JP4527197B2 - 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4527197B2 JP4527197B2 JP2009500086A JP2009500086A JP4527197B2 JP 4527197 B2 JP4527197 B2 JP 4527197B2 JP 2009500086 A JP2009500086 A JP 2009500086A JP 2009500086 A JP2009500086 A JP 2009500086A JP 4527197 B2 JP4527197 B2 JP 4527197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light emitting
- type layer
- semiconductor light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、発光層を薄い基板上に形成した半導体発光素子および半導体発光装置を作製する製造方法に関するものである。
発光ダイオードやレーザーダイオードなどの半導体発光装置は、サファイアやGaN系の基板上に発光層を形成することで得られる。この基板は発光層の作製後は不要となる。しかし、発光層は基板上に安定に作製されるため、あえて基板を除去せず、半導体発光素子の一部として利用している。そのため基板は透明性のある材料が用いられている。
半導体発光素子としては、この基板の厚みが薄ければ、基板側面から漏れる損失光が減る。そのため基板を薄く出来れば面発光に近づけることになる。
一方、基板を薄くすると機械的な強度が減るため、基板が割れ、歩留まりが低下するという課題がある。これに対しては、基板上に発光層を形成し、電極に固定した後に、レーザーを照射して発光層を基板から剥離する技術がある(特許文献1参照)。
また、基板を両面テープで別の基板に貼り付け、貼り付け部から気泡を抜き、基板に割れを生じさせる事無く薄く加工する技術の開示もある(特許文献2参照)。
特開2006−128659号公報
特開2002−158193号公報
発光層は基板上にMOCVD法などの薄膜形成方法で薄く作製されているので、レーザーを照射して基板を除去してしまうと、その際に生じる熱的あるいは機械的ダメージにより発光層の特性が劣化してしまう場合がある。また基板を安定して薄く加工できたとしても、薄い基板上に発光層を形成するのは、加工途中での基板割れが生じるおそれがある。
望ましくは、厚い基板上に発光層を形成し、それを安定して薄く加工できる製造方法が好ましい。本発明はかかる課題に鑑み想到されたものである。
上記課題を解決するために本発明は、厚い基板上に発光層を形成し、それを研削台に固定した後、基板を研削することで基板厚みを薄くする。さらにその薄くなった基板に支持基板を仮接着する。その後、支持基板を仮接着したままの状態で、研削台からはずし、1つ1つの素子に切断加工し、それを引出電極などが施されたサブマウントに固定する。このように半導体発光装置としてから、最後に支持基板を除去する。
本発明の製造方法では、厚い基板上に発光層を形成し、基板を薄く研磨した後、基板の厚みが薄くなったために低下した機械的な強度を、支持基板によって補強する。従って、基板を薄くし、かつ機械的な強度を保持できる状態で、加工を行なうので、従来と同じ製造設備で、薄い基板の半導体発光装置を歩留まりよく得る事ができる。
(実施の形態1)
図1に本発明の半導体発光装置1を示す。半導体発光装置1は、サブマウント21上に、半導体発光素子10が固定されている構造である。
図1に本発明の半導体発光装置1を示す。半導体発光装置1は、サブマウント21上に、半導体発光素子10が固定されている構造である。
サブマウント21には、引出電極22,23が形成されている。引出電極は半導体発光素子10へ電流を印加するための電極である。半導体発光素子のn型層の側に接続するn側引出電極22とp型層の側に接続されるp側引出電極23がある。さらに図1では、引出電極は、スルーホール26,27を介して裏面電極28,29へ接続されている。これによって裏面電極28,29から半導体発光素子へ電流を流す事が出来る。なお、裏面電極もn側裏面電極28とp側裏面電極29がある。
引出電極にはバンプ24,25が形成されている。引出電極同様、バンプもn型層に接続されるn側バンプ24とp型層に接続されるp側バンプ25がある。図1ではp側バンプは複数あるが、まとめて符号25で表す。もちろんn側バンプが複数個あってもよい。
このバンプによって引出電極と半導体発光素子は直接接続されている。従って、このバンプは接続線である。サブマウント、引出電極、裏面電極、スルーホール、バンプを含めて支持体20と呼ぶ。なお、実施形態によっては、裏面電極や、スルーホール、バンプが支持体20から省略される場合もある。
サブマウント21は、シリコンツェナーダイオード、シリコンダイオード、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、その他のセラミック等を用いることができる。
スルーホールはサブマウントに穿たれた貫通孔で、内部に銅、アルミニウム、金等の導電材料を含む。裏面電極28,29は、スルーホールと電気的に接合しており、銅、銀、金などの導電材料で作製される。引出電極は、銅、アルミニウム、金、銀といった導電性の材料を用いる。
バンプは半導体発光素子10をサブマウント21上に固定し、また引出電極22、23との間を電気的に結合させる役割を有する。
バンプの材料としては、金、金−錫、半田、インジウム合金、導電性ポリマーなどを用いることができるが、特に金や金を主成分とする材料が好ましい。これらの材料を用いて、メッキ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、液滴射出法、ワイヤーバンプ法等を用いて形成することができる。
例えば、ワイヤーバンプ法で金ワイヤーを作成し、その一端をボンダーにてサブマウント上の引出電極に接着した後、ワイヤーを切断することで金バンプを形成する。また、金などの高導電性材料の微粒ナノ粒子を揮発性溶剤に分散した液をインクジェット印刷と同様な手法で印刷し、溶剤を揮発除去してナノ粒子の集合体としてのバンプを形成する液滴射出法を用いることもできる。
