CN107507839A - 一种阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；遮光层，形成于所述基板上；缓冲层，形成于所述遮光层上；半导体层，形成于所述缓冲层上；保护层，形成于所述半导体层上；绝缘层，形成于所述保护层上；层间介质层，形成于所述保护层上；所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置，在半导体层上覆盖设置绝缘层，有效的确保需要导体化的半导体层区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效降低对半导体层的导体化部分的阻抗影响。

Description

一种阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlightmodule)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CFSubstrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFTSubstrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(LiquidCrystal，LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。
在顶栅自对准型薄膜晶体管制程中，需要对半导体层进行导体化处理，然而在已经进行导体化过程的半导体层会在后续的制程中受到明显影响，影响半导体层的导体化效果，使得半导体层达不到预期的效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有效保护的半导体层导体化效果的阵列基板。
此外，本发明还提供一种阵列基板的制作方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
遮光层，形成于所述基板上；
缓冲层，形成于所述遮光层上；
半导体层，形成于所述缓冲层上；
保护层，形成于所述半导体层上；
绝缘层，形成于所述保护层上；
层间介质层，形成于所述保护层上；
其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
其中，所述保护层完全覆盖半导体层的表面，所述保护层上设有两个通孔，两个所述通孔设在所述绝缘层的两侧。这样，将保护层完全覆盖半导体表面设置，能够有效的对半导体层进行保护，有效的防止裸露的导体化处理的半导体层会在后续的制程中受到明显影响，从而有效的避免导体化处理的半导体层的阻抗在再次恢复到较大的状态，进而保证半导体层达到良好的预期效果，而且保护层完全覆盖半导体表面设置能够避免导体化制程对半导体层的过度处理而产生缺陷，从而保证主动开关的开态电流的稳定性，进一步的提高显示面板的显示效果。
其中，所述保护层在所述基板上的正投影区域与所述半导体层在所述基板上的正投影区域相重合。这样，采用这种设置能够更好的对半导体层对应的区域进行保护，在对半导体层进行导体化处理是能够有效的避免导体化制程对半导体层的过度处理而产生缺陷，从而保证主动开关的开态电流的稳定性，而且这样设置能够有效的节约阵列基板的生产耗材，更好的降低阵列基板的生产成本，进一步的提高显示面板的市场竞争力。
其中，所述保护层采用与所述绝缘层相同的材料，所述保护层与所述绝缘层为一体成型结构。这样，可采用同一道光罩制程进行制作生产，未增加制程难度及光罩数量，进一步的保证了显示面板的产能，使得显示面板更具有市场竞争力。
其中，所述源极层和所述漏极层上设有钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极层和所述漏极层设置，所述钝化层与所述保护层之间设有层间介质层。这样，通过将钝化层覆盖于主动开关上，能有效防止后续制程中对层间介质层的腐蚀造成气体溢出问题的出现，使得钝化层能够非常好的对层间介质层进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命和效率。
其中，所述半导体层采用氧化物半导体材料制成。这样，采用氧化物半导体材料形成半导体层来制作的主动开关具有较高的开关电流化比和较高的场效应迁移率，响应速度快，能够实现较大的驱动电流，可以制备大面积的显示面板。
根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
遮光层，形成于所述基板上；
缓冲层，形成于所述遮光层上；
半导体层，形成于所述缓冲层上；
保护层，形成于所述半导体层上；
绝缘层，形成于所述保护层上；
层间介质层，形成于所述保护层上；
其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度；所述保护层完全覆盖半导体层的表面，所述保护层上设有两个通孔，两个所述通孔设在所述绝缘层的两侧；所述保护层在所述基板上的正投影区域与所述半导体层在所述基板上的正投影区域相重合；所述源极层和所述漏极层上设有钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极层和所述漏极层设置，所述钝化层与所述保护层之间设有层间介质层；所述保护层采用与绝缘层相同的材料；所述半导体层采用氧化物半导体材料制成。
根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种阵列基板的制作方法，包括步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成遮光层；
在所述遮光层上形成缓冲层；
在缓冲层上设置半导体层；
在所述半导体层上设置保护材料层和绝缘材料层；
采用同一道光罩获得保护层和绝缘层；
在绝缘层上形成栅极层；
在所述保护层和栅极层上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层；
所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
这样，采用同一道光罩对绝缘材料层和栅极材料层进行刻蚀，先对绝缘层进行刻蚀，再对绝缘材料层进行刻蚀时，获得绝缘层和保护层，保护层能够有效的确保需要导体化的半导体层区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效的降低对半导体层的导体化部分的阻抗影响，从而保证主动开关的开态电流的稳定性，进一步的提高显示面板的显示效果；而且绝缘层覆盖设置半导体层上，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小缺陷态的产生；同时这样设置未增加制程难度及光罩数量，也不会对制备阵列基板的产能产生影响。
其中，所述在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层的步骤包括：
采用等离子体在源极层和漏极层对应的耦接区域轰击保护层；
在层间介质层上蚀刻出连通至耦接区域的通孔；
在层间介质层上涂布金属材料层，金属材料层透过通孔耦接到半导体层；
采用光罩制程蚀刻金属材料层，形成所述源极层和漏极层。
其中，所述保护层采用与绝缘层相同的材料。
本发明由于通过在半导体层上覆盖设置绝缘层，能够有效的确保需要导体化的半导体层区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效的降低对半导体层的导体化部分的阻抗影响，从而保证主动开关的开态电流的稳定性，进一步的提高显示面板的显示效果；而且绝缘层覆盖设置半导体层上，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小阵列基板的缺陷态的产生；同时这样设置未增加制程难度及光罩数量，也不会对制备阵列基板的产能产生影响。
附图说明
图1是本发明实施例的阵列基板的部分横截面的结构示意图；
图2是本发明实施例的阵列基板的部分横截面的结构示意图；
图3是本发明实施例的阵列基板的部分横截面的结构示意图；
图4是本发明实施例的阵列基板制作方法的流程图；
图5是本发明实施例的阵列基板的部分横截面的结构示意图；
图6是本发明实施例的阵列基板制作方法的流程图。
其中：1、基板，11、遮光层，12、缓冲层，13、层间介质层，14、钝化层、15、通孔，2、主动开关，21、栅极层，22、源极层，23、漏极层，24、半导体层，25、绝缘层，26、保护层。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明还公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
遮光层，形成于所述基板上；
缓冲层，形成于所述遮光层上；
半导体层，形成于所述缓冲层上；
保护层，形成于所述半导体层上；
绝缘层，形成于所述保护层上；
层间介质层，形成于所述保护层上；
其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
通过在半导体层24上覆盖设置绝缘层25，能够有效的确保需要导体化的半导体层24区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效的降低对半导体层24的导体化部分的阻抗影响，从而保证主动开关2的开态电流的稳定性，进一步的提高显示面板的显示效果；而且绝缘层25覆盖设置半导体层24上，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小缺陷态的产生；同时这样设置未增加制程难度及光罩数量，也不会对制备阵列基板的产能产生影响。
基板1上形成有主动开关2，主动开关2包括半导体层24，半导体层24目前主要有非晶硅(a-Si)，氧化物(Oxide)和多晶硅(Poly-Si)等。相对于非晶硅，半导体层24具有较高的迁移率，较低的漏电；虽多晶硅TFT迁移率更高，但其成本较高，且目前不合适六代以上的生产线。采用氧化物半导体材料形成半导体层24来制作的主动开关2常用的结构有刻蚀阻挡、背沟道刻蚀、共平面顶栅自对准型(Co-planner Self-Align Top Gate)以及双栅机(DualGate)等结构。其中共平面顶栅自对准型无需考虑沟道刻蚀问题，且自对准的方式能减小沟道长度，提高面板分辨率。
然而在顶栅自对准型主动开关2制程中，难点之一是对氧化物半导体材料形成半导体层24进行导体化处理，需要导体化区域的阻抗，直接影响主动开关2的开态电流；而目前的导体化处理往往采用惰性气体如Ar、He等对半导体层24表面进行物理轰击，亦或采用NH3，H2等进行掺杂。然而，即便半导体层24导体化效果较好，裸露的导体化半导体层24会在后续的制程中受到明显影响，会导致其阻抗在很大程度上再次恢复到较大的状态，而达不到预期效果，通过在半导体层24上覆盖设置绝缘层25，能够有效的解决导体化区域的阻抗问题。
其中，保护层26覆盖半导体层24的表面，保护层26上设有两个通孔，两个通孔设在绝缘层25的两侧，将保护层26完全覆盖半导体表面设置，能够有效的对半导体层24进行保护，有效的防止裸露的导体化处理的半导体层24会在后续的制程中受到明显影响，从而有效的避免导体化处理的半导体层24的阻抗在再次恢复到较大的状态，进而保证半导体层24达到良好的预期效果，而且保护层26完全覆盖半导体表面设置能够避免导体化制程对半导体层24的过度处理而产生缺陷，从而保证主动开关2的开态电流的稳定性，进一步的提高阵列基板的显示效果；通孔的设置方便主动开关2的后续制程的进行，保证主动开关2良好高效的运行。
如图2所示，保护层26在基板上的正投影区域与半导体层24在基板上的正投影区域相重合，采用这种设置能够更好的对半导体层24对应的区域进行保护，在对半导体层24进行导体化处理是能够有效的避免导体化制程对半导体层24的过度处理而产生缺陷，从而保证主动开关2的开态电流的稳定性，而且这样设置能够有效的节约阵列基板的生产耗材，更好的降低阵列基板的生产成本，进一步的提高显示面板的市场竞争力。
其中，主动开关2包括源极层22、漏极层23和栅极层21，源极层22和漏极层23分别连接在半导体层24的两端，绝缘层25设在栅极层21和半导体层24之间，在栅极层21上可设置彩色光阻层，主动开关2能够非常好的起到遮光的作用，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得阵列基板的具有更好的显示效果，而且将彩色光阻层与主动开关2间隔设置能够非常好的定义阵列基板的像素，从而更好的控制和调节显示面板的显示效果，栅极层21设在源极层22和漏极层23之间的位置，也能够起到很好的遮光作用。
其中，基板1上设有遮光层11和缓冲层12，半导体层24形成于缓冲层12上，遮光层11设在源极层22和漏极层23在基板1的正投影之间，且遮光层11在基板1填充源极层22和漏极层23在基板1的正投影之间的间隔空隙，基板1上设置有遮光层11，遮光层11的设置能够非常好的对发光层的光线进行遮挡，有效的避免显示面板漏光，使得显示面板的显示效果更好；遮光层11设在源极层22和漏极层23在基板1的正投影之间，且遮光层11在基板1填充源极层22和漏极层23在基板1的正投影之间的间隔空隙，发光层的光线照射到源极层22和漏极层23上，源极层22和漏极层23对光线进行有效的遮挡，发光层的光线照射到源极层22和漏极层23之间的位置，首先栅极层21能够很好的对光线进行遮挡，没有被遮挡的照射到遮光层11，遮光层11在基板1填充源极层22和漏极层23在基板1的正投影之间的间隔空隙，能够非常有效的对发光层的光线进行遮挡，有效的防止了发光层的光线在主动开关2出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得阵列基板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了阵列基板的显示效果；当然也可以在栅极层21在基板1上的正投影处不设置遮光层11，这样能够非常有效的节省耗材，能够非常好的降低显示面板的生产成本，而且能够有效的降低显示面板的质量，使得显示面板更加的方便移动。
如图3所示，保护层26采用与绝缘层25相同的材料，保护层26与绝缘层25为一体成型结构，保护层26的设置，能够有效的对半导体层24进行覆盖，确保需要导体化的半导体层24区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效的降低对半导体层24的导体化部分的阻抗影响，从而保证主动开关2的开态电流的稳定性，进一步的提高阵列基板的显示效果，而且保护层26的设置，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小缺陷态的产生；同时绝缘层25与保护层26一体成型设置，可采用同一道光罩制程进行制作生产，未增加制程难度及光罩数量，进一步的保证了显示面板的产能，使得显示面板更具有市场竞争力，保护层26的厚度大于100纳米，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小显示面板缺陷态的产生。
其中，主动开关2上设有钝化层14，钝化层14覆盖于主动开关2设置，钝化层14与保护层26之间设有层间介质层13，通过将钝化层14覆盖于主动开关2上，能有效防止后续制程中对层间介质层13的腐蚀造成气体溢出问题的出现，使得钝化层14能够非常好的对层间介质层13进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命，而且不需要增加制程的步骤，可实现对显示面板的有效保护，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。
其中，钝化层14设置两层，源极层22和漏极层23为金属材料制成，源极层22和漏极层23的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置两层钝化层14，能够更好的对源极层22和漏极层23上的金属毛刺进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在钝化层14外，使得钝化层14能够更好的对源极层22和漏极层23进行保护，有效的避免后续的制程对源极层22和漏极层23的影响，从而非常好的提高阵列基板的良品率；可将彩色光阻层设在两层钝化层14之间，能够非常好的对彩色光阻层进行保护，有效的防止后续制程使彩色光阻层的有机材料释放出一些有害杂质气体，从而实现对显示面板的有效保护，增加其效率及寿命。
其中，所述半导体层24采用氧化物半导体材料制成，氧化物半导体材料可选为ZnO，Zn-Sn-O,In-Zn-O,MgZnO,In-Ga-O,InO3等，这些材料的制备可以采用磁控溅射，脉冲激光沉积，电子束蒸发等方法制备，相对于传统的非晶硅存在着载流子迁移率较低，光敏性强的问题，氧化物半导体材料制作的半导体层24具有较高的载流子迁移率特性，而且在均匀性和稳定性等方面都具有明显的优势，显示出了巨大的应用前景；采用氧化物半导体材料形成半导体层24来制作的主动开关2具有较高的开关电流化比和较高的场效应迁移率，响应速度快，能够实现较大的驱动电流，可以制备大面积的显示面板；而且采用氧化物半导体材料形成半导体层24来制作的主动开关2可在室温下制备，低的制备温度就可以使用柔性衬底，从而导致柔性显示的出现，柔性显示技术具有更便携，更轻，更耐摔等，而采用氧化物半导体材料是非常的适合用于柔性显示的半导体材料。
可选的，氧化物半导体材料采用铟镓锌氧化物材料，通过铟镓锌氧化物材料制成的半导体层24，能够非常有效的降低显示面板的功耗，从而更好的节省电能，非常的节约环保；而且其载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主动开关2对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得分辨率可以达到全高清(Full HD)乃至超高清(Ultra Definition)级别程度；另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，使得显示面板具有更高的能效水平，而且效率更高；同时，利用非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。
如图3和图4所示，根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
S41：提供一基板；
S42：在所述基板上形成遮光层；
S43：在所述遮光层上形成缓冲层；
S44：在缓冲层上设置半导体层；
S45：在所述半导体层上设置保护材料层和绝缘材料层；
S46：采用同一道光罩获得绝缘层和保护层；
S47：在绝缘层上形成栅极层；
S48：在所述保护层和栅极层上形成层间介质层；
S49：在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层；
S50：所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
采用同一道光罩对绝缘材料层和栅极材料层进行刻蚀，先对绝缘层25进行刻蚀，再对绝缘材料层进行刻蚀时，获得绝缘层25和保护层26，保护层26能够有效的确保需要导体化的半导体层24区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效的降低对半导体层24的导体化部分的阻抗影响，从而保证主动开关2的开态电流的稳定性，进一步的提高显示面板的显示效果；而且绝缘层25覆盖设置半导体层24上，能有效防止导体化处理过程对半导体的过度处理，进一步的减小缺陷态的产生；同时这样设置未增加制程难度及光罩数量，也不会对制备显示面板的产能产生影响。
如图5和图6所示，所述在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层的步骤包括：
S61：采用等离子体在源极层和漏极层对应的耦接区域轰击保护层；
S62：在层间介质层上蚀刻出连通至耦接区域的通孔；
S63：在层间介质层上涂布金属材料层，金属材料层透过通孔耦接到半导体层；
S64：采用光罩制程蚀刻金属材料层，形成所述源极层和漏极层。
采用含有惰性气体如Ar、He等的等离子体对保护层26的表面进行物理轰击，亦或采用NH3，H2等进行掺杂在等离子体中，从而使得半导体层24需要被半导体化的区域实现半导体化，进一步的获得半导体化的半导体层24，半导体层24上形成的保护层26能够有效的防止导体化处理对氧化物半导体的过度处理，减小缺陷态的产生，使得半导体层24具有较高的载流子迁移率特性，进一步的使得半导体层24具有较高的开关电流化比和较高的场效应迁移率，响应速度快，能够实现较大的驱动电流，可以制备大面积的显示面板。
源极层22和漏极层23的一端均设在钝化层14和层间介质层13之间，源极层22和漏极层23的另一端穿过层间介质层13与半导体层24相连接，通过对层间介质层13和保护层26进行时可处理，形成通孔15方便源极层22和漏极层23的另一端与半导体层24进行电连接，从而实现主动开关2的良好的工作性能。
保护层采用与绝缘层25相同的材料，方便保护层和绝缘层25的同时制作，有利于进一步的节约生产成本。
在上述实施例中，所述基板的材料可以选用玻璃、塑料等。
在上述实施例中，显示面板包括液晶显示面板、等离子显示面板、OLED、QLED或其他显示面板，以液晶显示面板为例，液晶面板包括阵列基板和彩膜基板(CF)，所述阵列基板与彩膜基板相对设置，所述阵列基板与彩膜基板之间设有液晶和间隔单元(photo spacer，PS)，所述阵列基板上设有薄膜晶体管(TFT)，彩膜基板上设有彩色滤光层。
在上述实施例中，彩膜基板可包括TFT阵列，彩膜及TFT阵列可形成于同一基板上，阵列基板可包括彩色滤光层。
在上述实施例中，本发明的显示面板可为曲面型面板。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
遮光层，形成于所述基板上；
缓冲层，形成于所述遮光层上；
半导体层，形成于所述缓冲层上；
保护层，形成于所述半导体层上；
绝缘层，形成于所述保护层上；
层间介质层，形成于所述保护层上；
其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述保护层完全覆盖半导体层的表面，所述保护层上设有两个通孔，两个所述通孔设在所述绝缘层的两侧。
3.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述保护层在所述基板上的正投影区域与所述半导体层在所述基板上的正投影区域相重合。
4.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述保护层采用与所述绝缘层相同的材料，所述保护层与所述绝缘层为一体成型结构。
5.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述源极层和所述漏极层上设有钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极层和所述漏极层设置，所述钝化层与所述保护层之间设有层间介质层。
6.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述半导体层采用氧化物半导体材料制成。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
遮光层，形成于所述基板上；
缓冲层，形成于所述遮光层上；
半导体层，形成于所述缓冲层上；
保护层，形成于所述半导体层上；
绝缘层，形成于所述保护层上；
层间介质层，形成于所述保护层上；
其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度；所述保护层完全覆盖半导体层的表面，所述保护层上设有两个通孔，两个所述通孔设在所述绝缘层的两侧；所述保护层在所述基板上的正投影区域与所述半导体层在所述基板上的正投影区域相重合；所述源极层和所述漏极层上设有钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极层和所述漏极层设置，所述钝化层与所述保护层之间设有层间介质层；所述保护层采用与绝缘层相同的材料；所述半导体层采用氧化物半导体材料制成。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成遮光层；
在所述遮光层上形成缓冲层；
在缓冲层上设置半导体层；
在所述半导体层上设置保护材料层和绝缘材料层；
采用同一道光罩获得保护层和绝缘层；
在绝缘层上形成栅极层；
在所述保护层和栅极层上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层；
所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。
9.如权利要求8所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成与半导体层耦接的源极层和漏极层的步骤包括：
采用等离子体在源极层和漏极层对应的耦接区域轰击保护层；
在层间介质层上蚀刻出连通至耦接区域的通孔；
在层间介质层上涂布金属材料层，金属材料层透过通孔耦接到半导体层；
采用光罩制程蚀刻金属材料层，形成所述源极层和漏极层。
10.如权利要求9所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层采用与绝缘层相同的材料。
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