一电极和第二电极；
S2、采用蚀刻工艺或冲压工艺，在第一电极和第二电极中的任一电极的上表面制作一凹槽；
S3、采用模具注塑成型工艺，在第一电极和第二电极之间填充绝缘胶体以构成支架底板，以及在支架底板的四周环绕制作反光杯；
S4、将LED芯片安装在第一电极上；其中，LED芯片的正极端与第一电极电连接，LED芯片的负极端与第二电极电连接；
S5、将稳压二极管安装在凹槽内，稳压二极管与LED芯片并联，稳压二极管的高度低于凹槽；
S6、采用点胶工艺在凹槽内点涂反射胶层以覆盖稳压二极管，使得凹槽与反光杯内用于安装LED芯片的区域相互隔离；
S7、采用点胶工艺在反光杯内点涂光转换胶层，以覆盖LED芯片。
其中，步骤S4和步骤S5的步骤顺序可调换。
与现有技术相比，本发明的一种LED器件的制作方法具有以下有益效果：
(1)通过在第一电极和第二电极中的任一个电极的上表面制作一容纳稳压二极管的凹槽，能够为稳压二极管让出安装空间，避免稳压二极管占用LED芯片的相邻位置，使得整体元件的安装区小型化；同时，由于稳压二极管容纳于凹槽中，LED芯片安装在第一电极上，使得在安装LED芯片和稳压二极管之后，元件安装区中仍有空间用于固晶焊线，进而可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管；
(2)通过在凹槽内填充反射胶体，并使该反射胶体覆盖稳压二极管，进而使得反射胶体能够将凹槽和安装LED芯片的区域进行隔离，LED芯片发射的光可通过反光杯和该反射胶体进行反射，可有效避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，进而在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率；
(3)本发明的LED制作方法简单，所采用的工艺简单、易行、成熟，且适合流水线工作，可有效实现在小反光杯中集成稳压二极管，使得制作的LED器件小型化。
较佳地，在实施例4中，LED芯片为正装型LED芯片，步骤S4将LED芯片安装在第一电极上，具体为：
采用焊线工艺分别将LED芯片的正极端通过导线与第一电极连接，将LED芯片的负极端通过导线与第二电极连接。
进一步地，该LED芯片还可以是垂直型LED芯片，步骤S4将LED芯片安装在第一电极上，包括：
S41、将LED芯片的正极端通过导电胶体与第一电极连接；
S42、采用焊线工艺将LED芯片的负极端通过导线与第二电极连接。
较佳地，在实施例4中，稳压二极管为垂直型稳压二极管；步骤S5将稳压二极管安装在所述凹槽内，包括如下步骤：
S51、将垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与凹槽的底部电连接；
S52、采用焊线工艺将垂直型稳压二极管的另一端与第一电极和第二电极中的另一电极通过导线连接。
更为具体地，稳压二极管可以是单向稳压二极管或双相稳压二极管。
优选地，上述实施例中的导线为金线。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，故凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种LED器件，其特征在于，包括：
通过绝缘胶体连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极构成支架底板，所述支架底板的四周环绕设置有反光杯；
在所述第一电极上安装有LED芯片，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；
在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面设有一凹槽，所述凹槽内安装有稳压二极管；其中，所述稳压二极管与所述LED芯片并联；
所述凹槽内填充有反射胶层，所述反射胶层覆盖所述稳压二极管，且所述稳压二极管的高度低于所述凹槽的高度；
所述反光杯内填充有光转换层，所述光转换层覆盖所述LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述反光杯的内侧壁向内沿所述支架底板的上表面延伸，以覆盖所述支架底板的上表面边缘。
3.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述稳压二极管为垂直型稳压二极管，所述垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与所述凹槽的底部电连接，所述垂直型稳压二极管的另一端与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极通过导线连接。
4.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述稳压二极管为单向稳压二极管或双相稳压二极管。
5.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述反射胶体为具有高反射率的反射胶体。
6.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。
7.一种LED器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
将金属铜片蚀刻成第一电极和第二电极；
采用蚀刻工艺或冲压工艺，在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面制作一凹槽；
采用模具注塑成型工艺，在所述第一电极和所述第二电极之间填充绝缘胶体以构成支架底板，以及在所述支架底板的四周环绕制作反光杯；
将LED芯片安装在所述第一电极上；其中，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；
将稳压二极管安装在所述凹槽内，所述稳压二极管与所述LED芯片并联，所述稳压二极管的高度低于所述凹槽；
采用点胶工艺在所述凹槽内点涂反射胶层以覆盖所述稳压二极管，使得所述凹槽与所述反光杯内用于安装LED芯片的区域相互隔离；
采用点胶工艺在所述反光杯内点涂光转换胶层，以覆盖所述LED芯片。
8.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于，所述稳压二极管为垂直型稳压二极管；所述将稳压二极管安装在所述凹槽内，包括如下步骤：
将所述垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与所述凹槽的底部电连接；
采用焊线工艺将所述垂直型稳压二极管的另一端与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极通过导线连接。
9.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于，所述LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。
10.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于，所述反射胶体为具有高反射率的反射胶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710806615.7A CN107516708A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种led器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710806615.7A CN107516708A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种led器件及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107516708A true CN107516708A (zh) | 2017-12-26 |
Family
ID=60725194
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710806615.7A Pending CN107516708A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种led器件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN107516708A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111463334A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-28 | 中国科学院半导体研究所 | 一种陶瓷基板及其封装方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202905713U (zh) * | 2012-06-25 | 2013-04-24 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led封装结构 |
| CN104425479A (zh) * | 2013-08-22 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| CN104752369A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光电元件模组 |
| CN106356441A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN207320164U (zh) * | 2017-09-08 | 2018-05-04 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led器件 |
-
2017
- 2017-09-08 CN CN201710806615.7A patent/CN107516708A/zh active Pending
Patent Citations (5)
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| CN202905713U (zh) * | 2012-06-25 | 2013-04-24 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led封装结构 |
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