図2に半導体発光素子10の断面図を、図3に基板上部方向からの平面図を示す。半導体発光素子10は、基板11、n型層12、活性層13、p型層14、n側電極16、p側電極17からなる。
基板11は、発光層を保持する役目を負う。材質としては、絶縁性のサファイアを用いることができる。しかし、発光効率や発光する部分が窒化ガリウム(GaN)を母材とすることから、n型層12と基板11との界面での光の反射を少なくするために発光層と同等の屈折率を有するGaNやSiC、AlGaN、AlNを用いるのが好適である。本発明の製造方法は基板が割れることなく薄く加工できる。従って、GaNやSiC、AlGaN、AlNのような劈開性のある材料を基板として用いる場合に特に有効となる。本発明の製造方法では基板11の厚みは50μm以下にも加工することができる。
発光層となるn型層12と活性層13とp型層14は基板11上に順次積層される。材質は特に制限はないが、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。具体的には、それぞれ、GaNのn型層12、InGaNの活性層13、GaNのp型層14である。なお、n型層12やp型層14としては、AlGaNやInGaNを用いてもよいし、n型層12と、基板11との間に、GaNやInGaNで構成したバッファ層を用いることも可能である。また、例えば、活性層13は、InGaNとGaNが交互に積層した多層構造(量子井戸構造)としてもよい。
このように基板11上に積層したn型層12と活性層13とp型層14の一部から、活性層13とp型層14を除去し、n型層12を露出させる。この露出させたn型層12上に形成されたのが、n側電極16である。また、p型層14上に同じくp側電極17が形成される。つまり、活性層13とp型層14を除去し、n型層12を露出させることで、発光層とp側電極およびn側電極は基板に対して同じ側の面に形成することができる。
p側電極17は発光層で発した光を基板11の側に反射するために反射率の高いAgやAl、Rh等の第1の電極を用いる。すなわち、基板11の天面側が射光面30となる。p型層14とp側電極17のオーミック接触抵抗を小さくするためにp型層14とp側電極の間にPtやNi、Co、ITO等の電極層を用いるとより望ましい。また、n側電極16はAlやTi等を用いることができる。p側電極17およびn側電極16の表面にはバンプとの接着強度を高めるためにAuやAlを用いることが望ましい。これらの電極は真空蒸着法、スパッタリング法などによって、形成することができる。
半導体発光素子10のサイズは、特に限定はないが、光量が大きく面発光に近い光源とするには、全面積が広い方がよく、好ましくは一辺が600μm以上であることが望ましい。
図4には、本発明の半導体発光素子及び半導体発光装置の製造方法を示す。まず、基板11となる材料上にn型半導体12と、活性層13とp型半導体14を形成する(図4(A))。なお、基板となる材料はウェハ41と呼ぶ。次にp型半導体14と活性層13の一部をエッチングで取り去り、n型半導体を露出させる(図4(B))。
露出したn型半導体上と、p型半導体上にそれぞれn側電極16、p側電極17を形成する(図4(C))。そして研削台36上に充填材38で固定する(図4(D))。研削台36は基板11を研削研磨する際の保持部材となる。材質は特に限定はないが、変形せず硬度のあるセラミック等が好適である。厚みは20〜30mm程度あればよい。充填材38はしっかりと固定でき、かつ容易に除去できる材料がよい。たとえば、エレクトロンワックスなどのワックス材が好適である。
研削台36で保持しておき、基板を研削する(図4(E))。研削した面は射光面30となる。ここで基板を所望の厚さに加工する。基板11は充填材38で研削台36に固定されているため、加工時の応力によって割れるといった損傷を受けない。
図5に本発明の製造方法の図4からの続きを示す。研削によって薄く加工された基板11に、研削台がついたままの状態で、接着剤40を介して支持基板42を接着する(図5(F))。この支持基板42の接着によって研削で薄くなった基板11の機械強度を補償する。また、研削台がついたままで、支持基板42を接着すれば、接着の工程で基板11が割れることはない。
この支持基板42は最終的に除去するので、接着剤は剥離可能な材料を用いる。また、図5(I)の工程で、実際に発光させ検査などを行なうため支持基板および接着剤は透光性であることが望ましい。具体的にはアクリル系の接着剤やUV硬化樹脂などが好適である。またエポキシ系の接着剤でもよい。これらの接着剤は、スピンコートで塗布するのがよい。接着剤は非常に薄く塗布する必要があるためである。ただし、塗布で接着剤を塗っても良い。
また、支持基板はカバーガラスなどの透明なセラミック材料を用いる事ができる。厚さは特に限定はないが、0.15〜0.2mm程度が好適である。
支持基板42を接着した後、充填材38を取り除き、研削台36を剥離する(図5(G))。充填材38は、熱を加えることによって容易に溶融するので、研削台36は剥離することができる。
その後、レーザースクライブなどによって、ノッチ44を入れ(図5(H))、半導体発光素子をそれぞれ分離する(図5(I))。ノッチ44は支持基板42の深さまで入れておけば、分離の工程においても基板11に割れが生じるおそれは非常に低い。
半導体発光素子を分離した状態で、検査および選別を行なう。すなわち、電極に電流を通じて実際に発光させる。
図6には、図5で作製した半導体発光素子10を用いて半導体発光装置を作製する製造方法を示す。サブマウント21となる材料上に、引出電極22,23を形成する。必要に応じてスルーホールや、裏面電極も形成しておく。引出電極22,23にはバンプ24,25を形成しておく。そして、半導体発光素子10を溶着させる(図6(J))。
次にこの半導体発光装置から支持基板42を除去する(図6(K))。これは使用した接着剤の種類によって異なる方法を使えばよいが、アセトンやメチルエチルケトン(MEK)、テトラヒドロフラン(THF)やジメチルホルムアミド(DHA)といった非極性溶剤に浸したり、熱可塑性の接着剤の場合は熱をかけてゆるめておいて、剥離するといった方法を用いることができる。
このようにすることで、基板11の薄い半導体発光装置を歩留まりよく得る事ができる。
図7には、図6で作製した半導体発光装置1に蛍光体含有封止層50を配した半導体発光装置2を示す。形成する方法は特に限定はないが、蛍光体含有封止層用の塗料を印刷で塗布するのが、作製時間も短く簡単である。
蛍光体含有封止層50は、無機若しくは有機の蛍光体材料の粒子を樹脂もしくはガラスといった透明媒体中に分散したものである。
例えば、半導体発光素子10が青色を発光し、半導体発光装置2自体の発光色を白色にする場合は、半導体発光素子10からの青色の光を受けて、黄色に波長を変換し放出する蛍光体である。このような蛍光体材料としては、希土類ドープ窒化物系、または、希土類ドープ酸化物系の蛍光体が好ましい。より具体的には、希土類ドープアルカリ土類金属硫化物希土類ドープガーネットの(Y・Sm)3(Al・Ga)5O12:Ceや(Y0.39Gd0.57Ce0.03Sm0.01)3Al5O12、希土類ドープアルカリ土類金属オルソ珪酸塩、希土類ドープチオガレート、希土類ドープアルミン酸塩等を好適に用いることができる。また、珪酸塩蛍光体(Sr1−a1−b2−xBaa1Cab2Eux)2SiO4やアルファサイアロン(α−sialon:Eu)Mx(Si,Al)12(O,N)16を黄色発光の蛍光体材料として用いても良い。
媒体としては、シリコン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂を主成分とする樹脂が用いることができる。特に非シリコン樹脂としては、シロキサン系の樹脂やポリオレフィン、シリコーン・エポキシハイブリッド樹脂などが好適である。
なお、樹脂の代わりにゾルゲル法で作成されるガラス材料を用いることもできる。具体的には、一般式Si(X)n(R)4−n(n=1〜3)で表される化合物である。ここで、Rはアルキル基であり、Xはハロゲン(Cl、F、Br、I)、ヒドロキシ基(−OH)、アルコキシ基(−OR)から選ばれる。このガラス材の中にも蛍光体や一般式がM(OR)nで表されるアルコキシドを添加することもできる。アルコキシドを添加することによって凹凸構造の屈折率を変えることができる。
また、これらのガラス材料は硬化反応温度が摂氏200度程度のものもあり、バンプや電極各部に用いる材料の耐熱性を考慮しても好適な材料と言える。蛍光体材料と媒体を混ぜ合わせた状態を蛍光体塗料と呼ぶ。
(実施の形態2)
本発明の製造方法では、基板11の射光面に反射防止処理を施す工程を加えることも出来る。
本発明の製造方法では、基板11の射光面に反射防止処理を施す工程を加えることも出来る。
半導体発光装置は、射光面に反射防止処理を行なうことで、基板内を進む光で射光面に浅い角度で入射する光が全反射するのを防止し、半導体発光素子からの光取出し効率が向上する。
図8に反射防止処理を施した半導体発光装置3の製造方法を示す。半導体発光装置3の製造方法は実施の形態1の場合と同じである。ただし、実施の形態1で説明した図4(E)の次に図8の工程を加える。図8の工程は射光面30に反射防止処理57を施す工程を示す。
反射防止処理57は、射光面30に微小な凹凸構造を形成することである。微小な凹凸構造は射光面での全反射を防ぎ、光の取り出し効率を向上させる。
微小凹凸構造は、ナノインプリント技術を用いた微細加工を用いれば、光の波長と同程度若しくは、使う光の波長によっては、それ以下のスケールの微細パターンを形成することもできる。また形状も溝形状、錘状、半円球状など、さまざまなパターンの形成が可能である。ナノインプリントを行なう場合は、射光面30にPMMA(ポリメチルメタクリレート)などのポリマーレジストを塗布して乾燥、ベークした後、モールド面に形成された凹凸形状を転写する。
エッチングによる表面の凹凸形状の形成は、工程が簡単であり、また光取り出し効果も向上する。しかし、凹凸形状の正確な制御が困難であり、また全く同じ凹凸形状を多くの基板表面上に形成できないという特性がある。エッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでも利用する事ができる。ドライエッチングでは、イオンミリング法や塩素ガス法などがある。ウェットエッチングでは、アルカリを主体としたエッチャントを用いてエッチングを行うことができる。
また、研削する工程の最後に用いる砥石の粒度を調節して、研削が終わった状態で、ある範囲の表面粗さに仕上げ、基板表面の凹凸構造とすることもできる。
また、インクジェット印刷法により基板表面に凹凸構造を作成することもできる。この方法は基板をエッチングする工程を含まないので簡便に行うことができる。作成する凹凸構造自体の屈折率を調整することで、光取出し効果を得る事ができる。
反射防止処理57の工程(図8)を加え、その他は実施の形態1と同じ工程を経ることによって、半導体発光装置3を得る事ができる(図9)。
さらに実施の形態1と同様に蛍光体含有封止層50を半導体発光素子の周囲に塗布した半導体発光装置4も得る事ができる(図10)。
なお、本明細書を通じてAlはアルミニウム、Nは窒素、Oは酸素、Agは銀、Rhはロジウム、Ptは白金、Niはニッケル、Coはコバルト、Tiはチタン、Auは金、Yはイットリウム、Smはサマリウム、Ceはセリウム、Srはストロンチウム、Baはバリウム、Caはカルシウム、Euはユウロピウム、Mgはマグネシウムを表す。
本発明は、基板の薄い半導体発光装置を歩留まりよく製造する半導体発光装置の製造に利用する事が出来る。
1 半導体発光装置
10 半導体発光素子
11 基板
12 n型層
13 活性層
14 p型層
16 n側電極
17 p側電極
20 支持体
21 サブマウント
22 n側引出電極
23 p側引出電極
24 n側バンプ
25 p側バンプ
26、27 スルーホール
30 射光面
36 研削台
38 充填材
42 支持基板
44 ノッチ
50 蛍光体含有封止層
57 全反射防止処理を施した射光面
10 半導体発光素子
11 基板
12 n型層
13 活性層
14 p型層
16 n側電極
17 p側電極
20 支持体
21 サブマウント
22 n側引出電極
23 p側引出電極
24 n側バンプ
25 p側バンプ
26、27 スルーホール
30 射光面
36 研削台
38 充填材
42 支持基板
44 ノッチ
50 蛍光体含有封止層
57 全反射防止処理を施した射光面
Claims (6)
- 基板にn型層と活性層とp型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記p型層の一部を除去し、前記n型層と前記p型層にそれぞれn側電極およびp側電極を形成する工程と、
前記基板を研削台に接着する工程と、
前記基板を研削する工程と、
前記研削した基板面に支持基板を接着する工程と、
前記研削台から前記基板を剥離する工程と、
前記n型層にノッチを入れる工程と、
前記支持基板を剥離する工程を含む半導体発光素子の製造方法。 - 基板にn型層と活性層とp型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記p型層の一部を除去し、前記n型層と前記p型層にそれぞれn側電極およびp側電極を形成する工程と、
前記基板を研削台に接着する工程と、
前記基板を研削する工程と、
前記研削した基板面に支持基板を接着する工程と、
前記研削台から前記基板を剥離する工程と、
前記n型層にノッチを入れる工程と、
引出電極を形成したサブマウントに前記n側電極及びp側電極を接続する工程と、
前記支持基板を剥離する工程を含む半導体発光装置の製造方法。 - 前記支持基板を剥離する工程の後に蛍光体含有封止層を形成する工程を含む請求項2記載の半導体発光装置の製造方法。
- 基板にn型層と活性層とp型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記p型層の一部を除去し、前記n型層と前記p型層にそれぞれn側電極およびp側電極を形成する工程と、
前記基板を研削台に接着する工程と、
前記基板を研削する工程と、
前記研削した基板面に全反射防止処理を施す工程と、
前記全反射防止処理を施した基板面に支持基板を接着する工程と、
前記研削台から前記基板を剥離する工程と、
前記n型層にノッチを入れる工程と、
前記支持基板を剥離する工程を含む半導体発光素子の製造方法。 - 基板にn型層と活性層とp型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記p型層の一部を除去し、前記n型層と前記p型層にそれぞれn側電極およびp側電極を形成する工程と、
前記基板を研削台に接着する工程と、
前記基板を研削する工程と、
前記研削した基板面に全反射防止処理を施す工程と、
前記全反射防止処理を施した基板面に支持基板を接着する工程と、
前記研削台から前記基板を剥離する工程と、
前記n型層にノッチを入れる工程と、
引出電極を形成したサブマウントに前記n側電極及びp側電極を接続する工程と、
前記支持基板を剥離する工程を含む半導体発光装置の製造方法。 - 前記支持基板を剥離する工程の後に蛍光体含有封止層を形成する工程を含む請求項5記載の半導体発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007040236 | 2007-02-21 | ||
JP2007040236 | 2007-02-21 | ||
PCT/JP2008/000269 WO2008102548A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-02-19 | 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008102548A1 JPWO2008102548A1 (ja) | 2010-05-27 |
JP4527197B2 true JP4527197B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=39709828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009500086A Expired - Fee Related JP4527197B2 (ja) | 2007-02-21 | 2008-02-19 | 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7951625B2 (ja) |
EP (1) | EP2113950A4 (ja) |
JP (1) | JP4527197B2 (ja) |
CN (1) | CN101569024B (ja) |
WO (1) | WO2008102548A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5375041B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2013-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP4799606B2 (ja) | 2008-12-08 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
US7994531B2 (en) * | 2009-04-02 | 2011-08-09 | Visera Technologies Company Limited | White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof |
WO2011033516A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Viagan Ltd. | Wafer level packaging of electronic devices |
US9502612B2 (en) | 2009-09-20 | 2016-11-22 | Viagan Ltd. | Light emitting diode package with enhanced heat conduction |
US8384105B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation |
JP5455764B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-03-26 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
CN101976715B (zh) * | 2010-10-05 | 2011-10-05 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺 |
DE102011012298A1 (de) * | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verbundsubstrat, Halbleiterchip mit Verbundsubstrat und Verfahren zur Herstellung von Verbundsubstraten und Halbleiterchips |
CN102683538B (zh) | 2011-03-06 | 2016-06-08 | 维亚甘有限公司 | 发光二极管封装和制造方法 |
WO2013011415A1 (en) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of bonding a semiconductor device to a support substrate |
US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
JP5919753B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2016-05-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2013207108A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
WO2013150427A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Koninklijke Philips N.V. | Led thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal |
JPWO2013154181A1 (ja) * | 2012-04-13 | 2015-12-21 | 株式会社ドゥエルアソシエイツ | チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法 |
US20140001948A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Nitto Denko Corporation | Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof |
CN102800585B (zh) * | 2012-07-09 | 2015-09-09 | 厦门飞德利照明科技有限公司 | 一种发光二极管的电铸制造方法 |
WO2016183844A1 (en) * | 2015-05-21 | 2016-11-24 | Goertek.Inc | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168383A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 複合発光素子の製造方法 |
JP2005252222A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法 |
JP2006279080A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子ウエハの固定方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000022213A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
JP2002158193A (ja) | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板およびその製造方法で製造された半導体レーザ素子 |
CA2466141C (en) * | 2002-01-28 | 2012-12-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
US8294172B2 (en) * | 2002-04-09 | 2012-10-23 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical devices using a metal support film |
EP1658642B1 (en) * | 2003-08-28 | 2014-02-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
TWI308397B (en) * | 2004-06-28 | 2009-04-01 | Epistar Corp | Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof |
JP2006086516A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2006078710A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 防眩フィルム |
JP2006128659A (ja) | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
CN100403562C (zh) * | 2005-03-15 | 2008-07-16 | 金芃 | 垂直结构的半导体芯片或器件 |
US7625778B2 (en) * | 2005-06-08 | 2009-12-01 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Method of manufacturing a substrate-free flip chip light emitting diode |
WO2007001144A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing light emitting diode device having heat dissipation rate enhancement |
US20070004066A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-04 | Dong-Sing Wuu | Method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device manufactured therefrom |
-
2008
- 2008-02-19 WO PCT/JP2008/000269 patent/WO2008102548A1/ja active Application Filing
- 2008-02-19 JP JP2009500086A patent/JP4527197B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-19 EP EP08710422.0A patent/EP2113950A4/en not_active Withdrawn
- 2008-02-19 CN CN200880001275XA patent/CN101569024B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-19 US US12/518,388 patent/US7951625B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168383A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 複合発光素子の製造方法 |
JP2005252222A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法 |
JP2006279080A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子ウエハの固定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2113950A4 (en) | 2015-05-27 |
JPWO2008102548A1 (ja) | 2010-05-27 |
CN101569024A (zh) | 2009-10-28 |
US7951625B2 (en) | 2011-05-31 |
US20100047939A1 (en) | 2010-02-25 |
CN101569024B (zh) | 2011-01-12 |
WO2008102548A1 (ja) | 2008-08-28 |
EP2113950A1 (en) | 2009-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4527197B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法 | |
US8552444B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same | |
JP2008277409A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP6237181B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TWI593139B (zh) | Semiconductor light-emitting element and optical film | |
JP6398222B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
TWI700682B (zh) | 半導體模組、顯示裝置、及半導體模組的製造方法 | |
JP5603813B2 (ja) | 半導体発光装置及び発光装置 | |
US10586900B2 (en) | Light-emitting device | |
US10283685B2 (en) | Light emitting device and method of fabricating the same | |
JP2007059418A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP2008108952A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2008205229A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法 | |
JP2007266571A (ja) | Ledチップ、その製造方法および発光装置 | |
JP2009070869A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007067183A (ja) | 化合物半導体発光素子を有するledパッケージ | |
KR100958590B1 (ko) | 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | |
JP2008066557A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
TWI231054B (en) | Light-emitting diode and its manufacturing method | |
JP6349953B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2008300501A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2010199248A (ja) | 発光装置 | |
JP2018011088A (ja) | 発光装置 | |
JP2008166487A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2016162974A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100602 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |