CN107453052A - 一种电磁吸收超材料 - Google Patents

一种电磁吸收超材料 Download PDF

Info

Publication number
CN107453052A
CN107453052A CN201710685056.9A CN201710685056A CN107453052A CN 107453052 A CN107453052 A CN 107453052A CN 201710685056 A CN201710685056 A CN 201710685056A CN 107453052 A CN107453052 A CN 107453052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
meta materials
electromagnetic absorption
film
refractive index
composite film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710685056.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107453052B (zh
Inventor
李铁
余爱生
李伟
王跃林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS filed Critical Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Priority to CN201710685056.9A priority Critical patent/CN107453052B/zh
Publication of CN107453052A publication Critical patent/CN107453052A/zh
Priority to US16/638,070 priority patent/US20200174166A1/en
Priority to PCT/CN2018/086649 priority patent/WO2019029207A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107453052B publication Critical patent/CN107453052B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本发明的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制；电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的环境。

Description

一种电磁吸收超材料
技术领域
本发明涉及电磁吸收超材料技术领域，特别是涉及基于金属局域表面等离子体谐振的，阵列排布谐振单元的超材料。
背景技术
这里的电磁吸收超材料的吸收特性，一般由阵列排布的谐振单元构成，在可见光到中红外波段，谐振单元可以由金属颗粒构成，这种谐振单元主要利用了金属颗粒的局域表面等离子体共振(Localized Surface Plasmon Resonance,LSPR)，也称为偶极子共振，谐振频率可以方便地由金属颗粒尺寸控制。LSPR峰的位置为：
其中D*为颗粒有效尺寸，nd为工作环境折射率，ωp为金属等离子体频率。
然而，在这些基于金属颗粒或金属谐振环的电磁吸收超材料中，由于金属的的固有损耗，导致谐振具有较大的谐振阻尼，导致LSPR峰的半高宽较大，这严重限制了电磁吸收超材料在窄带领域的应用。
2004年，美国西北大学的Shengli Zou等人在理论上证明了：在这种周期性排列的谐振单元中还存在一种半高宽比LSPR共振小1～2个量级的集体性共振峰，该共振峰与阵列周期高度相关，被称之为表面晶格共振(Surface lattice resonance,SLR)。次年，他们在实验中证实了这种共振峰的存在。
SLR的位置可由瑞利异常(Rayleigh abnormal，RA)位置估算。SLR峰的位置一般出现在RA的附近，但是又和RA不能完全吻合。RA出现的位置为：
其中，n为工作环境折射率；i，j为整数，指示不同的衍射级；Px，Py为不同方向的阵列周期。和瑞利异常一样，SLR的位置强烈地依赖阵列周期和工作环境折射率，此外，它还具有角度色散的特性，即SLR的位置与光源角度或探测角度相关。
SLR具有极低的半高宽，一般低至几纳米到几十纳米，可以在窄带的应用场景中发挥作用，例如窄带的红外探测器。此外，SLR还可以与LSPR耦合，使得两个峰重叠，以用来调节LSPR的共振峰型，例如获得不对称的Fano共振线型(与对称的洛伦兹线型区分)；或者在保持LSPR各项优点的同时，进一步降低LSPR的半高宽，例如，2008年，美国哈佛大学的Yizhuo Chu等人将二维金颗粒阵列制作在ITO材料上，并设计不同的阵列周期，将SLR的位置缓慢移动到LSPR的位置，将SLR与LSPR耦合，结果将经过合并的共振峰半高宽降低到26.6nm，相比之下，不利用SLR耦合的样品，其LSPR半高宽为311.6nm。
现阶段还没有直接利用SLR在远场的光谱特性实现的窄带光源或者窄带吸收器件，尚处于研究阶段。在SLR的远场应用中遇到的主要问题是目前SLR的观测需要满足均匀的介质环境和高度一致的周期。其中，介质环境是指器件本身所具有的紧贴谐振单元上下表面的环境(并非工作环境)，谐振单元上下表面的折射率不相同可能导致SLR共振峰的强度变得非常微弱，并且展宽增加；SLR共振峰的强度也很容易受到阵列一致性的影响，阵列周期的不一致和谐振单元的不一致，都可能导致相同问题。这些都限制了SLR在远场光学中的实际应用。
为了保证介质环境的均匀性，上述Yizhuo Chu等人的工作便使用了高精度的电子束曝光，同时，在阵列上表面使用“水”来获得相对均匀的介质环境。此外，2010年，RonenAdato等人提出一种嵌入谐振单元的结构，即首先在衬底挖凹槽，然后将谐振单元制作在凹槽内，谐振单元被嵌入衬底中，这样，可以认为谐振单元上下表面均处于衬底这一均匀的介质环境中，以实现相对均匀的介质环境。
不过，引入高精度电子束曝光技术，或者制造凹槽，都会明显增加器件加工难度，无疑也增加了制造成本，并限制了SLR的应用。此外，液态匹配层也可以被添加在该谐振单元结构的上表面以实现SLR的观测。2013年，Andrey G.Nikitin等人发现，SLR可以在谐振单元上下表面不均匀的介质环境中实现观测。他们把谐振单元做在玻璃衬底上(n＝1.5)，分别对比了丙三醇(n＝1.47)、水(n＝1.33)和空气(n＝1)三种液态层作为上表面的情况，结果在谐振单元上下表面不均匀的介质环境中(如水和空气)，依然观察到了SLR对LSPR的影响。但是由于SLR是一种晶格表面共振，在使用液态匹配层时，其共振峰位很容易受到液态匹配层厚度的影响，而在实际应用中，液态匹配层均匀性差时SLR强度较弱，且液态匹配层的厚度和均匀性并不好控制，这就导致SLR的位置变得不确定了；此外，如果器件工作在液态或运动工作环境中，这种液态匹配层便不能发挥作用。
2016年SEYED M.SADEGHI等人发现，在近红外波段，使用几十纳米厚度的Si薄膜，同样可以有效地增强了SLR强度。该方法不需要使用很厚的液态层(或液态+介质块)来达到阵列上下两侧介质的折射率接近的效果，而是直接添加介质薄膜，而且阵列上方覆盖的介质并没有和下方介质的折射率接近，因此不再需要实现折射率匹配。但是，该方法由于使用硅薄膜的调制能力有限，在不同的工作环境下，硅薄膜可能不能达到预期的效果。例如，当器件所处工作环境折射率远大于硅的折射率时。
发明内容
本发明旨在提供一种电磁吸收超材料，以实现对其表面晶格共振(SLR)的灵活调制，并增强其对工作环境适应性。
为了实现上述目的，本发明提供了一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，其特征在于，所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为多层不同材料的固态电介质层按不同厚度比例的叠加。
所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。
所述电介质复合薄膜通过使用半导体薄膜工艺，在电磁吸收超材料表面沉积，该半导体薄膜工艺包括CVD、PVD或ALD。
所述电介质复合薄膜对该电磁吸收超材料的表面晶格共振位置和对SLR强度予以调制。
所述电介质复合薄膜对该电磁吸收超材料的强度调制包括使SLR的位置向短波处移动或者SLR强度减弱，为将所述电介质复合薄膜的等效折射率设置为小于工作环境折射率。
所述电介质复合薄膜对该电磁吸收超材料的强度调制包括使SLR的位置向长波处移动或者SLR强度增强，为将所述电介质复合薄膜的等效折射率设置为大于工作环境折射率。
所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率neff为：
其中，N为电介质复合薄膜的层数，ni为第i层介质折射率，hi为第i层介质厚度，h为复合膜总厚度。
所述电介质复合薄膜的厚度或电介质薄膜的等效折射率与工作环境折射率的差距与调制效果成正比，而与实现相同调制效果所需的膜厚成反比。
所述谐振单元阵列(23)的谐振单元为基于LSPR或LC谐振的谐振单元。
所述电介质复合薄膜通过半导体工艺中的CVD、PVD或ALD制备。
本发明提供的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而通过改变电介质复合薄膜的薄膜厚度以及电介质薄膜的等效折射率与工作环境折射率的差值实现SLR的更加灵活和可控的调制；用表面电介质复合薄膜取代现有的液态匹配层来增强或调制该超材料的SLR，不考虑现有的液态匹配层的折射率匹配的问题，电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的工作环境。此外，电介质复合薄膜厚度在几百纳米级别，可以很容易通过半导体工艺沉积上去，制作简便。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的具有复合薄膜的电磁吸收超材料的结构示意图；
图2是如图1所示的电磁吸收超材料的剖视图；
图3是根据本发明的另一个实施例的具有复合薄膜的电磁吸收超材料的剖视图；
图4是如图1所示的电磁吸收超材料，其复合薄膜具有不同厚度情况下的反射光谱，其中电介质复合薄膜等效折射率为1；
图5是如图1所示的电磁吸收超材料，其复合薄膜具有不同厚度情况下的反射光谱，其中电介质复合薄膜等效折射率为1.4；
图6是如图1所示的电磁吸收超材料，其复合薄膜具有不同厚度情况下的反射光谱，其中电介质复合薄膜等效折射率为1.6；
附图标记
1‐普通衬底；21‐金属薄膜；22‐中间隔离介质层；23‐周期性谐振单元阵列；3‐电介质复合薄膜；101‐透光衬底
具体实施方式
下面结合附图，给出本发明的较佳实施例，并予以详细描述。
如图1和图2所示是根据本发明的一个实施例的电磁吸收超材料，该超材料为一种设于衬底1上的非透光式超材料2，该超材料2由金属‐电介质‐金属三层材料制作，具体包括从下到上依次叠加的连续的金属薄膜21、连续的中间隔离介质层22和周期性谐振单元阵列23。该超材料2的上表面处于工作环境中，且其上表面紧贴有一层电介质复合薄膜3，用于调制该超材料的表面晶格共振(SLR)。
其中，该谐振单元为基于局域表面等离子体共振(LSPR)的金属谐振单元；该电介质复合薄膜3为多层不同材料例如氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅的固态电介质层按不同厚度比例的叠加。由于这种电介质复合薄膜3是多种材料的复合，例如，100nm的氧化硅+100nm的氮化硅，或者150nm的氧化硅+50nm的氮化硅，甚至是50nm氧化硅+50nm氮化硅+50nm氧化铝等等。由于组合形式多样，厚度比例多样，所以在这里称为电介质复合薄膜。电介质复合薄膜3通过半导体工艺中的化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或原子层沉积(ALD)，在超材料表面沉积。目前研究过的电介质复合薄膜3的总厚度在100nm‐400nm之间，可以很容易通过半导体工艺沉积上去，制作简便。
该电介质薄膜3的等效折射率neff可以通过下式计算：
其中，N为电介质复合薄膜3的层数，ni为第i层固态电介质层的折射率，hi为第i层固态电介质层的厚度，h为电介质复合薄膜3的总厚度。因此，如果忽略材料的消光特性，折射率最高的材料的折射率为high‐n，折射率最低的材料的折射率为low‐n，通过控制电介质薄膜3中不同材料薄膜层的厚度占比，可以线性地控制电介质薄膜3的等效光学参数neff，使其在high‐n至low‐n之间线性调节，从而满足不同工作环境的需求。通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜。
在应用中，电介质薄膜3的等效折射率neff对SLR起到调制作用，所述的调制包括对SLR位置的调制和对SLR强度的调制。
如图4‐6是如图1所示的电磁吸收超材料中，在不同的电介质薄膜3厚度情况下的反射光谱的仿真结果。该仿真结果具体使用FDTD软件进行仿真。其中，图4‐6中的金属薄膜23为100nm厚度的均匀金膜，由于厚度大于驱肤深度，没有透射，为此不考虑衬底材料；中间隔离介质层22为自定义材料厚度180nm，折射率实部为1.2，消光系数为零；周期性谐振单元阵列23的谐振单元的形状为半径为1.5μm，高100nm的圆柱，材料为金，以正方排列形式，排列周期在两个方向都是5μm。图4‐6都是假设工作环境折射率为1.2，即整个器件和光源都是处于折射率为1.2的工作环境中。仿真中使用一层自定义的介质薄膜来表示电介质薄膜3，薄膜折射率实部n分别取1、1.4、1.6，忽略消光k，每个图中不同的曲线代表不同厚度的薄膜。例如图4中的97nm是指图2中的电介质薄膜3为一层厚度为97nm，折射率n＝1，消光系数k＝0的自定义薄膜。
图4、5、6中的反射谷即SLR的位置。由图4‐6可知，如果电介质薄膜3的等效折射率neff小于工作环境折射率，则带有该电介质薄膜3的超材料相对于没有电介质薄膜3的超材料，其SLR的位置向短波处移动且SLR强度减弱；如果电介质薄膜3的等效折射率neff大于工作环境折射率，则带有该电介质薄膜3的超材料相对于没有电介质薄膜3的超材料，其SLR的位置向长波处移动且SLR强度增强。此外，在其它条件不变的情况下，通过控制薄膜厚度以及电介质薄膜3的等效折射率与工作环境折射率的差值，可以实现不同强度的调制，即实现SLR的位置和强度的灵活和可控的调制。薄膜厚度或电介质薄膜3的等效折射率与工作环境折射率的差距越大，调制效果越明显。使用复合膜折射率与工作环境折射率差距越大，实现相同调制效果所需的膜厚就越低。也就是说，所述电介质复合薄膜的厚度或电介质薄膜的等效折射率与工作环境折射率的差值与调制效果成正比，而与实现相同调制效果所需的膜厚成反比。
根据本发明的另一个实施例，如图3所示，该超材料2也可以为一种设于透光衬底101上的透光式电磁吸收超材料，具体包括周期性谐振单元阵列23，其谐振单元基于局域表面等离子体共振(LSPR)。此外，该超材料2可为其它具有周期性谐振单元阵列的超材料，其谐振单元可以基于LSPR或LC谐振。
以上所述的，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，本发明的上述实施例还可以做出各种变化。即凡是依据本发明申请的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰，皆落入本发明专利的权利要求保护范围。本发明未详尽描述的均为常规技术内容。

Claims (10)

1.一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列(23)，其特征在于，所述电磁吸收超材料(2)上表面设有一层电介质复合薄膜(3)，该薄膜(3)为多层不同材料的固态电介质层按不同厚度比例的叠加。
2.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。
3.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)通过使用半导体薄膜工艺，在电磁吸收超材料表面沉积。
4.根据权利要求3所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述半导体薄膜工艺包括CVD、PVD或ALD。
5.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的表面晶格共振位置和对SLR强度予以调制。
6.根据权利要求5所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的强度调制包括使SLR的位置向短波处移动或者SLR强度减弱，为将所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率设置为小于工作环境折射率。
7.根据权利要求5所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的强度调制包括使SLR的位置向长波处移动或者SLR强度增强，为将所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率设置为大于工作环境折射率。
8.根据权利要求6或7所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率neff为：
<mrow> <msub> <mi>n</mi> <mrow> <mi>e</mi> <mi>f</mi> <mi>f</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <munder> <mo>&amp;Sigma;</mo> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mi>N</mi> </mrow> </munder> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>n</mi> <mi>i</mi> </msub> <msub> <mi>h</mi> <mi>i</mi> </msub> </mrow> <mi>h</mi> </mfrac> <mo>,</mo> </mrow>
其中，N为电介质复合薄膜(3)的层数，ni为第i层介质折射率，hi为第i层介质厚度，h为复合膜总厚度。
9.根据权利要求6或7所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述电介质复合薄膜(3)的薄膜厚度或电介质薄膜(3)的等效折射率与工作环境折射率的差距与调制效果成正比，而与实现相同调制效果所需的膜厚成反比。
10.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料，其特征在于，所述谐振单元阵列(23)的谐振单元为基于LSPR或LC谐振的谐振单元。
CN201710685056.9A 2017-08-11 2017-08-11 一种电磁吸收超材料 Active CN107453052B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710685056.9A CN107453052B (zh) 2017-08-11 2017-08-11 一种电磁吸收超材料
US16/638,070 US20200174166A1 (en) 2017-08-11 2018-05-14 Electromagnetic Absorption Metamaterial
PCT/CN2018/086649 WO2019029207A1 (zh) 2017-08-11 2018-05-14 一种电磁吸收超材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710685056.9A CN107453052B (zh) 2017-08-11 2017-08-11 一种电磁吸收超材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107453052A true CN107453052A (zh) 2017-12-08
CN107453052B CN107453052B (zh) 2019-11-26

Family

ID=60492028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710685056.9A Active CN107453052B (zh) 2017-08-11 2017-08-11 一种电磁吸收超材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107453052B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108051408A (zh) * 2018-01-04 2018-05-18 中国计量大学 基于石墨烯的双层耦合型法诺共振传感器
CN108598702A (zh) * 2018-04-23 2018-09-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种超宽带低剖面天线阵列结构
CN109256620A (zh) * 2018-08-21 2019-01-22 四川大学 基于动态调控等效能级的太赫兹宽频带负折射率超材料的设计方法
WO2019029207A1 (zh) * 2017-08-11 2019-02-14 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料
CN110320579A (zh) * 2019-06-14 2019-10-11 太原理工大学 一种锥状双曲超材料光子结构及其制备方法
CN110888189A (zh) * 2019-12-16 2020-03-17 桂林电子科技大学 一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器
CN113140640A (zh) * 2021-04-16 2021-07-20 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法
CN113964513A (zh) * 2021-10-25 2022-01-21 国网天津市电力公司电力科学研究院 一种无线通信微波天线及其成型方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105431979A (zh) * 2013-03-15 2016-03-23 伟创力有限责任公司 用于吸收电磁干扰(emi)的粉末涂覆方法和装置
CN105742826A (zh) * 2016-03-01 2016-07-06 重庆大学 可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料
CN106329146A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 电子科技大学 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法
CN207490105U (zh) * 2017-08-11 2018-06-12 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105431979A (zh) * 2013-03-15 2016-03-23 伟创力有限责任公司 用于吸收电磁干扰(emi)的粉末涂覆方法和装置
CN105742826A (zh) * 2016-03-01 2016-07-06 重庆大学 可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料
CN106329146A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 电子科技大学 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法
CN207490105U (zh) * 2017-08-11 2018-06-12 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AISHENG YU ET AL: "Mid-Infrared Bandwidth Reduction of LSPR by Rayleigh Anomalies", 《PROCEEDINGS OF THE 12TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS》 *
FU, SZEMING ET AL: "Non-reciprocal meta-surfaces for nanophtonic light trapping: Optical isolators versus solar cells", 《2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019029207A1 (zh) * 2017-08-11 2019-02-14 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料
CN108051408B (zh) * 2018-01-04 2024-03-22 中国计量大学 基于石墨烯的双层耦合型法诺共振传感器
CN108051408A (zh) * 2018-01-04 2018-05-18 中国计量大学 基于石墨烯的双层耦合型法诺共振传感器
CN108598702B (zh) * 2018-04-23 2020-12-08 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种超宽带低剖面天线阵列结构
CN108598702A (zh) * 2018-04-23 2018-09-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种超宽带低剖面天线阵列结构
CN109256620A (zh) * 2018-08-21 2019-01-22 四川大学 基于动态调控等效能级的太赫兹宽频带负折射率超材料的设计方法
CN109256620B (zh) * 2018-08-21 2021-01-12 四川大学 一种基于动态调控等效能级的太赫兹宽频带负折射率超材料结构
CN110320579A (zh) * 2019-06-14 2019-10-11 太原理工大学 一种锥状双曲超材料光子结构及其制备方法
CN110888189A (zh) * 2019-12-16 2020-03-17 桂林电子科技大学 一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器
CN110888189B (zh) * 2019-12-16 2022-04-22 桂林电子科技大学 一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器
CN113140640A (zh) * 2021-04-16 2021-07-20 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法
CN113140640B (zh) * 2021-04-16 2022-11-29 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法
CN113964513A (zh) * 2021-10-25 2022-01-21 国网天津市电力公司电力科学研究院 一种无线通信微波天线及其成型方法
CN113964513B (zh) * 2021-10-25 2024-01-26 国网天津市电力公司电力科学研究院 一种无线通信微波天线及其成型方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107453052B (zh) 2019-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107453052B (zh) 一种电磁吸收超材料
US20200174166A1 (en) Electromagnetic Absorption Metamaterial
Patel et al. Ultra‐wideband, polarization‐independent, wide‐angle multilayer Swastika‐shaped metamaterial solar energy absorber with absorption prediction using machine learning
Xiao et al. Graphene-on-silicon hybrid plasmonic-photonic integrated circuits
Kabiri et al. Buried nanoantenna arrays: versatile antireflection coating
Luo et al. Tunable manipulation of terahertz wavefront based on graphene metasurfaces
Khonina et al. Numerical investigation of metasurface narrowband perfect absorber and a plasmonic sensor for a near-infrared wavelength range
Kang et al. Near-infrared optical extinction of indium tin oxide structures prepared by nanosphere lithography
CN207490105U (zh) 一种电磁吸收超材料
DeJarnette et al. Polarization angle affects energy of plasmonic features in Fano resonant regular lattices
US12019208B2 (en) Surface with tunable emissivity based on epsilon-near-zero materials and patterned substrates
Garcia-Santiago et al. Toward maximally electromagnetically chiral scatterers at optical frequencies
CN110780369A (zh) 基于石墨烯和一维光子晶体复合结构的可见光全波段吸收器
Rashidi et al. On the enhancement of light absorption in vanadium dioxide/1D photonic crystal composite nanostructures
Mao et al. Controlling of spontaneous emission of quantum dots based on hyperbolic metamaterials
Zhou et al. Preparation of flexible wavelength-selective metasurface for infrared radiation regulation
Hattori et al. Antireflection Substrates for Determining the Number of Layers of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Films and for Visualizing Organic Monolayers
Londhe et al. TiO2 as diffusion barrier at Co/Alq3 interface studied by x-ray standing wave technique
Cao et al. Perfect light absorption of monolayer MoS2 with cross-shaped groove air resonator
US20090104406A1 (en) Plasmonic coatings for reflectors
Starodubtsev Analytical modeling of nanometric perforated multilayers as perspective materials for ultra-thin holograms and phase transformers of reflected radiation
Zhang et al. Methods for extending working distance using modified photonic crystal for near-field lithography
Dubey et al. Microstructure tuning facilitated photo-efficiency enhancement and environmental benign nature of HfO2/Mo/HfO2 multilayer films
Wang et al. Particle swarm optimization and its application to the design of a compact tunable guided-mode resonant filter
Ying et al. Color characteristics of mechanochromic photonic bandgap composites

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant